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Academic literature on the topic 'Interface couche antireflet/silicium'

Author: Grafiati

Published: 13 July 2024

Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Interface couche antireflet/silicium"

1

Mouhoub, Ahmed. "Procédés Technologiques Alternatifs de Réalisation des Photopiles Solaires au Silicium Cristallin." Journal of Renewable Energies 4, no. 1 (2001): 11–22. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v4i1.994.

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Abstract:

Cet article présente les nouveaux procédés technologiques de réalisation des cellules solaires au silicium cristallin développés ces dernières années. Les plus étudiés sont la sérigraphie, la pulvérisation chimique (spray) et la rotation ou spin-on. Ces derniers utilisés principalement pour la.formation de la jonction ont été adaptés à d’autres étapes technologiques de réalisation de la photopile notamment celles de la métallisation et du dépôt de la couche antireflet. Le traitement de la surface des plaquettes ainsi que l’isolation de la jonction parasite sont également présentés.

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Dissertations / Theses on the topic "Interface couche antireflet/silicium"

1

Beji, Hiba. "Étude de la nitruration de surface de silicium par plasma N2 et de son impact sur l'interface avec une couche antireflet de type SiN(O)." Electronic Thesis or Diss., Université Clermont Auvergne (2021-...), 2024. http://www.theses.fr/2024UCFA0037.

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Abstract:

Dans le domaine photovoltaïque, les performances des cellules solaires sont impactées par deux problématiques majeures : les pertes par réflexion et les pertes par recombinaisons. Le premier objectif de ce travail est de diminuer la réflexion de la lumière à la surface du silicium en utilisant une couche antireflet de nitrure de silicium. Cette dernière est réalisée par pulvérisation cathodique magnétron en utilisant des gaz non toxiques (Ar, N2). Le deuxième objectif de cette étude est la passivation des centres de recombinaison au niveau de l'interface couche antireflet/silicium. Pour cela,

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2

Aureau, Damien. "Interface silicium/couche organique : Maîtrise des propriétés et fonctionnalisation." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2008. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00004611.

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Abstract:

Les couches organiques greffées de façon covalente sur le silicium apparaissent comme des systèmes prometteurs tant sur le plan fondamental qu'en raison des nombreuses applications envisageables : couches minces diélectriques, capteurs chimiques ou biochimiques. Ce travail de thèse est consacré à l'étude de ces systèmes par diverses techniques. La stabilité chimique et électrique de l'interface au cours du temps et au sein d'un électrolyte de pH variable sont décrites. La morphologie de la surface est contrôlée par microscopie AFM. La nature chimique du système est déterminée par spectroscopie

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3

Varache, Renaud. "Développement, caractérisation et modélisation d'interfaces pour cellules solaires à haut rendement à base d'hétérojonctions de silicium." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00781937.

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Abstract:

L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité

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4

Bodart, Vincent. "Controle de la croissance d'empilements ultra-minces carbone tungstene et silicium-tungstene par ellipsometrie cinetique in-situ : application aux miroirs pour x-mous." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077094.

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Abstract:

Dans le but d'obtenir des reflecteurs de bragg pour rx mous, on realise par pulverisation avec controle ellipsometrique in situ des empilements de 200 couches nanometriques. Observation de la formation des interfaces a l'echelle atomique, evaluation des rugosites d'interface

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5

Guillemot, François. "Couches poreuses de silice structurées par des latex : structure, propriétés mécaniques et applications optiques." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2010. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00543809.

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Abstract:

Les couches minces à bas indice de réfraction présentent un intérêt important pour ajuster les propriétés optiques de certains dispositifs, par exemple leur réflectivité. Les couches sol-gel mésoporeuses de silice préparées par auto-assemblage de tensioactif ont été l'objet de nombreuses études mais présentent un indice de réfraction très peu stable puisqu'elles peuvent être le lieu de condensation capillaire d'eau atmosphérique. Pour dépasser ce problème, nous avons préparé des couches sol-gel poreuses de silice, structurées par des latex synthétisés spécifiquement, avec des tailles de pores

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6

Lérondel, Gilles. "Propagation de la lumière dans le silicium poreux : application à la photonique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10253.

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Abstract:

Ce travail porte sur la caractérisation optique du silicium poreux et son application à la réalication de structures à modulation d'indice (superréseaux). Une première étude de la diffusion optique a montré l'homogénéité de ce matériau à l'échelle de la lumière, justifiant une description par un indice de réfraction moyen. Si la formation électrochimique du silicium poreux permet l'obtention de couches minces d'épaisseurs parfaitement définies, en revanche des fluctuations du front de dissolution entrainent une diffusion à l'interface silicium poreux/silicium cristallin. Cet effet a nécéssité

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7

Lemiti, Mustapha. "Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ) : élaboration et caractérisation." Lyon 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LYO19022.

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Abstract:

Nous avons mis au point un dispositif permettant d'élaborer des couches de SiO₂ à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ). Le procédé consiste à hydrolyser un composé halogéné (SiCl₄) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un substrat de silicium suivant la réaction : SiC1₄+ 2H₂0 -> Si0₂ + 4HC1. Les dépôts ont été réalisés essentiellement à température ambiante. L'influence des paramètres expérimentaux sur la cinétique de dépôt a été; étudiée. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsométrie, Raman, Auger, décharge luminescente) nous a renseigné sur la nature des liaisons, l

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8

Varache, Renaud. "Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112279/document.

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Abstract:

L’interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l’interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d’interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l’approximation d’une densité

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9

Maneglia, Yves. "Étude en profondeur de l'interface si-siO2 par la technique du pompage de charges." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0169.

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Abstract:

Ce memoire a pour but d'apporter une contribution dans le domaine de la caracterisation electrique de l'interface silicium-oxyde. Les deux premiers chapitres sont consacres a des rappels sur le systeme si-sio#2 et a la presentation des methodes de caracterisation electriques qui ont permis d'apporter des informations sur les etats dits lents, etats situes dans l'oxyde au voisinage de l'interface et communicant avec le semiconducteur par effet tunnel. Dans le troisieme chapitre un modele ayant pour but d'extraire a partir de mesures de pompage de charges, le profil en profondeur des defauts de

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10

Dassapa, Chandrasekar. "Couches minces de tungstène déposées par le procédé C. V. D. Pour la métallisation des circuits intégrés." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10117.

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Abstract:

Le tungstene depose par le procede l. P. C. V. D. Semble etre un materiau susceptible d'apporter des solutions aux nombreux problemes d'interconnexion poses par la diminution constante de la taille des circuits integres. Ce memoire presente le travail portant sur les themes suivants: 1) optimisation des conditions de depot de tungstene et caracterisation, 2) caracterisation de l'interface tungstene-silicium, 3) stabilite thermique de la structure w/si et 4) faisabilite de l'utilisation du tungstene comme une barriere de diffusion dans la structure al/w/si

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