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Dissertations / Theses on the topic 'Mémoire non volatile, NVM'

Author: Grafiati
Published: 23 June 2022
Last updated: 28 July 2025

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Habhab, Radouane. "Optimisation d'architectures mémoires non-volatiles à piégeage de charges pour les applications microcontrôleur et mémoire autonome." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4102.

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Abstract:
L'objectif de ces travaux de thèse est d'évaluer les performances en programmation/cyclage/rétention d'une cellule mémoire SONOS basée sur une architecture split gate très innovante développée par STMicroelectronics, l'eSTM (embedded Select in Trench Memory). Dans un premier temps, nous expliquons la réalisation de cette mémoire SONOS qui est basée sur une modification de la mémoire eSTM à grille flottante, cette modification se faisant sans coût supplémentaire. Dans un second temps, nous étudions les mécanismes de programmation et d'effacement les plus performants pour cette mémoire ce qui no
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Jovanovic, Natalija. "Bascules et registres non-volatiles à base de ReRAM en technologies CMOS avancées." Electronic Thesis or Diss., Paris, ENST, 2016. http://www.theses.fr/2016ENST0023.

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Abstract:
Les mémoires et l'éléments séquentiels non-volatiles peuvent améliorer l'efficacité énergétique des appareils à piles en éliminant la consommation statique tout en maintenant l'état du système.Parmi les nouvelles technologies NVM intégrées, ReRAMs se distinguent par un temps de programmation rapide, une structure simple, compatible avec la technologie CMOS et très bien scalable. Les flip-flops non-volatiles (NVFF) basées sur ReRAM ont été implémentées dans des nœuds CMOS de 90nm ou plus et souffrent de problèmes de fiabilité dans les nœuds plus petits, en raison de hautes tensions de programma
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Innocenti, Jordan. "Conception et procédés de fabrication avancés pour l’électronique ultra-basse consommation en technologie CMOS 80 nm avec mémoire non volatile embarquée." Thesis, Nice, 2015. http://www.theses.fr/2015NICE4142/document.

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Abstract:
L’accroissement du champ d’application et de la performance des microcontrôleurs s’accompagne d’une augmentation de la puissance consommée limitant l’autonomie des systèmes nomades (smartphones, tablettes, ordinateurs portables, implants biomédicaux, …). L’étude menée dans le cadre de la thèse, consiste à réduire la consommation dynamique des circuits fabriqués en technologie CMOS 80 nm avec mémoire non-volatile embarquée (e-NVM) ; à travers l’amélioration des performances des transistors MOS. Pour augmenter la mobilité des porteurs de charge, des techniques de fabrication utilisées dans les n
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Dulong, Rémi. "Towards new memory paradigms : Integrating non-volatile main memory and remote direct memory access in modern systems." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2023. http://www.theses.fr/2023IPPAS027.

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Abstract:
Les ordinateurs modernes sont construits autour de deux éléments : leur CPU etleur mémoire principale volatile, ou RAM. Depuis les années 1970, ce principe a étéconstamment amélioré pour offrir toujours plus de fonctionnalités et de performances.Dans cette thèse, nous étudions deux paradigmes de mémoire qui proposent denouvelles façons d'interagir avec la mémoire dans les systèmes modernes : la mémoirenon-volatile et les accès mémoire distants. Nous mettons en œuvre des outils logicielsqui exploitent ces nouvelles approches afin de les rendre compatibles et d'exploiterleurs performances avec d
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Melul, Franck. "Développement d'une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à forte densité d'intégration." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0266.

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Abstract:
L’objectif de ces travaux de thèse a été de développer une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à haute fiabilité et à haute densité d’intégration. Dans un premier temps, une cellule mémoire très innovante développée par STMicroelectronics – eSTM (mémoire à stockage de charges de type Splitgate avec transistor de sélection vertical enterré) – a été étudiée comme cellule de référence. Dans une deuxième partie, dans un souci d’améliorer la fiabilité de la cellule eSTM et de permettre une miniaturisation plus agressive de la cellule EEPROM, une nouvelle archit
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Barlas, Marios Dimitrios. "Development and characterization of innovative nonvolatile OxRAM memory cells compatible with advanced nodes." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2019. http://www.theses.fr/2019AIXM0229.

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Abstract:
La mémoire résistive à la base des oxydes de transition métallique (ReRAM) est une classe de technologies de mémoire non volatile dans lesquelles la commutation entre états de mémoire est rendue possible par la décomposition réversible de l’oxyde au moyen de la création et de la dissolution d’un chemin de percolation (filament). Les principaux avantages de cette technologie résident dans l’évolutivité de la cellule de mémoire, principalement en raison de la dimension inférieure à 10 nm du filament, de sa faible consommation d’énergie (<300 pJ / commutateur) et de la compatibilité des matéri
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Chatzistergiou, Andreas. "Library support for historical and persistent data structures in non-volatile memories." Thesis, University of Edinburgh, 2016. http://hdl.handle.net/1842/25797.

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Abstract:
In the context of emerging non-volatile memory (NVM) where data structures can persist in-memory and are accessed through CPU loads and stores, we study how to efficiently manage data evolution. This is an extensively applied problem in both the scientific and business domains and is rapidly becoming an important component for a wider range of applications. We argue that the best way to achieve a smoother transition to the new programming model is to design a solution that is non-intrusive and generic i.e. not bound to a specific data model. We propose a novel library-level approach where the
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Guilmain, Marc. "Fabrication de mémoire monoélectronique non volatile par une approche de nanogrille flottante." Thèse, Université de Sherbrooke, 2013. http://hdl.handle.net/11143/6127.

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Abstract:
Les transistors monoélectroniques (SET) sont des dispositifs de tailles nanométriques qui permettent la commande d'un électron à la fois et donc, qui consomment peu d'énergie. Une des applications complémentaires des SET qui attire l'attention est son utilisation dans des circuits de mémoire. Une mémoire monoélectronique (SEM) non volatile a le potentiel d'opérer à des fréquences de l'ordre des gigahertz ce qui lui permettrait de remplacer en même temps les mémoires mortes de type FLASH et les mémoires vives de type DRAM. Une puce SEM permettrait donc ultimement la réunification des deux grand
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Bossu, Germain. "Architectures innovantes de mémoire non-volatile embarquée sur film mince de silicium." Aix-Marseille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009AIX11044.

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Abstract:
Les plateformes CMOS s’orientent vers l’utilisation de film mince de silicium pour faire face aux effets parasites qui limitent la miniaturisation du transistor sur substrat massif. Cette configuration technologique ouvre la porte à de nouvelles architectures de dispositifs mémoire non-volatile. L’étude réalisée au cours de cette thèse porte sur l’adaptation des technologies film mince pour obtenir des mémoires non-volatile embarquées denses fonctionnant à la tension nominale du circuit pour une co-intégration aisée sur les plateformes technologiques CMOS Bulk et film mince. La construction de
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Nail, Cécile. "Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT010/document.

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Abstract:
À mesure que les technologies de l'information (IT) continuent de croître, les dispositifs mémoires doivent évoluer pour répondre aux exigences du marché informatique. De nos jours, de nouvelles technologies émergent et entrent sur le marché. La mémoire Resistive Random Access Memory (RRAM) fait partie de ces dispositifs émergents et offre de grands avantages en termes de consommation d'énergie, de performances, de densité et la possibilité d'être intégrés en back-end. Cependant, pour être compétitif, certains problèmes doivent encore être surmontés en particulier en ce qui concerne la variabi
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Puglia, Gianlucca Oliveira. "Exploring atomicity on memory mapped files based on non-volatile memory file systems." Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul, 2017. http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7768.

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Abstract:
Submitted by PPG Ci?ncia da Computa??o (ppgcc@pucrs.br) on 2017-12-11T16:00:35Z No. of bitstreams: 1 Gianlucca_Oliveira_Puglia_dis.pdf: 2043630 bytes, checksum: f7fc70f33d1d15b56eded8458fbed2fa (MD5)<br>Approved for entry into archive by Tatiana Lopes (tatiana.lopes@pucrs.br) on 2017-12-18T11:25:26Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Gianlucca_Oliveira_Puglia_dis.pdf: 2043630 bytes, checksum: f7fc70f33d1d15b56eded8458fbed2fa (MD5)<br>Made available in DSpace on 2017-12-18T11:49:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gianlucca_Oliveira_Puglia_dis.pdf: 2043630 bytes, checksum: f7fc70f33d1d15b56eded8458fbed
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Khorguani, Ana. "Gestion de données persistantes efficace pour des serveurs hybrides avec mémoire non-volatile." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2023. http://www.theses.fr/2023GRALM069.

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Abstract:
Les technologies de mémoire non-volatile (NVMM) offrent une excellente opportunité pour créer des programmes rapides et tolérants aux fautes, car elles fournissent un stockage persistant utilisable comme mémoire principale. Cependant, puisque les caches du processeur restent volatiles, des solutions sont nécessaires pour récupérer un état cohérent à partir de la NVMM après un crash. Dans cette thèse, nous proposons des techniques de sauvegarde de points de reprise en NVMM afin de rendre les programmes multi-threads tolérants aux fautes. Nous nous concentrons principalement sur l'optimisation d
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Yao, Thierry. "Modélisation et conception d'une mémoire non-volatile dédiée aux applications bas coût télé-alimentées." Paris, ENST, 2002. http://www.theses.fr/2002ENST0018.

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Delizy, Tristan. "Gestion de la mémoire dynamique pour les systèmes embarqués avec mémoire hétérogène." Thesis, Lyon, 2019. http://www.theses.fr/2019LYSEI134.

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Abstract:
La réduction de la consommation énergétique des systèmes embarqué est un enjeu majeur de la réalisation de l'Internet des Objets. Les mémoires émergentes NVRAMs présentent notamment le potentiel de consommer peu et d'être denses, mais les différentes technologies souffrent encore de désavantages spécifiques comme une latence d'écriture élevée ou une faible endurance. Pour contrebalancer ces désavantages, les concepteurs de systèmes embarqués tendent à juxtaposer différentes technologies sur une même puce. Cette thèse s'intéresse aux interactions entre l'allocation mémoire dynamique et l'hétéro
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Agharben, El Amine. "Optimisation et réduction de la variabilité d’une nouvelle architecture mémoire non volatile ultra basse consommation." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSEM013.

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Abstract:
Le marché mondial des semi-conducteurs connait une croissance continue due à l'essor de l'électronique grand public et entraîne dans son sillage le marché des mémoires non volatiles. L'importance de ces produits mémoires est accentuée depuis le début des années 2000 par la mise sur le marché de produits nomades tels que les smartphones ou plus récemment les produits de l’internet des objets. De par leurs performances et leur fiabilité, la technologie Flash constitue, à l'heure actuelle, la référence en matière de mémoire non volatile. Cependant, le coût élevé des équipements en microélectroniq
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Bocquet, Marc. "Intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-k) dans les mémoires non-volatiles pour les générations sub-45 nm." Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0156.

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Abstract:
Les mémoires non-volatiles Flash sont aujourd'hui un élément clé du développement de l'électronique portable demandant de plus en plus de capacité de stockage à bas coût (netbook, clé USB. . . ). Afin d'assurer son maintien pour les années à venir, il est nécessaire de poursuivre l'amélioration de cette technologie. Ainsi, l'intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-K) et l'utilisation de mémoires à couche de piégeage discret sont de plus en plus envisagées. Le travail de cette thèse s'inscrit dans ce contexte. Il comprend tout d'abord une étude électrique de matériaux Hig
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Nowak, Étienne. "Impact of geometry on charge trap non volatile memories." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0121.

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Abstract:
Les mémoires non-volatiles de type Flash sont aujourd’hui un élément clé du développement de l’électronique portable et demandent des capacités de stockage toujours plus élevées à bas coût. Afin de dépasser des densités de l’ordre du terabit par mm2, il est nécessaire de poursuivre l’amélioration de cette technologie. Ainsi, les mémoires non volatiles à piégeages discrets intégrées en tableaux 3D sont envisagées avec des géométries de cellules particulières. Ce travail de thèse se focalise sur l’impact de la géométrie dans les cellules mémoires à piégeages discrets pour les applications autono
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Dogan, Rabia. "System Level Exploration of RRAM for SRAM Replacement." Thesis, Linköpings universitet, Elektroniksystem, 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-92819.

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Abstract:
Recently an effective usage of the chip area plays an essential role for System-on-Chip (SOC) designs. Nowadays on-chip memories take up more than 50%of the total die-area and are responsible for more than 40% of the total energy consumption. Cache memory alone occupies 30% of the on-chip area in the latest microprocessors. This thesis project “System Level Exploration of RRAM for SRAM Replacement” describes a Resistive Random Access Memory (RRAM) based memory organizationfor the Coarse Grained Reconfigurable Array (CGRA) processors. Thebenefit of the RRAM based memory organization, compared t
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Harabech, Nadia. "Modélisation, caractérisation et contribution à l'amélioration des performances des mémoires non-volatiles de type EEPROM." Paris, ENST, 2002. http://www.theses.fr/2002ENST0002.

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Girault, Valérie. "Etude de la creation de protons mobiles dans l'oxyde de silicium et application à un système de mémoire non volatile." Lyon, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAL0001.

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Abstract:
Dans le domaine des mémoires non volatiles de la microélectronique, plusieurs systèmes ont été proposés ces dernières années. Le développement et l'optimisation de ces dispositifs ont conduit à l'émergence des mémoires EEPROM et FLASH EEPROM aujourd'hui très fiables, qui occupent désormais la majeure partie de la production mondiale. Ces mémoires fonctionnent par stockage d'électrons dans une couche de polysilicium, elle-même encapsulée dans une couche de diélectrique. Dans le but de proposer un dispositif aussi fiable et consommant encore moins d'énergie, l'idée d'un système de mémoire non vo
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Chang, Sungjae. "Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00951428.

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Abstract:
Ce travail présente les principaux résultats obtenus avec une large gamme de dispositifs SOI avancés, candidats très prometteurs pour les futurs générations de transistors MOSFETs. Leurs propriétés électriques ont été analysées par des mesures systématiques, agrémentées par des modèles analytiques et/ou des simulations numériques. Nous avons également proposé une utilisation originale de dispositifs FinFETs fabriqués sur ONO enterré en fonctionnalisant le ONO à des fins d'application mémoire non volatile, volatile et unifiées. Après une introduction sur l'état de l'art des dispositifs avancés
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Ait, Abdelkader Nazim. "Hopping et Tunnelling assisté par pièges dans les mémoires non volatile à base d’oxyde métallique." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT042.

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Abstract:
Les ReRAM, en particulier l'OxRAM, sont reconnues comme des technologies essentielles pour les applications émergentes en raison de leur haute densité, de leur accès rapide, de leur endurance et de leur intégration dans le back-end-of-line. Toutefois, les modèles régissant le mécanisme de conduction dans les OxRAM ont suscité de nombreux débats au cours des quinze dernières années. Cette thèse présente un nouveau formalisme qui implique la résolution des niveaux de Fermi des pièges pour assurer un courant constant entre eux. Ce formalisme a permis d'explorer deux modèles de courant sans recour
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Lehninger, David. "Größenkontrollierte Herstellung von Ge-Nanokristallen in Hoch-Epsilon-Dielektrika auf Basis von ZrO2." Doctoral thesis, Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola", 2018. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-236209.

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Abstract:
Nanokristalle werden beispielsweise für eine Anwendung in Solarzellen, Lichtemittern und nichtflüchtigen Datenspeichern diskutiert. Damit diese Anwendungen funktionieren können, ist eine genaue Kontrolle der Kristallitgröße sowie der Flächendichte und Lage der Kristallite in der Matrix wichtig. Zudem sollte die Matrix amorph sein, da amorphe Matrixmaterialien die Nanokristall-Oberfläche besser passivieren und beständiger gegen Leckströme sind. In dieser Arbeit werden Ge-Nanokristalle in die Hoch-Epsilon-Dielektrika ZrO2 und TaZrOx eingebettet. Im System Ge/ZrO2 kristallisieren die Ge-Cluster u
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Mora, Pascal. "Étude et caractérisation de la fiabilité de cellules mémoire non volatiles pour des technologies CMOS et BICMOS avancées." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0065.

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Abstract:
Aujourd'hui les solutions mémoire programmables de type Flash compatibles CMOS sont très demandées. Cependant, leur intégration dans les technologies logiques se heurte à des barrières physiques liées au caractère non volatile de la structure. En effet, certaines étapes du procédé de fabrication ne sont pas adaptées à ce type de fonctionnement et induisent des problèmes de fiabilité. La thèse s'inscrit dans ce contexte avec trois grands axes de travail qui sont l'étude des mécanismes de défaillance, l'évaluation de I'impact des procédés et de l'architecture des cellules sur la fiabilité ainsi
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Alhaj, Ali Khaled. "New design approaches for flexible architectures and in-memory computing based on memristor technologies." Thesis, Ecole nationale supérieure Mines-Télécom Atlantique Bretagne Pays de la Loire, 2020. http://www.theses.fr/2020IMTA0197.

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Abstract:
Le développement récent de nouvelles technologies de mémoires non-volatiles basées sur le concept de memristor a suscité de nombreux efforts pour explorer leur utilisation potentielle dans différents domaines d'application. Les propriétés uniques de ces dispositifs memristifs et leur compatibilité pour uneintégration avec les technologies CMOS conventionnelles permettent de nouveaux paradigmes de conception d’architecture, offrant des niveaux sans précédent de densité, de reconfigurabilité et d’efficacité énergétique. Dans ce contexte, le but de ce travail de thèse était d'explorer et d'introd
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Martemucci, Michele. "Exploration de techniques d'apprentissage pour l'edge AI exploitant des mémoires non-volatiles." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2024. http://www.theses.fr/2024BORD0327.

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Abstract:
Les systèmes embarqués d'intelligence artificielle (IA) capables d'apprentissage nécessitent à la fois des capacités d'inférence et d'apprentissage, tout en étant écoénergétiques. Cependant, aucune technologie de mémoire existante n'intègre pleinement toutes les caractéristiques souhaitées pour ces systèmes. Les mémoires résistives - memristors - sont idéales pour l'inférence, mais souffrent d'une endurance limitée et d'une consommation énergétique élevée lors de la programmation. En revanche, les condensateurs ferroélectriques (FeCAPs) sont adaptés pour l'apprentissage, mais leur processus de
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Lopes, Jeremy. "Design of an Innovative GALS (Globally Asynchronous Locally Synchronous), Non-Volatile Integrated Circuit for Space Applications." Thesis, Montpellier, 2017. http://www.theses.fr/2017MONTS052/document.

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Abstract:
Aujourd'hui, il existe plusieurs façons de développer des circuits microélectroniques adaptés aux applications spatiales qui répondent aux contraintes sévères de l'immunité contre les radiations, que ce soit en termes de technique de conception ou de processus de fabrication. Le but de ce doctorat est d'une part de combiner plusieurs techniques nouvelles de microélectronique pour concevoir des architectures adaptées à ce type d'application et d'autre part, d'incorporer des composants magnétiques non-volatiles intrinsèquement robustes aux rayonnements. Un tel couplage serait tout à fait novateu
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Reganaz, Lucas. "Etude des fluctuations de résistance dans les ReRAM : origine physique, dépendance temporelle et impact sur la fiabilité de la mémoire." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT012.

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Abstract:
Cette thèse examine le rôle central des technologies émergentes de mémoire non volatile (NVM), en mettant l'accent principalement sur la mémoire résistive à accès aléatoire (ReRAM), pour relever les défis liés à la latence de la mémoire associée au rétrécissement des composants logiques. L'exploration commence par élucider la physique fondamentale de la ReRAM et ses applications potentielles dans le calcul en mémoire et l'informatique neuromorphique.Le deuxième chapitre se penche sur les stratégies d'ingénierie des matériaux pour optimiser les performances de la ReRAM, couvrant des aspects tel
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Singh, Amit Kumar. "Caractérisation des Mémoires Non-Volatiles Résistives par Microscopie à Force Atomique en mode Conduction (C-AFM) sous Ultravide." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT033.

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Abstract:
Les mémoires sont à la base de tout système électronique avec lequel nous interagissons dans notre vie quotidienne et deviennent de plus en plus important jour après jour à notre époque. Les fonctionnalités et les performances croissantes des produits électroniques tels que les appareils photo numériques, les téléphones cellulaires, les ordinateurs personnels, les disques durs, etc., nécessitent une amélioration continue de ses fonctionnalités. La technologie Flash à grille flottante est la principale technologie NVM utilisée sur le marché actuellement. Néanmoins, la technologie Flash pose de
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Oukid, Ismail. "Architectural Principles for Database Systems on Storage-Class Memory." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2018. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-232482.

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Abstract:
Database systems have long been optimized to hide the higher latency of storage media, yielding complex persistence mechanisms. With the advent of large DRAM capacities, it became possible to keep a full copy of the data in DRAM. Systems that leverage this possibility, such as main-memory databases, keep two copies of the data in two different formats: one in main memory and the other one in storage. The two copies are kept synchronized using snapshotting and logging. This main-memory-centric architecture yields nearly two orders of magnitude faster analytical processing than traditional, disk
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Deloge, Matthieu. "Analysis of ultrathin gate-oxide breakdown mechanisms and applications to antifuse memories fabricated in advanced CMOS processes." Thesis, Lyon, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAL0097/document.

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Abstract:
Les mémoires non-volatiles programmables une fois sont en plein essor dans le monde de l’électronique embarquée. La traçabilité, la configuration ou encore la réparation de systèmes sur puce avancés font partis des applications adressées par ce type de mémoire. Plus particulièrement, la technologie antifusible présente des propriétés de sécurité autorisant le stockage d’information sensible.Ce travail de thèse est orienté vers la compréhension des mécanismes de claquage d’oxydes minces sollicités pour la programmation des cellules antifusibles ainsi que l’intégration au niveau système de moyen
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Montagner, Morancho Laurence. "Nouvelle méthode de test en rétention de données de mémoires non volatiles." Phd thesis, Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00135027.

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Abstract:
La présence de mémoires non volatiles dans les circuits Smartpower a rendu indispensable le test systématique de la rétention de données sur 100% des composants. L'application des tests classiques sur de forts volumes a pour inconvénient d'allonger la durée de test. Ce travail présente un nouveau test de rétention de données de mémoires non volatiles. Dans une première partie, nous avons dressé l'état de l'art des défauts intrinsèques et extrinsèques de ces mémoires ainsi que de leurs tests de fiabilité. Puis nous avons étudié sur un lot d'ingénierie la rétention de données de la mémoire par l
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Lefort, Anatole. "A Support for Persistent Memory in Java." Institut polytechnique de Paris, 2023. http://www.theses.fr/2023IPPAS001.

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Abstract:
L'arrivée de la mémoire non-volatile (NVMM) sur le marché propose une alternative rapide et durable pour le stockage de données, avec des performances considérablement accrues par rapport aux supports traditionnels, à savoir SSD et disques durs. La NVMM est adressable à la granularité de l'octet, une caractéristique unique qui permet de maintenir des structures de données complexes par le biais d'instructions mémoires standards, tout en étant résistante aux pannes système et logiciels. Néanmoins, gérer correctement la persistance des données est bien plus compliquée que de simples manipulation
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Aoukar, Manuela. "Dépôt de matériaux à changement de phase par PE-MOCVD à injection liquide pulsée pour des applications mémoires PCRAM." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT075/document.

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Abstract:
Les mémoires résistives PCRAM sont basées sur le passage rapide et réversible entre un état amorphe hautement résistif et un état cristallin faiblement résistif d’un matériau à changement de phase (PCM). Ces mémoires constituent un des candidats les plus prometteurs pour la nouvelle génération de mémoires non-volatiles grâce à un large éventail de propriétés uniques comme une vitesse de fonctionnement élevée, une capacité de stockage multi-niveaux sur plusieurs bits, une bonne endurance et une possibilité de miniaturisation poussée. Cependant, la nécessité d’utiliser des courants d’effacement
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Guenery, Pierre-Vincent. "Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line." Thesis, Lyon, 2019. http://www.theses.fr/2019LYSEI114.

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Abstract:
Les mémoires informatiques actuelles qui ne sont que l'extrême miniaturisation de la technologie développée dans les années 1960, atteignent des limites technologiques difficilement surmontables techniquement et très couteuses. Les mémoires doivent donc se réinventer par une modification profonde de leur forme, comme le développement de structures en 3 dimensions par exemple, ou par l'utilisation de technologies innovantes. C'est un phénomène récent dans le domaine des mémoires qui nous a intéressé au cours de cette thèse. Il consiste à maîtriser électriquement et de manière réversible la rési
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Jacob, Stéphanie. "Intégration, caractérisation et modélisation des mémoires non-volatiles à nanocristaux de silicium." Phd thesis, Université de Provence - Aix-Marseille I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00408813.

Full text
Abstract:
Depuis une vingtaine d'années, l'industrie de la microélectronique et en particulier le marché des mémoires non-volatiles connaît une évolution considérable, en termes d'augmentation de la capacité d'intégration et de diminution du prix de revient. Ceci a permis au grand public d'accéder aux produits électroniques (téléphones portables, baladeurs MP3, clés USB, appareils photos numériques...) qui connaissent actuellement un énorme succès. Cependant, la miniaturisation des mémoires Flash risque de rencontrer des limitations. C'est pourquoi les industriels et les laboratoires recherchent actuell
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Liao, Si-yu. "Caractérisation électrique et électro-optique de transistor à base de nanotube de carbone en vue de leur modélisation compacte." Thesis, Bordeaux 1, 2011. http://www.theses.fr/2011BOR14254/document.

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Abstract:
Afin de permettre de développer un modèle de mémoire non-volatile basée sur le transistor à nanotube de carbone à commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l’origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C’est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail est mené sur trois plans :• Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs.• Développer un modè
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Alzate, Banguero Melissa. "Towards neuromorphic computing on quantum many-body architectures : VO2 transition dynamics." Electronic Thesis or Diss., Université Paris sciences et lettres, 2024. http://www.theses.fr/2024UPSLS021.

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Abstract:
Alors que les exigences en matière d'IA augmentent, de nouveaux paradigmes informatiques deviennent essentiels. Les architectures traditionnelles de von Neumann peinent à répondre aux exigences intensives de l'IA. L'informatique neuromorphique, inspirée par le cerveau, intègre traitement et mémoire pour une computation plus rapide et efficace, idéale pour des applications d'IA comme l'apprentissage profond et la reconnaissance de formes. Les matériaux clés pour l'informatique neuromorphique incluent les synaptors et les neuristors. Les memristors, des mémoires non volatiles fabriquées à partir
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Bartoli, Jonathan. "Développement et caractérisation d'architectures mémoires non volatiles pour des applications basse consommation." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4373.

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Abstract:
Avec l'évolution des technologies et le développement des objets connectés, la consommation des circuits est devenue un sujet important. Dans cette thèse nous nous concentrons sur la consommation des mémoires non volatiles à piégeage de charge. Afin de diminuer la consommation, différentes architectures ont vu le jour comme les mémoires 2T ou Split Gate. Nous proposons deux nouvelles architectures de mémoires permettant la diminution de la consommation par rapport à une mémoire Flash standard. La première, appelée ATW (Asymmetrical Tunnel Window), est composée d'une marche d'oxyde au niveau de
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Bartoli, Jonathan. "Développement et caractérisation d'architectures mémoires non volatiles pour des applications basse consommation." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4373.

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Avec l'évolution des technologies et le développement des objets connectés, la consommation des circuits est devenue un sujet important. Dans cette thèse nous nous concentrons sur la consommation des mémoires non volatiles à piégeage de charge. Afin de diminuer la consommation, différentes architectures ont vu le jour comme les mémoires 2T ou Split Gate. Nous proposons deux nouvelles architectures de mémoires permettant la diminution de la consommation par rapport à une mémoire Flash standard. La première, appelée ATW (Asymmetrical Tunnel Window), est composée d'une marche d'oxyde au niveau de
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Liao, Si-Yu. "Caractérisation électrique et électro-optique de transistor à base de nanotube de carbone en vue de leur modélisation compacte." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00592479.

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Abstract:
Afin de permettre de développer un modèle de mémoire non-volatile basée sur le transistor à nanotube de carbone à commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l'origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C'est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail est mené sur trois plans : * Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs. * Développer un mo
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Tirano, Sauveur. "Intégration et caractérisation électrique d'éléments de mémorisation à commutation de résistance de type back-end à base d'oxydes métalliques." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4713/document.

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Abstract:
Cette thèse porte principalement sur la caractérisation électrique et la modélisation physique d'éléments mémoires émergents de type OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) intégrant soit un oxyde de nickel, soit un oxyde de hafnium. Une fois la maturité technologique atteinte, ce concept de mémoire est susceptible de remplacer la technologie Flash qui fait encore figure de référence. Les principaux avantages de la technologie OxRRAM reposent sur une très bonne compatibilité avec les filières CMOS, un faible nombre d'étapes de fabrication, une grande densité d'intégration et des performa
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Kiouseloglou, Athanasios. "Caractérisation et conception d' architectures basées sur des mémoires à changement de phase." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT128/document.

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Abstract:
Les mémoires à base de semi-conducteur sont indispensables pour les dispositifs électroniques actuels. La demande croissante pour des dispositifs mémoires fortement miniaturisées a entraîné le développement de mémoires non volatiles fiables qui sont utilisées dans des systèmes informatiques pour le stockage de données et qui sont capables d'atteindre des débits de données élevés, avec des niveaux de dissipation d'énergie équivalents voire moindres que ceux des technologies mémoires actuelles.Parmi les technologies de mémoires non-volatiles émergentes, les mémoires à changement de phase (PCM) s
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Marzaki, Abderrezak. "Développement de technique de procédé de fabrication innovante et de nouvelle architecture de transistor MOS." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4768.

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Abstract:
La miniaturisation des composants et l’amélioration des performances des circuits intégrés (ICs) sont dues aux progrès liés au procédé de fabrication. Malgré le nombre de technologie existante, la technologie CMOS est la plus utilisée. Dans le cadre du développement de la technologie CMOS 90nm à double niveau de poly, des recherches sur l’introduction de techniques innovantes de procédé de fabrication et d’une nouvelle architecture de transistor MOS à tension de seuil ajustable ont été menées dans le but d’améliorer les performances des ICs. Une première étude sur l’implémentation des effets d
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Ngueya, Wandji Steve. "Conception de circuits mémoires flash pour plateforme ultra faible consommation." Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0586.

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Abstract:
Le marché des objets connectés sécurisés est en plein essor et nécessite des plateformes de développement faible consommation pour des applications sans contact dans des facteurs de forme réduits. La réduction du facteur de forme impacte l’antenne et entraîne une baisse de l’énergie disponible dans la puce, qui, pour travailler à performances égales, doit voir sa consommation diminuer drastiquement. Un des principaux contributeurs à la consommation est la mémoire non-volatile embarquée (eNVM) utilisée pour le stockage et l’exécution du code. Il faut donc, pour une technologie donnée, être capa
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Mahato, Prabir. "Study and development of resistive memories for flexible electronic applications." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI134.

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Abstract:
L’avènement de l’électronique flexible a entraîné des recherches rapides sur des capteurs, des dispositifs bio-implantables et portables pour l’évaluation de maladies telles que l’épilepsie, la maladie de Parkinson et les crises cardiaques. Les dispositifs de mémoire sont des composants majeurs dans tous les circuits électroniques, uniquement secondaires aux transistors, par conséquent de nombreux efforts de recherche sont consacrés au développement de dispositifs de mémoire flexibles. Les mémoires à accès aléatoire à pont conducteur (CBRAM) basées sur la création / dissolution d'un filament m
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Ngueya, Wandji Steve. "Conception de circuits mémoires flash pour plateforme ultra faible consommation." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0586.

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Abstract:
Le marché des objets connectés sécurisés est en plein essor et nécessite des plateformes de développement faible consommation pour des applications sans contact dans des facteurs de forme réduits. La réduction du facteur de forme impacte l’antenne et entraîne une baisse de l’énergie disponible dans la puce, qui, pour travailler à performances égales, doit voir sa consommation diminuer drastiquement. Un des principaux contributeurs à la consommation est la mémoire non-volatile embarquée (eNVM) utilisée pour le stockage et l’exécution du code. Il faut donc, pour une technologie donnée, être capa
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Charbonneau, Micaël. "Etude et développement de points mémoires résistifs polymères pour les architectures Cross-Bar." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT116/document.

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Abstract:
Ces dix dernières années, les technologies de stockage non-volatile Flash ont joué un rôle majeur dans le développement des appareils électroniques mobiles et multimedia (MP3, Smartphone, clés USB, ordinateurs ultraportables…). Afin d’améliorer davantage les performances, augmenter les capacités et diminuer les coûts de fabrication, de nouvelles solutions technologiques sont aujourd’hui étudiées pour pouvoir compléter ou remplacer la technologie Flash. Citées par l’ITRS, les mémoires résistives polymères présentent des caractéristiques très prometteuses : procédés de fabrication à faible coût
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Zhou-LiChen and 陳周利. "Relaxing Object Versioning Efficiently with ROVER-NVM in Non-Volatile Memory." Thesis, 2018. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/3rs5a9.

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Lersch, Lucas. "Leveraging Non-Volatile Memory in Modern Storage Management Architectures." 2020. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A74887.

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Abstract:
Non-volatile memory technologies (NVM) introduce a novel class of devices that combine characteristics of both storage and main memory. Like storage, NVM is not only persistent, but also denser and cheaper than DRAM. Like DRAM, NVM is byte-addressable and has lower access latency. In recent years, NVM has gained a lot of attention both in academia and in the data management industry, with views ranging from skepticism to over excitement. Some critics claim that NVM is not cheap enough to replace flash-based SSDs nor is it fast enough to replace DRAM, while others see it simply as a storage dev
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