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Academic literature on the topic 'Jonction fine'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Jonction fine"

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Silvestre, Jean-Sébastien, and Grégoire Vandecasteele. "Fréquence cardiaque." médecine/sciences 34, no. 10 (2018): 820–23. http://dx.doi.org/10.1051/medsci/2018207.

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Abstract:
Les macrophages résidents tissulaires ou ceux qui ont pour origine des monocytes circulants régulent l’homéostasie cardiaque en conditions physiologiques mais aussi pathologiques. La présence de macrophages résidents au sein du nœud auriculo-ventriculaire distal a été révélée par des études récentes réalisées chez la souris et chez l’homme. Ces macrophages expriment la connexine-43, une protéine de jonction intercellulaire, et augmentent la conduction auriculo-ventriculaire en accélérant la repolarisation des cardiomyocytes interconnectés. La compréhension fine et exhaustive du rôle de ces mac
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Vanhonnaeker, Lukas. "réclamations d’actionnaires pour pertes par ricochet en arbitrage investisseur-État sous les traités d’investissement canadiens." McGill Law Journal 68, no. 4 (2023): 451–90. http://dx.doi.org/10.26443/law.v68i4.1366.

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Abstract:
L’arbitrage investisseur-État, mode de résolution des différends aussi emblématique que controversé dans le domaine du droit international des investissements, soulève de nombreuses questions, dont celle relative à la possibilité reconnue aux actionnaires de présenter des réclamations pour pertes par ricochet. De telles réclamations permettent aux actionnaires qui répondent à la définition applicable d’investisseurs étrangers de demander en arbitrage investisseur-État une réparation pour un dommage qui prend la forme d’une réduction de la valeur de leurs actions. Une telle possibilité, bien qu
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Lupovici, Raphaël. "L’information transnationale des « Convois de la liberté » canadiens dans l’espace numérique des Gilets jaunes." Sur le journalisme, About journalism, Sobre jornalismo 12, no. 1 (2023): 178–93. http://dx.doi.org/10.25200/slj.v12.n1.2023.519.

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Abstract:
FR. Cet article s’intéresse au rôle qu’a pu avoir Facebook dans la jonction qui s’est faite entre les Gilets jaunes français et les « Convois de la liberté » canadiens au début de l’année 2022. Alors que le mouvement des Gilets jaunes se caractérise par une activité orientée vers l’échelle locale, cette rencontre interroge la capacité des réseaux socionumériques à favoriser une internationalisation des luttes sociales. À partir de l’observation de publications d’un groupe Facebook, et de reportages diffusés en direct par un média indépendant lié au mouvement des Gilets jaunes, la recherche pré
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Abascal, Lina, and Maxime Bisson. "Blogger, Faster, Stronger." Audimat N° 19, no. 2 (2023): 11–50. http://dx.doi.org/10.3917/audi.019.0011.

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Abstract:
La scène bloghouse n’aura finalement duré que quelques années entre la fin des années 2000 et le début des années 2010. Elle a pour moi un statut un peu particulier : comme membre du blog et collectif fluokids, je l’ai bien connue. Si bien que j’appréhende avec une certaine anxiété ce moment où l’on commence à en écrire l’histoire. Se présentent en effet tous les risques habituels d’écrasement des exp&
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Fritz, Lucas. "Nos cerveaux sur le Web : entre neuro-réductionnisme et neurodiversité." Terminal 139 (2024). https://doi.org/10.4000/132iw.

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Abstract:
Cette enquête souhaite établir une jonction entre études critiques de handicap (et notamment études crip) et sciences de la communication, en étudiant les controverses sociotechniques autour de l’autisme et de la neurodiversité, et en s’intéressant notamment au rôle du Web (de l’hyperlien et des moteurs de recherche), et de son accessibilité dans la construction de ces controverses. L’enquête s’appuie sur une analyse quali-quantitative d’une cartographie du Web, informée par les pratiques de la sociologie des controverses : cette enquête empirique est mise en regard des approches crip des tech
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Dissertations / Theses on the topic "Jonction fine"

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BOUCARD, Frédéric. "Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003671.

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Abstract:
Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse est consacré à la modélisation d'une étape particulière des procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique : la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est dédié à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts \(113\), b
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Minondo, Michel. "Preamorphisation du silicium par l'ion germanium et formation de jonctions ultra-fines P+/N." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0140.

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Abstract:
La realisation de jonctions p+/n ultra-fines reclamees par la v. L. S. I. A ete apprehendee. La preamorphisation du silicium par implantation d'ions germanium a ete etudiee. L'evolution du materiau avec les conditions d'implantation a ete observee. L'implantation du bore a basse energie a necessite une recherche technique des conditions de travail ideales. Les profils de germanium et de bore ont ete releves avant et apres traitement thermique par sims et spreading resistance. Une methode specifique a la caracterisation des zones p+ a ete elaboree pour la spreading resistance. Enfin, une etude
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Delwail, Clara. "Etude de l'impact de la pré-amorphisation par implantation ionique pour l'optimisation des contacts siliciurés." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/220601_DELWAIL_838bz740xvto337mo443f_TH.pdf.

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Abstract:
Le siliciure de Ni(10%Pt) est utilisé pour former les contacts des transistors MOS des nœuds technologiques avancés. Le siliciure de Ni(10%Pt) présente de nombreux avantages, cependant, les stabilités morphologique et thermique de la phase NiSi(Pt) posent des problèmes pour la fiabilité des composants. De plus, une diminution de la résistivité du siliciure est requise pour améliorer les performances électriques. Dans ce travail, l’influence de la PAI Ge sur la siliciuration et sur les propriétés du NiSi(Pt) est étudiée. Les conditions d’implantation ont été choisies pour faire varier la positi
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JEULAND, HERVE. "Modelisation electromagnetique fine d'antennes implantees sur une structure parfaitement conductrice etude de jonctions et techniques d'hybridation." Rennes, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAR0005.

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Abstract:
Le travail presente dans ce memoire porte sur la mise au point d'un code de simulation electromagnetique pour la conception et la caracterisation d'antennes implantees sur une structure parfaitement conductrice. Dans le premier chapitre, le probleme de la diffraction electromagnetique est pose en terme d'equations integrales. Differentes methodes de resolution dans le domaine frequentiel sont ensuite presentees et des techniques d'hybridation entre une methode exacte et des methodes asymptotiques sont detaillees. Le second chapitre est consacre a la modelisation electromagnetique de jonctions
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Boucard, Frédéric. "Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2003. http://www.theses.fr/2003STR13067.

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Abstract:
Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse présente la modélisation d'une étape particulière des procédés mis en œuvre en microélectronique: la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est consacré à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites, en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts {113}, boucles de dislocation
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Dumont, Benjamin. "Etude et intégration de jonctions ultra-fines pour les technologies CMOS 45 nm et en deçà." Lyon, INSA, 2007. http://www.theses.fr/2007ISAL0035.

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Abstract:
La réduction des profondeurs de jonctions dans les transistors CMOS se heurte à des limites technologiques. Les méthodes actuelles de fabrication de jonction ne permettent plus de réduire les énergies d'implantation pour réduire la profondeur de jonction et/ou de diminuer la température d'activation pour réduire la diffusion sans dégrader le rapport résistance de couche par rapport à la profondeur de jonction. Les impacts sur les transistors CMOS sont respectivement une dégradation des effets canal court et une augmentation de la résistance d'accès du dispositif et donc une dégradation des per
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Vervisch, Vanessa. "Etude et réalisation de jonctions ultra fines P+N par la technique d'implantation d'ions par immersion plasma. Application aux cellules photovoltaïques." Aix-Marseille 3, 2007. http://www.theses.fr/2007AIX30065.

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Abstract:
Ce travail présente la technique d'implantation d'ions par immersion plasma (PIII) comme un outil prometteur pour la réalisation des jonctions ultra fines (USJ). Le prototype PIII appelé PULSION® utilisé dans cette étude, a été conçu et développé par la société IBS. Les profils SIMS de bore obtenus sur des échantillons implantés par PULSION® montrent des profondeurs d'implantation variant de quelques nanomètres à une trentaine de nanomètres avant activation. Ces résultats nous ont amené à concentrer nos efforts sur l'optimisation des recuits d'activation post implantation afin d'obtenir le mei
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Lenoble, Damien. "Étude, réalisation et intégration de jonctions P+/N ultra-fines pour les technologies CMOS inférieures à 0,18 micromètre." Toulouse, INSA, 2000. http://www.theses.fr/2000ISAT0041.

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Abstract:
La réalisation de jonctions ultra-fines est nécessaire à la formation des extensions du drain et de la source des transistors CMOS fortement sub-microniques. La formation de jonctions de type p+/n inférieures à 40 nm en profondeur nécessite l'utilisation d'implantation d'ions B+ à très faible énergie. Après avoir démontré les limites d'un tel procédé et notamment la saturation de la profondeur de jonction après implantation, nous avons étudié les techniques alternatives de dopage et en particulier le dopage assisté par faisceau laser. En raison de la finalité industrielle de nos travaux, le pr
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Bazizi, El Mehdi. "Modélisation physique et simulation de défauts étendus et diffusion des dopants dans le Si, SOI, SiGe pour les MOS avancés." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00509153.

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Abstract:
Dans les transistors MOS avancés, la réalisation de jonctions ultraminces (<15 nm) abruptes et fortement dopées par implantation ionique de dopant reste la voie privilégiée pour l'élaboration des extensions source/drain (S/D). Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel et d'agglomérats défauts-dopants qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. L'objectif de cette thèse a été de modéliser d
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Le, Luyer Mona. "Évolution dentaire dans les populations humaines de la fin du Pléistocène et du début de l’Holocène (19000 – 5500 cal. BP) : une approche intégrée des structures externe et interne des couronnes pour le Bassin aquitain et ses marges." Thesis, Bordeaux, 2016. http://www.theses.fr/2016BORD0003/document.

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Abstract:
À partir de la fin du Pléistocène, une réduction de la taille des dents humaines et une simplification morphologique ont été observées et débattues en lien avec des changements culturels et environnementaux. Suite à de nouvelles découvertes et à la révision des contextes archéologiques de certains gisements, une réévaluation de la nature des variations de plus de 1900 couronnes dentaires est proposée pour 176 individus de la fin du Paléolithique, du Mésolithique et du début du Néolithique provenant du Bassin aquitain et de ses marges. Particulièrement, les variations de la structure interne (é
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