Dissertations / Theses on the topic 'KFFM'

Bakgrund och problem: Lärande inom organisationer har effekt på hur organisationer hanterar förändring och anpassar sin organisation för en förbättrad effektivitet, vilket kan leda till konkurrensfördelar. Det är intressant att se på ideella organisationer och deras lärande funktion då organisationsformen skiljer sig från den privata sektorn där företag i större utsträckning arbetar med lärande mer strukturellt medan ideella organisationer ofta baserar sin lärande funktion på lösa samtal. Vår undersökning tar avstamp från detta och mer specifikt i den ideella organisationen KFUM Sverige. Eftersom det är en organisation som sysslar med en rad olika aktiviteter har vi valt att smala av undersökningsområdet till de basketföreningar som har koppling till KFUM. Syfte: Syftet med denna studie är att undersöka hur KFUM arbetar som lärande organisation och hur de lokala KFUM-basketföreningarna har arbetat för att öka medlemsantalet. Potentiellt kan vi få en bild av hur en ideell organisation arbetar som en lärande organisation och huruvida de tar tillvara på intern kunskapsförmedling mellan sina underföreningar. Metod: Vår studie grundar sig i en djupare förståelse för dels människors agerande men även rutiner och arbetssätt inom olika föreningar, valde vi att genomföra intervjuer med personer från basketföreningar med KFUM-anknytning samt en intervju med personen som arbetar som kommunikationsansvarig hos KFUM Sverige, vars arbetsuppgifter behandlar kommunikation med KFUM:s föreningar i hela Sverige. Resultat och slutsats: Efter genomförd studie kan vi dra slutsatserna att KFUM:s basketföreningar är förändringsbenägna och de arbetar som lärande organisationer på individuell nivå men att KFUM Sverige, på nationell nivå, har brister i sin lärande förmåga. Vi anser att detta skulle kunna förbättras genom införande av system som gynnar kunskapsdelning och att organisationen i sig behöver arbeta för att förbättra sin organisatoriska identitet då detta är ett sätt för organisationen att få en organisationskultur som främjar lärande mellan de lokala föreningarna.

La compréhension des propriétés électriques de nano-objets est essentielle pour le développement s des nanotechnologies. La microscopie à force Kelvin (KFM) est une des techniques les plus utiles pour cartographier simultanément la topographie et la différence de potentiel de contact (CPD) à l'échelle nanométrique. Après 20 ans de développement, la KFM est principalement utilisé dans des conditions normales de pression et de température, permettant d'effectuer, de manière simple, de multiples analyses comparatives. Toutefois, sous ultra-vide (UHV), comme la surface est contrôlée et que la sensibilité est meilleure, des mesures plus précises et plus fiables sont réalisables. Dans la première partie, la mesure KFM sous atmosphère ambiante est améliorée en développant la technique simple-passage à la fois en modulation de fréquence (FM) et en modulation d'amplitude (AM). Une électronique externe Nanonis a été adaptée sur les AFMs commerciaux (Dimension 3100 et MultiMode, Bruker). Une étude comparative avec le mode Lift a été réalisée sur des couches de graphène épitaxié sur échantillon de SiC. L'effet de la distance pointe-échantillon sur le contraste et la résolution est décrit ainsi que l'influence des paramètres expérimentaux. Une amélioration significative du contraste et de la résolution est clairement observée sur les résultats obtenus par la technique simple passage en modulation de fréquence, indépendamment de la distance pointe-échantillon. Dans une deuxième partie, la technique KFM est développée sous vide secondaire. Le travail instrumental est réalisé sur un AFM EnviroScope de chez Bruker, qui a été équipé d'une électronique externe Nanonis, permettant de mesurer simultanément la topographie en mode non-contact et la CPD en modulation d'amplitude ou de fréquence. Les résultats montrent que la CPD mesurée est comparable à celle obtenue avec une mesure sous ultravide. Enfin, après avoir posé les bases à la fois expérimentale et théorique de la KFM, cette technique est utilisée pour caractériser les hétérostructures CdTe/CdS en films minces utilisés pour les applications de cellules solaires. Un protocole de préparation d'échantillon sur la tranche a été spécialement développé. L'hétérojonction CdTe/CdS est étudiée sous polarisation à la fois dans l'obscurité et sous éclairement. L'influence de l'épaisseur de la couche de CdS est également étudiée pour comprendre son effet dramatique sur le rendement des cellules solaires.

La course à la miniaturisation en microélectronique impose aujourd'hui l'introduction de films métalliques et d'isolants de forte permittivité dans la fabrication des transistors MOS et des capacités MIM afin d'augmenter leur densité tout en maintenant leurs performances électriques. Cependant, l'intégration de ces matériaux doit faire face à certains phénomènes physiques localisés au niveau de l'interface métal/isolant qui peuvent dégrader les performances de ces composants. De ce fait, le choix des matériaux employés ne peut se faire sur la simple considération de leurs propriétés intrinsèques et passe nécessairement par une analyse poussée des propriétés de l'interface qu'ils forment. Nous présentons dans notre étude une caractérisation fine des différentes propriétés de l'interface TiN/Ta2O5 ainsi que leur impact sur les performances de la capacité MIM 5fF. Mm-2. Nous étudions dans un premier temps l'effet de la rugosité des interfaces sur les caractéristiques courant-tension de la capacité MIM. Des simulations « in situ » du champ électrique établi dans ce dispositif indiquent alors que la topographie propre à chaque interface peut conduire à des caractéristiques électriques asymétriques. Notre analyse porte ensuite sur les phénomènes fondamentaux qui gouvernent la valeur du travail de sortie des couches métalliques. Cette analyse nécessite l'utilisation d'une technique de microscopie électrique à sonde locale (KFM) qui permet notamment d'observer l'impact de la cristallinité des films sur leurs travaux de sortie. Enfin, l'effet de la composition chimique de l'interface TiN/Ta2O5 sur la hauteur de barrière est présenté. Cette étude, réalisée par spectroscopie de photoélectrons X et UV, permet de construire le diagramme de bande complet de la structure MIS TiN/Ta2O5/Si. On constate alors un décalage important des niveaux du vide aux différentes interfaces induit par la présence de dipôles
Current scaling trend in microelectronic involves the introduction of metals and high-k dielectrics in MOS transistors and MIM capacitors manufacturing in order to maintain their electrical performances. Nevertheless, the integration of these materials must deal with some physical phenomena localized at the metal/insulator interface that can degrade the devices performances. As a result, the choice of materials cannot be done on the simple consideration of their intrinsic properties and necessarily passes by a careful analysis of the properties of the interface formed. We present in this study fine characterizations of the TiN/Ta2O5 interface properties as well as their impact on the performances of the MIM 5fF. Mm-2 capacitor. We first present the impact of interfaces roughness on leakage-current characteristics of MIM capacitors. “In situ” simulations of the electric field in the device indicate that each interface topography can lead to asymmetrical MIM electrical behavior. Next, our analysis treats the fundamental properties which control metal layers work function. This study requires the use of a local probe (KFM) which allows to characterize the impact of metal films crystallography on work function. Finally, the effect on the barrier height of the TiN/Ta2O5 interface chemistry is presented. This study, carried out by X-ray and UV-ray photoelectrons spectroscopy, provides the complete band diagram of the TiN/Ta2O5/Si MIS structure. We report here large shifts of the vacuum level induced by dipoles at both the Si/Ta2O5 and Ta2O5/TiN interfaces

Les microsystèmes nécessitent généralement d'être insérés dans un environnement parfaitement contrôlé afin de permettre d'une part, un mode de fonctionnement optimum (vide par exemple lorsque le facteur de qualité doit être élevé) ou d'autre part, de pouvoir relier ses caractéristiques de sortie aux conditions de fonctionnement. Il est donc important de pouvoir les placer dans un boitier de protection parfaitement adapté. Avant cela, le dispositif doit être découpé dans le substrat de silicium. Cette étape de découpe est critique car elle nécessite l'utilisation d'un jet de fluide sur la surface pouvant entrainer l'endommagement partiel ou complet du dispositif ou encore provoquer le collage de la partie désolidarisée du substrat. Nous avons imaginé un procédé original de report de film sur le dispositif afin d'assurer la protection du MEMS durant cette étape de découpe. Ce procédé utilise la technologie de transfert, à savoir que les capots protecteurs sont élaborés sur un substrat spécifique puis désolidarisé de ce substrat pour venir recouvrir le substrat recouvert de structures MEMS. Plus largement, ce procédé universel permet de réaliser un très grand choix de microdispositifs (jauges Pirani par exemple). Ainsi, ce procédé a été entièrement qualifié pour des applications de packaging puis étendu au report de microstructures
Generally microsystems require to be inserted in an environment perfectly controlled in order to allow an optimum functioning process (vacuum for example when the quality factor must be high) or to be able to connect its exit characteristics to the operating conditions. It is thus important to be able to place them in a perfectly adapted packaging of protection. Before that, the device must be cut out in the silicon substrate. This cutting step is critical because it requires the use of a fluid jet on surface which can involve the partial or complete damage device or cause the sticking effect of microdevices on the substrate. We imagined an original film transfer process on the device in order to ensure the MEMS protection during this cutting step. This process uses the transfer technology, namely that micro-caps are elaborate on a specific substrate then separated of this substrate to protect to micro-structures on the final substrate. More largely, this universal process makes it possible to carry out a very great choice of microdevices (Pirani gauges for example). Thus, this process was fully qualified for packaging applications then extended to microstructures transfer

Orientador: Fernando Galembeck
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica
Made available in DSpace on 2018-08-16T12:34:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gouveia_RubiaFigueredo_D.pdf: 6255414 bytes, checksum: b9783ee801d3d18f57579c596a700bab (MD5) Previous issue date: 2010
Resumo: Os fenômenos eletrostáticos e suas consequências são familiares para a maioria das pessoas, mas o conhecimento sobre este tópico ainda é bastante empírico. Persistem grandes dificuldades na correlação de idéias fundamentais da teoria atômico-molecular com observações experimentais da eletrostática de materiais isolantes. A hipótese explorada nessa tese é: a atmosfera é uma fonte de cargas elétricas em isolantes, devido à partição de grupos OH- e H+ associados à adsorção de água. Logo, interações específicas entre íons presentes na água e sólidos isolantes contribuem para os padrões de cargas. Neste trabalho foram analisados padrões eletrostáticos em uma superfície de sílica recoberta por eletrodos de ouro produzidos por técnicas microlitográficas e partículas amorfas de fosfato de alumínio e sílica de Stöber utilizando a microscopia de força Kelvin (KFM) sob umidade relativa controlada. Os potenciais elétricos sobre a superfície de sílica dependem fortemente da umidade relativa, bem como da polarização dos eletrodos de ouro. A formação e dissipação dos padrões eletrostáticos são mais rápidas sob altas umidades. Já em baixas umidades a preservação dos potenciais elétricos é mais efetiva. Os potenciais elétricos das partículas de sílica e fosfato de alumínio são fortemente influenciados pela umidade relativa, sendo alterados mesmo em um ambiente completamente isolado eletricamente e aterrado. Os potenciais são modificados por eventos de adsorção e dessorção de água: sílica de Stöber torna-se mais negativa com o aumento da umidade, enquanto o fosfato de alumínio torna-se menos negativo, na ausência de qualquer ação de indução por um campo elétrico. Os resultados mostraram que a adsorção de água modifica os padrões de cargas de superfícies inorgânicas em escala nanométrica e que a eletroneutralidade não é uma característica geral de materiais isolantes. Neste trabalho também foram examinadas propriedades mecânicas de rigidez e adesão em nanoescala de partículas de fosfato de alumínio e dióxido de titânio, utilizando a microscopia de força pulsada digital (DPFM). As partículas apresentam uma grande heterogeneidade mecânica, mostrando domínios bastante diferenciados entre si. A nanoindentação da ponteira do AFM sobre as partículas mostrou que o dióxido de titânio apresenta maiores valores de rigidez, módulo de Young, força e energia de adesão e de histerese na deformação de suas superfícies.
Abstract: Electrostatic charging is familiar to most persons but knowledge on this topic is still rather empiric, mainly because fundamental ideas on the structure of matter are not well connected to the phenomenology of insulator charging. This thesis explores the following hypothesis: the atmosphere is as an electric charge reservoir for insulators, due to the partition of OH- and H+ groups associated to water adsorption. Thus, specific interactions between ions of adsorbed layers of water and insulating solids contribute to charge patterning. In this work, electrostatic patterning was examined in a silica surface partially covered with sets of interdigitated gold electrodes produced by microlithography techniques and also in aluminum phosphate and Stöber silica amorphous particles, using Kelvin force microscopy (KFM) under controlled relative humidity. Electric potentials acquired from the silica surface depend largely on the relative humidity as well as on the applied potentials at the gold electrodes. Pattern formation and dissipation are much faster under high relative humidity while the charged or discharged silica states are both more stable at low humidity. The electric potential measured along the surface of amorphous particles changes with relative humidity within an electrically shielded and grounded environment. Thus, water adsorption and desorption modify charge status of these particles: Stöber silica surface becomes more negative at higher humidity while aluminum phosphate becomes less negative, without any external electric potential or inductive input. These results show that water adsorption modifies charge status of inorganic surfaces and that electroneutrality is not a widespread characteristic of insulating materials. Another section of the thesis describes local nanomechanical stiffness and adhesion properties for aluminum phosphate and titanium dioxide particles, using digital pulsed force microscopy (DPFM). Aluminum phosphate and titanium dioxide particle domains present a large degree of heterogeneity. Aluminum phosphate particles are softer materials than titanium dioxide, undergoing greater nanoindentation of the AFM tip. On the other hand, titanium dioxide particle surfaces present larger stiffness, Young modulus, tipadhesion force, energy dissipated by hysteresis and detachment energy than aluminum phosphate particles.
Doutorado
Físico-Química
Doutor em Ciências

L'alliage 2024 (Al-Cu-Mg) est, dans le contexte de l'allègement de structure, encore largement utilisé par l'industrie aéronautique. Sa microstructure le rend sensible à la corrosion localisée (corrosion par piqûres, corrosion feuilletante et intergranulaire). Parmi les paramètres microstructuraux, les particules intermétalliques, et notamment les particules de phase S-Al2CuMg, sont dans de nombreux cas un facteur d'endommagement. Ce travail de thèse est donc centré sur leur réactivité ainsi que sur l'apport de techniques locales à cette étude. Dans ce travail, une étude multianalytique a été réalisée. La microscopie à force atomique (AFM pour Atomic Force Microscopy) couplée au mode Kelvin (KFM pour Kelvin Force Microscopy) permettent l'acquisition de la topographie et du potentiel de surface d'un échantillon à l'échelle nanométrique. Le couplage de ces techniques à des analyses chimiques d'extrême surface par SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy) ainsi que le suivi de la composition des particules lors de leur dissolution (MEB-EDS) ont démontré que l'association AFM-KFM permet le suivi de l'ensemble des phénomènes de dissolution de particules intermétalliques riches en cuivre avec une résolution spatiale de l'ordre de la centaine de nanomètres. En parallèle à ces travaux, l'étude d'alliages et de systèmes modèles par des techniques électrochimiques stationnaires et transitoires telles que la Spectroscopie d'Impédance Electrochimique Locale (SIEL) a été réalisée. Ce travail a permis de montrer la représentativité de ces systèmes pour étudier les phénomènes de microcouplage galvanique entre particules intermétalliques et matrice de l'alliage commercial 2024. La réactivité du couple aluminium/magnésium a été simulée numériquement par la méthode des éléments finis. Les distributions de courant et de potentiel calculées ont été validées par des observations en microscopie optique et électronique.

La mesure fiable et spatialement résolue du travail de sortie de matériaux et nanostructures est l'un des problèmes les plus importants en caractérisation de surface avancée pour les applications technologiques. Parmi les méthodes de mesure du travail de sortie disponibles, la microscopie à sonde de Kelvin (KFM), basé sur l'AFM, et la spectromicroscopie de photoémission d'électrons par rayons X (XPEEM) apparaissent comme les méthodes les plus prometteuses. Nous nous sommes intéressés dans cette thèse à l'investigation de la mesure locale du travail de sortie par KFM sous air ainsi qu'à l'étude de la complémentarité entre les mesures obtenues par KFM et XPEEM. Nous présentons tout d'abord une analyse des variations des mesures KFM avec la distance pointe-échantillon sur différents échantillons métalliques. Ces variations peuvent être expliquées par un modèle simple basé sur des transferts de charges de surfaces associés à l'inhomogénéité locale du travail de sortie. L'influence de la pointe, de l'environnement et des paramètres expérimentaux a été aussi étudié. Nous avons ensuite mis en évidence une augmentation de la résolution spatiale de l'imagerie KFM sous air grâce à la mise en oeuvre, sur le microscope commercial, d'un mode combiné AFM-KFM basé sur l‘acquisition simultanée des mesures KFM et de la topographie de surface. Enfin, nous nous sommes focalisés sur la caractérisation croisée par KFM et XPEEM de couches de graphène épitaxiées sur un substrat SiC(0001). Les images du travail de sortie obtenues par KFM sous air permettent de révéler qualitativement, avec une grande résolution spatiale, l'hétérogéneité de ces couches en surface. La mesure complémentaire par XPEEM spectroscopique au seuil de photoémission montre que cette hétérogéneité est liée à l'augmentation du travail de sortie local dû à une épaisseur de graphène variant entre 1 et 4-5 monocouches d'après la littérature. Ceci est corrélé qualitativement avec les intensités locales Si2p et C1s extraites des images XPEEM correspondantes. Des voies pour la compréhension de cette évolution atypique du travail de sortie d'un matériau, sont esquissées d'après la littérature disponible et les résultats micro-spectroscopiques, en terme de couplage électronique avec le substrat SiC.

Ce mémoire de thèse traite de la caractérisation de microfils et nanofils semi conducteurs dopés individuels par microscopie à émission de photoélectrons X (XPEEM) complétée par des techniques de champ proche électrique: Kelvin force microscopy (KFM) et scanning capacitance microscopy (SCM). L'objectif est d'évaluer l'apport des méthodes locales de surface « sans contact », grâce à la mesure du travail de sortie local et de l'énergie de liaison des niveaux de cœur, pour l'étude des phénomènes liés au dopage dans ces objets, comme par exemple l'uniformité longitudinale. Nous mettons d'abord en évidence l'importance de la préparation des échantillons pour la mise en œuvre des techniques citées: méthodes de transfert des fils, adéquation du substrat, influence des caractérisations pré-analyse. Nous présentons ensuite deux principales études de cas en lien avec une problématique technologique : les microfils de nitrure de gallium dopés Si (diamètre 2 µm) pour applications dans l'éclairage à l'état solide, et les jonctions pn à nanofils de Si (diamètre 100 nm) pour la nanoélectronique basse puissance. Dans le premier cas, nous avons mis en œuvre la SCM pour l'identification rapide de l'hétérogénéité axiale du dopage n, puis avons utilisé l'imagerie XPEEM spectroscopique avec excitation synchrotron pour, d'abord, estimer le travail de sortie local et la courbure de bande en surface; ensuite, élucider les modes d'incorporation du silicium en surface, qui pointent notamment sur la sensibilité des conditions d'élaboration dans la part du dopage intentionnel (Si en sites Ga) et non intentionnel (Si sur sites lacunaires en azote). (Des mesures complémentaires sur sections radiales et longitudinales de fils, par microscopie Auger et spectrométrie ToF-SIMS montrent une incorporation du Si limitée à la surface des microfils). Concernant les jonctions pn à nanofils de silicium étudiées après retrait partiel de l'oxyde de surface, nous avons mis en relation des résultats obtenus indépendamment par KFM et par XPEEM. Ils mettent conjointement en lumière une très faible différence de travail de sortie local entre partie n et partie p, et qui semble en partie expliquée par un ancrage du niveau de Fermi en surface
This thesis addresses the characterization of individual doped semiconductors microand nanowires by photoemission electron microscopy (XPEEM) and near field techniques : Kelvin probe force microscopy (KFM) and scanning capacitance microscopy. The aim of this study is to evaluate the benefits of contactless surface methods, thanks to local work function and core level binding energy measurements, for the study of phenomena linked to doping in such objects, like for example axial uniformity. First, we highlight the importance of sample preparation required for these techniques: wires transfer methods, substrate/wire match, and preanalysis characterization influence. Then we present two case studies addressing technological issues: Si doped gallium nitride microwires (2μm diameter) for solid state lighting, and p-n junction nanowires (100 nm diameter) for low power microelectronics. In the first case, we have performed SCM for quick identification of n doping axial heterogeneity, then performed spectroscopic XPEEM using synchrotron radiation to, first, estimate local work function and surface band bending, then clarify surface silicon incorporation highlighting growth process influence over intentional (si on Ga sites) and unintentional doping (si on nitrogen vacancy). Complementary measurements on both axial and radial section of wires have been led by Auger microscopy and ToF-SIMS, highlighting silicon incorporation preferentially at the surface of the microwires. Regarding p-n junctions, after partial removal of surface oxide, we have linked results obtained independently by KFM and XPEEM. Both methods highlighted a weak local work function difference between n-doped and p-doped part, partly explained by Fermi level pinning induced by surface states

Le sujet de cette thèse se situe dans le contexte de l'électronique organique à base de polymères conjugués. Nous avons choisi la famille des polyfluorènes principalement en raison de leur émission dans le bleu, leur bon rendement quantique ainsi que pour la facilité avec laquelle on peut modifier leurs propriétés en greffant différents groupements fonctionnels sur la structure de base du fluorène. L'originalité des recherches effectuées au laboratoire concerne la structure des dispositifs électroluminescents (cellules électrochimiques électroluminescentes ou OLEC) que nous réalisons. Leur principe de fonctionnement repose sur l'utilisation de liquides ioniques ajoutés directement au polymère conjugué sans l'intervention d'un polymère conducteur ionique. Le travail réalisé au cours de cette thèse a principalement consisté à tenter d'améliorer les performances du polyfluorène par l'utilisation de groupements fonctionnels permettant d'augmenter la compatibilité polymère / liquide ionique. Dans cette optique, nous avons mis en œuvre l'utilisation d'un outil de caractérisation particulièrement adapté à nos échantillons : la microscopie à force atomique en mode EFM ou KFM. Cela nous a permis de visualiser précisément la séparation de phase entre le polymère et le liquide ionique. Nous avons ainsi pu montrer que le courant dans un dispositif était grossièrement proportionnel à l'interface polymère / liquide ionique. Nous avons alors proposé une hypothèse expliquant le mode de vieillissement des OLEC. L'amélioration du mélange, c'est-à-dire la maximisation de l'interface polymère / liquide ionique devrait ainsi permettre d'améliorer la durée de vie des dispositifs. L'utilisation de groupements PEO et cyano greffés sur le polyfluorène semble une voie à explorer. Enfin, nous avons décrit le comportement particulier du mélange polyfluorène cyano – THA-TFSI dont la morphologie évolue suivant les conditions de température et de pression.

Ce mémoire de thèse traite de la caractérisation de microfils et nanofils semi-conducteurs dopés individuels par microscopie à émission de photoélectrons X (XPEEM) complétée par des techniques de champ proche : microscopie à sonde Kelvin (KFM) et microscopie capacitive à balayage (SCM). L'objectif est d'évaluer l'apport des méthodes locales de surface " sans contact ", grâce à la mesure du travail de sortie local et de l'énergie de liaison des niveaux de coeur, pour l'étude des phénomènes liés au dopage dans ces objets, comme par exemple l'uniformité longitudinale. Nous mettons d'abord en évidence l'importance de la préparation des échantillons pour la mise en oeuvre des techniques citées: méthodes de transfert des fils, adéquation du substrat, influence des caractérisations pré-analyse. Nous présentons ensuite deux principales études de cas en lien avec une problématique technologique : les microfils de nitrure de gallium dopés Si (diamètre 2 μm) pour applications dans l'éclairage à l'état solide, et les jonctions p-n à nanofils de Si (diamètre 100 nm) pour la nanoélectronique basse puissance. Dans le premier cas, nous avons mis en oeuvre la SCM pour l'identification rapide de l'hétérogénéité axiale du dopage n, puis avons utilisé l'imagerie XPEEM spectroscopique avec excitation synchrotron pour, d'abord, estimer le travail de sortie local et la courbure de bande en surface; puis élucider les modes d'incorporation du silicium en surface qui pointent notamment sur la sensibilité des conditions d'élaboration dans la part du dopage intentionnel (Si en sites Ga) et non intentionnel (Si sur sites lacunaires en azote). Des mesures complémentaires sur sections radiales et longitudinales de fils, par microscopie Auger et spectrométrie ToF-SIMS montrent une incorporation du Si limitée à la surface des microfils. Concernant les jonctions p-n à nanofils de silicium étudiées après retrait partiel de l'oxyde de surface, nous avons mis en relation des résultats obtenus indépendamment par KFM et par XPEEM. Ils mettent en lumière une très faible différence de travail de sortie local entre partie n et partie p, et qui semble en partie expliquée par un ancrage du niveau de Fermi en surface.

Ce travail est consacré à la synthèse localisée et contrôlée de nanocristaux de Si dans une couche de SiO2 (<10 nm) par deux techniques d’implantation ionique. D’une part, l’implantation ionique à basse énergie (1keV) suivie d’un recuit thermique (ULE-II) permet d’élaborer un plan de nanocristaux dans une couche d’oxyde, d’autre part l’ULE-II couplée à la lithographie stencil (méthode originale SMULE- II) permet de les synthétiser localement et de contrôler leur nombre. Les caractérisations par MEB, AFM, EFTEM, spectroscopie de photoluminescence permettent l’étude structurale des nanocristaux (taille, forme, densité, position dans l’oxyde, caractéristiques des zones implantées localement…). Puis, des capacités MOS de taille micro à nanométrique en adressent un certain nombre (grand 108 à réduit 50). Les études I-V et I-t réalisées à température ambiante mettent en évidence des effets de chargement collectif (nanocristaux adressés en grand nombre ou connectés) et discret (nanocristaux en faible nombre (<200) ou formés localement et oxydés). Un modèle électrique permet de corréler les caractéristiques électriques et structurales. De plus, les études I-V réalisées à basse température et les mesures KFM confirment que les charges sont certainement stockées préférentiellement dans les nanocristaux. Pour finir, les effets de stockage de charge des mesures C-V confirment l’intérêt des nanocristaux de Si (élaborés par ULE-II ou SM-ULE-II) pour des dispositifs mémoires non volatiles, et les électrodes transparentes (ITO et ZnO) prouvent qu’il sera possible de les exciter optiquement et de les adresser électriquement afin de réaliser des dispositifs électro-optiques
This work is dedicated to the localized synthesis of a controlled number of Si nanocrystals into SiO2 layer, by two ion implantation methods. On the one hand, the ultra low energy ion implantation followed by thermal annealing (ULE-II) leads to create a two dimensional array of nanocrystals ; On the other hand, the original SM-ULE-II method where ULE-II is performed through a stencil mask leads to fabricate localized areas of Si nanocrystals while controlling their number. Characterizations by SEM, AFM, EFTEM, photoluminescence spectroscopy allow studying the structural properties of the nanocrystals (size, density, shape, localization into the oxide, implanted areas characteristics,. . ). Then, a reduced number of nanocrystals elaborated by ULE-II (108 to 50) or SM-ULE-II is addressed by a micro to nanometer MOS capacitor. Room temperature I-V and I-t measurements exhibit collective charging effects (large number of nanocrystals addressed or connected nanocrystals) and discrete charging effects (a few number of nanocrystals or nanocrystals elaborated by SM-ULE-II and oxidized). An electrical model relates the electrical and structural properties. I-V characterizations realized at low temperature and KFM measurements confirm charge storage essentially into nanocrystals. C-V curves prove that nanocrystals are attractive to non volatile memory applications, and using transparent electrode (ZnO or ITO), nanocrystals can be optically excited and electrically addressed in order to create electro optical components

Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés électroniques de nanostructures par microscopie à force atomique (AFM) en ultra-vide. La première partie de ce travail a consisté à caractériser localement des nanofils de silicium par technique d'AFM conducteur. Les expériences de conduction locale sur nanofils inclinés montrent que la conduction des nanofils intrinsèques est dominée par un transport en surface, associé à la présence de résidus catalytiques métalliques. Cette conduction peut être partiellement supprimée (par désoxydation) ou exaltée (par traitement thermique). Une caractérisation qualitative du dopage de ces nanostructures est présentée, par technique de microscopie à sonde de Kelvin. La deuxième partie de la thèse a consisté à étudier le transfert de charges et les propriétés d'ionisation de nanocristaux de silicium passivés hydrogène, dopés de type n (P) ou p (B), fabriqués par dépôt plasma. L'analyse des images de microscopie à sonde de Kelvin en modulation d'amplitude sous ultra-vide montre que le transfert de charges des nanocristaux de silicium correspond à un mécanisme de compensation d'énergie, exalté par le confinement quantique. Les résultats expérimentaux fournissent une mesure de l'ouverture de la bande interdite des nanocristaux due au confinement quantique, dans la gamme 2-50 nm, en accord quantitatif avec des calculs en liaisons fortes. Ils mettent en avant la possibilité d'utiliser des nanocristaux dopés comme sources d'électrons pour réaliser un dopage sélectif contrôlé de nanostructures ou nanodispositifs, avec des densités dans les gammes de 2×10^11-10^14 cm^-2 ou 8×10^5-2×10^7 cm^-1.

碩士
國立屏東教育大學
文化創意產業學系
101
Taking KMFA as the center of the circle within 5 kilometers radius around, the natural landscapes of mountains, ocean, rivers, harbor and ponds create an attractive and natural scenery which consists of unique local characteristics, and brilliant recreational resources. It is a touchable and enjoyable "living museum." For this sake, the recreational functions of KMFA must not be limited in the conservative and traditional buildings. Therefore, more creative concepts of extensive space and boundless surrounding resources are needed. Constructional and rigid buildings must be used as public space increasing its extra values, competitiveness and sustainable developments of KMFA. According to research points of view, there are very few study results from "the combination of KMFA and the surrounding recreational resources." This is a study to discover it; in this study, the concept of 'strategic pattern analysis’ in which Analysis Of Operational Strategies were proposed by national scholar Si tu da xian（1995）is applied in the analysis of the feasibility of combination of KMFA and the surrounding recreational resources. By applying the 'strategic pattern analysis', six parts, the product range and features, differentiating the target markets, levels of vertical integration, relative scales, geographical coverage and competitiveness strength, have been introduced, verified and examined in order to find out a useful, applicable way for KMFA.Moreover, finding the classics masterpieces collected by KFAM corresponding to the recreational resources in City Nei Wei Pi KFAM surroundings and as well as to the city cultural symbols which are discussed, analyzed, described and explained in order to enhance the citizens' understanding towards Kaohsiung City, increase the recreational motivation and recall the passion to the local cultures. The sensibility and vitality of Kaohsiung City then can be expected.

碩士
世新大學
廣播電視電影學研究所(含碩專班)
105
Nowadays people can watch movies in different devices because of technology advancement and smartphone popularity. This phenomenon also brings some opportunities to film or video industries to provide video on different platforms. New business models become an important issue. Unlike other film festivals, Kaohsiung Film Festival (KFF) not only provided movies in theaters, but also launched the “KFF Cloud Cinema” app (both iOS & Android systems) in 2014. In this app, pay-per-view (PPV) & video on demand (VOD) services was provided to the audiences. This app attracted over 22,000 downloads and the entries received over 500,000 clicks. KFF 2014 not only created the highest participation rate in Taiwan’s film festival history, but also set a new model for Taiwan’s film festival development. This qualitative study was designed to investigate the present and future feasible business models and user acceptance for short-film-oriented film festivals apps. KFF Cloud Cinema app was adopted as an example. Relevant roles like the festival curator, contestants and audiences were interviewed to gather research data. Total nine respondents from the above three roles were interviewed, and in-depth interview was adopted. A semi-structured interview guide was developed based on the cognitive attributes of innovation, innovativeness of adopters, and priorities of innovation acceptance in the diffusion of innovations theory. The results shown that: (a) KFF Cloud Cinema was designed to adopt a business model of lower profit for promoting short films and encouraging users to pay and watch those films online; (b) instead of the profit sharing model commonly practiced by streaming video platforms, KFF Cloud Cinema charged the broadcast fee to license movie broadcast during the festival period, which is the same licensing model as in traditional film festivals; and (c) both the KFF Cloud Cinema users and KFF entrants had high acceptance of this innovation featuring a complement between the virtual film festival and the physical film festival. Keywords：Kaohsiung Film Festival, KFF Cloud Cinema APP, Diffusion of Innovations Theory, Virtual Film Festival