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Dissertations / Theses on the topic 'Nanoélectronique – Matériaux'

Author: Grafiati
Published: 21 December 2024
Last updated: 19 July 2025

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1

Rafhay, Quentin. "Modélisation des MOSFET nanométrique de type n aux matériaux de canal alternatifs dans le régime totalement ou quasi balistique." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0167.

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Abstract:
La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-conducteurs à haute mobilité (Ge, III-V) comme matériau de canal. A partir de modèles analytiques originaux, calibrés sur des simulations avancées (quantique, Monte Carlo), cette thèse démontre que, à des dimensions nanométriques, les performances attendues de ces nouvelles technologies sont en fait inférieures à celles des composants silicium conventionnels
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Nayak, Goutham. "Amélioration des propriétés physiques de matériaux de basse-dimensionnalité par couplage dans des hétérostructures Van der Waals." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY084/document.

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Abstract:
Les propriétés intrinsèques extraordinaires de ces matériaux de faible dimension dépendent fortement de l'environnement auquel ils sont soumis. Par conséquent, ils doivent être préparés, traités et caractérisés sans défauts. Dans cette thèse, je discute de la manière de contrôler l'environnement des nanomatériaux de faible dimension tels que le graphène, le MoS$_{2}$ et les nanotubes de carbone afin de préserver leurs propriétés physiques intrinsèques. De nouvelles solutions pour l'amélioration des propriétés sont discutées en profondeur. Dans la première partie, nous fabriquons des dispositif
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3

Dutta, Tapas. "Modélisation et simulation des composants MOSFETs à matériaux de canal alternatifs." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT122.

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Abstract:
Les technologies CMOS à base de silicium approchants les limites fondamentales de la miniaturisation, de nouvelles options sont nécessaires pour continuer la feuille de route de l'industrie de semi-conducteurs. Les matériaux III-V et le germanium sont actuellement très étudiés à ces fins, pour remplacer le silicium en tant que matériau canal des transistors MOSFETs. Bien que les propriétés de transports de charges de ces matériaux soient très fortes dans les substrats massifs, les performances des composants à base de III-V présentent actuellement de fortes dégradations par rapport à ce qui po
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Roumanille, Pierre. "Matériaux d'assemblage basse température pour applications électroniques : de l'intérêt des oxalates et formiates de métaux." Thesis, Toulouse 3, 2018. http://www.theses.fr/2018TOU30106/document.

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Abstract:
Dans le domaine de la microélectronique, les préoccupations environnementales et sanitaires et l'évolution de la législation ont contraint l'industrie à limiter son utilisation du plomb. Les matériaux (à base d'étain, d'argent, de cuivre, de bismuth...) destinés au brasage de composants électroniques font l'objet de nombreux développements pour être conformes aux exigences réglementaires et techniques. Le potentiel des carboxylates de métaux en électronique a déjà été démontré dans le cadre du développement de procédés de décomposition métal-organique. La décomposition thermique sous atmosphèr
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François, Terry. "Caractérisation électrique et analyse de mémoires non-volatiles embarquées à base de matériaux ferroélectriques." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0390.

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Abstract:
Les matériaux ferroélectriques présentent un regain d’intérêt pour de multiples applications en microélectronique. En particulier, en 2011, il a été découvert que l'oxyde d'hafnium présente un comportement ferroélectrique. Cela ouvre la voie vers des dispositifs de mémoire de faibles dimensions et compatibles CMOS. Le CEA-LETI étudie de nouveaux matériaux ferroélectriques à base d’oxyde d’hafnium pour des applications mémoire non-volatile. Il est nécessaire d’évaluer leur comportement ferroélectrique au travers de mesures électriques dédiées, et notamment d’extraire la polarisation ferroélectr
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Bonvalot, Cyrille. "Contribution à la compréhension du courant d'obscurité dans les détecteurs infrarouges matriciels à base de matériaux III-V." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPAST016.

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Abstract:
Lynred est l’un des principaux acteurs mondiaux sur le marché des détecteurs infrarouge refroidis haute performance, historiquement basés sur des matériaux II-VI (HgCdTe), et plus récemment sur des matériaux III-V (QWIP, InSb, InGaAs). Les détecteurs InSb et InGaAs sont constitués de diodes organisées en matrices pour obtenir un imageur bidimensionnel. L’étude présentée dans ce manuscrit porte sur la compréhension du courant d’obscurité de ces diodes. La problématique est abordée en trois étapes : une étude du profil de la jonction, une analyse des phénomènes générant du courant d’obscurité da
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Lefter, Constantin. "Etudes des propriétés électriques des matériaux à transition de spin : vers des dispositifs pour la nano-électronique." Thesis, Toulouse 3, 2016. http://www.theses.fr/2016TOU30003/document.

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Abstract:
L'objectif central de cette thèse est l'évaluation de la possibilité d'utilisation de complexes moléculaires à transitions de spin pour des applications en nano-électronique. Dans un premier temps, les propriétés électriques du complexe [Fe(Htrz)2(trz)](BF4) et de ces analogues [Fe1-xZnx(Htrz)2(trz)](BF4) ont été analysées sous forme de poudres au moyen de la spectroscopie diélectrique. Il a été montré que les conductivités AC et DC aussi bien que la constante diélectrique et que la fréquence de relaxation diélectrique subissent une baisse importante lors de la transition de l'état bas spin (B
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Franck, Pierre. "Mesoscopic electromagnetic model of carbon-nanotube arrays and scalable technological processes : Application to the fabrication of novel antennasCo-dirigée par Beng Kang Tay." Limoges, 2013. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/6358938e-2b7f-488e-a1d0-6bd8f7e045e6/blobholder:0/2013LIMO4043.pdf.

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Abstract:
We report the efforts lead in the design and fabrication of novel antennas from carbon nanotubes (CNTs) to assess their practicality in diverse usage scenarios. CNT-based antennas could help improve the performance of electrically-small antennas but may also allow the development of novel structures such as optically-controlled reflectarrays. They also represent an interesting technology for millimeter-wave and THz applications. Significant progress has been made on each of the four intertwined axes pertaining to these special antennas, modeling, analysis, fabrication and characterization. Thi
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Ottapilakkal, Vishnu. "2D Hexagonal boron nitride epitaxy on epigraphene for electronics." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2024. http://www.theses.fr/2024LORR0122.

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Abstract:
Au cours des dernières années, l'importance de nanoélectronique a augmenté avec la demande pour des dispositifs plus petits et plus efficaces. Les technologies traditionnelles basées sur le silicium rencontrent des défis, notamment pour la réduction de la taille des transistors tout en maintenant leur performance. Les longueurs de canal plus courtes améliorent la vitesse et la densité des dispositifs, mais entraînent des problèmes tels que l'électromigration, les fuites et la charge thermique. Le graphène, un matériau bidimensionnel, offre une solution grâce à sa haute mobilité des porteurs, s
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Hayes, Maxim. "Intégration de collecteurs de charges avancés dans les cellules solaires bifaciales à haut rendement : vers un procédé générique pour les nouveaux matériaux silicium." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2020. http://www.theses.fr/2020AIXM0519.

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Abstract:
L'industrie PV connaît un fort engouement pour les cellules PERC. Néanmoins leurs performances sont limitées par deux sources de recombinaison des porteurs de charge: au niveau de l'émetteur obtenu par diffusion de P, et en face arrière aux interfaces Al-Si. L'objectif principal de cette thèse vise à limiter ces pertes en intégrant deux nouveaux collecteurs. Le premier est un émetteur sélectif (ES) obtenu par implantation ionique à immersion plasma (PIII) de P. Le second concerne un contact passivé (CP) constitué d'un film de silicium polycristallin (poly-Si) dopé au B sur un oxyde mince. Dans
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Schönle, Joachim. "Quantum transport studies for spintronics implementation : from supramolecular carbon nanotube systems to topological crystalline insulator." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY022/document.

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Abstract:
L'électronique moléculaire est l'un des domaines les plus intrigants de la recherche moderne. Ce domaine pourrait produire un système de construction modulaire et évolutif pour des applications spintroniques à l'échelle nanométrique. Un exemple particulièrement prometteur est celui des aimants à une seule molécule, qui se sont déjà avérés être appropriés pour des la réalisation de spin valve et de qubit de spin. L'un des plus grands défis du domaine est l'intégration de ces objets de taille nanométrique dans des circuits complexes afin de permettre la détection et la manipulation d'états de sp
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Pigot, Corentin. "Caractérisation électrique et modélisation compacte de mémoires à changement de phase." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2019. http://www.theses.fr/2019AIXM0185.

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Abstract:
La mémoire à changement de phase (ou PCM) est considérée actuellement comme la plus mature des technologies émergentes susceptibles de pallier les limitations de la mémoire Flash-NOR pour le futur des applications embarquées. Afin de permettre la conception de circuits à base de PCM, l’utilisation d’outils tels que la simulation SPICE est nécessaire, impliquant le besoin de modèles compacts de PCM. Ces modèles doivent être rapides, continus, et précis ; à ce jour aucun modèle de la littérature ne remplit l’ensemble de ces exigences.L’objectif de cette thèse est de proposer un nouveau modèle co
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Choukroun, Jean. "Theoretical sStudy of In-plane Heterojunctions of Transition-metal Dichalcogenides and their Applications for Low-power Transistors." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS557/document.

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Abstract:
La miniaturisation des MOSFET a permis une forte diminution des transistors et des puces, ainsi qu’une augmentation exponentielle des capacités de calcul. Cette miniaturisation ne peut néanmoins continuer ainsi: de nos jours, un microprocesseur peut contenir des dizaines de milliards de transistors et la chaleur dégagée par ces composants peut fortement détériorer ses performances. De plus, du fait de leur principe même de fonctionnement, la tension d’alimentation des MOSFET ne peut être réduite sans en impacter les performances. De nouvelles architectures telles que le TFET -basé sur l’effet
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Hubert, Quentin. "Optimisation de mémoires PCRAM pour générations sub-40 nm : intégration de matériaux alternatifs et structures innovantes." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01061795.

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Abstract:
Au cours des dernières années, la demande de plus en plus forte pour des mémoires non-volatiles performantes, a mené au développement des technologies NOR Flash et NAND Flash, qui dominent aujourd'hui le marché des mémoires non-volatiles. Cependant, la miniaturisation de ces technologies, qui permettait d'en réduire le coût, laisse aujourd'hui entrevoir ses limites. En conséquence, des mémoires alternatives et émergentes sont développées, et parmi celles-ci, la technologie des mémoires à changement de phase, ou PCRAM, est l'une des candidates les plus prometteuses tant pour remplacer les mémoi
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Mazen, Frédéric. "Etude de la nucléation et de la croissance de nanocristaux de silicium élaborés par dépôt chimique en phase vapeur pour dispositifs nanoélectroniques." Lyon, INSA, 2003. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2003ISAL0045/these.pdf.

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Abstract:
Nous avons étudié les paramètres expérimentaux qui gouvernent les caractéristiques des nanocristaux de silicium (nc-Si) élaborés par dépôt chimique en phase vapeur. La densité des nc-Si dépend essentiellement de la pression partielle du précurseur et surtout des propriétés chimiques du substrat. Des densités de nc-Si très élevées (>10 exposant 12 nc-Si/cm2) sont déposées sur SiO2, Si3N4 et Al2O3. Le contrôle précis, entre 2 et 30 nm, de la taille des nc-Si est obtenu grâce à un procédé original de dépôt en deux étapes. Pour maîtriser la disposition des nc-Si, nous avons exploré deux voies :
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Wang, Lin. "Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEI031/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils de ZnO avec l'objectif d'en déterminer le dopage par profilage des porteurs libres suite à des essais de dopage de type p. Afin de pouvoir utiliser un référentiel planaire nécessaire à ces mesures par sonde locale, un procédé de remplissage par dip-coating et de polissage a été spécialement développé sur des champs de nanofils quasi-verticaux. De plus, dans le but de parvenir à un étalonnage des mesure
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Bouaziz, Jordan. "Mémoires ferroélectriques non-volatiles à base de (Hf,Zr)O2 pour la nanoélectronique basse consommation." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI057.

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Abstract:
Depuis 2005, la miniaturisation des composants mémoires, qui, auparavant, suivait la loi de Moore, a ralenti. Ceci a conduit les chercheurs à multiplier les approches pour continuer à améliorer les dispositifs mémoires. Parmi ces approches, la piste des composants ferroélectriques semble très prometteuse. En 2011, une équipe du NamLab, à Dresde, en Allemagne, a découvert que le HfO2 dopé Si pouvait devenir ferroélectrique, avec une couche isolante de seulement 10 nm, ce qui résout le problème de compatibilité avec l’industrie CMOS des matériaux de structure pérovskite. Depuis, d’autres dopants
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Mukhtarova, Anna. "Puits quantiques de composés nitrures InGaN/GaN pour le photovaoltaique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GRENY008/document.

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Abstract:
Ce travail traite de la croissance épitaxiale et de la caractérisation d’hétérostructures àbase de multi-puits quantiques (MPQ) pour des applications dans le photovoltaïque. Leséchantillons ont été obtenus par la technique d’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques(EPVOM) sur des substrats de saphir (0001). La caractérisation structurale etoptique est réalisée par diffraction de rayons X, microscopie électronique en transmission,spectroscopie de photoluminescence et de transmission. Pour étudier la présence de l’effetphotovoltaïque et pour estimer la performance électrique des échantillo
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Lenfant, Stéphane. "Contribution à l'électronique moléculaire : de la jonction au composant." Habilitation à diriger des recherches, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00918954.

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Abstract:
La croissance du nombre d'études en électronique moléculaire depuis plusieurs décennies repose sur la perpective fascinante d'utiliser des " briques " moléculaires nanométriques pour la fabrication de composants électroniques. Le travail présenté ici s'inscrit dans cette perspective avec comme particularité d'utiliser les monocouches auto-assemblées (les SAMs) pour former le système moléculaire à étudier. La synthèse de ces travaux de recherche en électronique moléculaire durant ces 10 dernières années à l'IEMN sera présentée en se focalisant plus particulièrement sur quatre aspects de ces act
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Dusch, Yannick. "Nano-Système Magnéto-Électro-Mécanique (NMEMS) ultra-basse consommation pour le traitement et le stockage de l'information." Phd thesis, Ecole Centrale de Lille, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00697174.

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Abstract:
Avec le développement des nouvelles technologies de l'information et de la communication (NTIC), la consommation énergétique des systèmes de traitement et de stockage de données est devenue un problème majeur. Les limites des systèmes actuels à cet égard impliquent le besoin de technologies de rupture ultra-basse consommation.Cette thèse propose une approche originale de cette problématique, basée sur l'utilisation d'un élément magnétoélectrique composite (piézoélectrique/magnétostrictif) bistable et commandable de façon univoque, baptisé MELRAM.L'étude énergétique statique montre que la combi
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Petit-Faivre, Emilie. "Caractérisarion physique par imagerie électronique de défauts dans les technologies mémoires avancées." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4795/document.

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Abstract:
De nos jours, l'essor des produits électroniques nomades requièrent une capacité de stockage de données croissante et imposent la fabrication de composants mémoire performants, denses et fiables. Cela implique une grande robustesse des cellules mémoires élémentaires dont les dimensions caractéristiques sont régulièrement réduites. L'objectif principal de la thèse est d'appréhender les mécanismes de claquage d'oxydes minces voire ultraminces intégrés dans des empilements métal/oxyde/semiconducteur. Un intérêt particulier a été porté à la croissance d'îlots cristallins épitaxiés se formant lors
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Zhang, Wei. "Growth of phosphorene." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPASS140.

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Abstract:
Au cours de la dernière décennie, la recherche sur les matériaux 2D a considérablement progressé en raison de leurs nouvelles propriétés jusqu'alors inconnues et de leurs potentielles applications en électronique et optoélectronique de nouvelle génération. En particulier, le phosphorène a récemment suscité un vif intérêt car il possède plusieurs propriétés qui le distinguent des autres matériaux 2D. En effet, il présente une bande interdite intrinsèque accordable, qui peut varier de 1,8 eV pour une monocouche atomique à 0,35 eV pour un cristal de phosphore noir, avec une grande mobilité des po
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Martin, Luc. "Méthodes de corrections avancées des effets de proximité en lithographie électronique à écriture directe : Application aux technologies sub-32nm." Thesis, Lyon, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAL0003.

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Abstract:
Pour adresser les nœuds technologiques avancés dans le cadre de la lithographie électronique, une nouvelle stratégie de correction des effets de proximité a été imaginée pour prendre le relai de la technique standard de modulation de dose. Dans ces travaux de thèse, les effets de proximité ont été analysés sur les outils e-beam de dernière génération au sein du LETI. Les limites de la modulation de dose ont aussi été évaluées. Parallèlement, une approche plus fondamentale, basée sur la simulation, a permis de mieux comprendre l'impact des différentes étapes du procédé de lithographie sur les m
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Feraille, Maxime. "Etude du Transport dans les Transistors MOSFETs Contraints: Modélisation Multi-échelle." Phd thesis, INSA de Lyon, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00436049.

Full text
Abstract:
La réduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits intégrés, ne permet plus d'améliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont été mis en place dans les procédés de fabrication de ces transistors pour y remédier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les propriétés de transport des transistors MOSFETs. Les méthodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et */k.p/* dans l'approximation de la fonction env
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Rafhay, Quentin. "Modelling of nano nMOSFETs with alternative channel materials in the fully and quasi ballistic regimes." Phd thesis, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00398674.

Full text
Abstract:
La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-conducteurs à haute mobilité (Ge, III-V) comme matériau de canal.<br />A partir de modèles analytiques originaux, calibrés sur des simulations avancées (quantique, Monte Carlo), cette thèse démontre que, à des dimensions nanométriques, les performances attendues de ces nouvelles technologies sont en fait inférieures à celles des composants silicium conventio
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