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Dissertations / Theses on the topic 'Lasers à îlot quantiques'

Author: Grafiati
Published: 1 June 2024
Last updated: 31 July 2025

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1

Doré, François. "Emetteurs à îlots quantiques pour le moyen-infrarouge." Rennes, INSA, 2008. http://www.theses.fr/2008ISAR0024.

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Abstract:
Les premiers calculs sur les structures de type I à faible gap sur substrat d’InP(001) révèlent l’intérêt de la combinaison. InAsSb/GaAsSb. La modélisation d’îlots uniques montre un mélange des fonctions d’onde de valence et conduction dans les états confinés, conduisant à des relaxations non-radiatives. La géométrie a un fort impact sur les temps associés à ces processus. Un calcul de l’IVBA montre une évolution globalement défavorable aux grandes longueurs d’onde avec toutefois des gammes privilégiées. Le gap élevé d’InAs contraint oblige à utiliser de gros îlots en faible densité, ce qui li
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Ding, Shihao. "Exploring nonlinear dynamics and amplitude squeezing of quantum dot lasers." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2024. http://www.theses.fr/2024IPPAT008.

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Abstract:
Les circuits photoniques intégrés (PIC) utilisant la technologie de la photonique sur silicium présentent un potentiel significatif dans les systèmes de communication à haute vitesse, le calcul optique et la technologie quantique. Les lasers à îlot quantiques (QD), en particulier ceux qui sont cultivés épitaxialement sur silicium, affichent des caractéristiques remarquables telles qu'une forte tolérance aux défauts, un faible courant de seuil et une bonne stabilité thermique. De ce fait, ils émergent progressivement comme des sources laser prometteuses sur puce pour les PIC. Cette thèse vise à
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Hayau, Jean-François. "Caractérisation de composants photoniques à base d'ïlots quantiques à semi-conducteurs InAs/InP : bruit et injection optique." Rennes 1, 2009. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00511839.

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Abstract:
Nous présentons, dans ce manuscrit, une étude du bruit d'intensité et de l'influence de l'injection optique pour des lasers à îlots quantiques et à bâtonnets quantiques. Ces structures font l'objet de nombreuses attentes mais peu d'études ont été jusqu'à présent réalisées. Nous détaillons les techniques de mesure de bruit et développons une analyse de l'interaction entre les modes d'un laser multifréquences à partir de mesures de bruit. Une modélisation du bruit d'intensité dans les structures à îlots quantiques montre un fonctionnement plus complexe de ces structures en comparaison aux struct
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Hao, Zhenyu. "Caractérisations de structures à base d'îlots, bâtonnets quantiques en termes de bruit, non linéarité et d'injection optique." Phd thesis, Université Rennes 1, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00940272.

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Abstract:
Cette thèse porte sur l'étude de structures lasers à semi-conducteurs à base d'îlots et de bâtonnets quantiques, connues pour avoir quelques propriétés remarquables telles leur fort gain, leur effet non-linéaire renforcé, leur faible courant de seuil, leur haute température caractéristique ... Les caractérisations en termes de bruit d'intensité et d'injection optique de ces structures montrent un comportement atypique comparativement aux structures classiques (massives ou à base de puits quantiques). Nous avons pu ainsi comparer le bruit d'un laser DFB à bâtonnets quantiques avec celui d'un la
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5

Dong, Bozhang. "Quantum-dot lasers on silicon : nonlinear properties, dynamics, and applications." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2021. http://www.theses.fr/2021IPPAT047.

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Abstract:
La photonique sur silicium est une technologie prometteuse pour les systèmes de communication à haut débit, les interconnexions optiques à courte portée et pour le déploiement des technologies quantiques. La croissance de matériaux III-V sur silicium constitue également une solution idéale pour la prochaine génération de circuits photoniques intégrés (PIC). Dans ce contexte, les lasers à îlots quantiques (QD) utilisant des atomes semi-conducteurs comme milieu de gain sont des candidats très prometteurs en raison de leur compacité, de leur grande stabilité thermique et d’une tolérance accrue au
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6

CAVELIER, MARC. "Etude de la dynamique des lasers a semiconducteurs : lasers a puits quantiques et lasers conventionnels." Paris 11, 1992. http://www.theses.fr/1992PA112237.

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Abstract:
Les lasers a puits quantiques constituent des sources remarquables par leur compacite et leurs performances dynamiques sous injection electrique. Par un traitement perturbatif des equations de la matrice densite, nous calculons la susceptibilite electromagnetique du milieu actif, pour des structures a puits quantiques ou massives. Nous montrons les avantages dus a la quantification pour le gain differentiel et le facteur de couplage phase-amplitude. Dans ce modele, la non-linearite du gain, proportionnelle a l'intensite de l'emission stimulee, est independante du type de structure si les temps
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7

Lamkadmi, Azouigui Shéhérazade. "Lasers à boîtes quantiques et tolérance à la rétroaction optique." Evry, Institut national des télécommunications, 2008. http://www.theses.fr/2008TELE0007.

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Hayau, Jean-Francois. "Caractérisation de composants photoniques à base d'îlots quantiques à semi-conducteurs InAs/InP : bruit et injection optique." Phd thesis, Université Rennes 1, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00511839.

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Abstract:
Nous présentons, dans ce manuscrit, une étude du bruit d'intensité et de l'influence de l'injection optique pour des lasers à îlots quantiques et à bâtonnets quantiques. Ces structures font l'objet de nombreuses attentes mais peu d'études ont été jusqu'à présent réalisées. Nous détaillons les techniques de mesures de bruit et développons une analyse de l'interaction entre les modes d'un laser multifréquences à partir de mesures de bruit. Une modélisation du bruit d'intensité dans les structures à îlots quantiques montre un fonctionnement plus complexe de ces structures en comparaison aux struc
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Yao, Jun. "Étude des non-linéarités optiques et des effets de capture des porteurs dans les lasers semi-conducteurs à puits quantiques /." Paris : École nationale supérieure des télécommunications, 1994. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb35691387x.

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Olejniczak, Lukasz. "Polarization properties and nonlinear dynamics of quantum dot lasers." Thesis, Metz, 2011. http://www.theses.fr/2011METZ001S/document.

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Abstract:
Dans cette thèse nous présentons dans un premier temps nos résultats expérimentaux sur les instabilités de polarisation de lasers à boîtes quantiques (QD) et à cavité verticale (VCSELs). Ces instabilités présentent des caractéristiques différentes de celles observées dans les lasers VCSELs à puits quantiques : une compétition se produit entre deux états polarisés elliptiquement et non orthogonaux, qui donne lieu à une dynamique de saut de mode de polarisation dans le temps. Le temps de séjour moyen dans un mode décroit de huit ordres de grandeur en augmentant le courant d’injection (de la seco
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Olivier, Augustin. "Contribution à l'étude des propriétés dynamiques des lasers semiconducteurs 1,5 um à multipuits quantiques." Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10075.

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Abstract:
Ce mémoire présente l'évaluation du gain différentiel et du coefficient de saturation du gain avec la densité de photons des lasers scmqw émettant à 1,5 m. Pour cela nous avons mis au point des méthodes de caractérisation originales pour analyser les propriétés dynamiques des lasers, pour lesquelles nous avons réalisé des photodiodes pin de fréquence de coupure à 3 db supérieure à 18 ghz. En considérant un gain linéaire pour les scmqw, nous avons établi une relation linéaire entre le rapport fréquence de résonance au carré et de la puissance émise, proportionnelle au gain différentiel et l'inv
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Berger, Pierre-Damien. "Application de la technique de photo réflectivité à la caractérisation de microcavités semi-conductrices." Lyon, INSA, 1997. http://www.theses.fr/1997ISAL0093.

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Abstract:
Le but de ce travail a été de caractériser optiquement des structures de microcavité réalisées par épitaxie par jets moléculaires à base de matériaux semi-conducteurs III-V. Nous utilisons la photo-réflectivité, méthode de spectrométrie de modulation optique, pour caractériser ces structures. Cette technique permet de mesurer la position du mode de la cavité Fabry-Pérot par rapport au niveau fondamental des puits quantiques, même lorsque cette transition se trouve masquée par le fort coefficient de réflectivité. De plus, les spectres de photo-réflectivité permettent d’obtenir la composition de
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Benveniste, Elsa. "Etude du gain des lasers à cascade quantique dans le moyen infrarouge." Paris 7, 2009. http://www.theses.fr/2009PA077215.

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Abstract:
Depuis 1994, les lasers à cascade quantique (LCQ) se sont imposés comme la source semiconductrice compacte de choix dans le domaine du moyen et lointain infrarouge. Afin de répondre aux exigences des applications, il est important de dégager les paramètres clés qui gouvernent le gain des LCQ. La première approche de ce travail de thèse consiste à étudier le gain d'un point de vue matériau, pour vérifier sa dépendance avec la masse effective des électrons. La deuxième approche repose sur la mise en place d'un dispositif expérimental original basé sur la mesure de frange Fabry Pérot afin d'obten
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Platz, Charly. "Lasers à boîtes quantiques InAs/InP émettant à 1. 55 micromètre pour les télécommunications optiques." Rennes, INSA, 2004. http://www.theses.fr/2004ISARA001.

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Abstract:
Ce travail de thèse étudie les lasers à boîtes quantiques InAs/InP à 1. 55 micron pour les télécommunications optiques. Les boîtes quantiques ont des propriétés remarquables du fait de leurs dimensions nanométriques. Le modèle dit "germination-croissance" de croissance des boîtes, prévoyant l'influence des paramètres de croissance sur la formation des boîtes, ainsi que les études menées au laboratoire sont présentées. La structure électronique des boîtes quantiques est déterminée dans l'espace réel, ou dans l'espace réciproque. La seconde approche prend en compte le couplage entre les boîtes d
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Nakkar, Abdul Hadi. "Etude des propriétés optiques de boites quantiques InAs/InP (113)B pour des applications lasers." Rennes, INSA, 2009. http://www.theses.fr/2009ISAR0019.

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Abstract:
Les boites quantiques InAs/InP(113B) permettent de réaliser des sources laser à des longueurs d'onde d'émission autour de 1,55µm. Après avoir introduit et rappelé quelques propriétés physiques des boites quantiques (BQs), nous exposons l’intérêt de l'étude par photoluminescence et par microscopie AFM de boites de surface et en particulier la corrélation entre leurs propriétés optiques et structurales. Une méthode originale qui permet de diminuer cette dispersion en taille est proposée. Il en découle une faible largeur de raie permettant de mettre en évidence une séparation énergétique nette en
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Caroff-Gaonac'h, Philippe. "Croissance de boites quantiques InAs/Inp (113) B pour les applications en télécommunications optiques." Rennes, INSA, 2005. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011186.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude de la croissance des boîtes quantiques (BQs) d'InAs/InP(113)B en vue d'applications lasers pour les télécommunications optiques à 1. 55 µm. Les BQs sont formées en épitaxie par jets moléculaires selon le mode de croissance Stranski-Krastanow. Les faibles dimensions de ces nanostructures entraînent des propriétés optoélectroniques remarquables. Dans un premier temps nous présentons des modèles dit de "nucléation-croissance", qui permettent de rendre compte de la plupart des résultats expérimentaux. La croissance des BQs est ensuite étudiée en fonction des p
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Rosales, Ricardo. "InAs/InP quantum dash mode locked lasers for optical communications." Phd thesis, Institut National des Télécommunications, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00923176.

Full text
Abstract:
This PhD thesis focuses on the study of mode locked laser diodes based on novel optimized InAs Quantum Dash structures grown on InP substrates. It covers several important modelling aspects, the clean room processing of single and two section shallow ridge waveguide lasers, characterization of the fabricated devices and the evaluation of their performance in different application scenarios. Systematic characterization experiments and subsequent analyses have allowed to gain a much deeper comprehension of the physical mechanisms related to the mode locking regime in these devices, thus far not
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Amniat-Talab, Mahdi. "Préparation d'états quantiques dans les systèmes cavité-atome-laser par passage adiabatique : états multi-photoniques et intrication." Dijon, 2005. http://www.theses.fr/2005DIJOS006.

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Virte, Martin. "Two-mode dynamics and switching in quantum dot lasers." Thesis, Supélec, 2014. http://www.theses.fr/2014SUPL0020/document.

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Abstract:
Dans cette thèse, j'étudie la dynamique non linéaire résultant d’une compétition entre deux modes dans des systèmes lasers à boites quantiques.D’abord, je considère le cas de la compétition entre deux modes de polarisation apparaissant dans les diodes laser nanostructurées à cavité verticale et émettant par la surface (VCSELs). Il est connu que ces composants peuvent avoir une polarisation instable menant à des dynamiques riches. Récemment, un surprenant saut de mode entre deux états polarisés elliptiquement a été récemment découvert dans les VCSELs à boites quantiques. Ce comportement montre
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Calvar, Ariane. "Design, engineering and processing of QC Lasers for high frequency modulation." Paris 7, 2013. http://www.theses.fr/2013PA077267.

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Abstract:
Les lasers à cascade quantique (QCLs) sont des dispositifs unipolaires dans lesquels la transition radiative se fait entre niveaux confinés de la bande de conduction de puits quantiques semi-conducteurs. Cette thèse porte sur l'étude de ces sources dans le moyen infrarouge. Deux axes de recherche principaux ont été abordés au cours de ces travaux de thèse. Le premier porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de QCLs à ruban crûs par MOCVD. Grâce à un procédé de fabrication optimisé, nous démontrons des courants de seuil à l'état de l'art ainsi qu'une amélioration des perfor
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Dontabactouny, Madhoussoudhana. "Lasers à blocage de modes à base de fils et de boîtes quantiques pour les télécommunications optiques." Phd thesis, INSA de Rennes, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00630247.

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Abstract:
La génération d'impulsions courtes et de fréquence de répétition élevée est une fonction essentielle dans les systèmes de communication modernes. De plus, un faible niveau de bruit est requis afin d'avoir des systèmes performants. Les lasers à semiconducteurs à blocage de modes permettent justement d'émettre des impulsions subpicosecondes à des fréquences supérieures à plusieurs centaines de GHz. L'utilisation d'une nouvelle génération de structures à fils ou boîtes quantiques, pour la réalisation des zones actives de ces lasers, a conduit à des impulsions très courtes et de haute fréquence av
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Rosales, Ricardo. "InAs/InP quantum dash mode locked lasers for optical communications." Electronic Thesis or Diss., Evry, Institut national des télécommunications, 2012. http://www.theses.fr/2012TELE0039.

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Abstract:
Cette thèse s’est concentrée sur l’étude des lasers à blocage de modes destinés à la fenêtre de télécommunication de 1,55 µm et à base de bâtonnets quantiques dont la croissance a été réalisée sur des substrats d’InP. Un des principaux objectifs de ce travail de thèse a consisté à apporter de nouveaux éléments permettant de mieux appréhender les aspects physiques sous-tendant le mécanisme du ML dans ces dispositifs. En effet, une meilleure compréhension du comportement intrinsèque de ces dispositifs et la façon dont ils sont affectés par des facteurs externes, qui pourraient être présents dans
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Lacour, Xavier. "Information Quantique par Passage Adiabatique : Portes Quantiques et Décohérence." Phd thesis, Université de Bourgogne, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00180890.

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Abstract:
La première partie de cette thèse est consacrée à l'élaboration théorique de<br />processus adiabatiques permettant l'implémentation de portes logiques<br />quantiques, les constituants élémentaires des ordinateurs quantiques, par<br />l'interaction de champs laser impulsionnels avec des atomes. L'utilisation de<br />techniques adiabatiques permet des implémentations robustes, i.e. insensibles<br />aux fluctuations des paramètres expérimentaux. Les processus décrits dans cette<br />thèse ne nécessitent que le contrôle précis des polarisations et des phases<br />relatives des champs lasers. Ces
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Huang, Heming. "Optical nonlinearities in quantum dot lasers for high-speed communications." Electronic Thesis or Diss., Paris, ENST, 2017. http://www.theses.fr/2017ENST0012.

Full text
Abstract:
L’évolution actuelle des systèmes de communications optiques est telle que la circulation d’information n’est plus exclusivement limitée par les liens longues distances transocéaniques ou par les réseaux cœurs. De nombreuses applications courtes distances comme les réseaux d’accès où les débits des systèmes amenant la fibre chez l’abonné doivent être maximisés et les connexions internes et externes des centres de données transportent un trafic de données important produit en partie par les applications de type « Big Data ». Les critères imposés par ces nouvelles architectures notamment en term
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De, Naurois Guy-Maël. "Combinaison monolithique de lasers à cascade quantique par couplage évanescent." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00829111.

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Abstract:
Au cours des dix dernières années, les performances des lasers à cascade quantique dans le moyen infrarouge ont connu une progression rapide: Les rendements ont atteint des valeurs supérieures à 20% avec une puissance d'émission de 5W en régime continu, à température ambiante. Ces valeurs ont été atteintes notamment grâce à la diminution de la sensibilité des lasers à l'échauffement, avec des températures caractéristiques T0 s'approchant de 300K. Les performances sont donc actuellement limitées par la puissance injectée, qui est proportionnelle à la taille de la zone de gain. Les travaux de ce
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Zhao, Shiyuan. "Noise, Dynamics and Squeezed Light in Quantum Dot and Interband Cascade Lasers." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2023. http://www.theses.fr/2023IPPAT044.

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Abstract:
Les lasers à semiconducteurs sont devenus omniprésents aussi bien dans la recherche scientifique que dans les applications en ingénierie, et leur miniaturisation a fait d'importants progrès depuis leur première démonstration en 1960. Deux avancées majeures dans ce domaine incluent les lasers à boîtes quantiques (QD), qui opèrent dans la plage de longueurs d'onde proche de l'infrarouge, et les lasers à cascade interbande (ICL), conçus pour une utilisation dans le moyen infrarouge. Dans le paysage actuel de l'optoélectronique, les circuits intégrés photoniques (CIP) jouent un rôle essentiel et é
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Maurin, Isabelle. "Étude du bruit quantique dans les lasers à semi-conducteurs (VCSELs et diodes laser)." Paris 6, 2002. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00001605.

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Belahsene, Sofiane. "Lasers moyen infrarouge innovants pour analyse des hydrocarbures." Thesis, Montpellier 2, 2011. http://www.theses.fr/2011MON20166/document.

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Abstract:
L'objectif de cette thèse, réalisée dans le cadre du contrat européen Senshy, était la réalisation de diodes laser émettant dans le moyen infrarouge (de 3,0 à 3,4 µm). Ces diodes sont destinées à intégrer des détecteurs et des systèmes d'analyse de gaz basés sur le principe de la spectroscopie d'absorption (TDLAS) pour la détection des alcanes (méthane, éthane, propane) et des alcènes (acétylène). Les structures à puits quantiques de type I ont été réalisées par épitaxie par jets moléculaires sur GaSb.Bien qu'ayant d'excellentes performances dans la gamme 2,0-3,0 µm, les lasers GaInAsSb/AlGaAs
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Ababou, Soraya. "Etude des défauts profonds par des méthodes capacitives dans des super-réseaux et puits quantiques GaAs-GaAlAs." Lyon, INSA, 1991. http://www.theses.fr/1991ISAL0022.

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Abstract:
Nous avons appliqué des mesures de spectroscopie capacitive (DLTS) et optique à la cratérisation du centre DX dans des super réseaux (SR) GaAs-AlAs et dans des alliages GaAIAs dopés silicium et épitaxies par jets moléculaires. Nous montrons que le DX qui apparaît sur les SR GaAs-AlAs est dû à la présence de silicium dans les couches A1As, lequel forme le niveau DX de plus basse énergie relativement au minimum de la bande de conduction de GaAs, en limitant la diffusion de silicium dans les barrières AlAs, et en choisissant les les épaisseurs des puits et barrières telles que le centre DX devien
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Drachenko, Oleksiy. "Resonance Magnetophonon Inter Sous-Bandes dans les Structures Unipolaires à Cascades Quantiques." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008037.

Full text
Abstract:
Cette thèse aborde la problématique de la durée de vie des électrons dans des puits quantiques unipolaires soumis à un fort champ magnétique selon l'axe de confinement. Plus particulièrement, le blocage de l'émission de phonons optiques longitudinaux en régime de confinement des électrons à 0-dimension est clairement démontré par la mise en évidence d'oscillations quantiques de la durée de vie. Cet effet est baptisé « résonance magnétophonon inter sous-bandes ». Le blocage de l'émission de phonons LO a été détecté sur la mesure de l'intensité de lasers à cascades quantiques GaAs/GaAlAs, émetta
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Leymarie, Hélène. "Modélisation de diodes laser à puits quantiques contraints GaInAs émettant dans la gamme des 980 nm." Toulouse 3, 1994. http://www.theses.fr/1994TOU30173.

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Abstract:
Les travaux reportes dans ce memoire concernent les methodes de modelisation et de conception des diodes laser a puits quantiques contraints gainas emettant dans la gamme des 980 nm, dispositifs tout particulierement adaptes au pompage des amplificateurs optiques a fibre de silice dopee erbium utilises dans les telecommunications optiques a longues distances. Le logiciel cadilac (conception de diodes laser a puits quantiques contraints), qui a ete developpe dans ce but, permet de determiner a partir des parametres structuraux du composant la caracteristique gain-courant, la longueur d'onde d'e
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Spitz, Olivier. "Mid-infrared quantum cascade lasers for chaos secure communications." Electronic Thesis or Diss., Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLT054.

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Abstract:
Les lasers à cascades quantiques (LCQs) sont des lasers semiconducteurs émettant dans le moyen-infrarouge. Ce domaine optique est bien connu pour ses propriétés d'absorption pour de nombreuses molécules et les lasers à cascades quantiques ont déjà fait leurs preuves en spectroscopie. Des expériences de communication en espace libre ont également vu le jour à ces longueurs d'onde et l'objectif de cette thèse était d'explorer plus en détail ce champ d'applications en réalisant une communication sécurisée reposant sur le chaos optique. La thèse avait pour but de préciser de manière expérimentale
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Huang, Heming. "Optical nonlinearities in quantum dot lasers for high-speed communications." Thesis, Paris, ENST, 2017. http://www.theses.fr/2017ENST0012/document.

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Abstract:
L’évolution actuelle des systèmes de communications optiques est telle que la circulation d’information n’est plus exclusivement limitée par les liens longues distances transocéaniques ou par les réseaux cœurs. De nombreuses applications courtes distances comme les réseaux d’accès où les débits des systèmes amenant la fibre chez l’abonné doivent être maximisés et les connexions internes et externes des centres de données transportent un trafic de données important produit en partie par les applications de type « Big Data ». Les critères imposés par ces nouvelles architectures notamment en term
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Calo, Cosimo. "Quantum dot based mode locked lasers for optical frequency combs." Electronic Thesis or Diss., Evry, Institut national des télécommunications, 2014. http://www.theses.fr/2014TELE0034.

Full text
Abstract:
Les peignes de longueurs d'onde, produisant des dizaines de porteuses optiques régulièrement espacées à partir d'une seule source laser, présentent un grand intérêt pour les systèmes de communication à haut débit. Ce travail de thèse porte sur les peignes générés par les diodes laser à blocage de modes basées sur des nanostructures semi-conductrices à basse dimensionnalité. Dans cette étude, les performances en verrouillage de modes de lasers Fabry-Pérot mono-section basés sur différents systèmes de matériaux sont comparées sur la base de la largeur du spectre optique d'émission et de la capac
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El, Gazouli Mohammed Taoufik. "Conception et modélisation de diodes lasers à InAsSb émettant vers 3. 3 [micro]m." Montpellier 2, 2001. http://www.theses.fr/2001MON20127.

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Bengloan, Jean-Yves. "Amélioration des performances des lasers à cascade quantique : étude du confinement optique et des propriétés thermiques." Paris 11, 2005. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00084018.

Full text
Abstract:
Pour un laser semiconducteur, la démonstration de fonctionnementsen régime continu et à température ambiante est une étape cruciale à franchir pour en faire des dispositifs optoélectronique à part entière. Dans ce but, on cherche à améliorer leur température maximale de fonctionnement en régime continu et à limiter la puissance électrique injectée. Pour répondre à ces deux besoins essentiels, des travaux d'optimisation ont été menés au cours de cette thèse sur des lasers à cascade quantique (LCQ) émettant à lambda~9µm. Une optimisation des guides d'onde des LCQ en GaAs/AlGaAs a été entreprise
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Calo, Cosimo. "Quantum dot based mode locked lasers for optical frequency combs." Thesis, Evry, Institut national des télécommunications, 2014. http://www.theses.fr/2014TELE0034/document.

Full text
Abstract:
Les peignes de longueurs d'onde, produisant des dizaines de porteuses optiques régulièrement espacées à partir d'une seule source laser, présentent un grand intérêt pour les systèmes de communication à haut débit. Ce travail de thèse porte sur les peignes générés par les diodes laser à blocage de modes basées sur des nanostructures semi-conductrices à basse dimensionnalité. Dans cette étude, les performances en verrouillage de modes de lasers Fabry-Pérot mono-section basés sur différents systèmes de matériaux sont comparées sur la base de la largeur du spectre optique d'émission et de la capac
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Yao, Jun. "Etude des non-linearites optiques et des effets de capture des porteurs dans les lasers semi-conducteurs a puits quantiques." Paris, ENST, 1994. http://www.theses.fr/1994ENST0003.

Full text
Abstract:
Les lasers transmetteurs sont des composants cles dans les systemes de communications optiques. Grace a leurs performances superieures, les lasers semi-conducteurs a puis quantiques sont particulierement interessants pour les systemes de communications optiques a hauts debits. Cette these contribue a l'etude du fonctionnement et a l'optimisation structurale des lasers a puits quantiques, ainsi qu'a la recherche d'une nouvelle voie permettant d'ameliorer les performances dynamiques de ces structures. Dans une heterostructure a puits quantiques, la quantification en energie des porteurs dans la
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PERALES, ANTONINA. "Realisation de lasers puits quantiques a emission monomode a 1,55 micron par epitaxie par jets moleculaires utilisant des sources gazeuses." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066275.

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Abstract:
Ce memoire presente une etude sur la croissance par epitaxie par jets moleculaires sources gazeuses de structures a multipuits quantiques dans le systeme ingaasp/ingaas en vue de realiser des lasers a emission monomode a 1,55 m. Nous avons tout d'abord montre que l'ejmsg est une technique de croissance bien adaptee a l'obtention de couches homogenes aussi bien en epaisseur qu'en composition sur de grandes surfaces (52 mm de diametre: deux pouces). Les structures puits quantiques epitaxiees par ejmsg se caracterisent par des interfaces abruptes et des puits d'epaisseur bien definie, comme le mo
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Perona, Arnaud. "Réalisation par MBE et caractérisation physique de diodes lasers à puits quantiques GaInAsSb/AlGaAsSb émettant vers 2. 3 [micro]m." Montpellier 2, 2002. http://www.theses.fr/2002MON20176.

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Yarekha, Dmitri. "Etude et réalisation de diodes lasers émettant entre 2,2-2,4 [micro]m pour application à l'analyse de gaz." Montpellier 2, 2001. http://www.theses.fr/2001MON20064.

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Alghoraibi, Ibrahim. "Croissance et nanostructures inAs sur substrats InP pour les applications lasers à 1,55 µm en télécommunications optiques." Rennes, INSA, 2008. http://www.theses.fr/2008ISAR0031.

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Abstract:
Les nanostructures telles que les boîtes quantiques ont suscité un grand intérêt ces dernières années. L’amélioration des performances des lasers à semi-conducteur motive ces études. Cette thèse porte sur la réalisation des nanostructures InAs sur substrat InP et leur intégration dans les lasers émettant vers 1,55 µm. Dans un premier temps la formation par épitaxie par jets moléculaires de nanostructures InAs sur substrats InP(100) est étudiée. La forme des nanostructures formées en fonction des conditions de croissance est analysée. Des lasers à fils quantiques ont ensuite été fabriqués en in
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Jollivet, Arnaud. "Dispositifs infrarouges à cascade quantique à base de semiconducteurs GaN/AlGaN et ZnO/ZnMgO." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLS058/document.

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Abstract:
Ce mémoire de thèse est consacré à l’étude et au développement des hétérostructures semi-conductrices à base de GaN et ZnO. Ces matériaux sont particulièrement prometteurs pour le développement de composants optoélectroniques inter-sous-bandes infrarouges et notamment pour les dispositifs à cascade quantique. Ces semiconducteurs possèdent en effet plusieurs avantages pour la conception de dispositifs à cascade, tels qu’une grande discontinuité de potentiel en bande de conduction et une énergie du phonon LO très élevée. Ces propriétés se traduisent par la possibilité de développer des dispositi
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Robert, Cédric. "Study of III-V nanostructures on GaP for lasing emission on Si." Thesis, Rennes, INSA, 2013. http://www.theses.fr/2013ISAR1913/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l’étude de nanostructures semi- conductrices III-V pour le développement d’émetteurs laser sur silicium dans une approche pseudomorphique. Une croissance en accord de maille d’alliages à base de GaP ou plus précisément de nitrures dilués GaPN doit garantir une faible densité de défauts cristallins. Le modèle des liaisons fortes à base étendue est tout d’abord présenté afin de simuler les propriétés électroniques et optiques de structures semi-conductrices sur substrats de GaP ou Si. Les propriétés des alliages massifs GaPN et GaAsPN sont étudiées par des expérienc
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Lecourt, Jean-Bernard. "Etude et réalisation de lasers à fibre auto-impulsionnels àbase d'absorbants saturables." Phd thesis, Université de Rouen, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00130694.

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Abstract:
La première partie de la thèse à consisté en l'étude et la réalisation d'un laser à fibre dopée erbium passivement déclenché par un absorbant saturable semiconducteur à multipuits quantiques InGaAs/InP dopé fer. Parallèlement un modèle basé sur les équations cinétiques a été développé et a permis d'expliquer les principales caractéristiques de sortie de notre laser telles que des impulsions asymétriques.<br />Dans une deuxième partie, nous avons réalisé une source laser fonctionnant en régime de verrouillage de modes. Notre laser s'articule autour d'une fibre erbium et d'un absorbant saturable
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Naurois, Guy-Maël de. "Combinaison monolithique de lasers à cascade quantique par couplage évanescent." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112423/document.

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Abstract:
Au cours des dix dernières années, les performances des lasers à cascade quantique dans le moyen infrarouge ont connu une progression rapide: Les rendements ont atteint des valeurs supérieures à 20% avec une puissance d’émission de 5W en régime continu, à température ambiante. Ces valeurs ont été atteintes notamment grâce à la diminution de la sensibilité des lasers à l’échauffement, avec des températures caractéristiques T0 s’approchant de 300K. Les performances sont donc actuellement limitées par la puissance injectée, qui est proportionnelle à la taille de la zone de gain. Les travaux de ce
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Loghmari, Zeineb. "Lasers à cascades quantiques InAs / AISb au-delà de 10µm : émission mono-fréquence et génération du THz par différence de fréquences." Thesis, Montpellier, 2019. http://www.theses.fr/2019MONTS088.

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Abstract:
Des applications telles que la spectroscopie des gaz ou l’imagerie médicale nécessitent des sources de lumières émettant dans l’infrarouge moyen et lointain (10 µm&lt;λ &lt; 28 µm) ainsi que dans le THz (λ &gt; 60µm). Des composants à émission mono-fréquence, fonctionnant en régie continu (CW) et performants sont primordiales pour ce type d’applications. Les lasers à cascade quantiques (LCQs) sont les uniques sources pouvant couvrir cette large gamme de longueur d’onde grâce à leurs transitions inter-sous bandes. Toutefois les performances des LCQs dans cette gamme de longueur d’onde sont souv
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Bramati, Alberto. "Etude du bruit quantique dans les lasers à semiconducteur et à solide." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 1998. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011784.

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Abstract:
La thèse est consacrée à l'étude du bruit quantique dans les lasers à semiconducteur et à solide. Le principe de la suppression du bruit de pompe est utilisé avec différentes méthodes pour réduire le bruit d'intensité. Les lasers semiconducteur à ruban ont été étudiés en utilisant différents types de techniques d'affinement spectral à température ambiante : diode sur réseau et injection optique. La compression de bruit mesurée est de 1.6 dB et 2.3 dB respectivement. La principale conclusion de cette étude est que le bruit d'intensité des diodes laser résulte de l'annulation entre les fluctuati
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Moreau, Gautier. "Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm." Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur la caractérisation et la compréhension des propriétés optiques d'un milieu semi-conducteurs à boîtes quantiques InAs/InP(311)B obtenues par épitaxie. Cette étude est menée dans le cadre de la réalisation de lasers à modulation directe et d'amplificateurs optiques multi-canaux sans diaphonie. Après un rappel du contexte des réseaux de télécommunications optiques, nous rappelons les principes physiques du fonctionnement d'un ensemble de boîtes quantiques ainsi que les spécificités de ce milieu par rapport aux composants à base de matériaux massifs de puits quantique
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Grunberg, Patrick. "Etude de deux filières lasers émettant vers 2 mu m : filière accordée GaInAsSb/GaSb et filière désaccordée InAs/InP." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20157.

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Abstract:
Les composants iii-v emettant dans le moyen-infrarouge ont de nombreuses applications, comme les liaisons optiques par fibres a verres fluores ou la detection et l'analyse spectroscopique des gaz. Ce memoire presente l'etude de deux filieres permettant l'obtention de diodes lasers emettant vers deux micrometres. La premiere partie est consacree a l'etude detaillee (fabrication, optimisation, caracterisation et modelisation du courant de seuil) de la filiere accordee gainassb/gasb, obtenue par epitaxie en phase liquide. La deuxieme partie presente en parallele l'etude d'une filiere totalement n
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