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Dissertations / Theses on the topic 'Metallisierung'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 11 February 2022

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1

Abylaikhan, Akerke. "Synthese von Übergangsmetallformiaten und deren Verwendung zur Metallisierung." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501185.

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Abstract:

In der vorliegenden Arbeit werden M(II)-Formiat-Komplexe mit M=Cu, Ni, Zn beschrieben. Das themogravimetrische Verhalten dieser Komplexe wird vorgestellt. TG-MS-Untersuchungen geben erste Hinweise auf das Metallisierungsverhalten obiger Spezies. Die Charakterisierung der entsprechenden Komplexe erfolgte durch die Elementaranalyse, IR-Spektroskopie sowie in einzelnen Fällen durch die Einkristallröntgendiffraktometrie.

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2

Romanus, Henry. "Siliziumkarbidelektronik technologische und werkstoffwissenschaftliche Untersuchungen zur Metallisierung, Kontaktierung /." [S.l. : s.n.], 2004. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=974849847.

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3

Ermantraut, Eugen [Verfasser]. "Selektive volladditive Metallisierung von Aluminiumoxidkeramiken mittels lasergestützter Aktivierung / Eugen Ermantraut." München : Verlag Dr. Hut, 2018. http://d-nb.info/1174425792/34.

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4

Liao, Xifang [Verfasser]. "Metallisierung von Kunststoffbauteilen mittels In-Mold-Metal-Spraying / Xifang Liao." Düren : Shaker, 2019. http://d-nb.info/1196488614/34.

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5

Behrens, Tim [Verfasser]. "Kupfer-Metallisierung für Siliciumcarbid-Leistungshalbleiter zur Steigerung der Lebensdauer / Tim Behrens." Aachen : Shaker, 2015. http://d-nb.info/1066198144/34.

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6

Seidel, Ralf. "Methods for the development of a DNA based nanoelectronics." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2003. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1074596565484-95599.

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Abstract:

The exceptional self-assembly properties of DNA as well as its ability to interact with different kinds of chemical compounds and biological structures make this biomolecule to an interesting object for the fabrication of artificial nanostructures. In this work several methods for a DNA-based self-assembly of electronic nanocircuitry are explored. For this, four basic steps, which turned out to be essential within a circuit assembly process, are addressed: (i) The formation of multi-branched DNA junctions by a simple building-block procedure. (ii) The site-specific attachment of nanoobjects (g

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7

Schramm, René [Verfasser], Jörg [Akademischer Betreuer] Franke, Jörg [Gutachter] Franke, and Michael [Gutachter] Schmidt. "Strukturierte additive Metallisierung durch kaltaktives Atmosphärendruckplasma / René Schramm ; Gutachter: Jörg Franke, Michael Schmidt ; Betreuer: Jörg Franke." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2015. http://d-nb.info/1178794423/34.

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8

Urban, Tobias [Verfasser], Johannes [Akademischer Betreuer] Heitmann, Johannes [Gutachter] Heitmann, and Jörg [Gutachter] Bagdahn. "Untersuchungen zur Degradation der Metallisierung von PERC-Solarzellen / Tobias Urban ; Gutachter: Johannes Heitmann, Jörg Bagdahn ; Betreuer: Johannes Heitmann." Freiberg : Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2020. http://d-nb.info/122077958X/34.

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9

Wächtler, Thomas. "Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik." Master's thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501596.

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Abstract:

Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen e

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10

Gorodyska, Ganna. "Generation and Characterisation of Nanostructures from Single Adsorbed Polyelectrolyte Molecules." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1129637907155-76458.

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Abstract:

Visualization and study of reconformation of polyelectrolytes (PEs) of different architecture is of great fundamental and practical interest. Verification of theoretical predictions with experiment is of essential importance. On the other hand, a wide range of bottom-up techniques based on patterning of matter on the length scale of a few nanometers have been recently developed. Particularly interesting is the possibility of using self-assembled single molecule structures as templates for the deposition of inorganic matter, in particular metals. Synthetic &quot;normal-sized&quot; polym

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11

Alemán, Martínez Mónica [Verfasser], and Eicke [Akademischer Betreuer] Weber. "Low temperature processes for the front-side metallization of crystalline silicon solar cells = Niedrig-Temperatur Prozesse für die Vorderseite Metallisierung von kristallinen Silizium-Solarzellen." Freiburg : Universität, 2013. http://d-nb.info/1123477647/34.

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12

Ritter, Matthias Martin [Verfasser], Martin [Akademischer Betreuer] Pfost, and Jörg [Gutachter] Schulze. "Sensoren zur Bestimmung der Alterung der On-Chip-Metallisierung von LDMOS-Transistoren unter zyklischer Last / Matthias Martin Ritter ; Gutachter: Jörg Schulze ; Betreuer: Martin Pfost." Dortmund : Universitätsbibliothek Dortmund, 2020. http://d-nb.info/1217843515/34.

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13

Gorodyska, Ganna. "Generation and Characterisation of Nanostructures from Single Adsorbed Polyelectrolyte Molecules." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2004. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A24584.

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Abstract:

Visualization and study of reconformation of polyelectrolytes (PEs) of different architecture is of great fundamental and practical interest. Verification of theoretical predictions with experiment is of essential importance. On the other hand, a wide range of bottom-up techniques based on patterning of matter on the length scale of a few nanometers have been recently developed. Particularly interesting is the possibility of using self-assembled single molecule structures as templates for the deposition of inorganic matter, in particular metals. Synthetic &quot;normal-sized&quot; polym

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Schulz, Stefan E. "AMC 2015 – Advanced Metallization Conference." Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz, 2016. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A20503.

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Abstract:

Since its inception as the Tungsten Workshop in 1984, AMC has served as the leading conference for the interconnect and contact metallization communities, and has remained at the leading edge of the development of tungsten, aluminum, and copper/low-K interconnects. As the semiconductor industry evolves, exciting new challenges in metallization are emerging, particularly in the areas of contacts to advanced devices, local interconnect solutions for highly-scaled devices, advanced memory device metallization, and 3D/packaging technology. While the conference content has evolved, the unique works

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Dressler, Katharina. "Bildung von Hohlräumen in lokalen Rückseitenkontakten bei Passivated Emitter and Rear Solarzellen." Doctoral thesis, Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola", 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-211482.

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Abstract:

In dieser Arbeit wurden zunächst zwei Charakterisierungsmethoden zur zerstörungsfreien Detektion von Voids in lokalen Rückseitenkontakten bei PERC Solarzellen vorgestellt, die akustische Mikroskopie und die Computertomografie. Beide Messmethoden wurden anhand von Proben mit unterschiedlichen Al-Pasten getestet und mit beiden Messmethoden können Voids sehr gut erkannt werden. Zur Vermeidung von Voidbildung konnte der positive Einfluss der Siliziumbeimischung in die Al-Paste bestätigt werden. Desweiteren konnte anhand unterschiedlicher RTP Feuerprofile gezeigt werden, dass durch eine verlangsa

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Wächtler, Thomas. "Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik." Master's thesis, München : GRIN Verlag, 2004. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18407.

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Abstract:

Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen e

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Stangl, Marcel. "Charakterisierung und Optimierung elektrochemisch abgeschiedener Kupferdünnschichtmetallisierungen für Leitbahnen höchstintegrierter Schaltkreise." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1218567869996-80674.

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Abstract:

Die Entwicklung der Mikroelektronik wird durch eine fortschreitende Miniaturisierung der Bauelemente geprägt. Infolge einer Reduzierung der Querschnittflächen von Leitbahnstrukturen erhöht sich die elektrische Leistungsdichte und das Metallisierungssystem bestimmt zunehmend die Übertragungsgeschwindigkeiten. Kupfer repräsentiert hierbei das verbreitetste Leitbahnmaterial und wird vorwiegend mittels elektrochemischer Abscheidung in vergrabene Damaszen-Strukturen eingebracht. Die vorliegende Dissertation beschreibt Möglichkeiten für eine Optimierung von Kupferleitbahnen für höchstintegrierte Sch

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Korkmaz, Nuriye. "Self-assembly and Structure Investigation of Recombinant S-layer Proteins Expressed in Yeast for Nanobiotechnological Applications." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2011. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-64317.

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Abstract:

In numerous Gram-negative and Gram-positive bacteria as well as in Archaea SL proteins form the outermost layer of the cell envelope. SL (glyco)monomers self-assemble with oblique (p2), tetragonal (p4), or hexagonal (p3, p6) symmetries [12]. SL subunits interact with each other and with the underlying cell surface by relatively weak non-covalent forces such as hydrogen-bonds, ionic bonds, salt-bridges or hydrophobic interactions. This makes them easy to isolate by applying chaotropic agents like urea and guanidine hydrochloride (GuHCl), chelating chemicals, or by changing the pH of the environ

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Stangl, Marcel. "Charakterisierung und Optimierung elektrochemisch abgeschiedener Kupferdünnschichtmetallisierungen für Leitbahnen höchstintegrierter Schaltkreise." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2007. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A23688.

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Abstract:

Die Entwicklung der Mikroelektronik wird durch eine fortschreitende Miniaturisierung der Bauelemente geprägt. Infolge einer Reduzierung der Querschnittflächen von Leitbahnstrukturen erhöht sich die elektrische Leistungsdichte und das Metallisierungssystem bestimmt zunehmend die Übertragungsgeschwindigkeiten. Kupfer repräsentiert hierbei das verbreitetste Leitbahnmaterial und wird vorwiegend mittels elektrochemischer Abscheidung in vergrabene Damaszen-Strukturen eingebracht. Die vorliegende Dissertation beschreibt Möglichkeiten für eine Optimierung von Kupferleitbahnen für höchstintegrierte Sch

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Richter, Jan. "Erzeugung und Charakterisierung von Nanostrukturen auf DNA." [S.l. : s.n.], 2001. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB9394042.

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21

Colombi, Ciacchi Lucio. "Growth of Platinum Clusters in Solution and on Biopolymers: The Microscopic Mechanisms." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2002. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1026811686718-71695.

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Abstract:

Thema der vorgelegten Dissertation ist der Mechanismus der Keimbildung und des Wachstums von Platinclustern in Lösung und auf Biopolymeren nach der Reduktion von Platin-Salzen. Die Untersuchung wird auf atomarer Skala durch ab-initio Molekulardynamik mit der Methode von Car und Parrinello durchgeführt. In einem klassischen, generell akzeptierten Mechanismus erfolgt die Aggregation von Pt-Atomen nur nach kompletter Reduktion der Pt(II)-Komplexen zum metallischen Pt(0)-Zustand. Im Gegensatz dazu, in der hier beobachteten Reaktionsablauf entstehen stabile Pt-Pt-Bindungen schon nach einem einzigen

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Mueller, Steve, Thomas Waechtler, Lutz Hofmann, et al. "Thermal ALD of Cu via Reduction of CuxO films for the Advanced Metallization in Spintronic and ULSI Interconnect Systems." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2012. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-84003.

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Abstract:

In this work, an approach for copper atomic layer deposition (ALD) via reduction of CuxO films was investigated regarding applications in ULSI interconnects, like Cu seed layers directly grown on diffusion barriers (e. g. TaN) or possible liner materials (e. g. Ru or Ni) as well as non-ferromagnetic spacer layers between ferromagnetic films in GMR sensor elements, like Ni or Co. The thermal CuxO ALD process is based on the Cu (I) β-diketonate precursor [(nBu3P)2Cu(acac)] and a mixture of water vapor and oxygen ("wet O2") as co-reactant at temperatures between 100 and 130 °C. Highly efficient c

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Kordaß, Timo [Verfasser], Jörg [Akademischer Betreuer] Franke, Jörg [Gutachter] Franke, et al. "Lasergestütztes Verfahren zur selektiven Metallisierung von epoxidharzbasierten Duromeren zur Steigerung der Integrationsdichte für dreidimensionale mechatronische Package-Baugruppen / Timo Kordaß ; Gutachter: Jörg Franke, André Zimmermann ; Betreuer: Jörg Franke ; Herausgeber: Jörg Franke, Nico Hanenkamp, Tino Hausotte, Marion Merklein, Michael Schmidt, Sandro Wartzack." Erlangen : FAU University Press, 2021. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-172738.

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Waechtler, Thomas, Shao-Feng Ding, Lutz Hofmann, et al. "ALD-grown seed layers for electrochemical copper deposition integrated with different diffusion barrier systems." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2011. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-68040.

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Abstract:

The deposition of Cu seed layers for electrochemical Cu deposition (ECD) via atomic layer deposition (ALD) of copper oxide and subsequent thermal reduction at temperatures between 110 and 120°C was studied on different diffusion barrier systems. While optimization of the process is required on TaN with respect to reduction and plating, promising results were obtained on blanket PVD Ru. The plating results on layers of ALD Cu with underlying Ru even outperformed the ones achieved on PVD Cu seed layers with respect to morphology and resistivity. Applying the processes to via and line patterns ga

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Schulze, Knut. "Beiträge zur Technologieentwicklung für die Erzeugung von Airgap - Strukturen in Metallisierungssystemen in integrierten Schaltkreisen." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200800661.

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Abstract:

Die Arbeit beschreibt die Entwicklung und Evaluierung zweier neuartiger Technologien (Maske und Spacer) zur Erzeugung von Airgap-Strukturen in Mehrebenenmetallisierungen integrierter Schaltkreise. Ausgangspunkt der Arbeit bildet die Aufarbeitung der Thematik der low-k Materialien sowie der aus der Literatur bekannten Airgap-Ansätze. Es werden die beiden entwickelten Konzepte zur Airgap-Erzeugung prinzipiell beschrieben und hinsichtlich der definierten Zielstellungen (konventionelle Prozessierung, Skalierbarkeit, selektiver Eintrag) sowie vergleichend zu alternativen Airgap-Ansätzen diskutiert.

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Colombi, Ciacchi Lucio. "Growth of Platinum Clusters in Solution and on Biopolymers: The Microscopic Mechanisms." Doctoral thesis, [S.l.] : [s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=964998998.

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Pekarcikova, Marcela. "Migrationsbeständigkeit von Al- und Cu-Metallisierungen in SAW-Bauelementen." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1137429879299-71754.

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Abstract:

Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Akustomigrationsresistenz von in Kupfertechnologie hergestellten SAW-Strukturen charakterisiert und diese mit dem Schädigungsverhalten von Al-basierten SAW-Strukturen unter gleichen Belastungsbedingungen verglichen. Dies wurde durch die Anwendung einer speziellen Power-SAW-Teststruktur ermöglicht. Das Schädigungsniveau wurde hierbei über die irreversible Verschiebung der Peakfrequenz bzw. durch Änderungen im elektrischen Widerstand sowie durch mikroskopische Untersuchung der Mikrostruktur beurteilt. Die durchgeführten SAW-Belastungsexperimente mit HF-Leistunge

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Spindler, Mario. "Cu-basierte Metallisierungen für leistungsbeständige SAW-Filter im GHz-Bereich." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-101238.

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Abstract:

Die vorliegende Dissertation beschäftigt sich mit der Verbesserung der Leistungsbeständigkeit von Interdigitalwandlern für zukünftige SAW-Bauelemente durch die Verwendung von kupferbasierten Fingerelektroden. In Bezug auf die Akustomigration, d.h. der Elektrodenschädigung infolge hochzyklischer SAW-Belastung, besitzt Kupfer im Vergleich zu standardmäßig eingesetztem polykristallinem Aluminium eine erhöhte Beständigkeit. Diese lässt sich weiter verbessern, indem die Grenzﬂächen der Fingerelektroden gegen die durch SAW-Belastung auftretende Loch- und Hügelbildung stabilisiert werden. Das Ziel be

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Hübner, René. "Dünne tantalbasierte Diffusionsbarrieren für die Kupfer-Leitbahntechnologie: Thermische Stabilität, Ausfallmechanismen und Einfluss auf die Mikrostruktur des Metallisierungsmaterials." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2004. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1102329038515-23539.

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Abstract:

Aufgrund der höheren elektrischen Leitfähigkeit und des größeren Widerstandes gegen Elektromigration im Vergleich zum Aluminium wird seit einigen Jahren Kupfer als Leitbahnmaterial in der Mikroelektronik eingesetzt. Da Kupfer jedoch eine hohe Beweglichkeit in den für die Halbleitertechnologie relevanten Werkstoffen aufweist, sind zur Verhinderung einer Diffusion effektive Barrieren notwendig. Dabei muss die u. a. geforderte hohe thermische Stabilität der Barrierematerialien auch im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung der mikroelektronischen Bauelemente und damit der Reduzierung der Barr

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Hofmann, Matthias. "TEM-Untersuchungen zum Gefüge und zu mechanischen Spannungen in Metallisierungen für SAW-Bauelemente." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2007. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1189001442992-14894.

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Abstract:

Higher frequencies in the MHz and GHz range and the increasing miniaturization lead to a higher load of the SAW (surface acoustic wave) metallizations. This higher SAW load and the intrinsic stresses result in a stress induced material transport, called acoustomigration. These microstructural changes can destroy the characteristic of the SAW device. Different Al based material combinations were investigated by different authors to improve the reliability of the metallizations and to delay the cost-intensive change to Cu based metallizations. The Cu based metallizations with TaSiN diffusion bar

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Britten, Simon [Verfasser], Reinhart Akademischer Betreuer] Poprawe, and Uwe [Akademischer Betreuer] [Reisgen. "Bauteilschonende Verbindungstechnik auf Metallisierungen durch moduliertes Laserstrahlschweißen / Simon Britten ; Reinhart Poprawe, Uwe Reisgen." Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2018. http://d-nb.info/1162503440/34.

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Hofmann, Matthias. "TEM-Untersuchungen zum Gefüge und zu mechanischen Spannungen in Metallisierungen für SAW-Bauelemente." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2006. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A25031.

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Abstract:

Higher frequencies in the MHz and GHz range and the increasing miniaturization lead to a higher load of the SAW (surface acoustic wave) metallizations. This higher SAW load and the intrinsic stresses result in a stress induced material transport, called acoustomigration. These microstructural changes can destroy the characteristic of the SAW device. Different Al based material combinations were investigated by different authors to improve the reliability of the metallizations and to delay the cost-intensive change to Cu based metallizations. The Cu based metallizations with TaSiN diffusion bar

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Mueller, Steve, Thomas Waechtler, Lutz Hofmann, et al. "Thermal ALD of Cu via Reduction of CuxO films for the Advanced Metallization in Spintronic and ULSI Interconnect Systems." Technische Universität Chemnitz, 2011. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A19675.

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Abstract:

In this work, an approach for copper atomic layer deposition (ALD) via reduction of CuxO films was investigated regarding applications in ULSI interconnects, like Cu seed layers directly grown on diffusion barriers (e. g. TaN) or possible liner materials (e. g. Ru or Ni) as well as non-ferromagnetic spacer layers between ferromagnetic films in GMR sensor elements, like Ni or Co. The thermal CuxO ALD process is based on the Cu (I) β-diketonate precursor [(nBu3P)2Cu(acac)] and a mixture of water vapor and oxygen ("wet O2") as co-reactant at temperatures between 100 and 130 °C. Highly efficient c

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Bittner, Achim. "Charakterisierung und Optimierung von LTCC-Substraten und Metallisierungssystemen für Höchstfrequenzanwendungen." Aachen Shaker, 2009. http://d-nb.info/1000544060/04.

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Ciptokusumo, Joharsyah [Verfasser]. "Mechanische Charakterisierung von Cu-Metallisierungen mit unterschiedlichen Durchkontaktierungsgeometrien und Rissbildungsprädiktion der Ta-Barriere / Joharsyah Ciptokusumo." Hannover : Technische Informationsbibliothek und Universitätsbibliothek Hannover (TIB), 2012. http://d-nb.info/1021438472/34.

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Ostmann, Andreas Verfasser], Klaus-Dieter [Akademischer Betreuer] [Lang, Jan [Akademischer Betreuer] Vanfleteren, and Mathias [Akademischer Betreuer] Nowottnick. "Übertragung des außenstromlosen Nickel-Metallisierungs-Verfahrens in die Mikrosystemtechnik / Andreas Ostmann. Gutachter: Klaus-Dieter Lang ; Jan Vanfleteren ; Mathias Nowottnick. Betreuer: Klaus-Dieter Lang." Berlin : Technische Universität Berlin, 2014. http://d-nb.info/1067387560/34.

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Ostmann, Andreas [Verfasser], Klaus-Dieter [Akademischer Betreuer] Lang, Jan [Akademischer Betreuer] Vanfleteren, and Mathias [Akademischer Betreuer] Nowottnick. "Übertragung des außenstromlosen Nickel-Metallisierungs-Verfahrens in die Mikrosystemtechnik / Andreas Ostmann. Gutachter: Klaus-Dieter Lang ; Jan Vanfleteren ; Mathias Nowottnick. Betreuer: Klaus-Dieter Lang." Berlin : Technische Universität Berlin, 2014. http://d-nb.info/1067387560/34.

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Spindler, Mario [Verfasser], Jürgen [Akademischer Betreuer] Eckert, and Gerald [Akademischer Betreuer] Gerlach. "Cu-basierte Metallisierungen für leistungsbeständige SAW-Filter im GHz-Bereich / Mario Spindler. Gutachter: Jürgen Eckert ; Gerald Gerlach. Betreuer: Jürgen Eckert." Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2013. http://d-nb.info/1068443723/34.

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Reinecke, Matthias. "Untersuchungen zur Sensibilisierung von Glasoberflächen mit Zinkoxid für das electroless plating von Nickel-Phosphor-Schichten unter besonderer Beachtung des Einsatzes derartiger Metallschichten als Elektroden in elektrochemischen Sensoren." Doctoral thesis, Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola&quot, 2009. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:105-5267022.

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Abstract:

In der Halbleitertechnik, wie auch in der chemischen Sensorik werden Metallstrukturen mit geringen Strukturbreiten auf Substratoberflächen mit sehr niedriger mittlerer Rauhtiefe (wie Glas bzw. polierten Siliziumeinkristallen) benötigt. Die für diesen Zweck industriell angewandten Verfahren sind solche, die mit einer Abscheidung aus der Gasphase arbeiten (PVD, CVD). In der vorgelegten Arbeit werden zwei Varianten zur Sensibilisierung von Silikatglasoberflächen mit Zinkoxid für das electroless plating von Nickel-Phosphor-Schichten beschrieben. Die Strukturierung erfolgte mit einem photolithograp

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Chen, James Hsueh-Chung, Susan Su-Chen Fan, Theodorus E. Standaert, Terry A. Spooner, and Vamsi Paruchuri. "A Study of Tungsten Metallization for the Advanced BEOL Interconnections." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-207035.

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Abstract:

In this paper, a study of tungsten metallization in advanced BEOL interconnects is presented. A mature 10 nm process is used for comparison between the tungsten and conventional copper metallization. Wafers were processed together till M1 dual-damascene etch then separated for different metallization. Tungsten metal line of 24 nm width is showing a 1.6X wire resistance comparing to the copper metal line. Comparable opens/shorts yield were obtained on a 0.8 M comb serpentine, Kelvin-via and 4K via chains. Similar physical profile were also achieved. This study has demonstrated the feasibility o

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Waechtler, Thomas, Yingzhong Shen, Alexander Jakob, et al. "Evaluation of Phosphite and Phosphane Stabilized Copper(I) Trifluoroacetates as Precursors for the Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Copper." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2006. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200600315.

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Abstract:

Copper has become the material of choice for metallization of high-performance ultra-large scale integrated circuits. As the feature size is continuously decreasing, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) appears promising for depositing the Cu seed layer required for electroplating, as well as for filling entire interconnect structures. In this work, four novel organophosphane and organophosphite Cu(I) trifluoroacetates were studied as precursors for Cu MOCVD. Details are reported on CVD results obtained with Tris(tri-n-butylphosphane)copper(I)trifluoroacetate, (<sup>n</s

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Waechtler, Thomas, Bernd Gruska, Sven Zimmermann, Stefan E. Schulz, and Thomas Gessner. "Optical Properties of Sputtered Tantalum Nitride Films Determined by Spectroscopic Ellipsometry." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2006. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200600325.

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Abstract:

Tantalum and tantalum nitride thin films are routinely applied as diffusion barriers in state-of-the-art metallization systems of microelectronic devices. In this work, such films were prepared by reactive magnetron sputtering on silicon and oxidized silicon substrates and studied by spectroscopic ellipsometry in the spectral range from 190 nm to 2.55 μm. The complex refractive index for thick films (75 to 380 nm) was modeled using a Lorentz-Drude approach. These models were applied to film stacks of 20 nm TaN / 20 nm Ta on unoxidized an

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Kabir, Humaun Md. "Beeinflussung und Charakterisierung von Schichteigenschaften metallisierter Textilien." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2004. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1107163601832-76149.

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Abstract:

Mit dünnen Schichten, die mittels der PVD-Dünnschichttechnik auf Textilien aufgebracht werden, wird eine neue Möglichkeit zur Veredlung von Textilien eröffnet. Die Plasmabehandlung bewirkt eine Veränderung der Substratoberfläche in zwei Richtungen. Einerseits werden die Oberflächenspannung und die Adhäsion beeinflusst und andererseits kommt es zum Aufrauhen der Oberfläche. Die Zunahme der Oberflächenrauheit, hat drei Auswirkungen. Erstens bietet die größere Fläche mehrere molekulare Aufstellungsorte für die Wechselwirkung zwischen dem Adhärens und dem Adhäsiv an. Zweitens wird das mechanische

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Klima, Simona [Verfasser], Wolfgang H. [Akademischer Betreuer] Müller, and Jürgen [Akademischer Betreuer] Villain. "Bildung und Eigenschaften von intermetallischen Phasen in binären SnZn- und ternären SnZnAl-Lotlegierungen auf Cu/Ni/Au- und Cu/Sn-Metallisierungen unter Berücksichtigung des Lotvolumens / Simona Klima. Gutachter: Wolfgang H. Müller ; Jürgen Villain. Betreuer: Wolfgang H. Müller ; Jürgen Villain." Berlin : Technische Universität Berlin, 2014. http://d-nb.info/106616360X/34.

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Kötter, Thomas. "Gefügeeinfluß auf das Elektromigrationsverhalten von Kupferleitbahnen für höchstintegrierte Schaltungen." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2002. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1033475450500-73035.

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Abstract:

The increasing clock speed and the further reduction of the feature size in integrated circuits lead to increasing demands on the interconnecting material. Thus an increasing need for a metallization with low electrical resistance and high electromigration endurance exist. Copper can be count as a material with these properties. Since 1998 Copper interconnections are commercially manufactured for integrated circuits. Electromigration is the most lifetime limiting factor in modern integrated circuits. The main the electromigration behavior influencing parameter and especially the influence of t

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Efimova, Varvara. "Study in analytical glow discharge spectrometry and its application in materials science." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2011. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-75317.

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Abstract:

Glow Discharge Optical Emission Spectrometry (GD OES) has proved to be a versatile analytical technique for the direct analysis of solid samples. The application of a pulsed power supply to the glow discharge (GD) has a number of advantages in comparison with a continuous one and thereby broadens the analytical potential of the GD. However, because the pulsed GD (PGD) is a relatively new operation mode, the pulsing and plasma parameters as well as their influence on the analytical performance of the GD are not yet comprehensively studied. The aim of this dissertation consists in the investigat

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Baumann, Jens. "Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen." Aachen Shaker, 2004. http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2004/0072.

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Waechtler, Thomas, Steffen Oswald, Nina Roth, Heinrich Lang, Stefan E. Schulz, and Thomas Gessner. "ALD of Copper and Copper Oxide Thin Films For Applications in Metallization Systems of ULSI Devices." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200800914.

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Abstract:

<p> As a possible alternative for growing seed layers required for electrochemical Cu deposition of metallization systems in ULSI circuits, the atomic layer deposition (ALD) of Cu is under consideration. To avoid drawbacks related to plasma-enhanced ALD (PEALD), thermal growth of Cu has been proposed by two-step processes forming copper oxide films by ALD which are subsequently reduced. </p> <p> This talk, given at the 8th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2008), held in Bruges, Belgium from 29 June to 2 July 2008, summarizes the results of thermal ALD experi

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Waechtler, Thomas, Steffen Oswald, Nina Roth, et al. "Copper Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition from Bis(tri-n-butylphosphane)copper(I)acetylacetonate on Ta, TaN, Ru, and SiO2." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2009. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200900734.

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Abstract:

The thermal atomic layer deposition (ALD) of copper oxide films from the non-fluorinated yet liquid precursor bis(tri-n-butylphosphane)copper(I)acetylacetonate, [(<sup>n</sup>Bu<sub>3</sub>P)<sub>2</sub>Cu(acac)], and wet O<sub>2</sub> on Ta, TaN, Ru and SiO<sub>2</sub> substrates at temperatures of < 160°C is reported. Typical temperature-independent growth was observed at least up to 125°C with a growth-per-cycle of ~ 0.1 Å for the metallic substrates and an ALD window extending down to 100°C for Ru. On SiO<sub>2</sub> and TaN the ALD window was observed between 110 and

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Urban, Tobias. "Untersuchungen zur Degradation der Metallisierung von PERC-Solarzellen." 2019. https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A71603.

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Abstract:

Für derzeitige, industriell hergestellte Solarmodule werden Leistungsgarantien von 20 bis 25 Jahren gegeben. Das hat hohen Ansprüchen bezüglich ihrer Zuverlässigkeit, welche sich über ihre Effizienzabnahme pro Jahr definiert, zur Folge. Die Einführung neuer Technologien, wie z.B. die der PERC- (passivated emitter and rear cell) als Ersatz für die bislang dominierende BSF-Technologie (back surface field) hat eine umfangreiche Änderung der Metallisierung der Solarzellen nach sich gezogen, wodurch neue Degradationseffekte auftreten können. In der vorliegenden Arbeit werden die einzelnen Komponent

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