Academic literature on the topic 'Jonction fine'

Les macrophages résidents tissulaires ou ceux qui ont pour origine des monocytes circulants régulent l’homéostasie cardiaque en conditions physiologiques mais aussi pathologiques. La présence de macrophages résidents au sein du nœud auriculo-ventriculaire distal a été révélée par des études récentes réalisées chez la souris et chez l’homme. Ces macrophages expriment la connexine-43, une protéine de jonction intercellulaire, et augmentent la conduction auriculo-ventriculaire en accélérant la repolarisation des cardiomyocytes interconnectés. La compréhension fine et exhaustive du rôle de ces macrophages dans la conduction électrique cardiaque pourrait conduire à de nouvelles approches thérapeutiques reposant sur la modulation des fonctions macrophagiques dans le cœur arythmique.

L’arbitrage investisseur-État, mode de résolution des différends aussi emblématique que controversé dans le domaine du droit international des investissements, soulève de nombreuses questions, dont celle relative à la possibilité reconnue aux actionnaires de présenter des réclamations pour pertes par ricochet. De telles réclamations permettent aux actionnaires qui répondent à la définition applicable d’investisseurs étrangers de demander en arbitrage investisseur-État une réparation pour un dommage qui prend la forme d’une réduction de la valeur de leurs actions. Une telle possibilité, bien qu’importante et cohérente au regard de l’objectif du droit international des investissements de protéger les investisseurs étrangers et leurs investissements, génère une série de risques qui, s’ils ne sont pas pris en compte, peuvent résulter en une atteinte aux droits des États, défendeurs dans les procédures d’arbitrage investisseur-État et, in fine, mettre à mal la légitimité de ce mécanisme de résolution des différends. Le modèle canadien d’Accord sur la promotion et la protection des investissements étrangers (APIE) de 2021 semble permettre de telles plaintes tout en tentant de les encadrer et de limiter les risques de procédures multiples ainsi que les dangers de double indemnisation et d’incohérence par le recours à deux mécanismes en particulier : celui des renonciations et celui de la jonction de plaintes.

FR. Cet article s’intéresse au rôle qu’a pu avoir Facebook dans la jonction qui s’est faite entre les Gilets jaunes français et les « Convois de la liberté » canadiens au début de l’année 2022. Alors que le mouvement des Gilets jaunes se caractérise par une activité orientée vers l’échelle locale, cette rencontre interroge la capacité des réseaux socionumériques à favoriser une internationalisation des luttes sociales. À partir de l’observation de publications d’un groupe Facebook, et de reportages diffusés en direct par un média indépendant lié au mouvement des Gilets jaunes, la recherche présentée montre que les affordances de la plateforme ont à la fois permis de faire circuler des messages générés depuis les manifestations outre-Atlantique, et produit un cadrage opposé au discours des médias dominants. Premièrement, la visibilité accrue des messages postés par des citoyens ordinaires équipés de smartphones tire parti de l’algorithme qui privilégie les contenus générant un fort engagement de la part des internautes. Cet engagement est également favorisé par les fonctionnalités de la plateforme qui permet une interaction entre participants. D’autre part, ces messages ont su trouver leur public grâce à une éditorialisation qui a rejoint la culture politique des Gilets jaunes. À cet égard, les formes alternatives de journalisme, produisant de l’information depuis les luttes sociales, se distinguent par un format éloigné des formats journalistiques traditionnels, en privilégiant un regard subjectif et engagé. Toutefois, cette activité se trouve elle aussi soumise à des impératifs d’audience, illustrant l’autonomie finalement relative accordée par les plateformes au journalisme indépendant. *** EN. This article examines the role Facebook played in connecting the French Gilets jaunes with the Canadian "Freedom Convoys" in early 2022. While the Gilets jaunes movement was characterized by its locally oriented activity, the interaction which occurred questions the ability of digital social networks to foster an internationalization of social struggles. Based on the observation of publications from a Facebook group, and reports streamed live by an independent media outlet linked to the Gilets jaunes movement, the research we present highlights how the platform's affordances have both enabled the circulation of messages generated from the demonstrations across the Atlantic, and produced a framing in opposition to mainstream media discourse. Firstly, the increased visibility of messages posted by ordinary citizens equipped with smartphones benefited from the algorithm, which promotes content that generates a high level of engagement on the part of internet users. This engagement is also facilitated by the platform's features, which enable interaction between participants. On the other hand, these messages have been able to find their audience thanks to an editorialization that matches the political culture of the Gilets jaunes. In this respect, alternative forms of journalism, which produce information from within the social struggles, stand out thanks to formats distinct from traditional journalistic formats, favoring a subjective and engaged viewpoint. However, this activity is also bound by audience imperatives, illustrating the ultimately relative autonomy granted by platforms to independent journalism. *** PT. Este artigo discute como o Facebook pode ter contribuído para a junção realizada entre os “Coletes Amarelos” franceses e os “Comboios da Liberdade” canadenses, no início de 2022. Já que o movimento dos Coletes Amarelos é caracterizado por atividades voltadas para a escala local, esse encontro questiona a capacidade das redes sociodigitais de promover a internacionalização das lutas sociais. A pesquisa apresentada baseia-se na observação de postagens em um grupo do Facebook e reportagens veiculadas ao vivo por uma mídia independente ligada ao movimento dos Coletes Amarelos. Demonstra-se que as affordances da plataforma propiciaram a circulação, de um lado ao outro do Atlântico, de mensagens produzidas de dentro dos protestos, além de gerar um enquadramento contrário ao discurso da mídia dominante. Em primeiro lugar, as mensagens postadas por cidadãos comuns munidos de smartphones ganham maior visibilidade ao serem beneficiadas pelo algoritmo, que favorece os conteúdos que geram um alto engajamento dos usuários. Esse engajamento também é promovido pelas funcionalidades da plataforma, que possibilita a interação entre os participantes. Por outro lado, essas mensagens encontraram seu público graças a uma editorialização alinhada com a cultura política dos Coletes Amarelos. Nesse sentido, as formas alternativas de jornalismo, que produzem informações a partir das lutas sociais, apresentam um formato que se distancia dos moldes jornalísticos tradicionais, priorizando um olhar subjetivo e engajado. No entanto, tal atividade também está pautada pela audiência, ilustrando que a autonomia concedida pelas plataformas ao jornalismo independente não deixa de ser relativa. ***

La scène bloghouse n’aura finalement duré que quelques années entre la fin des années 2000 et le début des années 2010. Elle a pour moi un statut un peu particulier : comme membre du blog et collectif fluokids, je l’ai bien connue. Si bien que j’appréhende avec une certaine anxiété ce moment où l’on commence à en écrire l’histoire. Se présentent en effet tous les risques habituels d’écrasement des expériences du passé, contre lesquels cette revue a l’habitude de lutter. Le risque principal tient au fait de considérer, à cause de ce nom de “bloghouse” qui a fini par s’imposer, que c’est un genre musical plutôt homogène — un son maximal, compressé et lo-fi, celui des bangers / turbines — et représenté par quelques labels et artistes stars (Ed Banger, Kitsuné, Simian Mobile Disco, Justice, etc.). Or avant que ne se dégagent ces repères fédérateurs, il s’agissait aussi et peut-être surtout d’un réseau de blogger·euses notamment suédois·es, français·es, américain·es et australien·nes (un temps fédéré·es par la mailing-list secrète Grindin ). Son centre de gravité tenait moins à un son particulier qu’à la fusion accélérée de styles multiples à travers des DJ sets décomplexés, la publication d’une avalanche de remixes — dont sortaient inévitablement les meilleurs tubes — et bien sûr des billets de blogs, des posts sur les réseaux sociaux et des playlists web, qui devenaient soudain des formats musicaux à part entière. Nous partagions un certain état d’esprit post-adolescent et un goût pour la fête comme espace de jeu. Nous mettions en commun nos différents avantages comparatifs locaux et nationaux tout en entretenant une certaine curiosité à l’endroit de ceux des autres — l’electro-pop et l’electro-house scandinave et australienne, le thrash punk de Los Angeles, le nu-disco d’un peu partout, et bien sûr les suites de la french touch dans ses différents aspects — arrangements chics et (hard) house filtrée. Qui se souvient aujourd’hui du remix de Switch pour le «Divine Gosa» de Radioclit, de son synthé irisé et plus délicieusement crispant que la pire des montées acid , et de ses tunnels de reverbs en forme d’impasses ? On pouvait lui enchaîner sans difficulté le remix d’Erol Alkan pour «Move My Body» de Tiga, qui faisait la jonction avec l’electroclash, cet autre genre tributaire d’une fascination un peu malsaine pour la combinaison de la fête et des médias ; mais aussi l’interrompre sans ménagement pour passer à une bluette techno minimale de Gui Boratto, à une ballade folk-pop de Gotye, ou un anthem de Juelz Santana. La façon dont nous rassemblions tous ces morceaux dans les mêmes mixes et playlists ressemble à ce qu’incarne l’hyperpop aujourd’hui : centralité des playlists, bastardisation des genres, glitch et mélodies 8bit, rencontres entre sensibilités emo, punk et électronique, entre pure dépense et mièvrerie… Même si elle aborde assez peu ces questions d’esthétique sonore, et qu’elle survalorise peut-être l’indépendance des espaces numériques, il me semble que la journaliste Lina Abascal, dans son récent livre Never be alone again , rend assez bien justice à cette scène — c’est que comme en témoignent les interludes du livre en forme de journal intime, elle aussi l’a vécue de l’intérieur. Le chapitre dont vous allez lire la traduction a en tout cas l’intérêt de faire ressortir une certaine candeur de la part de celles et ceux qui se retrouvaient alors propulsés dans les débuts de la célébrité en ligne. Il éclaire aussi au mieux la fin de l’ère bloghouse : la montée de plateformes marginalisant le partage de fichiers comme l’écrit et la promotion des identités d’« influenceurs » et de « créateurs » sont allées de pair avec la désaffection d’une bonne partie de celles et ceux qui y avaient cru y trouver, l’espace d’un instant, une manière de vivre sans jamais avoir à regarder derrière soi. GH.

Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse est consacré à la modélisation d'une étape particulière des procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique : la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est dédié à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts \(113\), boucles de dislocation) dans la diffusion accélérée et transitoire du bore. Ces travaux ont consisté à modéliser la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces agglomérats au cours du recuit et à le coupler à la diffusion du dopant. De plus, on a pu observer lors d'implantations à forte dose, la formation d'agglomérats de bore engendrant une immobilisation et une inactivation du dopant. Pour intégrer la formation de ces agglomérats, nous avons considéré la formation d'amas mixte de bore et d'interstitiels de type BnIm. A partir de récents calculs ab-initio tirés de la littérature, nous avons pu extraire les énergies de formation ainsi que les différents états de charges de ces amas mixtes de bore et d'interstitiels. Ce dernier modèle, couplé aux deux autres, a été validé à partir de divers résultats expérimentaux.

La realisation de jonctions p+/n ultra-fines reclamees par la v. L. S. I. A ete apprehendee. La preamorphisation du silicium par implantation d'ions germanium a ete etudiee. L'evolution du materiau avec les conditions d'implantation a ete observee. L'implantation du bore a basse energie a necessite une recherche technique des conditions de travail ideales. Les profils de germanium et de bore ont ete releves avant et apres traitement thermique par sims et spreading resistance. Une methode specifique a la caracterisation des zones p+ a ete elaboree pour la spreading resistance. Enfin, une etude des caracteristiques electriques des composants resultants a ete menee. Ces caracteristiques dependent fortement des conditions d'implantation du germanium. Ainsi, la preamorphisation apparait comme un moyen aise d'obtention de jonctions ultra-fines p+/n avec d'excellentes caracteristiques electriques a condition de bien choisir les parametres d'implantation du germanium

Le siliciure de Ni(10%Pt) est utilisé pour former les contacts des transistors MOS des nœuds technologiques avancés. Le siliciure de Ni(10%Pt) présente de nombreux avantages, cependant, les stabilités morphologique et thermique de la phase NiSi(Pt) posent des problèmes pour la fiabilité des composants. De plus, une diminution de la résistivité du siliciure est requise pour améliorer les performances électriques. Dans ce travail, l’influence de la PAI Ge sur la siliciuration et sur les propriétés du NiSi(Pt) est étudiée. Les conditions d’implantation ont été choisies pour faire varier la position de l’interface a-c par rapport au front de croissance du siliciure et à la concentration d’atomes de Ge implantés. La croissance du siliciure a été étudiée suivant deux approches. La première, par XRDin-situ, met en avant la séquence de phase et la cinétique de formation des phases avec une rampe de montée en température lente. La seconde, par recuit rapide (RTA) puis mesure de l’épaisseur par XRR, permet de tracer l’évolution de l’épaisseur du premier siliciure pour une rampe de montée en température rapide (procédé industriel). Les cinétiques de formation du premier siliciure sont confrontées à différents modèles de croissance. Enfin, les propriétés des siliciures ont été déterminées en fonction des conditions de PAI. Les influences du substrat en silicium amorphe sur la vitesse de formation du premier siliciure ainsi que sur la germination, la croissance des grains et la texture du NiSi sont discutées. Les résultats permettent d’identifier des conditions de PAI pour lesquelles la résistivité est minimale. Des perspectives permettant d’optimiser le procédé de PAI sont discutées<br>Nickel silicide alloyed with 10% of Pt is used to form the contacts of the MOS transistors for the most advanced technology nodes. Ni(10%Pt) silicide presents important advantages. However, the Ni(10%Pt) silicide still presents some drawbacks related to the morphological and thermal stability of the NiSi (Pt). Moreover, a decreased resistivity is required to improve the electrical performances. In this work the impact of the Ge PAI on the silicidation and the NiSi properties is presented. The implantation conditions have been determined to vary the relative position of the a-c interface with the silicide growth front and the Ge concentration. The silicide growth has been studied by two approaches. The first one, puts forward the silicide phase sequence and kinetics using XRD in-situ analysis which is performed at a relatively slow anneal rate. The second one, by rapid thermal anneals (RTA) and XRR measurements, allows to plot the silicide thickness evolution for a fast anneal rate which is comparable to the one used in industrial silicide process. The kinetic of growth of the first silicide, studied by RTA, are compared to several growth models. Analyses show that the first silicide is amorphous for all the samples. Finally, the silicide properties were determined as a function of the PAI conditions. Influences of the amorphous silicon substrate on the growth rate of the first silicide and the NiSi nucleation, roughness, grain growth and texture are discussed. By considering the amorphous thickness and the Ge concentration, the results show the optimal implantation conditions that allow minimizing the resistivity. Perspectives about PAI process optimization are discussed

Le travail presente dans ce memoire porte sur la mise au point d'un code de simulation electromagnetique pour la conception et la caracterisation d'antennes implantees sur une structure parfaitement conductrice. Dans le premier chapitre, le probleme de la diffraction electromagnetique est pose en terme d'equations integrales. Differentes methodes de resolution dans le domaine frequentiel sont ensuite presentees et des techniques d'hybridation entre une methode exacte et des methodes asymptotiques sont detaillees. Le second chapitre est consacre a la modelisation electromagnetique de jonctions a l'aide de la methode des moments. L'implantation d'une antenne filaire sur une structure parfaitement conductrice est tout d'abord analysee puis le probleme de la connexion ponctuelle de deux surfaces est traite dans une seconde partie. Partant d'une analyse bibliographique et d'une etude electromagnetique fine des jonctions, des modeles numeriques sont introduits. Leurs performances sont evaluees par comparaison avec des donnees experimentales. Dans le troisieme chapitre est presentee une technique d'hybridation particuliere. Elle combine simultanement la methode des moments avec l'optique physique puis avec la theorie uniforme de la diffraction. Elle permet ainsi de generaliser l'etude a des antennes implantees sur une structure dont les dimensions sont grandes devant la longueur d'onde. Les avantages et les limites de la methode sont discutes et ses performances sont testees.

Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse présente la modélisation d'une étape particulière des procédés mis en œuvre en microélectronique: la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est consacré à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites, en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts {113}, boucles de dislocation) dans la diffusion accélérée et transitoire du bore. Ces travaux ont consisté à modéliser la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces agglomérats au cours du recuit et à le coupler à la diffusion du dopant. De plus, on a pu observer lors d'implantations à forte dose, la formation d'agglomérats de bore engendrant une immobilisation et une inactivation du dopant. Pour intégrer la formation de ces agglomérats, nous avons considéré la formation d'amas mixte de bore et d'interstitiels de type BnIm. A partir de récents calculs ab-initio tirés de la littérature, nous avons pu extraire les énergies de formation ainsi que les différents états de charges de ces amas mixtes de bore et d'interstitiels. Ce dernier modèle, couplé aux deux autres, a été validé à partir de divers résultats expérimentaux<br>The research topic of this dissertation deals with the modelling of a particular step of process in microelectronics: the dopant diffusion. The first part of this work is dedicated to the understanding and the readjustment of the classical model for dopant diffusion and its activation. However, those models reach their limits for simulations at very low thermal budget because of the bad description of the defect evolution created by the implant step during the annealing. The second part of this work is devoted to the understanding of the existing link between the extended defects (small clusters, {311} defects, dislocation loops) and the boron transient enhanced diffusion. This work consists in modeling the competitive growth of those clusters during the annealing step by using the Ostwald ripening concept in order to couple it with the dopant diffusion model. Moreover, in the case of high dose boron implantation, a new type of defects involving boron and interstitial induces an immobilization and an inactivation of the boron. In order to model the formation of those clusters, we have considered some BnIm type of clusters. Using recent ab-initio calculations from literature, we have extracted their formation energy and various charge states. This last model, coupled with the two others, has been validated using various experimental results

La réduction des profondeurs de jonctions dans les transistors CMOS se heurte à des limites technologiques. Les méthodes actuelles de fabrication de jonction ne permettent plus de réduire les énergies d'implantation pour réduire la profondeur de jonction et/ou de diminuer la température d'activation pour réduire la diffusion sans dégrader le rapport résistance de couche par rapport à la profondeur de jonction. Les impacts sur les transistors CMOS sont respectivement une dégradation des effets canal court et une augmentation de la résistance d'accès du dispositif et donc une dégradation des performances électriques des transistors. Dans un premier temps, un modèle de longueur effective en fonction des paramètres physiques de la jonction est proposé pour mieux comprendre l'impact des jonctions sur le comportement électriques des transistors, suivi d'un modèle de la résistance d'accès d'un transistor. Cette résistance est décomposable en quatre contributions: résistance de contact, résistance de Source/Drain, résistance d'extension et résistance de recouvrement entre la jonction et la grille. D'après ces modèles, il est clair que la résistance de contact devient la principale composante de la résistance d'accès pour les nœuds technologiques 45 nm et en deçà. Puis, différentes solutions technologiques innovantes pour la fabrication des jonctions ont été évaluées. Ainsi, deux types de recuit non diffusants et avec une forte activation ont été étudiés expérimentalement. Le recuit LASER très court et très haut en température associé à un recuit classique a montré ~10% de gain sur transistor NMOS et sur circuit. Un recuit d'activation de type épitaxie en phase solide basse température a aussi été évalué avec des résultats moins prometteurs. L'implantation très basse énergie par Plasma "PLAD" a démontré une réduction de l'épaisseur des jonctions d'extension de Source/Drain et donc une amélioration du contrôle des effets canal court, des performances des transistors NMOS et des fuites de grille et de jonction. La co-implantation de Germanium et/ou de Carbone par implantation ionique a démontré un excellent contrôle des effets canal court en réduisant la diffusion du Bore et du Phosphore sous certaines conditions.

Ce travail présente la technique d'implantation d'ions par immersion plasma (PIII) comme un outil prometteur pour la réalisation des jonctions ultra fines (USJ). Le prototype PIII appelé PULSION® utilisé dans cette étude, a été conçu et développé par la société IBS. Les profils SIMS de bore obtenus sur des échantillons implantés par PULSION® montrent des profondeurs d'implantation variant de quelques nanomètres à une trentaine de nanomètres avant activation. Ces résultats nous ont amené à concentrer nos efforts sur l'optimisation des recuits d'activation post implantation afin d'obtenir le meilleur compromis X/Rsq. Différents recuits tels que le RTA, le Spike et le LASER ont ensuite été associés à l'implantation PIII et comparés entre eux. Les caractérisations électriques et physico-chimiques présentent le recuit laser comme une technologie prometteuse associée à l'implantation PIII. Afin de limiter l'effet de canalisation des atomes de bore lors des implantations PIII, plusieurs pré-amorphisations (PAI) ont été étudiées. Parmi elles, la PAI d'ions germanium montre des résultats intéressants. L'amorphisation du silicium (estimée à 20 nm à partir d'imagerie TEM) permet de diminuer la profondeur de jonction de 30 nm à 24 nm après activation. Une application de la technique PIII à la conception de l'émetteur d'une photodiode a été effectuée. Les caractéristiques électriques du composant ainsi réalisé sont comparables à des cellules standards. De plus, la faible épaisseur de la jonction permet une amélioration du rendement quantique interne dans les courtes longueurs d'onde, ce qui permettrait l'utilisation de telles cellules dans le domaine spatial<br>This study describes the plasma immersion ion implantation as a potential tool in order to realize ultra shallow junctions (USJ). The PIII prototype called PULSION® used in this work has been designed and developed by IBS Company. Boron SIMS profiles obtained on PULSION® as-implanted samples reveal implantation depths varying from few nanometers up to thirty nanometers. These results led us to focus on post implantation annealings in order to obtain the best compromise between junction depth (Xj) and sheet resistance (Rsq). Different annealing techniques such as RTA, Spike and LASER have been processed and compared after PIII. Electrical and physico-chemical characterisations set forth the laser annealing process. The Pre-Amorphization Implantation (PAI) has been implemented in order to reduce the channelling effect. The best results were obtained with germanium ions. The amorphized silicon with a thickness estimated to 20 nm according to TEM pictures, appeared to cause a decreasing of the junction depth from 30 to 24 nm after annealing. PIII technology was applied to the conception of photodiode emitters. Electrical properties of the realized device revealed to be satisfactory. Moreover, the resulting shallow junction allowed to improve the internal quantum efficiency at short wavelengths, which is particularly adapted to space applications

La réalisation de jonctions ultra-fines est nécessaire à la formation des extensions du drain et de la source des transistors CMOS fortement sub-microniques. La formation de jonctions de type p+/n inférieures à 40 nm en profondeur nécessite l'utilisation d'implantation d'ions B+ à très faible énergie. Après avoir démontré les limites d'un tel procédé et notamment la saturation de la profondeur de jonction après implantation, nous avons étudié les techniques alternatives de dopage et en particulier le dopage assisté par faisceau laser. En raison de la finalité industrielle de nos travaux, le procédé de dopage par plasma (plasma doping) nous est apparu comme la solution la plus intéressante pour repousser les problèmes inhérents à l'implantation ionique standard (amélioration du triptyque performances/intégration/fiabilité). Ainsi, nous nous sommes attachés à développer et à caractériser cette nouvelle technique. Parallèlement à ces travaux, les mécanismes de diffusion anormale du bore ont été étudiés. L'intérêt d'un recuit d'activation dit "spike" a ainsi été démontré pour améliorer le compromis entre la résistance de couche Rj et la profondeur de la jonction Xj. Enfin, nous avons mis en évidence un nouveau phénomène de diffusion accélérée du bore. Nous l'avons nommée POED pour Post-Oxidation Enhanced Diffusion, cette diffusion anormale est induite par les oxydes sacrificiels conventionnellement utilisés en microélectronique. Les optimisations de chacun de ces facteurs ont permis d'améliorer les caractéristiques de la jonction et notamment le compromis universel de l'implantation Rj/Xj. Des jonctions aussi fines que 20 nm avec une résistance de couche égale à 1000 ohms/. . Ont été fabriquées. Fabriquées par plasma doping et intégrées pour la première fois à des transistors de dimension 0,1-æm, elles ont permis d'obtenir des transistors fonctionnels dont les caractéristiques de sortie sont conformes aux spécifications requises. Nous avons également proposé une figure de mérite originale qui permet de prévoir en première approximation l'intérêt technologique d'une jonction ultra-fine à partir de son couple Rj/Xj.

Dans les transistors MOS avancés, la réalisation de jonctions ultraminces (<15 nm) abruptes et fortement dopées par implantation ionique de dopant reste la voie privilégiée pour l'élaboration des extensions source/drain (S/D). Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel et d'agglomérats défauts-dopants qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. L'objectif de cette thèse a été de modéliser de façon globale ces différents phénomènes physiques afin de prédire la distribution des dopants dans les extensions S/D. Pour ce faire, nous avons d'abord simulé la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces défauts au cours du recuit et nous l'avons couplée à la diffusion des dopants, notamment dans les cas d'intérêt technologique, lorsque l'étape d'implantations à forte dose cause la formation d'agglomérats défauts-dopants engendrant une immobilisation et une inactivation partielle du dopant dans le silicium. Nous avons ensuite étendu les modèles développés dans le silicium aux cas de nouveaux matériaux tels que le SOI (Silicon-On-Insulator) ou le SiGe (alliage silicium/germanium). Enfin, les modèles élaborés et calibrés pour la fabrication des jonctions ultra-fines ont été validés en simulant électriquement les technologies industrielles en développement à STMicroelectronics-Crolles : C65 SOI et SiGe 45, avec une attention particulière aux effets de petites géométries tels que le SCE (Short Channel Effects) et le DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering).

À partir de la fin du Pléistocène, une réduction de la taille des dents humaines et une simplification morphologique ont été observées et débattues en lien avec des changements culturels et environnementaux. Suite à de nouvelles découvertes et à la révision des contextes archéologiques de certains gisements, une réévaluation de la nature des variations de plus de 1900 couronnes dentaires est proposée pour 176 individus de la fin du Paléolithique, du Mésolithique et du début du Néolithique provenant du Bassin aquitain et de ses marges. Particulièrement, les variations de la structure interne (épaisseur de l’émail, proportions des tissus dentaires, morphologie de la jonction émail-dentine) ont été évaluées de manière non invasive grâce aux méthodes d’imagerie 3D (microtomographie) et de morphométrie géométrique afin de caractériser et d’interpréter l’évolution des couronnes dentaires selon une approche intégrée. Les résultats des analyses morphométriques montrent une discontinuité entre les populations de la fin du Pléistocène et celles du début de l’Holocène. Une réduction des dimensions externes, des épaisseurs de l’émail et des proportions des tissus est mesurée entre la fin du Paléolithique et le Mésolithique, alors que des différences majeures dans les types d’usure et la distribution de l’émail sont observées entre le Mésolithique et le Néolithique. Ces données suggèrent que les modifications induites par les changements environnementaux de l’Holocène ont eu un impact plus important sur la réduction dentaire dans les populations humaines et que les changements culturels néolithiques ont surtout affecté la distribution de l’émail. Enfin, une corrélation entre le type d’usure occlusale et la distribution de l’épaisseur de l’émail a été mise en évidence et associée à des changements de régime alimentaire. En particulier, l’épaisseur de l’émail peut évoluer rapidement comme une réponse sélective aux changements fonctionnels dans la biomécanique de la mastication<br>Since the Late Pleistocene, a reduction in size and a morphological simplification of human teeth have been observed and arguably linked to cultural and environmental changes. Following new discoveries along with the revision of key archaeological contexts, a re-assessment of the nature of crown variations on more than 1900 teeth is proposed for 176 Late Paleolithic, Mesolithic and Early Neolithic individuals from the Aquitaine Basin and its margins. In particular, a non-invasive assessment of internal tooth structure variability (enamel thickness, dental tissue proportions, enamel-dentine junction morphology) has been performed using 3D imaging methods (microtomography) and geometric morphometrics in order to characterize and interpret dental evolution from a whole crown perspective. Results from the morphometric analyses show a discontinuity between Late Pleistocene and Early Holocene populations. External dimensions, enamel thicknesses and tissue proportions are reduced in Mesolithic individuals compared to those of the Late Paleolithic, while major differences are observed in occlusal wear patterns and enamel distribution between Mesolithic and Early Neolithic samples. These data suggest that environmentally-driven modifications during the Early Holocene had a major impact on dental reduction in human populations and that Neolithic cultural changes had mostly affected enamel distribution. Finally, a correlation between occlusal wear pattern and enamel thickness distribution is observed and associated with dietary changes. In particular, enamel thickness may have rapidly evolved as a selective response to functional changes in masticatory biomechanics