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Dissertations / Theses on the topic 'Modèle bipolaire'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024
Last updated: 31 July 2025

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1

Berger, Dominique. "Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12827.

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Abstract:
Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé Lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisations. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix de l'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelé
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Benchaib, Khadidja. "Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance." Toulouse, INPT, 1991. http://www.theses.fr/1991INPT007H.

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Abstract:
Ce memoire traite de la modelisation des transistors bipolaires silicium en regime statique et en regime dynamique. Un nouveau modele unidimensionnel et a constante localisee de type compact est propose pour simuler le fonctionnement en commutation des transistors bipolaires de puissance. Ce modele est a la fois simple et facile a mettre en uvre par un concepteur de circuit. Son utilisation est tres avantageuse, car il ne fait intervenir que peu de parametres qui peuvent, avec des moyens informtiques legers, facilement etre identifies a partir des feuilles de specification des fabricants de co
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3

Labalestra, Mélanie. "Les troubles formels de la pensée et de la mémoire sémantique : modèle de vulnérabilité au trouble bipolaire." Thesis, Reims, 2018. http://www.theses.fr/2018REIML012/document.

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Abstract:
La désorganisation du discours est couramment observée en phase maniaque du trouble bipolaire. Elle peut se manifester par un langage incompréhensible, des idées décousues ou illogiques. Les premières études qui ont exploré les processus cognitifs sous-tendant ces perturbations du langage et du cours de la pensée dans le trouble bipolaire semblent en faveur de perturbations sémantiques. Pour déterminer la nature de ces perturbations, nous avons réalisé plusieurs études portant sur deux processus spécifiques : la propagation automatique de l’activation sémantique et l’inhibition sémantique. Pou
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4

Kahn, Mathias. "Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et catactérisation." Paris 11, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792.

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Abstract:
L'essor des telecommunications a l'echelle mondiale qu'a connu la fin du xxeme siecle a ete rendu possible par l'existence de reseaux a base de fibres optiques, capables de transmettre des flux de donnees importants sur de longues distances. La gestion de ces importants flux d'information en amont et en aval de la fibre requiert des circuits electroniques numeriques et analogiques traitant des debits de donnees superieurs a 40gb/s, ce qui implique l'utilisation de composants tres rapides, avec des frequences de transition au-dela de 150ghz. Grace aux remarquables proprietes de la famille de ma
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5

Gillet, Pierre. "Modèle "distribué" de transistor bipolaire pour la C. A. O. Des circuits en électronique de puissance." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT003H.

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Abstract:
Ce memoire est consacre a la prise en compte de la nature distribuee de la dynamique des charges, dans la modelisation du transistor bipolaire de puissance destine a la conception assistee par ordinateur des circuits. Pour cela, nous proposons une methode de resolution analogique de l'equation de diffusion ambipolaire dans la zone de stockage de charge, basee sur une representation spectrale de la repartition des porteurs. Cette methode nous conduit a traiter un systeme de n equations differentielles du premier ordre, qui peut etre traduit sous forme de circuit electrique equivalent du type li
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6

Medjnoun, Madjid. "Modélisation du transistor bipolaire à heterojonction pour le régime transitoire grand signal." Paris 6, 2000. http://www.theses.fr/2000PA066532.

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7

Nodjiadjim, Virginie. "Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10028/document.

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Abstract:
Cette thèse présente l'optimisation des performances du transistor bipolaire à double hétérojonction (TBDH) InP/InGaAs aux dimensions submicroniques. Tout d'abord nous présenterons le développement d'un modèle analytique tenant compte des spécificités du dessin et de la technologie de ce composant. Ce modèle, qui sera confronté aux résultats de mesures de paramètre S, servira à déterminer les dimensions optimales permettant d'atteindre des fréquences de coupure élevées et de mettre en évidence les principaux axes d'optimisation des performances. Puis nous étudierons plusieurs structures de cou
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8

Amimi, Adel. "Modèle électro-thermique unidimensionnel du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) pour la simulation de circuits de puissance." Rouen, 1997. http://www.theses.fr/1997ROUES033.

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Abstract:
Dans le domaine de l'électronique de puissance, où l'environnement et le mode de fonctionnement du composant jouent un rôle primordial, nous constatons que les aspects thermiques doivent être évalués de la même manière que les aspects strictement électriques. Cela suppose entre autres que la température interne des composants doit pouvoir évoluer comme toutes les grandeurs électriques. Dans ce contexte, nous avons développé un modèle analytique du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) prenant en compte les interactions électro-thermiques dans le composant, en associant au modèle électriq
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Pérez, Marie Anne. "Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction : application à la conception non linéaire d'amplificateurs de puissance optimisés en température." Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0029.

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Abstract:
Ce travail constitue une nouvelle approche sur la modelisation de transistors bipolaires a heterojonction et son utilisation pour la conception non lineaire d'amplificateurs de puissance a haut rendement. Un recapitulatif de la technique de modelisation de tbh developpee a l'ircom est expose. La nouvelle approche concerne la distribution thermique du modele et sa validation en petit signal. Cette distribution thermique nous a permis d'etudier le phenomene de crunch present dans les tbh multidoigts. Nous avons pu simuler les consequences du crunch en comportement statique et dynamique. Ce model
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10

Lopez, David. "Intégration dans un environnement de simulation circuit d'un modèle électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction issu de simulations thermiques tridimensionnelles." Limoges, 2002. http://www.theses.fr/2002LIMO0007.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'intégration d'un modèle thermique de TBH issu de simulations thermiques 3D dans un environnement de simulation circuit. Après avoir mis en évidence dans le premier chapitre les effets thermiques dans les composants micro-ondes, nous avons présenté dans le second chapitre le potentiel de prédiction des échauffements d'une analyse thermique 3D. Ensuite nous avons présenté la mise en place d'une méthode de réduction de modèle par la technique des vecteurs de Ritz à partir de ces simulations. Le troisième chapitre décrit la modélisation non-linéaire é
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Nodjiadjim, Virginie. "Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10028.

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Abstract:
Cette thèse présente l'optimisation des performances du transistor bipolaire à double hétérojonction (TBDH) InP/InGaAs aux dimensions submicroniques. Tout d'abord nous présenterons le développement d'un modèle analytique tenant compte des spécificités du dessin et de la technologie de ce composant. Ce modèle, qui sera confronté aux résultats de mesures de paramètre S, servira à déterminer les dimensions optimales permettant d'atteindre des fréquences de coupure élevées et de mettre en évidence les principaux axes d'optimisation des performances. Puis nous étudierons plusieurs structures de cou
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Boufayed, Fakher. "Simulation du transport électrique dans un polyéthylène pour câble d'énergie par un modèle de conduction bipolaire avec distribution exponentielle de pièges." Toulouse 3, 2006. http://www.theses.fr/2006TOU30004.

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Abstract:
Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre d'un projet Européen, HVDC, visant à évaluer les avantages environnementaux, économiques et opérationnels de développer les transmissions THT sous contrainte continue. La contribution de la thèse à ce projet porte sur l'élaboration d'un modèle de conduction bipolaire dissymétrique destiné à rendre compte de l'évolution spatiale et temporelle de la charge d'espace engendrée par l'injection de particules chargées dans le LDPE et le XLPE soumis à une contrainte continue. Une distribution exponentielle et un niveau maximal de profondeur de pièges sont ad
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Pelouard, Jean-Luc. "Le transistor bipolaire à hétérojonction InGaAs : étude Monte-Carlo des phénomènes de transport non-stationnaires et réalisation technologique." Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112440.

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Abstract:
Les phénomènes de transport non-stationnaires sont importants dans les Transistors Bi à Hétérojonctions abruptes. Des simulations à l'aide d'an modèle particulaire de Monte-Carlo nous ont permis d'établir l'existence d'un courant thermoïnique à travers l'hétérojonction émetteur-base et de deux populations électroniques dans la base: une quasi-balistique et l’autre «relaxée en. Vitesse». Le «Spike» de l’hétérojonction abrupte base-collecteur opère une collection sélective des électrons ayant une vitesse orthogonale suffisante pour franchir cette barrière. A partir d'empilements GaAlInAs/GaInAs/
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Sommet, Raphaël. "Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondes." Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0039.

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Abstract:
Le travail presente dans ce memoire concerne le couplage entre un simulateur physique de transistor bipolaire a heterojonction hetsi et un simulateur de circuit en equilibrage harmonique lisa. Ce memoire est divise en trois parties: la premiere est essentiellement axee sur la physique des composants. Elle etablit les equations generales du transport des porteurs dans les semi-conducteurs et suivant les hypotheses choisies, les equations de derive diffusion et de transport d'energie sont donnees. Compte tenu des imperatifs d'un couplage de ces equations a un simulateur de circuits, une discreti
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Gambetta, Nicolas. "Évolution du modèle du transistor bipolaire et des techniques d'extraction de paramètres, pour la simulation de circuits intègres logiques et analogiques hautes fréquences." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0033.

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Abstract:
Avec la reduction des dimensions des dispositifs, la modelisation a pris de plus en plus d'importance dans le developpement des circuits integres. Cette reduction a fait surgir au premier plan des phenomenes physiques consideres jusqu'alors comme du second ordre. L'objectif de ce memoire est double : d'une part, faire le point sur les modeles pour transistors bipolaires existant et d'autre part, proposer des solutions permettant la prise en compte des nouveaux effets evoques precedemment. Apres avoir situe le travail dans son contexte, nous avons, dans le chapitre ii, poser les bases de la phy
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Muller, Muriel. "Le phototransistor bipolaire InP/InGaAs comme mélangeur optique/électrique pour conversion vers la bande millimétrique dans le réseau d'accès radio sur fibre." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066445.

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Ehrminger, Mickael. "Modélisation et quantification des déterminants de l’outcome dans les troubles mentaux sévères et persistants." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPASR007.

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Abstract:
Les troubles bipolaires et la schizophrénie comptent parmi les troubles mentaux les plus sévères en termes de répercussions sur la vie quotidienne. L’approche adoptée pour la prise en charge des patients souffrant de ces troubles s’est récemment étendue d’une approche principalement médicale fondée sur la rémission des symptômes vers une approche plus intégrative visant la remédiation d’autres variables, telles que la qualité de vie et le fonctionnement psychosocial.Une collaboration entre les Ministères de la Santé et de la Recherche et la Fondation Fondamental a permis la création de cohorte
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Dia, Hussein. "Contribution à la modélisation électrothermique : Elaboration d'un modèle électrique thermosensible des composants MOS de puissance." Thesis, Toulouse, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAT0006/document.

Full text
Abstract:
Une forte exigence de robustesse s’est imposée dans tous les domaines d’application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garantir une maîtrise de la fiabilité des fonctions assurées par les nouveaux composants de puissance. Cependant, ces phénomènes impliquent des couplages entre des effets électriques, thermiques et mécaniques, rendant leur étude très complexe. Le recours à la modélisation multi-physique bien adaptée s’avère alors déterminant. Dans ce mémoire de thèse, nous prop
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Dia, Hussein. "Contribution à la modélisation électrothermique: Elaboration d'un modèle électrique thermosensible du transistor MOSFET de puissance." Phd thesis, INSA de Toulouse, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00624193.

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Abstract:
Une forte exigence de robustesse s'est imposée dans tous les domaines d'application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garantir une maîtrise de la fiabilité des fonctions assurées par les nouveaux composants de puissance. Cependant, ces phénomènes impliquent des couplages entre des effets électriques, thermiques et mécaniques, rendant leur étude très complexe. Le recours à la modélisation multi-physique bien adaptée s'avère alors déterminant. Dans ce mémoire de thèse, nous prop
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Raya, Christian. "Modélisation et optimisation de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC ultra rapides pour applications millimétriques." Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13602.

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Abstract:
Grâce à une amélioration récente des performances des technologies silicium, les transistors bipolaires SiGeC (Silicium Germanium Carbone) concurrencent désormais avec succès les composants III-V pour les applications millimétriques (60GHz/80GHz). Cependant, pour remporter ce marché, la fréquence de fonctionnement des circuits doit être proche de la fréquence de coupure des composants. Les transistors sont ainsi utilisés dans des régimes de fonctionnement fortement non-linéaires et la modélisation des phénomènes de forte injection est alors indispensable. En premier lieu, une description simpl
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Ren, Zheng. "Contribution au développement du transistor bipolaire à fort gain et d'un interrupteur bidirectionnel à quatre quadrants." Thesis, Tours, 2018. http://www.theses.fr/2018TOUR4031/document.

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Abstract:
Afin de répondre aux besoins en management efficace de l’énergie électrique dans les bâtiments intelligents, le laboratoire GREMAN a proposé une nouvelle topologie d’interrupteur bidirectionnel de 600 V nommé TBBS. Les études antérieures ont validé la bidirectionnalité en courant et en tension de cette nouvelle topologie. Les travaux de recherche menées dans cette thèse avaient pour l’objectif d’approfondir, de compléter nos connaissances sur ce nouvel interrupteur bidirectionnel ainsi que sur le transistor bipolaire à fort gain. Le premier chapitre introduit le fonctionnement principal du TBB
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Schab, Frédéric. "Étude comparative des procédés d'électrodialyse et d'électrodéionisation : application à la fabrication d'acide lactique." Thesis, Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 2007. http://www.theses.fr/2007INPL035N/document.

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Abstract:
Le présent travail porte sur l’étude comparative des procédés d’électrodialyse et d’électrodéionisation. Les possibilités d’application des procédés électro-membranaires à la production d’acide lactique par voie fermentaire sont investiguées. Deux axes de recherche sont choisis : le premier consiste à extraire de manière continue le lactate de sodium hors du milieu de fermentation. Pour cela, un empilement d’électrodialyse ne comportant que des membranes anioniques est couplé au fermenteur : environ 95 % des ions lactate sont extraits lors de l’opération. Par comparaison avec une fermentation
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Bhattacharyya, Arkaprava. "Non quasi-static effects investigation for compact bipolar transistor modeling." Thesis, Bordeaux 1, 2011. http://www.theses.fr/2011BOR14294/document.

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Abstract:
Les transistors rapides actuels présentent un retard lorsqu’ils fonctionnent à très hautes fréquences ou en régime transitoire rapide. Cet effet est appelé effet non quasi-statique (NQS). Dans cette thèse, l’effet NQS est analysé de manière concise de façon à être directement implanté dans les modèles de composant pour les bibliothèques de circuit en utilisant le langage standard VerilogA. Les mécanismes physiques à la base de l’effet NQS sont évalués dans le domaine de fonctionnement petit signal et les résultats sont comparés aux travaux déjà publiés. S’agissant du modèle standard bipolaire
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Lijadi, Melania. "Transistors bipolaires à hétérojonction : développement d'une filière InP/GaAsSb pour applications ultra-rapides." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010627.

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Abstract:
Cette thèse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)de la filière InP ayant une base en GaAsSb. Une méthode de mesure précise des offsets des<br />hétérojonctions de type II par électroluminescence, associée aux mesures électriques a permis de clarifier les conditions du transport électronique dans le système InP/GaAsSb et d'initier l'utilisation d'un émetteur en InGaAlAs. Deux briques technologiques spécifiques ont été développées : la gravure chimique sélective de InGaAlAs par rapport à GaAsSb et la réalisation de contacts ohmiques très faiblement rés
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Lembeye, Yves. "Métrologie de la commutation de puissance rapide : contribution à la caractérisation et à la recherche d'un modèle d'IGBT." Phd thesis, Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0010.

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Abstract:
Aujourd'hui l'outil le plus utilisé par les spécialistes d'électronique de puissance est l'oscilloscope numérique. Tant que ces appareils sont utilisés pour vérifier le fonctionnement de circuits, leur précision est, généralement, suffisante. En revanche lorsqu'ils sont utilisés pour caractériser des interrupteurs de puissance, la précision nécessaire ne peut pas être atteinte directement. Les modes opératoires doivent être optimisés et les mesures doivent être corrigées pour obtenir une précision satisfaisante. La mise en place de ces corrections demande du temps et nécessite, souvent, l'util
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Stein, Félix. "SPICE Modeling of TeraHertz Heterojunction bipolar transistors." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0281/document.

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Abstract:
Les études qui seront présentées dans le cadre de cette thèse portent sur le développement et l’optimisation des techniques pour la modélisation compacte des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH). Ce type de modélisation est à la base du développement des bibliothèques de composants qu’utilisent les concepteurs lors de la phase de simulation des circuits intégrés. Le but d’une technologie BiCMOS est de pouvoir combiner deux procédés technologiques différents sur une seule et même puce. En plus de limiter le nombre de composants externes, cela permet également une meilleure gestion de l
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Martin, Hugo. "Optimisation multi-objectifs et élicitation de préférences fondées sur des modèles décisionnels dépendants du rang et des points de référence." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2022. http://www.theses.fr/2022SORUS101.

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Abstract:
Cette thèse se situe dans le cadre de la théorie de la décision algorithmique, domaine de recherche à l'intersection de la théorie de la décision, de l'intelligence artificielle et de la recherche opérationnelle. Nous nous intéressons à la prise en compte de comportements sophistiqués dans des environnements complexes (décision multicritère, décision collective, décision dans le risque et l'incertain). Nous proposons d'abord des méthodes d'optimisation multi-objectifs sur domaine implicite lorsque les préférences sont représentées par des modèles dépendants du rang (intégrale de Choquet, bipol
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Ardouin, Bertrand. "Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe." Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12465.

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Abstract:
Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte (ou électrique) de ces composants. En effet, le gain en performance qu'autorisent ces technologies avancées a accru les possibilités et le champ des applications, mais a dans le même temps rendu critiques les contraintes liées à leur modélisation précise. Ce mémoire développe les points clefs liés à la modélisation des TBH SiGe. En premier lieu, le gain en performance apporté par les TBH
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Frégonèse, Sébastien. "Contribution à la modélisation électrique sous l'aspect du dimensionnement des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe." Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12999.

Full text
Abstract:
Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte de ces composants. Pour répondre à ces contraintes de nouveaux modèles complexes sont apparus (MEXTRAM et HICUM L2). La complexité de ces modèles a limité leur exploitation à cause de la difficulté d'extraction et de leur vitesse de convergence. Pour contourner ces problèmes, une hiérarchie de modèle a été créée avec le modèle HICUM L0, qui améliore fortement la précision comparée au modè
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MAUREL, THIERRY. "Modele electrothermique unidimensionnel du transistor bipolaire de puissance pour la simulation de circuits." Paris 11, 1995. http://www.theses.fr/1995PA112476.

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Abstract:
Nous avons developpe un modele electrothermique unidimensionnel du transistor bipolaire de puissance dans le simulateur de circuits saber. Au niveau electrique, la dynamique de la charge stockee dans le collecteur, preponderante pour ce type de composant, est prise en compte de facon non quasi-statique comme une variable d'etat du modele pour developper les solutions correspondant au mode statique et aux differents transitoires d'ouverture et de fermeture du transistor. Le modele thermique prend en compte les echanges de chaleur entre la puce de silicium et son environnement. Deux versions du
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Labniouri, Charaf. "Simulation numérique uni et bidimensionnelle de composants bipolaires." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20116.

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Abstract:
Dans la premiere partie de cette these, nous avons expose une methode simple et rapide de modelisation des composants bipolaires, basee sur la resolution unidimensionnelle des equations de transport. Le modele a ete tout d'abord applique a une photodiode realisee et caracterisee au laboratoire, puis a un transistor bipolaire. Les caracteristiques electriques sont tres realistes compte tenu de la simplicite du modele. La seconde partie est consacree a la mise en uvre d'un simulateur de composants bipolaires: bip-2d, base sur la resolution bidimensionnelle des equations de transport. Des resulta
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Trémouilles, David. "Optimisation et modélisation de protections intégrées contre les décharges électrostatiques, par l'analyse de la physique mise en jeu." Toulouse, INSA, 2004. http://www.theses.fr/2004ISAT0016.

Full text
Abstract:
Les travaux présentés dans ce mémoire visent à améliorer la méthodologie de conception et les performances des stratégies de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dans les circuits intégrés. Pour cela, l'approche choisie est basée sur une analyse approfondie de la physique des composants soumis aux ESD et plus particulièrement, les effets des très fortes densités de courant. L'étude, focalisée sur les transistors bipolaires autopolarisés, s'appuie sur la simulation physique 2D et l'utilisation des outils de localisation de défaillance basés sur les techniques de stimulation la
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Debrie, Jean-Luc. "Modèle "distribué" de transistor IGBT pour simulation de circuits en électronique de puissance." Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0046.

Full text
Abstract:
L'equation de diffusion ambipolaire, qui decrit la dynamique distribuee des charges dans les bases des composants bipolaires, peut etre resolue par le biais d'une analogie electrique. La these presente les fondements theoriques et la pratique de la nouvelle approche de modelisation ainsi permise, dans le cas representatif des transistors bipolaires a commande isolee (igbt). Les divers types d'igbt, a base homogene ou a couche tampon, sont pris en consideration. Le modele est valide d'un point de vue physique, les parametres de simulation etant extraits des donnees de structure et de technologi
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Waldhoff, Nicolas. "Caractérisations et modélisations des technologies CMOS et BiCMOS de dernières générations jusque 220 GHz." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10132/document.

Full text
Abstract:
Le contexte de ce travail de thèse s’inscrit dans les récents progrès des performances en gamme millimétrique des composants silicium tels que les MOSFET et les HBT SiGe. La situation actuelle en termes de circuits à base de silicium est limitée en fréquence autour de 60 GHz, seuls quelques résultats au-delà de 100 GHz ont d’ores et déjà été publiés. Dans ce contexte, il est maintenant nécessaire de savoir si les nouvelles et futures générations de transistors silicium peuvent adresser des fréquences encore plus élevées (jusque 220 GHz). Ces applications pourraient être des blocs d’émission ré
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Ammous, Anis. "Modélisation électrothermique de l'I. G. B. T. (Transistor bipolaire à grille isolée) : application à la simulation du court-circuit." Lyon, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAL0075.

Full text
Abstract:
Un composant de puissance en pleine expansion de nos jours est l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). L'une des caractéristiques de ce composant, qui le rend attractif pour les utilisateurs, est sa tenue aux courts-circuits. Le travail proposé a été d'étudier la faisabilité de la modélisation et de la simulation des phases de destruction de l'IGBT. Ce travail a permis d'estimer, par la simulation, les risques de défaillance d'un composant soumis à des sollicitations sévères et accidentelles dans un système électrique. L'étude des modes de destruction a commencé par des observations expéri
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Mnif, Hassène. "Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12786.

Full text
Abstract:
La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une él
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Ang, Oon Sim. "Modeling of double heterojunction bipolar transistors." Thesis, University of British Columbia, 1990. http://hdl.handle.net/2429/29458.

Full text
Abstract:
A one-dimensional analytical model in the Ebers-Moll formulation of a graded base double heterojunction bipolar transistor (DHBT) is developed and used to examine the effects of base grading, the emitter-base barrier and the base-collector barrier on the d.c. current gain, offset voltage and the high frequency performance of a N — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/p — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/N — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As DHBTs. Recombination processes considered in the space charge regions and the neutral regions are: Shockley-Read-Hall, radiative and
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Malherbe, Victor. "Multi-scale modeling of radiation effects for emerging space electronics : from transistors to chips in orbit." Thesis, Aix-Marseille, 2018. http://www.theses.fr/2018AIXM0753/document.

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Abstract:
En raison de leur impact sur la fiabilité des systèmes, les effets du rayonnement cosmique sur l’électronique ont été étudiés dès le début de l’exploration spatiale. Néanmoins, de récentes évolutions industrielles bouleversent les pratiques dans le domaine, les technologies standard devenant de plus en plus attrayantes pour réaliser des circuits durcis aux radiations. Du fait de leurs fréquences élevées, des nouvelles architectures de transistor et des temps de durcissement réduits, les puces fabriquées suivant les derniers procédés CMOS posent de nombreux défis. Ce travail s’attelle donc à la
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Benoit, Patrice. "Influence de paramètres technologiques sur le bruit basse fréquence des transistors bipolaires à hétérojonction Si[slash]SiGe[deux points]C." Montpellier 2, 2005. http://www.theses.fr/2005MON20211.

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Balster, Jörg Henning. "Membrane module and process development for monopolar and bipolar membrane electrodialysis." Enschede : University of Twente [Host], 2006. http://doc.utwente.nl/57595.

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Delaney, Larry Duane. "A computer program for the extraction of bipolar transistor spice models /." Online version of thesis, 1992. http://hdl.handle.net/1850/11451.

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El, Moudden Abdelhadi. "Modélisation de l'amplificateur classe C et généralisation à la multiplication de deux signaux et au changement de fréquence en technologies unipolaire et bipolaire." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT065H.

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Abstract:
Nous proposons une mise en uvre de l'approche en deux morceaux dans l'etude de l'amplificateur classe c en technologies unipolaire et bipolaire. Cette approche presente l'interet d'une grande simplicite, puisque l'on considere le composant comme ideal, et il lui correspond une solution analytique relativement simple. Pour notre part, nous allons utiliser differentes methodes d'approche, l'une par morceaux et qui est une generalisation de la commutation, l'autre exacte qui tiendra compte du phenomene non lineaire du composant. C'est la mise en application de cette demarche qui a ete respectee d
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Dubois, Emmanuel. "Simulation bidimensionnelle de dispositif silicium : contribution à l'étude de phénomènes parasites en technologies MOS et bipolaire." Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10028.

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Abstract:
La simulation de dispositif électrique constitue un moyen efficace d'analyse des phénomènes de transport dans les composants semiconducteurs. Elle est, à ce titre, largement utilisée en tant qu'outil d'optimisation et d'aide au développement de technologies silicium. Cette thèse propose une contribution à la compréhension de problèmes électriques critiques rencontrés dans des dispositifs fortement influencés par les effets bidimensionnels. Concernant les technologies mos, l'efficacité d'isolation de structures de type locos est etudiée par le biais d'une approche semi-analytique déduite de sim
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Filsecker, Felipe. "Characterization and evaluation of a 6.5-kV silicon carbide bipolar diode module." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2017. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-217848.

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Abstract:
This work presents a 6.5-kV 1-kA SiC bipolar diode module for megawatt-range medium voltage converters. The study comprises a review of SiC devices and bipolar diodes, a description of the die and module technology, device characterization and modelling and benchmark of the device at converter level. The effects of current change rate, temperature variation, and different insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules for the switching cell, as well as parasitic oscillations are discussed. A comparison of the results with a commercial Si diode (6.5 kV and 1.2 kA) is included. The benchmark c
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Goi, Pedro Domingues. "Evidências clinicas para o modelo de neuroprogressão no transtorno bipolar." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2014. http://hdl.handle.net/10183/106844.

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Abstract:
O Transtorno Bipolar (TB) é uma patologia prevalente, grave, crônica, e que apresenta um curso longitudinal muito pior que se imaginava décadas atrás. Além da alternância entre períodos de depressão, mania e eutimia, a recorrência e a progressão do TB conferem gravidade e frequência crescentes aos episódios. A neuroprogressão foi um termo cunhado para definir a aceleração do processo de doença e seus fatores subjacentes, como alterações de biomarcadores periféricos, funções cognitivas, neuroimagem e funcionalidade, que emergem em graus variáveis dependendo da fase de evolução. Todas estas evid
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Kahn, Mathias. "Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792.

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Abstract:
L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MA
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Abrial, Erika. "Implication de la protéine kinase C dans les troubles bipolaires : vers de nouvelles cibles thérapeutiques." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00832777.

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Abstract:
Le trouble bipolaire est une maladie invalidante caractérisée par une alternance d'épisodes maniaques et dépressifs. Malgré des efforts de recherche notables, la physiopathologie et les mécanismes d'action des traitements du trouble bipolaire demeurent peu connus. La protéine kinase C (PKC) est récemment apparue comme une cible moléculaire potentielle pour le traitement du trouble bipolaire. Dans ce travail de thèse, nous avons cherché à étudier le rôle de la PKC dans les phases maniaque et dépressive du trouble bipolaire. Nous avons montré que l'inhibition de la PKC a un effet antimaniaque no
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Frey, Benício Noronha. "Desenvolvimento de um modelo animal de mania : correlação com marcadores bioquímicos." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2006. http://hdl.handle.net/10183/8169.

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Abstract:
Embora há muito tempo se considere que alterações neurobiológicas tenham um papel central no transtorno bipolar (TB), os mecanismos moleculares ligados à sua fisiopatologia permanecem desconhecidos. A hipótese atual sugere que alterações nos circuitos cerebrais associados à regulação do humor e alterações em sistemas de sinalização intracelular associados à plasticidade e sobrevivência neuronal estão envolvidas no TB. Modelos animais são ferramentas úteis que nos permitam testar estas hipóteses e a resposta aos agentes farmacológicos. Um dos mais bem estabelecidos modelos animais de mania é o
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Souza, Greicy Coelho de. "Estudo dos efeitos do carvedilol em um modelo animal de mania em ratos." reponame:Repositório Institucional da UFC, 2013. http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/7915.

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Abstract:
SOUZA, Greicy Coelho de. Estudo dos efeitos do carvedilol em um modelo animal de mania em ratos. 79 f. Dissertação (Mestrado em Farmacologia) - Universidade Federal do Ceará. Faculdade de Medicina, Fortaleza, 2013.<br>Submitted by denise santos (denise.santos@ufc.br) on 2014-04-09T12:26:56Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_gcsouza.pdf: 838295 bytes, checksum: 196f112b0c07b10b688e99fb93c04931 (MD5)<br>Approved for entry into archive by denise santos(denise.santos@ufc.br) on 2014-04-09T12:27:48Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_dis_gcsouza.pdf: 838295 bytes, checksum: 196f112b0c07b10b688e99fb93c0493
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Robilliart, Etienne. "Développement de modèles non-quasi-statiques MOS et bipolaires : application à l'analyse des effets de propagation de charges." Lille 1, 1996. http://www.theses.fr/1996LIL10161.

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Abstract:
En raison de l'utilisation courante d'architectures particulièrement sensibles aux phénomènes de partage de charges, l'approche quasi-statique traditionnelle de modélisation ne suffit plus car elle conduit à des erreurs non-négligeables en simulation de circuits. Quand la complexité du circuit étudie est très faible, une simulation mixte des dispositifs et de leur environnement peut être entreprise. Ce type de simulation prend intrinsèquement en compte les phénomènes non-quasi-statiques. Pour cette raison, la première partie de cette thèse présente le développement d'un simulateur mixte 2d de
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