Relevant bibliographies by topics / Jonctions magnétiques tunnel / Dissertations / Theses
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Jonctions magnétiques tunnel.

Dissertations / Theses on the topic 'Jonctions magnétiques tunnel'

Author: Grafiati
Published: 15 February 2025
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 dissertations / theses for your research on the topic 'Jonctions magnétiques tunnel.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse dissertations / theses on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Coelho, Paulo Veloso. "Doubles jonctions tunnel magnétiques pour dispositifs spintroniques innovants." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY048/document.

Full text
Abstract:
Un des dilemmes au quel doit faire face la technologie MRAM est la réduction de la consommation énergétique et l’amélioration des vitesses d’accès aux données sans compromettre la rétention des données. Une des solutions possibles passe par les jonctions tunnel magnétiques à double barrière(JTMDB) dont l’amplitude du couple de transfert de spin de la couche de stockage peut être réglée par le choix de la configuration magnétique des électrodes. Cela permet ainsi des modes d’opération lecture/écriture plus fiables pour les MRAM. Malgré la réduction de moitié du courant de commutation, une étude
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Mizrahi, Alice. "Jonctions tunnel magnétiques stochastiques pour le calcul bioinspiré." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS006/document.

Full text
Abstract:
Les jonctions tunnel magnétiques sont des candidats prometteurs for le calcul. Mais quand elles sont réduites à des dimensions nanométriques, conserver leur stabilité devient difficile. Les jonctions tunnel magnétiques instables subissent des renversements aléatoires de leur aimantation et se comportent comme des oscillateurs stochastiques. Pourtant, la nature stochastique de ces jonctions tunnel superparamagnétiques n’est pas une faille mais un atout qui peut être utilisé pour le calcul bio-inspiré. En effet, notre cerveau a évolué de sorte qu’il puisse fonctionner dans un environnement bruit
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Chatterjee, Jyotirmoy. "Optimisation de jonctions tunnel magnétiques pour STT-MRAM et développement d'un nouveau procédé de nanostructuration de ces jonctions." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT130/document.

Full text
Abstract:
Le but de la thèse sera d'étudier la faisabilité d'un nouveau procédé de nanostructuration des jonctions tunnel de dimension sub-30nm récemment imaginé et breveté par Spintec et le LTM et de tester les propriétés des jonctions tunnel obtenus sur les plans structural, magnétique et des propriétés électriques. Une attention particulière sera mise sur la caractérisation des défauts générés en bord de piliers lors de la gravure des jonctions tunnels et l'impact de ces défauts sur les propriétés magnétiques et de transport. Une autre partie de la thèse concerne l'optimisation des propriétés magnéti
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Mouchel, Myckael. "Développement de jonctions tunnel magnétiques bas bruit pour les capteurs de champ magnétique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY104.

Full text
Abstract:
Les capteurs de champ magnétique à base de jonctions tunnel magnétiques sont parmi les solutions les plus prometteuses dans le cadre de la miniaturisation toujours plus poussée des composants. Crocus Technology, entreprise partenaire de cette thèse, conçoit depuis plusieurs années des capteurs parmi les plus petits du marché. Malgré leur très bonne sensibilité, ils présentent un bruit en 1/f très important dégradant fortement leur capacité à détecter des champs magnétiques de faible amplitude. Les travaux de cette thèse s’inscrivent dans un contexte de réduction du bruit et d’amélioration de l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel magnétiques et ferroélectriques : nouveaux concepts de memristors." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00932584.

Full text
Abstract:
Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l'a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu'élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel ferroélectriques ou magnétiques : nouveaux concepts de memristor." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066520.

Full text
Abstract:
Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l’a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu’élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137/document.

Full text
Abstract:
Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport élec
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137.

Full text
Abstract:
Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport élec
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Manchon, Aurélien. "Magnétorésistance et transfert de spin dans les jonctions tunnel magnétiques." Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10301.

Full text
Abstract:
L'observation du renversement d'aimantation induit par courant polarisé (CIMS) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) a ouvert de nouvelles perspectives d'applications pour l'électronique de spin, en particulier à travers les mémoires magnétiques (MRAM). Cette réalisation exige une bonne maîtrise de l'oxydation de la barrière tunnel mais aussi une connaissance approfondie du phénomène de transfert dans ces dispositifs. En premier lieu, une étude expérimentale de l'influence de l'oxygène sur les propriétés magnétiques d'une tricouche Pt/Co/MOx (MOx est un métal oxydé) est présentée. La mod
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Rodary, Guillemin. "Transport dépendant du spin dans des doubles jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Université Paris-Diderot - Paris VII, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008574.

Full text
Abstract:
L'objectif de ce travail a été la détection d'un magnéto-courant dans le transistor magnétique à base de double jonction tunnel. Ce magnéto-courant a pour origine l'émission d'un courant d'électrons chauds subissant un transport balistique et étant polarisé en spin. Des échantillons ont été élaborés par pulvérisation cathodique. Une technique innovante de prise de contact électrique des trois électrodes d'une double jonction tunnel par lithographie et gravure ionique a été mise en oeuvre. Il a été montré l'influence de cette structuration des échantillons sur les propriétés de transport des jo
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Bandiera, Sebastien. "Jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire et écriture assistée thermiquement." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00656105.

Full text
Abstract:
Dans le cadre de l'augmentation de la densité de stockage des mémoires magnétorésistives à accès direct (MRAM), les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire sont particulièrement intéressants car ils possèdent une très forte anisotropie. Cependant, cette augmentation d'anisotropie induit également un accroissement de la consommation d'écriture. Un nouveau concept d'écriture assistée thermiquement a été proposé par le laboratoire SPINTEC. Le principe est de concevoir une structure très stable à température ambiante, mais qui perd son anisotropie lorsqu'elle est chauffée, facilitant ai
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Bandiera, Sébastien. "Jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire et écriture assistée thermiquement." Thesis, Grenoble, 2011. http://www.theses.fr/2011GRENY053/document.

Full text
Abstract:
Dans le cadre de l'augmentation de la densité de stockage des mémoires magnétorésistives à accès direct (MRAM), les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire sont particulièrement intéressants car ils possèdent une très forte anisotropie. Cependant, cette augmentation d'anisotropie induit également un accroissement de la consommation d'écriture. Un nouveau concept d'écriture assistée thermiquement a été proposé par le laboratoire SPINTEC. Le principe est de concevoir une structure très stable à température ambiante, mais qui perd son anisotropie lorsqu'elle est chauffée, facilitant ai
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Clément, Pierre-Yves. "Transport électronique dans les jonctions tunnel magnétiques à double barrière." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENY040/document.

Full text
Abstract:
Afin de concurrencer les mémoires à accès aléatoire de type DRAM actuellement sur le marché, les mémoires magnétiques ont depuis quelques années fait l'objet de nombreuses études afin de les rendre aussi performantes que possible. Dans ce contexte, les jonctions tunnel magnétiques à double barrière pourraient présenter des avantages significatifs en termes de vitesse de lecture et de consommation électrique. Nous avons en effet fait la démonstration que les structures à double barrière permettent, pour une configuration antiparallèle des aimantations des polariseurs, d'accroître les effets de
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Conraux, Yann. "Préparation et caractérisation d’un alliage amorphe ferrimagnétique de GdCo entrant dans la conception de jonctions tunnel magnétiques : résistance des jonctions tunnel magnétiques aux rayonnements ionisants." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://www.theses.fr/2005GRE10148.

Full text
Abstract:
Les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) sont en passe de supplanter les autres formes de mémoires à accès aléatoire utilisant des états de charge électrique, et ce grâce à leurs nombreux avantages techniques : non-volatilité, rapidité, faible consommation énergétique, robustesse. Egalement, les MRAM sont prétendues insensibles aux rayonnements ionisants, ce qui n'a pas été vérifié expérimentalement jusqu'à présent. L'architecture actuelle des MRAM est basée sur l'utilisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces MRAM peuvent présenter un inconvénient de taille, car elles sont su
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Hassen, Emeline. "Elaboration de jonctions tunnel magnétiques à barrière SrTiO3 pour application bas RA." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845676.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM) polycristallines à barrière d'oxyde de titane de strontium, SrTiO3, qui se situe parmi les nouvelles barrières tunnel aux bandes interdites les plus étroites, recensées par la littérature. De telles barrières pourraient répondre à un besoin applicatif crucial : avoir un produit résistance x surface, RA, plus faible dans les JTM, ou à son corollaire, avoir une épaisseur de barrière plus forte à RA égal tout en conservant une magnétorésistance tunnel, TMR, élevée. De précédents travaux ont mon
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Najjari, Nabil. "Basculement électrique dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO." Strasbourg, 2011. http://www.theses.fr/2011STRA6084.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse s’inscrit dans le contexte des études actuelles sur les jonctions tunnels magnétiques (JTM) à base de MgO qui constituent les cellules élémentaires de mémoires non-volatiles MRAM. La première partie constitue une introduction générale de l’étude. Les phénomènes de basculement de résistance sont tout d’abord décrits. Les différentes origines de ces phénomènes de basculement de résistance sont rappelées. La deuxième partie traite de la synthèse des échantillons. Les différentes étapes du procédé de structuration sont présentées, ainsi que les difficultés rencontrées et les so
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Diouf, Baye Boucar. "Elaboration et étude de jonctions tunnel magnétiques NiO/Co/Al2O3/Co." Toulouse, INSA, 2003. http://www.theses.fr/2003ISAT0005.

Full text
Abstract:
Cette thèse préparée au LPMC s'inscrit dans le cadre de la recherche aujourd'hui très active en Electronique de Spin. Les jonctions tunnel à forte magnétorésistance (TMR) à température ambiante sont trés prometteurs pour des applications telles que des MRAM ou des têtes de lecture de disques durs, ceci dans un futur relativement proche. Plusieurs objectifs majeurs ont été atteints dans ce travail en combiant sputtering et masques de contact ou lithographie pour la fabrication des dispositifs et pour leur caratérisation, des mesures de transport, de magnétorésistance, la magnétométrie MOKE, la
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Tiuşan, Coriolan. "Magnétisme et transport polarisé en spin dans des jonctions tunnel magnétiques : utilisation du transport tunnel comme une sonde micro magnétique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2000. http://www.theses.fr/2000STR13058.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Manchon, Aurélien. "MAGNETORESISTANCE ET TRANSFERT DE SPIN DANS LES JONCTIONS TUNNEL MAGNETIQUES." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00203385.

Full text
Abstract:
L'observation du renversement d'aimantation induit par courant polarisé (CIMS) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) a ouvert de nouvelles perspectives d'applications pour l'électronique de spin, en particulier à travers les mémoires magnétiques (MRAM). Cette réalisation exige une bonne maîtrise de l'oxydation de la barrière tunnel mais aussi une connaissance approfondie du phénomène de transfert dans ces dispositifs.<br />En premier lieu, une étude expérimentale de l'influence de l'oxygène sur les propriétés magnétiques d'une tricouche Pt/Co/MOx (MOx est un métal oxydé) est présentée. L
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Dounia, Salim. "Optimisation des performances de capteurs de champ à base de jonctions tunnel magnétiques." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALY025.

Full text
Abstract:
Les capteurs de champ magnétique à base de jonctions tunnel magnétiques constituent une solution prometteuse dans le cadre du développement de dispositifs miniatures de basse consommation. Les performances de ces capteurs dépendent fortement de l’état magnétique (macrospin ou vortex) et des dimensions de la couche libre. Crocus Technology entreprise partenaire de cette thèse conçoit depuis plusieurs années des capteurs à base de jonctions tunnel. Malgré leur très bonne sensibilité, les capteurs dont la couche libre est à l’état macrospin, présentent un bruit important, dégradant fortement la c
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Fix, Thomas. "Couches minces de Sr2FeMoO6 élaborées par ablation laser pour des jonctions tunnel magnétiques." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2006. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2006/FIX_Thomas_2006.pdf.

Full text
Abstract:
Lorsque deux couches ferromagnétiques sont séparées par une fine couche isolante (ou semi-conductrice) le transport électronique est autorisé par effet tunnel. Ce type d’empilement, qui est appelé jonction tunnel magnétique, est très prometteur au niveau des applications. La magnétorésistance observée est alors appelée magnétorésistance tunnel. La magnétorésistance tunnel est liée à la polarisation en spin des électrodes, c’est-à-dire qu’elle est liée à l’asymétrie des densités d’états des électrodes au niveau de Fermi pour les deux directions de spin. Une solution pour avoir une polarisation
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Guth, Michel. "Propriétés de transport de jonctions tunnels magnétiques utilisant un composé II-VI de ZnS comme barrière tunnel." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2003. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2003/GUTH_Michel_2003.pdf.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Zermatten, Pierre-Jean. "Étude du transport tunnel dépendant du spin dans des jonctions tunnels magnétiques épitaxiées Fe/MgO/Fe bcc." Phd thesis, Grenoble 1, 2008. http://www.theses.fr/2008GRE10139.

Full text
Abstract:
La prédiction et l'observation de très forts taux de magnétorésistance tunnel (TMR) dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO a ouvert de nouvelles perspectives d'applications dans le domaine de l'électronique de spin. Ces forts taux de TMR ne peuvent s'expliquer qu'en prenant en compte la structure cristalline des électrodes et le filtrage de la barrière tunnel dépendant des symétries. Un dispositif original de mesures de transport sous champ magnétique d'objets de taille nanométrique a été développé au cours de cette thèse. Il associe une électronique d'acquisition rapide et un Mic
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Zermatten, Pierre-Jean. "Étude du transport tunnel dépendant du spin dans des jonctions tunnels magnétiques épitaxiées Fe/MgO/Fe bcc." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00345079.

Full text
Abstract:
La prédiction et l'observation de très forts taux de magnétorésistance tunnel (TMR) dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO a ouvert de nouvelles perspectives d'applications dans le domaine de l'électronique de spin. Ces forts taux de TMR ne peuvent s'expliquer qu'en prenant en compte la structure cristalline des électrodes et le filtrage de la barrière tunnel dépendant des symétries. <br />Un dispositif original de mesures de transport sous champ magnétique d'objets de taille nanométrique a été développé au cours de cette thèse. Il associe une électronique d'acquisition rapide et
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Nistor, Lavinia. "Jonctions tunnel magnétiques à aimantation perpendiculaire : anisotropie, magnétorésistance, couplages magnétiques et renversement par couple de transfert de spin." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00648593.

Full text
Abstract:
Le but de cette thèse est l'étude des propriétés de jonctions tunnel magnétiques à aimantation perpendiculaire, en utilisant l'anisotropie perpendiculaire présente à l'interface entre un métal magnétique et un oxyde. En théorie, dans le cas des applications mémoires, les jonctions tunnel perpendiculaires devraient nécessiter moins d'énergie (courant) pour l'écriture par courant polarisé en spin. Mais la fabrication de telles structures représente un défi et une tâche difficile puisque les propriétés de transport (TMR) et d'anisotropie imposent des contraintes sur les matériaux utilisées en lim
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Iovan, Adrian. "Elaboration et caractérisation de jonctions tunnel à plusieurs barrières pour l'intégration dans une nouvelle génération de mémoires magnétiques." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2004. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2004/IOVAN_Adrian_2004.pdf.

Full text
Abstract:
Après la découverte d'une grande magnétorésistance tunnel (MRT) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) à température ambiante, beaucoup d’applications potentielles basées sur le transport polarisé ont émergé, en particulier pour l’utilisation des jonctions tunnel au sein de mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM). Cependant, les MRAM actuellement proposées, nécessitent d’ajouter un commutateur semi-conducteur (un transistor CMOS ou une diode PN ) en série avec la cellule mémoire (JTM). En effet, dans une matrice de JTM, il faut supprimer (ou bloquer) les courants parasites provenant
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Petit, Sébastien. "Influence du couple de transfert de spin sur les fluctuations magnétiques thermiquement activées dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10237.

Full text
Abstract:
La réduction croissante des tailles des dispositifs de l'électronique de spin s'accompagne d'une diminution du rapport signal sur bruit, notamment du fait de l'augmentation des fluctuations magnétiques à l'approche de la limite super-paramagnétique. Simultanément la réduction des dimensions de ces dispositifs a entraîné l'apparition d'un nouveau phénomène: le transfert de spin, qui se traduit par un couple exercé par un courant polarisé en spin sur l'aimantation d'une couche ferromagnétique. Pour une densité de courant supérieure à une valeur seuil appelée courant critique, l'aimantation de la
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Petit, Sébastien. "Influence du couple de transfert de spin sur les fluctuations magnétiques thermiquement activées dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00293055.

Full text
Abstract:
La réduction croissante des tailles des dispositifs de l'électronique de spin s'accompagne d'une diminution du rapport signal sur bruit, notamment du fait de l'augmentation des fluctuations magnétiques à l'approche de la limite super paramagnétique. Simultanément la réduction des dimensions de ces dispositifs a entraîné l'apparition d'un nouveau phénomène : le transfert de spin, qui se traduit par un couple exercé par un courant polarisé en spin sur l'aimantation d'une couche ferromagnétique. Pour une densité de courant supérieure à une valeur seuil appelée courant critique, l'aimantation de l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

De, person Pierre. "Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire : croissance, caractérisations structurales ; phénomènes de couplage, magnétotransport ; extension aux hétérostructures pour l'injection de spins dans les semiconducteurs III-V." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10035.

Full text
Abstract:
Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte ani
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Yang, Hongxin. "Etude ab-initio des phénomènes spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et le graphène." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00770720.

Full text
Abstract:
Phénomènes de spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et des films minces sont très prometteurs des deux points fondamentaux et l'application de vue. Elles sont basées sur l'exploration de spin d'électron en plus de sa charge et comprennent intercalaire couplage d'échange (CEI), l'anisotropie magnétique perpendiculaire (PMA), géante (GMR) et magnétorésistance tunnel (TMR), Couple de transfert de spin (STT), Spin effet Hall (SHE) et même induire du magnétisme dans les éléments non compris d graphène. Cette thèse comprendra premiers principes des études de phénomènes spintronique qui
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Amara, Selma. "Etude de fiabilité des jonctions tunnel magnétiques pour applications à forte densité de courant." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00846519.

Full text
Abstract:
L'objectif de cette thèse est d'étudier la fiabilité et la cyclabilité des jonctions Tunnel magnétique pour mieux comprendre les mécanismes de dégradation et de claquage de la barrière. Une étude de l'endurance de la barrière MgO jusqu'au claquage électrique est présentée. Les échantillons ont été testés sous un mode impulsionnel. Par l'étude de l'effet de retard entre des impulsions successives, une durée de vie optimale des JTM est observée pour une valeur intermédiaire de retard entre les impulsions correspondant à un compromis optimal entre la densité moyenne de charge piégée dans la barri
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Monso, Sandra. "Fabrication et tests de points mémoire non-volatiles à base de jonctions tunnel magnétiques." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2003. http://www.theses.fr/2003GRE10208.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Dimopoulos, Théodoros. "Transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel magnétiques : Le rôle des interfaces métal/oxyde dans le processus tunnel." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2002. http://www.theses.fr/2002STR13215.

Full text
Abstract:
Le domaine de recherche du transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel de type métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique (FM/I/FM) s'est vu porter un nouvel intérêt dans les sept dernières années qui se sont écoulées depuis sa mise en évidence à température ambiante. Ces structures hybrides métal/isolant suscitent actuellement de réelles perspectives d'application dans le domaine des capteurs magnétoresistifs ou des mémoires vives magnétiques non volatiles. Dans une jonction, les électrons polarisés en spin par les électrodes magnétiques, traversent la fine couche d'isolant
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Maunoury, Cécile. "Les empilements ferromagnétique/alumine/ferromagnétique à base de cobalt et de permalloy : élaboration par pulvérisation ionique et étude de leurs propriétés." Paris 11, 2003. http://www.theses.fr/2003PA112310.

Full text
Abstract:
Depuis quelques d'années, l'étude des multicouches métalliques a suscité un vif intérêt dans la communauté scientifique. En effet, elles possèdent des propriétés magnétiques liées à leur caractère bidimensionnel n'existant pas dans un matériau à l'état massif. Les multicouches magnétiques ou Jonctions Tunnel Magnétiques (JTM) peuvent être utilisées dans la réalisation de nouvelles mémoires magnétiques MRAM (Mémoire Magnétique à Accès Aléatoire) en tant qu'élément de stockage de l'information. Les JTM présentent des propriétés de magnétorésistance et sont typiquement composées de deux couches f
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Cuchet, Léa. "Propriétés de transport et d'anisotropie de jonctions tunnel magnétiques perpendiculaires avec simple ou double barrière." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY060/document.

Full text
Abstract:
Du fait de leurs propriétés avantageuses en termes de rétention des données, densité de stockage et faible courant critique pour l'écriture par courant polarisé en spin (STT), les jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire sont devenues prédominantes dans les études sur les applications aux mémoires magnétiques MRAM. Les travaux de cette thèse s'inscrivent dans ce contexte avec pour but l'amélioration des propriétés de transport et d'anisotropie de telles structures ainsi que la réalisation d'empilements encore plus complexes tels que des doubles jonctions perpendiculaires. Grâ
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Schleicher, Filip. "L'effet des défauts structuraux sur le transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00864726.

Full text
Abstract:
Dans le manuscrit, nous étudions l'impact des défauts sur le transport électronique dépendant du spin dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces études ont été effectuées sur des hétérostructures possédant des barrières tunnel composé de SrTiO3, TiO2 et de MgO. Dans le cas des deux premières structures, nous montrons comment l'oxydation à l'interface induit réduction très prononcée de la magnétorésistance tunnel (TMR). Dans le cas du MgO, des études optiques sur les états induits par les défauts dans la barrière isolante ont été effectué. Nous avons montré qu'il est possible de contrôler
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Oubensaid, El Houcine. "Elaboration et structuration d'empilements Co/Al2O3/Co/Ni80/Fe20 par pulvérisation ionique." Paris 11, 2006. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011764.

Full text
Abstract:
Une jonction tunnel magnetique (jtm) est composee de deux couches minces metalliques ferromagnetiques (cobalt, nickel, fer) separees par une barriere isolante ultramince (alumine) dans sa forme la plus simple. Cette structure a evolue depuis la mesure de la premiere magnetoresistance tunnel (mrt) à temperature ambiante en 1995. Actuellement, les jonctions tunnel magnetiques sont utilisees par la nouvelle generation de memoire vive magnetique (mram) et par les tetes de lecture des disques durs. Cette etude presente l'elaboration de jonctions tunnel magnetiques cobalt/alumine/cobalt/permalloy pa
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Bernos, Julien. "Elaboration de jonctions tunnel magnétiques et de jonctions métal/oxyde/semi-conducteur pour l'étude du transport et de la précession de spin d'électrons chauds." Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10080/document.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur la précession du spin d'électrons chauds polarisés en spin. Celle-ci est induite par le champ d'échange d'une couche mince ferromagnétique dans une structure multicouche lors de sa traversée. Deux approches ont été testées. La première nécessite des jonctions tunnel magnétiques (JTM) doubles à forte magnéto-résistance tunnel (TMR). Nous avons obtenu des JTM CoFeB/MgO/CoFeB à aimantations planaires avec 140 % de TMR. Une étude du transport tunnel dans ces systèmes a mis en évidence l'impact du désordre structurel des interfaces électrode/barrière sur le transport des électr
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

TIUSAN, Coriolan. "MAGNETISME ET TRANSPORT POLARISE EN SPIN DANS DES JONCTIONS TUNNEL MAGNETIQUES. UTILISATION DU TRANSPORT TUNNEL COMME UNE SONDE MICROMAGNETIQUE." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2000. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002763.

Full text
Abstract:
L'effet tunnel dépendant du spin dans une structure métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique, composant une jonction tunnel magnétique, connaît ces dernières années un regain d'intérêt avec sa mise en évidence à température ambiante et avec ses multiples applications potentielles pour l'élaboration de nouveaux dispositifs micro-électroniques (mémoires non-volatiles, capteurs magnéto-résistifs, etc). Dans une jonction tunnel magnétique la transmission par effet tunnel des électrons, polarisés par les électrodes magnétiques, dépend de l'orientation relative des aimantations des électr
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Nicolas, Hugo. "Développement de magnétomètres intégrés à base de jonctions tunnel magnétiques à couple de transfert de spin." Electronic Thesis or Diss., Strasbourg, 2024. https://publication-theses.unistra.fr/restreint/theses_doctorat/2024/NICOLAS_Hugo_2024_ED269.pdf.

Full text
Abstract:
Cette thèse présente l'utilisation de STT-MTJs perpendiculaires, développées initialement pour les MRAMs, en tant que capteurs magnétiques intégrés. Les MRAMs basées sur des MTJs utilisent généralement l'effet STT pour modifier l'orientation de l'aimantation d'une couche ferromagnétique douce en appliquant une forte tension aux bornes de la MTJ. Cela conduit à un changement de résistance permettant de placer la MTJ dans deux états distincts, parallèle et antiparallèle. Cependant, la tension nécessaire pour provoquer le retournement de l'aimantation de la couche douce dépend du champ magnétique
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Lavanant, Marion. "Retournement de l’aimantation dans des jonctions tunnels magnétiques par effet de transfert de spin." Thesis, Université de Lorraine, 2017. http://www.theses.fr/2017LORR0122/document.

Full text
Abstract:
Les mémoires non-volatiles magnétiques à effet de couple de transfert de spin - STT-MRAM sont un nouveau type de mémoire pouvant remplacer les mémoires DRAM ou SRAM. Chaque point de mémoire STT-MRAM est une jonction tunnel magnétique sous forme d’un pilier de taille nanométrique, composée de deux couches magnétiques séparées par une barrière d'oxide. L'empilement multicouche doit être élaboré sous ultravide par épitaxie par faisceau moléculaire (M.B.E.) ou par pulvérisation cathodique (P.V.D.). Ces méthodes d’élaboration sont développées par la société Vinci Technologies (finançant ce travail
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Vizzini, Sébastien. "Elaboration et caractérisation d'oxydes d'aluminium ultra-minces pour une application aux jonctions tunnels magnétiques." Aix-Marseille 2, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX22036.pdf.

Full text
Abstract:
La spectroscopie d'électrons Auger (AES), la microscopie électronique en transmission (TEM), la diffraction d'électrons lents (LEED) et la microscopie à effet tunnel (STM) ont été utilisés pour étudier la croissance et les propriétés physico-chimiques de films ultra minces d'oxyde d'aluminium réalisés sur Si(100) et Ag(111). Ces oxydes ont été réalisés par une méthode spécifique dite ALDO (Atomic Layer Deposition and Oxydation), qui consiste à croître l'oxyde couche par couche. Cette méthode donne naissance à un oxyde artificiel qui présente de nombreuses spécificités et fait de cet oxyde un b
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Gabillet, Laurianne. "Elaboration et étude des propriétés physiques de jonctions tunnel magnétiques à barrières d'Al2O3, de MgO, ou hybrides." Toulouse, INSA, 2004. http://www.theses.fr/2004ISAT0012.

Full text
Abstract:
En électronique de spin, les jonctions tunnel magnétiques (JTM) présentant une forte magnétorésistance tunnel (MRT) à température ambiante, sont des structures très prometteuses pour la fabrication d'une nouvelle génération de mémoire vive (MRAM) ou pour la réalisation de capteurs magnétiques ultrasensibles (automobile, têtes de lecture de disque dur). Dans cette thèse, les JTM sont constituées d'un empilement NiO/Co/barrière/Co. La barrière est obtenue par oxydation naturelle d'une couche métallique d'épaisseur inférieure à 2 nm. Elle est soit simple, formée d'Al2O3 ou de MgO, soit hybride, f
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Lequeux, Steven. "Déplacement de paroi de domaine par transfert de spin dans des jonctions tunnel magnétiques : application au memristor spintronique." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS168/document.

Full text
Abstract:
Dans le contexte actuel des technologies de l’information, le traitement séquentiel effectué par les ordinateurs d’architecture classique bute sur des problématiques de consommation d’énergie. En s’inspirant de la nature, et tout particulièrement du cerveau, une solution alternative apparaît à travers les réseaux de neurones artificiels. Dans ce cadre, la réalisation de nano-composants, appelés memristors, qui miment la plasticité synaptique, permet grâce à leur taille nanométrique d’envisager la réalisation de réseaux neuronaux densément interconnectés. Dans ce travail de thèse, notre intérêt
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Malinowski, Grégory. "Transport dépendant du spin et couplage d'échange : de la jonction tunnel au capteur magnétique intégré." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008797.

Full text
Abstract:
Dans une première partie, les propriétés cristallographiques et magnétiques de couches minces X/IrMn et X/IrMn/Y (X,Y= Co et/ou Py) sont présentées. Le magnétisme est expliqué à l'aide de modèles micromagnétiques. La différence de couplage d'échange aux interfaces X/IrMn et IrMn/Y est indépendante de la microstructure et uniquement liée à l'ordre d'empilement des couches. Il est démontré que déposer une couche antiferromagnétique sur une couche ferromagnétique est totalement différent d'un point de vue magnétique de l'opération inverse. Dans une seconde partie, la bicouche IrMn/Co est utilisée
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Solignac, Aurélie. "Réalisation et étude d'hétérostructures à base du manganite La0.7Sr0.3MnO3 pour des capteurs magnétiques oxydes ultrasensibles." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00836295.

Full text
Abstract:
Les matériaux oxydes possèdent une physique très riche et une large gamme de propriétés qui en font des matériaux très attractifs les applications. Notre but est d'utiliser ces matériaux oxydes pour améliorer les performances de capteurs magnétiques ultrasensibles appelés capteurs mixtes à 77K. Ces capteurs combineraient un transformateur flux champ supraconducteur en YBaCuO fonctionnant à 77K et la magnétorésistance d'une jonction tunnel dont les électrodes sont composées du manganite demi-métallique La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO). Durant cette thèse, nous avons développé l'élément clé de ce capteur q
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Olive, Mendez Siôn Federico. "Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin." Aix-Marseille 2, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX22003.pdf.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse est focalisé sur l’étude des jonctions tunnel magnétiques (JTM) et des semiconducteurs ferromagnétiques dilués (DMS) pour des applications en spintronique. La technique de croissance utilisée est l’épitaxie par jets moléculaires dans l’ultravide (UHV-MBE) et parmi les techniques de caractérisations utilisées on peut citer la microscopie à force atomique (AFM), la microscopie électronique à effet tunnel (STM), la diffraction d’électrons à haute énergie en incidence rasante (RHEED) et la microscopie électronique en transmission (TEM). Concernant les JTM, on a proposé une méth
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Greullet, Fanny. "Les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à base de MgO(001) : de l'étude statique et dynamique à l'injection de spin dépendant des symétries." Thesis, Nancy 1, 2009. http://www.theses.fr/2009NAN10001/document.

Full text
Abstract:
Les modèles théoriques qui prônent l’existence d’un filtrage en symétrie dans les électrodes ferromagnétiques n’ont jamais souffert d’autre justification que leur potentiel à éclairer les résultats expérimentaux. En la matière, les jonctions tunnel magnétiques Fe/MgO/Fe(001) apparaissent être un outil approprié pour confronter expérience et théorie de par leur haute qualité cristalline, cette dernière étant essentielle pour se rapprocher au plus près des considérations théoriques. Les premières mesures de bruit basse fréquence réalisées sur ce système en démontrent la qualité remarquable, para
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Greullet, Fanny. "Les jonctions tunnels magnétiques épitaxiées à base de MgO(001) : de l'étude statique et dynamique à l'injection de spin dépendant des symétries." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00410668.

Full text
Abstract:
Les modèles théoriques qui prônent l'existence d'un filtrage en symétrie dans les électrodes ferromagnétiques n'ont jamais souffert d'autre justification que leur potentiel à éclairer les résultats expérimentaux. En la matière, les jonctions tunnel magnétiques Fe/MgO/Fe(001) apparaissent être un outil approprié pour confronter expérience et théorie de par leur haute qualité cristalline, cette dernière étant essentielle pour se rapprocher au plus près des considérations théoriques. Les premières mesures de bruit basse fréquence réalisées sur ce système en démontrent la qualité remarquable, para
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Bonell, Frédéric. "Analyse du transport dans les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à barrière de MgO(001) par manipulation des interfaces, de la barrière et des électrodes." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00456413.

Full text
Abstract:
Les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées sont des systèmes modèles permettant de confronter l'expérience à la théorie de l'effet tunnel polarisé en spin. Celles à barrière de MgO(001) font à ce titre l'objet de nombreuses études, dont certaines ont permis d'établir expérimentalement l'existence de phénomènes tunnel cohérents dépendant de la symétrie des états de Bloch. Les expériences réalisées au cours de cette thèse visent à identifier et contrôler plusieurs propriétés des interfaces, de la barrière et des électrodes qui s'expriment dans le transport tunnel. Nous étudions les conséquences
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography