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Dissertations / Theses on the topic 'Matrices intégrés au silicium'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 1 February 2022

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1

Beconne, Jean-Paul. "Détecteurs pyroélectriques en copolymère intégrés sur silicium." Toulouse 3, 1993. http://www.theses.fr/1993TOU30042.

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Abstract:
L'avantage des detecteurs pyroelectriques sur les detecteurs a semiconducteurs pour les applications industrielles est leur cout reduit et leur fonctionnement a temperature ambiante. Cet avantage a conduit certains laboratoires a l'etude de nouveaux materiaux tels que les polymeres polaires. Parmi eux, le polyvinylidene bifluore et l'un de ses copolymeres, le polyvinilydene trifluro ethylene, ont ete choisis pour la detection passive d'obstacle embarquee sur automobile. Ce manuscrit etudie les detecteurs en copolymere integres sur silicium. Les points qui seront developpes sont les suivants: l
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2

Sarraute, Emmanuel. "Étude et modélisation de microactionneurs intégrés sur silicium." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT097H.

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Abstract:
Le travail présente dans cette thèse concerne l'étude, la modélisation et la réalisation de moteurs électriques, de taille micrométrique, usines sur du silicium. La première partie est consacrée a l'étude comparative des performances des actionneurs de type électrique et de type magnétique en fonction de leurs dimensions. Des résultats numériques, permettent d'établir l'intérêt des moteurs de type électrique pour les très petites dimensions (entrefer de 1 a 5 micromètres). Enfin, les principes de fonctionnement des moteurs de type électrique, a capacités variables, sont exposes. La deuxième pa
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3

Porcher, Arnaud. "Silicium poreux pour capteurs et MEMS résonants intégrés." Lyon, INSA, 2009. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0019/these.pdf.

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Abstract:
Notre travail s'inscrit dans le cadre de l'intégration et de la miniaturisation de nouvelles fonctionnalités sur des dispositifs élémentaires réalisés en microtechnologie sur silicium et ayant pour but des applications type capteur ou actionneur. Les propriétés diélectriques avérées du silicium méso-poreux (SiP) intégrables en couches épaisses (jusqu'à 400 µm) font de ce matériau un candidat idéal pour l'amélioration de l'isolation électrique des dispositifs en régime RF. Une méthode originale de caractérisation électrique du SiP a été mise au point et validée par le couplage entre mesures exp
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4

Osberger, Laurent. "Etude de magnétomètres haute performance intégrés en technologie silicium." Thesis, Strasbourg, 2017. http://www.theses.fr/2017STRAD012.

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Abstract:
La thématique de ce sujet de thèse porte sur l'étude des capteurs de champ magnétique intégrés en technologie CMOS standard basse tension sans étapes de fabrication supplémentaires. La co-intégration du transducteur (l'élément sensible qui transforme le champ magnétique en une grandeur électrique) et de son électronique de conditionnement du signal sur la même puce permet réaliser des fonctions spécifiques qui améliorent significativement les performances du capteur. Les travaux présentés dans cette thèse portent plus particulièrement sur deux types de transducteur : le transducteur à effet Ha
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5

Jacques, Emmanuel. "Microsystème et capteur intégrés en technologie couches minces basse température." Rennes 1, 2008. http://www.theses.fr/2008REN1S067.

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Abstract:
Le sujet de thèse porte sur la réalisation d’un microsystème intégrant un capteur à effet Hall et son électronique de traitement à basse température (<600°C) sur substrat de verre. La première partie de ce travail a consisté à concevoir l’électronique de traitement. Dans un premier temps, un modèle semi–empirique de la technologie couches minces basse température a été développé permettant de prévoir le comportement en fréquence des TFTs en silicium polycristallin. Dans un deuxième temps, une série de simulations nous a permis de dimensionner plusieurs amplificateurs différentiels et d’esti
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6

Girault, Pauline. "Micro-résonateurs intégrés pour des applications capteurs." Thesis, Rennes 1, 2016. http://www.theses.fr/2016REN1S144/document.

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Abstract:
Les micro-résonateurs (MRs) sont devenus des éléments clés de la conception de capteurs optiques intégrés, car étant plus miniaturisés que l’existant, ils s’intègrent mieux dans des systèmes ''lab-on-chip'', ce qui permet aussi de réduire le volume des molécules à détecter. Les MRs sont de plus très sensibles à la variation d’indice effectif provoquée par la présence de molécules dans le milieu de détection. Dans cette thèse, nous avons utilisé deux types de matériaux différents: les polymères et le silicium poreux. Les polymères, facilement réalisables avec des méthodes de fabrication peu oné
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7

Benabdenbi, Mounir. "Conception en vue du test de systèmes intégrés sur silicium (SoC)." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066031.

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8

Dogheche, Karim. "Réalisation de transducteurs piézoélectriques intégrés sur silicium : application à l'imagerie acoustique." Besançon, 2005. http://www.theses.fr/2005BESA2068.

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9

Rougeaux, François-René. "Outils de CAO et conception structurée de systèmes intégrés sur silicium." Grenoble INPG, 1987. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00323949.

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Abstract:
La représentation symbolique des masques de circuits intégrés est connue depuis environ quinze ans, mais n'est développée que depuis quelques années. Presque tous les systèmes de CAO développés récemment font usage d'une représentation symbolique des masques de circuits afin de simplifier la conception. Dans cette thèse, un système symbolique hiérarchique de dessin des masques est décrit. Un langage de description et un environnement graphique sont présentés. L'environnement graphique est utilise pour l'édition de cellules et de blocs, hiérarchiquement. Le langage textuel peut être considéré c
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Chappaz, Cédrick. "Conception et réalisation de microsources lasers à semiconducteur à cavité externe utilisant des microactionneurs intégrés sur silicium." Besançon, 2003. http://www.theses.fr/2003BESA2040.

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Larangot, Benoît. "Conception, fabrication et caractérisation de matrices de micropulseurs pyrotechniques sur silicium." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30005.

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12

Dinh, Thi Ty Mai. "Développement de filières technologiques pour la réalisation de micro-supercondensateurs intégrés sur silicium." Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/2724/.

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Abstract:
Les récents progrès de la micro-électronique ont permis, au cours de la dernière décennie, un développement des systèmes embarqués, particulièrement, les réseaux de capteurs autonomes sans fil. Les nombreuses applications qui en découlent (optimisation des procédés industriels, suivi de trafic, surveillance de l'environnement, de structures, médicale. . . ) ont attiré, ces dernières années, l'attention des chercheurs et des investisseurs. L'un des principaux défis limitant la mise en œuvre de ces réseaux de capteurs reste l'autonomie énergétique. Des solutions ont été proposées, notamment la r
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Petroz, Karine. "Étude et réalisation de microdéflecteurs opto-électro-mécaniques intégrés sur substrat de silicium." Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0013.

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Abstract:
L'etude demontre la faisabilite d'un microdeflecteur de faisceaux lasers integre sur substrat de silicium. Essentiellement destine a la telemetrie laser et la detection d'obstacle, ses applications s'etendent a la lecture de code-barres et l'aiguillage de faisceaux lumineux. Le dispositif realise par micro-usinage du silicium a la particularite de balayer une scene par le biais de microlentilles mobiles dans le plan du substrat. Apres une etude theorique des systemes mecaniques et optiques, le microdeflecteur est realise par les techniques de la micro-electronique (depot de couches minces, pho
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Schoellkopf, Jean-Pierre. "Siliciel : contributions à l'architecture des circuits intégrés et à la compilation du silicium." Grenoble INPG, 1985. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00315393.

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Abstract:
Cette thèse présente des contributions dans les domaines de l'architecture des ordinateurs réalisés sous la forme d'un Circuit Intégré. Un assembleur de silicium, appelé LUBRICK, permet de décrire, dans un langage de programmation, la constitution d'un assemblage hiérarchisé de cellules pour réaliser la description complète des masques d'un Circuit Intégré. La compilation du silicium, discipline qui consiste à déduire les masques d'un circuit en partant d'une description fonctionnelle, est ici abordée sous un angle pratique, avec la présentation d'un compilateur prototype d'une forme de partie
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Klangsin, Junya. "Incorporations de nanoparticules de silicium dans des matrices obtenues par voie Sol-Gel : élaboration et caractérisations." Lyon 1, 2008. http://n2t.net/ark:/47881/m6p55kmn.

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Abstract:
Les nanoparticules de silicium présentent des propriétés optoélectroniques très différentes du silicium massif. Leurs faibles tailles (quelques nanomètres) leurs confèrent des propriétés quantiques et elles présentent une forte luminescence dans la visible à température ambiante. Elles sont donc potentiellement très intéressantes pour différentes applications (par exemple: LED tout silicium, mémoire non volatile, capteur, transport des médicaments, etc…). Cependant ces nanoparticules nécessitent souvent d’être incorporées dans des matrices afin de pouvoir exploiter leurs propriétés originales.
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16

Mignotte, Anne. "Synthèse architecturale de circuits intégrés." Phd thesis, Grenoble INPG, 1992. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00341774.

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Bérubé, Benoît-Louis. "Conception de matrices de diodes avalanche à photon unique sur circuits intégrés CMOS 3D." Thèse, Université de Sherbrooke, 2014. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/92.

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Abstract:
La photodétection est un sujet de recherche très actif encore de nos jours et l’industrie, particulièrement de la physique des hautes énergies et de l’imagerie médicale, est en quête de détecteurs avec une plus grande sensibilité, de meilleures résolutions temporelles et une plus grande densité d’intégration. Pour ces raisons, les photodiodes avalanche à photon unique (Single photon avalanche diode, ou SPAD) suscitent beaucoup d’intérêt depuis quelques années pour ses performances en temps et sa grande photosensibilité. Les SPAD sont des photodiodes avalanche opérées au-dessus de la tensio
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Roqueta, Fabrice. "Piégeage d'impuretés métalliques par implantation d'hélium : applications aux composants intégrés de puissance." Tours, 2000. http://www.theses.fr/2000TOUR4032.

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Abstract:
Dans l'industrie du semi-conducteur, la contamination du silicium par des impuretés métalliques, comme le fer, notamment lors de traitements thermiques à haute température, entraîne une dégradation des caractéristiques électriques ainsi que des problèmes de fiabilité. Jusqu'à présent, l'étape de piégeage était remplie par une étape de diffusion de phosphore après un dépôt de POCI3. Cependant cette technique n'est toujours pas suffisante ou même possible sur certains types de composants. Une alternative prometteuse est le piégeage par implantation d'hélium. Le but de ce travail a été d'étudier
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Rasigade, Gilles. "Modulateur optique haute-fréquence sur subtrat silicium-sur-isolant." Paris 11, 2010. http://www.theses.fr/2010PA112158.

Full text
Abstract:
La photonique silicium apparait aujourd’hui comme le domaine de recherche clef pour les télécommunications optiques avec comme objectif le développement de transmetteurs intégrés compatibles avec la technologie silicium CMOS. Dans ce contexte, mes travaux de thèse ont porté plus spécifiquement sur la structure du modulateur optique sur substrat SOI pour les applications 10 et 40 Gbit/s. La structure active retenue repose sur le mécanisme de déplétion de porteurs au sein d’une jonction polarisée en inverse et permet grâce à un interféromètre Mach-Zehnder de moduler l’intensité du signal optique
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Renard, Angélique. "Optimisation des étapes de croissance épitaxiale pour la réalisation de systèmes intégrés sur silicium." Caen, 2006. http://www.theses.fr/2006CAEN2015.

Full text
Abstract:
La production de système en boîtier SiP, concept permettant d’intégrer des composants passifs et actifs pour former un système complet, a nécessité une approche de fabrication nouvelle basée sur des technologies traditionnelles destinée à synthétiser des couches épitaxiales de fortes épaisseurs sur substrat silicium fortement dopé. L’ensemble du manuscrit est consacré à l’optimisation des étapes de croissance de ces couches et laisse une large place à l’identification et la maîtrise de défauts générés pendant la croissance. Ainsi, les facteurs prépondérants de la croissance épitaxiale (comport
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Delorme, Nicolas. "Influence des interconnexions sur les performances des circuits intégrés silicium en technologie largement submicronique." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0173.

Full text
Abstract:
L'accroissement des frequences de travail des circuits integres a hautes performances ainsi que la reduction des geometries dans les technologies avancees ont revele le caractere critique des interconnexions, tant au point de vue de la fonctionnalite que des performances temporelles, de la consommation et de la fiabilite. Leur modelisation precise est devenue une etape importante de la conception et de la realisation d'un circuit. Nous avons dans un premier temps evalue les effets des elements parasites lies aux interconnexions (propagation, discontinuites, substrat. . . ) sur les performances
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El, Gharniti Ouail. "Conception, modélisation et caractérisation des transformateurs intégrés sur silicium : application aux amplificateurs faible bruit." Bordeaux 1, 2006. http://www.theses.fr/2006BOR13309.

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Abstract:
Ce mémoire et articulé autour de quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous décrivons les différentes structures de transormateurs planaires et emplilés, ainsi que les mécanismes de pertes d'énergie dans ces derniers. Nous introduisons un plan de masse en dessous de la structure du transformateur pour réduire ses pertes. Dans le deuxième chapitre, nous présentons un modèle électrique large bande pour les transformateurs intégrés avec plan de masse. Les éléments du modèle sont dérivés des paramètres géométriques du transformateur et des caractéristiques de la technologie silicium utilisée
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Favreau, Julien. "Étude et développement d'une plateforme photonique moyen infrarouge sur silicium : vers des capteurs intégrés." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS263/document.

Full text
Abstract:
Aujourd’hui, les puces et capteurs provenant de la microélectronique ne sont plus simplement des circuits électroniques mais peuvent désormais véhiculer des signaux électriques et optiques. En témoignent les puces dites photoniques, utilisées pour la transmission de données à très haut débit. Cependant, cette technologie exploite une part très restreinte du spectre de la lumière, située dans le proche infrarouge. L’exploitation de l’ensemble du moyen infrarouge (λ=2-20 µm) permettrait la mise au point de nouveaux capteurs intégrés se servant des empreintes spectrales spécifiques des molécules
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Bédard, Keven. "Modulateurs intégrés sur silicium pour la transmission de signaux à modulation d'amplitude multi-niveau." Master's thesis, Université Laval, 2016. http://hdl.handle.net/20.500.11794/27019.

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Abstract:
Au cours des dernières années, la photonique intégrée sur silicium a progressé rapidement. Les modulateurs issus de cette technologie présentent des caractéristiques potentiellement intéressantes pour les systèmes de communication à courte portée. En effet, il est prévu que ces modulateurs pourront être opérés à des vitesses de transmission élevées, tout en limitant le coût de fabrication et la consommation de puissance. Parallèlement, la modulation d’amplitude multi-niveau (PAM) est prometteuse pour ce type de systèmes. Ainsi, ce travail porte sur le développement de modulateurs de silicium p
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Guillemé, Pierre. "Génération de seconde harmonique dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium." Thesis, Rennes, INSA, 2016. http://www.theses.fr/2016ISAR0015/document.

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Abstract:
Cette thèse a pour but de déterminer les meilleures conditions possibles pour réaliser une génération de seconde harmonique (SHG) à partir d'un fondamental dans la bande C télécom (autour de 1.55 JJm) dans des microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium. Il s'inscrit dans les efforts actuels de développement de circuits photoniques intégrés en étudiant une proposition technique pour tirer parti des effets non linéaires en optique. A partir d'une résolution approchée de l'équation de propagation des ondes électromagnétiques comportant un terme source d'origine non linéaire, il a
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Pommarede, Xavier. "Circuits photoniques intégrés III-V/Si pour les applications en télécommunications optiques." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLC020/document.

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Abstract:
Afin de poursuivre leur montée en débit, les composants des télécommunications par fibre optique nécessitent l'élaboration de nombreuses briques de base : laser, modulateur, photo-détecteur, multiplexeur... et leur intégration avec les circuits de traitement du signal. Cette thèse a pour objectifs de concevoir et de caractériser ces différentes briques actives et passives en utilisant la technologie hybride III-V/Si. Ces briques sont ensuite utilisées dans des circuits photoniques intégrés (PIC) complets d'émission et de réception, qui présentent des avantages tels qu'une. taille réduite, une
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Lardenois, Sébastien. "Distribution optique du signal d'horloge dans les circuits CMOS sur substrat silicium-sur-isolant." Paris 11, 2003. http://www.theses.fr/2003PA112231.

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Abstract:
Le fonctionnement de la plupart des circuits intégrés est rythmé par le signal d'horloge distribué uniformément à tous les blocs sur la puce. Avec l'augmentation de la fréquence de fonctionnement, on prévoit que la distribution électrique de l'horloge deviendra très difficile aux fréquences élevées (quelques dizaines de GHz). Une solution possible pour y remédier est le passage au transport optique du slgnal. Cette thèse est une contribution à l'étude des composants passifs d'une distribution en optique intégrée sur substrat silicium-sur-isolant, en technologie compatible avec celle des circui
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Alvado, Ludovic. "Neurones artificiels sur silicium : une évolution vers les réseaux." Bordeaux 1, 2003. http://www.theses.fr/2003BOR12674.

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Abstract:
Cette thèse décrit une nouvelle approche pour la modélisation de réseaux de neurones biologiques. Cette approche utilise des circuits intégrés analogiques spécifiques (ASIC) dans lesquels le formalisme de Hodgkin-Huxley est implémenté dans le but de réaliser des réseaux de neurones artificiels de densité moyenne et biologiquement réaliste. Elle aborde aussi les problèmes de disparités entre composants et le choix d&rsquo;une structure optimisée pour l&rsquo;utilisation en réseau<br>This thesis describes a new approach for modelling biological neuron networks. This approach uses analogue specif
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Fang, Cheng. "Croisssance électrolytique du cuivre appliquée à la technologie "system-in-package"." Rennes, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAR0003.

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Abstract:
Cette thèse porte sur l’optimisation d’un procédé de dépôt électrolytique de cuivre (ECD) et son application pour la réalisation des vias traversants de silicium (TSVs) dans un dispositif en boîtier (SiP) conçus par NXP Semiconductors. Le dépôt par ECD a été effectué dans une machine industrielle sur des plaques de six pouces ayant une couche de nucléation de cuivre. L’électrolyte est une solution composée du sulfate de cuivre, de l’acide sulfhydrique, de l’acide chlorure et des trois additifs (JGB, SPS et PEG). Dans un premier temps, le dépôt est étudié en fonction des paramètres de courant a
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Mrabeut, Touriya. "Analyse de la dispersion et de l'instabilité des hauteurs de barrière et de la différence des travaux d'extraction dans les structures MOS." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1986. http://www.theses.fr/1986ECDL0002.

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Abstract:
Pour des structures mos de petites dimensions, les variations des travaux de sortie peuvent etre dues a la modification simultanee des hauteurs de barriere aux deux interfaces (on a etudie les structures al-sio::(2) et si::(p)oly-sio::(2)-si) et une maitrise meilleure de cette instabilite est requise
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Pang, Chengxin. "Contribution à l'étude de composants optiques intégrés passifs et actifs : couplage et cartographie optiques sub-longueur d'onde." Troyes, 2008. http://www.theses.fr/2008TROY0029.

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Abstract:
Aujourd’hui, l’optique intégrée permet de réaliser différentes fonctions ; modulation, guidage, amplification et ce sur des dimensions de plus en plus réduites grâce aux technologies comme la technologie SOI (Silicon On Insulator) ou la technologie III-V. Considérée d’abord comme une technique d’observation, la microscopie optique de champ proche (SNOM) s’est ces dernières années considérablement développée pour devenir un outil de caractérisation à part entière comme cela a été démontré au laboratoire sur des structures SOI observées en amplitude et en phase (SNOM hétérodyne). Cette thèse se
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Roux, Sylvie. "Isolation diélectrique des circuits intégrés de puissance par recristallisation en phase liquide." Toulouse, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAT0039.

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Abstract:
Ces travaux s'insèrent dans le cadre de l'intégration des composants de puissance. En effet, le souci majeur de l'électronique de puissance est la cohabitation sur un même substrat de composants utilisant de forts courants et/ou de fortes tensions avec des composants petits signaux. Cette étude répond à un besoin de réduction du nombre de boîtiers électroniques, de la quantité de câbles de connexion et du coût de fabrication. Pour réaliser cette intégration nous avons étudié un substrat de silicium sur isolant qui, grâce à cette couche d'oxyde de silicium enterrée, permet d'obtenir une zone de
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Six, Gonzague. "Optimisation d'une technologie 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium." Lille 1, 2004. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2004/50376-2004-103-104.pdf.

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Abstract:
Les performances hyperfréquences des transistors MOS actuels permettent leur utilisation dans le domaine des ondes millimétriques. Cependant la conception des circuits se heurte au problème posé par les pertes des structures de transmission sur des substrats silicium standard. Dans ce contexte, il est nécessaire de développer des structures de propagation faibles pertes sur silicium. Nous présentons dans ce mémoire le développement d'une technologie 3D, pour réaliser des structures de transmission répondant à ces besoins. La comparaison des différentes structures de propagation développées dan
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Triantafyllou, Anna. "Etude, réalisation et caractérisation d'interconnexions radiofréquences pour les circuits intégrés silicium des générations à venir." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2006. http://www.theses.fr/2006GRE10049.

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Abstract:
L'évolution qui caractérise principalement le domaine de la microélectronique est la réduction des dimensions des circuits intégrés. L'industrie des semi-conducteurs n'a cessé d'améliorer ses produits en augmentant la densité d'intégration et la vitesse de fonctionnement. Pourtant, les effets de la réduction des dimensions ne se limitent pas à un simple facteur d'échelle puisque des limitations physiques et technologiques font surgir de nouvelles contraintes. Parmi celles ci, les limitations induites par la miniaturisation des réseaux d'interconnexions constituent un facteur critique pour les
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Al, Khoury Michel. "Intégration de filtres Radio Fréquences en technologie intégrée Silicium." Limoges, 2011. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/8d644bc8-5cd6-464f-a4e4-4ac00c82ac27/blobholder:0/2011LIMO4038.pdf.

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Abstract:
Les systèmes de télécommunications sans fil ont évolué de façon rapide depuis une vingtaine d’année. La conception de ces systèmes est soumise à de nombreuses contraintes : le coût de production, les techniques d’intégration des composants, l’encombrement, etc. La technologie monolithique et plus précisément les procédés de fabrication de circuits silicium (CMOS et BiCMOS) offrent depuis plusieurs années une possibilité de pallier à ce type de difficultés. Ils permettent aujourd’hui l’intégration de plusieurs fonctions RF et mixte sur une seule puce. Malheureusement, la conception de certaines
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Bornat, Yannick. "Réseaux de neurones sur silicium : une approche mixte, analogique / numérique, pour l'étude des phénomènes d'adaptation, d'apprentissage et de plasticité." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00181353.

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Abstract:
Dans un contexte où l'usage de circuits neuromimétiques se généralise au sein des neurosciences, nous étudions ici leur intégration au sein de réseaux adaptatifs. Les circuits mis en oeuvre se basent sur un modèle proche de la biologie résolu en continu et en temps réel. Les calculs relatifs à l'adaptation du réseau sont réalisés en numérique temps réel, logiciel et/ou matériel. La partie logicielle est assurée par un ordinateur interfacé à travers le bus PCI, tandis que la partie matérielle utilise des EPGAS. Trois générations sont présentés avec une analyse critique sur leur utilisation comm
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Chaudier, Frédérique. "Etude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35 µm." Lyon, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAL0056.

Full text
Abstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit concerne l'étude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35µm. Cette thèse étudie l'impact sur les performances du transistor du déplacement de la jonction émetteur-base (EB) et de la jonction base-collecteur (BC) par rapport au profil de Ge de la base SiGe. Nous avons réalisé à ce sujet plusieurs études numériques qui nous ont permis de montrer que l'impact de l'exodiffusion du bore à la jonction BC peut être dépendant de la position de jonction EB. Une étude expérimentale réalisée sur des trans
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Klemens, Patrick. "Entwicklung einer Methode mittels hochauflösender ICP-MS zur Bestimmung von Siliciumspuren in anorganischen und organischen Matrices sowie von Siloxanen in Geweben." [S.l. : s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=968536506.

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Darfeuille, Sébastien. "Conception de filtres actifs analogiques radiofréquences récursifs et channélisés en technologie monolithique BiCMOS Silicium." Limoges, 2006. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/78642b46-a1bc-4f8d-92b0-add95991a926/blobholder:0/2006LIMO0001.pdf.

Full text
Abstract:
Le thème principal de ce travail est la conception de topologies originales de filtres actifs radiofréquences en technologie BiCMOS Silicium. Dans une première partie, nous dressons un état de l’art des différentes technologies intégrées. Dans une seconde partie, nous abordons la conception de deux filtres actifs reposant sur le principe des filtres récursifs. Le premier circuit, non-accordable, fait appel à une méthode originale basée sur l’utilisation d’un amplificateur différentiel pour réaliser la combinaison des signaux. Le second circuit, basé sur une approche cellulaire des filtres récu
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Guiller, Olivier. "Intégration de capacités verticales débouchantes au sein d'un interposeur silicium." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT021/document.

Full text
Abstract:
La densité des circuits intégrés n’a pas cessé d’augmenter depuis la découverte du transistor en 1947, à travers la réduction de la taille de leurs composants. Cependant, cette miniaturisation se heurte aujourd’hui à certaines barrières et la réduction de la longueur de grille des transistors ne permet plus à elle seule l’augmentation des performances globales des circuits intégrés. L’industrie de la microélectronique s’est donc tournée vers de nouvelles solutions d’intégrations hétérogènes visant à développer la diversification des fonctionnalités proposées par les circuits. Parmi ces solutio
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Morisset, Adèle. "Interaction laser-silicium et transport fibré pour le test de circuits intégrés par stimulation photoélectrique non-linéaire." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00920339.

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Abstract:
Cette thèse est consacrée à l'étude des mécanismes d'interaction laser-matière en régime femtoseconde pour l'analyse de circuits intégrés par stimulation photoélectrique non-linéaire. Cette technique permet d'accroitre la résolution pour répondre à la miniaturisation des composants électroniques. Les milieux étudiés dans ce travail sont plus particulièrement le silicium, matériau constitutif des circuits intégrés, et la silice pour le transport des impulsions laser dans une fibre optique. En effet, l'émergence de cette technique d'analyse en milieu industriel requiert l'utilisation de systèmes
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Peperstraete, Yoann. "Etude par spectroscopie infrarouge de films minces d’oxydes fonctionnels intégrés sur silicium : apport des modélisations ab initio." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLS148/document.

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Abstract:
Le PbZr₁₋ₓTiₓO₃ (PZT) est une pérovskite mixte possédant de nombreuses propriétés, dont certaines sont déjà utilisées dans l’industrie, ce qui en fait un matériau encore très étudié à l’heure actuelle, malgré la toxicité du plomb et de ses oxydes. Au cours de cette thèse, nous nous sommes intéressés à la spectroscopie d’absorption IR de ce composé, tant au niveau expérimental que théorique. Nous avons donc réalisé des modélisations, via le code de calcul CRYSTAL basé sur les méthodes de Combinaison Linéaire d’Orbitales Atomiques et de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (LCAO-DFT) pér
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Haffar, Mehdi. "ETUDE ET REALISATION DE MATRICES DE MICROCAPTEURS INFRAROUGES EN TECHNOLOGIE SILICIUM POUR IMAGERIE BASSE RESOLUTION." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00453224.

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Abstract:
La détection de présence humaine est devenu un enjeu important dans de nombreux domaines comme la domotique ou l'automobile, par exemple. Les détecteurs infrarouges grand public, actuellement disponibles sur le marché ne sont pas aptes à faire la distinction entre une personne ou un animal domestique de façon absolument fiable. Pour répondre à ce problème, les matrices imageantes infrarouges classiques sont beaucoup trop onéreuses et trop performantes. C'est pourquoi nous avons choisi de développer des réseaux de microcapteurs de rayonnement infrarouge de quelques pixels avec le souci permanen
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Leclair, Eric. "Elaboration de précurseurs de matrices de carbure de silicium à faible taux de carbone libre." Bordeaux 1, 1995. http://www.theses.fr/1995BOR10644.

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Abstract:
Afin d'obtenir des precurseurs bi-composants specifiquement adaptes a la synthese de matrices ceramiques a base sic appauvries en carbone libre, divers polymeres originaux de type poly(vinylsilane)s, poly(hydrogenosilane)s, poly(vinylcarbosilane)s ou poly(hydrogenocarbosilane)s ont ete elabores a partir de dichlorosilanes commerciaux. Dans ce contexte, plusieurs procedes competitifs de synthese en une etape de poly(carbosilane)s fonctionnels ont ete developpes, tandis que les mecanismes de formation des poly(vinylsilane)s ont ete approfondis. De plus, une methode originale de creation des liai
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Haffar, Mehdi. "Étude et réalisation de matrices de microcapteurs infrarouges en technologie silicium pour imagerie basse résolution." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-111.pdf.

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Abstract:
La détection de présence humaine est devenu un enjeu important dans de nombreux domaines comme la domotique ou l'automobile, par exemple, Les détecteurs infrarouges grand public, actuellement disponibles sur le marché ne sont pas aptes à faire la distinction entre une personne ou un animal domestique de façon absolument fiable. Pour répondre à ce problème, les matrices imageantes infrarouges classiques sont beaucoup trop onéreuses et trop performantes. C'est pourquoi nous avons choisi de développer des réseaux de microcapteurs de rayonnement infrarouge de quelques pixels avec le souci permanen
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Despeisse, Matthieu. "Etude et caractérisation d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné déposé sur circuit intégré pour la détection de particules et de rayonnements." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0017/these.pdf.

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Abstract:
Résumé étendu en français<br>Pour les futures expériences de physique des hautes énergies au laboratoire européen de physique des particules (CERN), des technologies de détection alternatives aux détecteurs silicium actuels seront nécessaires. Le travail effectué dans cette thèse présente les performances et les limitations d'une nouvelle technologie de détection. Celle-ci est basée sur la déposition d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné directement sur circuit intégré, présentant ainsi un haut degré d'intégration. Le travail présenté comprend l'optimisation et le développement de circuit
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Duplessis-Hayez, Magali. "Contribution à la caractérisation et modélisation RF d’interconnexions 3D – les vias traversants – appliquées au système en boîtier." Caen, 2010. http://www.theses.fr/2010CAEN2036.

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Abstract:
Ce manuscrit présente les travaux effectués sur une technologie émergente d’interconnexion 3D, les vias traversants, caractérisés et modélisés sur une bande de fréquences 100 MHz – 50 GHz. L’aspect double face des vias traversants oblige en particulier à repenser les méthodes de caractérisation et les structures de test radiofréquences traditionnellement utilisées pour les mesures de fils soudés ou de composants passifs planaires. Une fois quantifié, le comportement en fréquences d’un via traversant doit être traduit à l’aide d’un modèle prédictif défini à partir d’éléments localisés et indépe
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Soliman, Lélia. "Caractérisation de composants microélectroniques de test pour la technologie ULSI sur silicium." Rouen, 1999. http://www.theses.fr/1999ROUES048.

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Abstract:
Le travail présenté dans cette thèse concerne la caractérisation des composants microélectroniques de test pour la technologie ULSI sur silicium ainsi que l'étude du comportement du bore en profondeur dans les jonctions p +n de très faible épaisseur. Les caractéristiques particulières des technologies de petites dimensions destinées à l'intégration à très grande échelle ont été soulignées tout au long de ce travail. Nous avons montré le rôle important joue par la fine couche d'oxyde de silicium, présenté aussi bien dans les structures métal/oxyde/semiconducteur que bipolaires. Afin de caractér
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Barbé, Jérémy. "Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium encapsulés dans des matrices siliciées amorphes : rôle des interfaces et de la matrice sur les propriétés structurales, optiques et électriques." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00904856.

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Abstract:
En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la
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Amendola, Gilles. "Conception et réalisation de circuits intégrés d'interface pour micro-capteurs capacitifs : application à un microphone usiné en silicium." Paris 6, 2001. http://www.theses.fr/2001PA066385.

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