Academic literature on the topic 'Nanodracht'

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Journal articles on the topic "Nanodracht"

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Groß, Michael. "Nervenzellen mit Nanodraht verkabelt." Chemie in unserer Zeit 40, no. 5 (2006): 290. http://dx.doi.org/10.1002/ciuz.200690062.

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"Nanodraht-Laser." Physik in unserer Zeit 47, no. 3 (2016): 114. http://dx.doi.org/10.1002/piuz.201690045.

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Dissertations / Theses on the topic "Nanodracht"

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Popov, Igor. "Molybdenum chalcohalide nanowires as building blocks of nanodevices." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2009. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1234798349637-28034.

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Abstract:
Molybdenum chalcohalide nanowires are systems, which structural, electronic and optical properties have been analyzed in detail. However, their potential as building blocks for electronic devices has not been investigated so far. This question is raised in Dissertation, focusing on unique electronic transport properties of these systems, and comparing them with those of the popular carbon nanotubes.
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Popov, Igor. "Molybdenum chalcohalide nanowires as building blocks of nanodevices." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2008. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A23683.

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Abstract:
Molybdenum chalcohalide nanowires are systems, which structural, electronic and optical properties have been analyzed in detail. However, their potential as building blocks for electronic devices has not been investigated so far. This question is raised in Dissertation, focusing on unique electronic transport properties of these systems, and comparing them with those of the popular carbon nanotubes.
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Eckert, Hagen. "Multiskalensimulation des Ladungstransports in Silizium-Nanodraht-Transistoren." Master's thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2012. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-98748.

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Abstract:
Durch Multiskalensimulationen wird der Ladungstransport in nanodrahtbasierten Schottky-Barrieren-Feldeffekt-Transistoren im Materialsystem Ni2Si/Si untersucht. Die Bedingungen an die Genauigkeit der verwendeten Eingangsparameter werden bestimmt und Vorhersagen über optimale Material- und Geräteparameter werden getroffen. Es wird die Frage beantwortet, ob die Bestimmung von physikalischen Parametern aus einzelnen gemessenen Strom-Spannungs-Kennlinie möglich ist. Der Feldeffekt wird durch Berechnungen auf Basis der Finiten-Elemente-Methode und die resultierenden Stromflüsse durch ein quantenmech
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Wessely, Frank. "CMOS ohne Dotierstoffe: Neuartige siliziumbasierte Nanodraht-Feldeffekt-Bauelemente." Phd thesis, Darmstädter Dissertationen, 2011. https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/2661/1/Dissertation_final_tuprints.pdf.

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Abstract:
Seit Beginn der Ära mikroelektronischer Schaltungen auf Siliziumbasis Ende der 1960er Jahre wurde bis dato durch geometrische Skalierung der Bauelement-Geometrie die Performanz von MOSFETs stetig verbessert. Das allmähliche Erreichen der nanoskaligen Grenzen dieses Skalierungsansatzes macht es notwendig nach alternativen, die Effizienz steigernden Ansätzen, oder gar alternativen Bauelementen zu forschen, die in Zukunft einen Ersatz für die konventionelle MOSFET Technologie darstellen könnten. Konventionelle integrierte Schaltungen in CMOS Technik werden mit vordefinierten Transistoren - nämlic
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Heinzig, André. "Entwicklung und Herstellung rekonfigurierbarer Nanodraht-Transistoren und Schaltungen." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-202082.

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Abstract:
Die enorme Steigerung der Leistungsfähigkeit integrierter Schaltkreise wird seit über 50 Jahren im Wesentlichen durch eine Verkleinerung der Bauelementdimensionen erzielt. Aufgrund des Erreichens physikalischer Grenzen kann dieser Trend, unabhängig von der Lösung technologischer Probleme, langfristig nicht fortgesetzt werden. Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Entwicklung und Herstellung neuartiger Transistoren und Schaltungen, welche im Vergleich zu konventionellen Bauelementen funktionserweitert sind, wodurch ein zur Skalierung alternativer Ansatz vorgestellt wird. Ausgehend von gewachsen
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Wischmeier, Lars. "ZnO-Nanodrähte optische Eigenschaften und Ladungsträgerdynamik /." [S.l.] : [s.n.], 2007. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=984625658.

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Hausmanns, Britta. "Magnetowiderstand und Ummagnetisierungsprozesse in einzelnen nanostrukturierten magnetischen Leiterbahnen." [S.l. : s.n.], 2003. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=968823831.

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Schmidt, Mathias [Verfasser]. "Bestimmung der Beweglichkeit in planaren und Nanodraht SOI-MOSFETs / Mathias Schmidt." München : Verlag Dr. Hut, 2012. http://d-nb.info/1022535633/34.

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Kröll, Michael. "Herstellung und Charakterisierung metallischer Nanodrähte in nanoporösen Aluminiumoxidmembranen." [S.l.] : [s.n.], 2000. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=962781843.

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Kim, Dong Sik. "Growth and characterization of ZnO nanowires." kostenfrei, 2009. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:3:4-455.

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More sources

Conference papers on the topic "Nanodracht"

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Sauerwald, T., M. Afshar, M. Rodner, et al. "1.3 - Stickoxidsensor aus einem einzelnen Indium-Zinnoxid (ITO) Nanodraht." In 11. Dresdner Sensor-Symposium 2013. AMA Service GmbH, Von-Münchhausen-Str. 49, 31515 Wunstorf, Germany, 2013. http://dx.doi.org/10.5162/11dss2013/1.3.

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