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Academic literature on the topic 'Nanofils III-N'

Author: Grafiati
Published: 9 March 2024
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Nanofils III-N"

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Taniguchi, Yuma, Taro Kato, Yusuke Hamanaka, Takahisa Tanaka, and Ken Uchida. "Experimental and Simulation Studies of Acetone Detection By Pt-Au Nanofilm Sensors." ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no. 62 (2023): 2921. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02622921mtgabs.

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Abstract:
Introduction Acetone in exhaled breath is a biomarker of diabetes. However, since it is a very stable substance, its detection by chemical sensors has been a challenging task. Alloy nanoparticles have attracted great attention because of their great catalytic performance, and it has been reported that the response to acetone can be improved by functionalizing oxide semiconductors (In2O3) with PtAu nanoparticles [1]. However, the mechanism of better response to acetone has not been fully understood, which is partly because the effects of alloying and supporting materials cannot be separated in
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van der Horst, Charlton, Bongiwe Silwana, Emmanuel Iheanyichukwu Iwuoha, and Vernon Somerset. "Application of a Bismuth-Silver Nanosensor for the Simultaneous Determination of Pt-Rh and Pd-Rh Complexes." Journal of Nano Research 44 (November 2016): 126–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.44.126.

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Abstract:
The present work describes the development of an electrochemical sensor for the simultaneous determination of Pd-Rh and Pt-Rh complexes using a bismuth-silver bimetallic nanofilm modified glassy carbon electrode. The electrochemical sensor was prepared by drop-casting bismuth-silver bimetallic nanoparticles on to glassy carbon electrode surfaces. The HRTEM microscopy and UV-Vis spectroscopy results of the bismuth-silver nanoparticles were compared with other work in literature. The developed nanosensor exhibited a linear working range of 0.4 - 1.4 ng/L for Pd-Rh and 0.8-1.2 ng/L for Pt-Rh DMG
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Pantle, Florian, Monika Karlinger, Simon Wörle, et al. "Crystal side facet-tuning of GaN nanowires and nanofins grown by molecular beam epitaxy." Journal of Applied Physics 132, no. 18 (2022): 184304. http://dx.doi.org/10.1063/5.0098016.

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Abstract:
GaN nanostructures are promising for a broad range of applications due to their 3D structure, thereby exposing non-polar crystal surfaces. The nature of the exposed crystal facets, i.e., whether they are a-, m-plane, or of mixed orientation, impacts the stability and performance of GaN nanostructure-based devices. In this context, it is of great interest to control the formation of well-defined side facets. Here, we show that we can control the crystal facet formation at the nanowire sidewalls by tuning the III–V ratio during selective area growth by molecular beam epitaxy. Especially, the N f
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Dissertations / Theses on the topic "Nanofils III-N"

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Spies, Maria. "Etudes électro-optiques et TEM corrélées sur nanofils hétérostructurés III-N uniques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAY048.

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Abstract:
Les nanofils (NW) sont des blocs de construction prometteurs pour les futures architectures optoélectroniques nécessitant une miniaturisation avancée. La relaxation des contraintes, la sensibilité de surface élevée et les propriétés optiques de ces structures apportent des propriétés intéressantes par rapport à des couches bidimensionnelles classiques. Les NW sont également une plateforme potentielle pour étudier les phénomènes quantiques. En pensant aux boîtes quantiques (QD) intégrés dans les NW, il est facile de contrôler leur emplacement, leur taille et leur densité et de synthétiser des Q
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Jaloustre, Lucas. "Piézoélectricité dans des nanofils uniques de III-N pour la nanopiézotronique : analyse par microscopies à sonde locale." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAY037.

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Abstract:
La nanopiézotronique est un nouveau domaine de recherche qui contribue au progrès croissant des récupérateurs d’énergie et de l’électronique intelligente. Ces applications bénéficient désormais de sa possibilité de conversion de petits mouvements mécaniques en énergie électrique. Les fondements de la nanopiézotronique reposent sur la coexistence de propriétés piézoélectriques et semi-conductrices de nano-objets ayant une structure cristalline non centrosymétriques tels que les semi-conducteurs III-N ou II-V. Les nanofils III-N avec leur aspect de forme élevé ont en particulier été proposés com
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Pierret, Aurélie. "Propriétés structurales et optiques de nanostructures III-N semiconductrices à grand gap : nanofils d’AlxGa1−xN synthétisés par épitaxie par jets moléculaires et nanostructures de nitrure de bore." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066549.

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Abstract:
Ce travail de thèse s'intéresse aux propriétés structurales et optiques de semiconducteurs à grand gap de nitrure d'éléments III (AlxGa1-xN et h-BN), émettant dans l'ultraviolet (4-6 eV). Les propriétés des nano-objets étant modifiées par la réduction de dimensionnalité, un point central de ce travail a consisté à étudier des nanostructures de ces matériaux (nanofils d'AlN et d'AlxGa1-xN, nanotubes et nanofeuillets de BN). Un soin particulier a aussi été apporté à la corrélation à l'échelle nanométrique, entre la structure et la luminescence. Dans un premier temps, les nanofils d'AlxGa1-xN ont
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Jridi, Jihen. "Croissance par Epitaxie vapeur aux hydrures (HPVE) de nanofils (In,Ga)N pour les cellules solaires et les micro-LEDs." Electronic Thesis or Diss., Université Clermont Auvergne (2021-...), 2022. http://www.theses.fr/2022UCFAC121.

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Abstract:
Étant donné leurs propriétés physiques structurales et optoélectroniques très prometteuses, une attention particulière a été accordée aux semiconducteurs d’éléments III-V. L’utilisation des nitrures de géométrie 1D, les micro et nanofils, permet de répondre aux défis relatifs aux difficultés rencontrés lors de la croissance des couches 2D InGaN engendrées par le désaccord de maille entre substrat et matériau à élaborer, la ségrégation d’indium et le manque de substrat adéquats et à bas coût pour la croissance épitaxiale. Dans ce contexte, ce travail de thèse présente pour la première fois une
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Pierret, A. "Propriétés structurales et optiques de nanostructures III-N semiconductrices à grand gap : nanofils d'AlxGa1-xN synthétisés par épitaxie par jets moléculaires et nanostructures de nitrure de bore." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01020119.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse s'intéresse aux propriétés structurales et optiques de semiconducteurs à grand gap de nitrure d'éléments III (AlxGa1-xN et h-BN), émettant dans l'ultraviolet (4-6 eV). Les propriétés des nano-objets étant modifiées par la réduction de dimensionnalité, un point central de ce travail a consisté à étudier des nanostructures de ces matériaux (nanofils d'AlN et d'AlxGa1-xN, nanotubes et nanofeuillets de BN). Un soin particulier a aussi été apporté à la corrélation à l'échelle nanométrique, entre la structure et la luminescence. Dans un premier temps, les nanofils d'AlxGa1-xN ont
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Leclere, Cédric. "Spectroscopies X et diffraction anomale de boîtes quantiques GaN et d'hétéro-structure III-N : inter-diffusion et ordre à courte distance." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01072456.

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Abstract:
Le travail illustré par ce manuscrit de thèse présente l'étude structurale d'hétéro-structures semi-conductrices à base de nitrures d'éléments III avec l'un des outils les plus puissants de la recherche scientifique: le rayonnement synchrotron. La cartographie haute résolution de l'espace réciproque, la diffraction anomale multi-longueur d'onde, la spectroscopie d'absorption X et la spectroscopie en condition de diffraction nous ont permis de caractériser la structure à l'échelle atomique de différentes régions d'un même système. Dans un premier temps, nous montrons que les nanofils GaN sur Si
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Ferreira, Jason. "Modification des propriétés optiques de nanofils à base de GaN par plasma N2/O2." Thèse, 2014. http://hdl.handle.net/1866/11160.

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Abstract:
Une sonde électrostatique de Langmuir cylindrique a été utilisée pour caractériser une post-décharge d’un plasma d’ondes de surface de N2-O2 par la mesure de la densité des ions et électrons ainsi que la température des électrons dérivée de la fonction de distribution en énergie des électrons (EEDF). Une densité maximale des électrons au centre de la early afterglow de l’ordre de 1013 m-3 a été déterminée, alors que celle-ci a chuté à 1011 m-3 au début de la late afterglow. Tout au long du profil de la post-décharge, une densité des ions supérieure à celle des électrons indique la présence d’u
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