Academic literature on the topic 'Nanofio'
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Journal articles on the topic "Nanofio"
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Jung, Chunghwan, Younghwan Yang, Jaehyuck Jang, Trevon Badloe, Taejun Lee, Jungho Mun, Seong-Won Moon, and Junsuk Rho. "Near-zero reflection of all-dielectric structural coloration enabling polarization-sensitive optical encryption with enhanced switchability." Nanophotonics 10, no. 2 (November 26, 2020): 919–26. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0440.
Full textAbstract:
AbstractStructural coloration using metasurfaces has been steadily researched to overcome the limitations of conventional color printing using pigments by improving the resolution, lowering the toxicity, and increasing the durability. Many metasurfaces have been demonstrated for dynamic structural coloration to convert images at the visible spectrum. However, the previous works cannot reach near-zero scattering when colors are turned-off, preventing it from being cryptographic applications. Herein, we propose a completely on/off switchable structural coloration with polarization-sensitive metasurfaces, enabling full-colored images to be displayed and hidden through the control of the polarization of incident light. It is confirmed that the nanostructure exhibits the polarization-dependent magnetic field distributions, and near-zero scattering is realized when the polarization of incident light is perpendicular to the long axis of the nanofins. Also, the metasurfaces are made up of triple-nanofin structures whose lengths affect locations of resonance peaks, resulting in full-color spectrum coverages. With such advantages, a QR code image, a two-color object image, and an overlapped dual-portrait image are obtained with the metasurfaces. Such demonstrations will provide potential applications in the fields of high-security information encryption, security tag, multichannel imaging, and dynamic displays.
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INOUE, Tan. "Nanobio RNA Architecture." Journal of the Mass Spectrometry Society of Japan 51, no. 1 (2003): 101–7. http://dx.doi.org/10.5702/massspec.51.101.
Full text
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Nakano, Shu-ichi, and Naoki Sugimoto. "Central Dogma for a Molecular Design Based on DNA: DNB (Databasing/Designable Nanobio) → ENB (Engineering Nanobio) → FNB (Functional Nanobio)." Chemistry Letters 34, no. 9 (September 2005): 1206–11. http://dx.doi.org/10.1246/cl.2005.1206.
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Hegner, Martin. "The Basel NanoBio-Network." CHIMIA International Journal for Chemistry 58, no. 11 (November 1, 2004): 788–91. http://dx.doi.org/10.2533/000942904777677164.
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5
Telford, Mark. "French nanobio cluster launched." Materials Today 8, no. 12 (December 2005): 20. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(05)71282-7.
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6
Vo-Dinh, Tuan. "NanoBio Euro 2005 Abstracts." NanoBiotechnology 1, no. 3 (2005): 255–322. http://dx.doi.org/10.1385/nbt:1:3:255.
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Yi, Pyshar, Khashayar Khoshmanesh, Adam F. Chrimes, Jos L. Campbell, Kamran Ghorbani, Saeid Nahavandi, Gary Rosengarten, and Kourosh Kalantar-zadeh. "Dynamic Nanofin Heat Sinks." Advanced Energy Materials 4, no. 3 (September 23, 2013): 1300537. http://dx.doi.org/10.1002/aenm.201300537.
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Al-Mutoki, Sabah Mohammed Mlkat, Ahmad Ghanim Wadday, Ali Abdulabbas Abdullah, Baydaa Abdul-Hassan Khalaf Al-Ghzawi, and Emad A. Jaffar Al-Mulla. "Effect of nanoTiO 2 dopant on electrical properties of SR8100/nanoTiO 2 PMNC." Results in Physics 6 (2016): 551–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.rinp.2015.12.006.
Full text
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Li, Ling, and Hang Xiang. "Preparation and Research on TiO2/SiO2 Nanofilm with High Transmittance on Solar Cell Glass." Materials Science Forum 610-613 (January 2009): 382–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.610-613.382.
Full textAbstract:
TiO2/SiO2 complex nanofilm with high transmittance on solar cell glass was prepared by sol-gel method. Particle diameters, surface structures, the thickness of nanofilm and the transmittance of light from 400nm to 1100nm were tested with AFM, UV2550 and other instruments. The mole percents of TiO2 in SiO2 and their ratio influences on the transmittance of glass, aging ability and other properties of nanofilm were investigated. The AFM photos demonstrated that the TiO2/SiO2 film with high transmittance were composed of nanoparticles with 10nm to 30 nm diameters and their structures were meshes with many holes whose diameters were from 300nm to 500nm. The results revealed that as the mole percents of TiO2 in SiO2 increased the transmittance of solar cell glass with TiO2/SiO2 nanofilm decreased but the aging, adhering and wearing abilities increased and as the diameters of nanoparticles decreased the transmittances of solar cell glass with TiO2/SiO2 nanofilm increased under the condition of TiO2/SiO2 nanofilm with meshes of 300nm to 500m diameters of holes. When the mole percents of TiO2 in SiO2 were 0.1%~0.3%, the average diameters of particles in TiO2/SiO2 nanofilm were about 10nm and the structures of TiO2/SiO2 nanofilm were the meshes with many gaps and the diameters of holes were 300nm to 500nm. The increased transmittances were the greatest about 3.6%, increased value of solar cell efficiency about 3.8% and the aging, adhering and wearing abilities of TiO2/SiO2 nanofilm were best for 20 year life through rapid aging tests.
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Murthy, Vaibhav, and Robert Delong. "Engineering the RNA-Nanobio Interface." Bioengineering 4, no. 4 (February 15, 2017): 13. http://dx.doi.org/10.3390/bioengineering4010013.
Full textDissertations / Theses on the topic "Nanofio"
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Rosso, Eduardo Fuzer. "Estudo teórico de antissítios e impureza substitucional de oxigênio em nanofio de SiC." Universidade Federal de Santa Maria, 2010. http://repositorio.ufsm.br/handle/1/9208.
Full textAbstract:
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorIn this work first we perform a study about the stability, and the electronic properties of SiC growth in the [111] direction when defects are present. We use the supercell method and the dangling bonds on the surface of the nanowire are saturated using hydrogen atoms. We also study antisites and substitutional oxygen impurity in this nanowire. For this study, we perform total energy and band structure calculations in order to find the most stable positions for the defects and the influence of defects on the electronic properties. The first principles calculations are based in the density functional theory (DFT). The Generalized Gradient Approximation (GGA) is used for the exchange-correlation term and the ion-electron interactions are replaced by norm-conserving fully separable Troullier-Martins pseudopotentials. For the calculations we use the SIESTA-code and the standard Kohn-Shan (KS) equations are solved in a fully selfconsistent way. The Khon-Sham orbitals are expanded using a linear combination of numerical pseudo-atomic orbitals (PAOs). All calculations use a split-valence double-zeta quality basis set enhanced with a polarization function. Our results show that the most stable antisite is a carbon atom occupying a silicon site (CSi). The substitutional oxygen impurity is most stable in a carbon site (OC). Both defects present a greater stability in the surface of the nanowire when compared with the core of the nanowire. The analysis of electronic structure of bands shows that these defects give rise to electronic levels localized in the band gap of the nanowire. Keywords: density functional theory; SiC nanowires, antisites, impurity.
Neste trabalho inicialmente realizamos um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas de nanofios de SiC crescido na direção [111]. Foi utilizado o método de supercélula e as ligações pendentes da superfície do nanofio de SiC foram saturadas com átomos de H. Em seguida analisamos estes nanofios na presença de antissítios e impureza substitucional de oxigênio. Para estes defeitos procurou-se as posições energeticamente mais estáveis e as influências dos defeitos nas propriedades eletrônicas. Os cálculos teóricos foram de primeiros princípios fundamentados na Teoria do Funcional da densidade (DFT). Utilizamos para descrever o funcional de trocacorrelação a Aproximação do Gradiente Generalizado (GGA) e para a interação elétron-íon pseudopotenciais de norma conservada de Troullier-Martins. As densidades de carga são obtidas resolvendo as equações de Kohn-Sham, com as funções de onda de Khon-Sham expandidas em uma combinação linear de orbitais atômicos. Nossos resultados mostram que o antissítio mais estável é um átomo de carbono ocupando o sítio de um átomo de silício (CSi). A impureza substitucional de oxigênio apresenta uma maior estabilidade quando ocupando o sítio do átomo de carbono (OC). Ambos os defeitos são energeticamente mais estáveis na superfície do nanofio de SiC. A análise da estrutura eletrônica apresenta que níveis de defeitos podem estar presentes no gap do nanofio, porém nos sítios mais estáveis não observa-se níveis de defeitos no gap.
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Sivieri, Victor De Bodt. "Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/.
Full textAbstract:
Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do transistor. As medidas experimentais foram comparadas com os resultados obtidos pela simulação. Através do uso de diferentes parâmetros de ajuste e modelos de simulação, justificou-se o comportamento do dispositivo observado experimentalmente. Durante a execução deste trabalho estudou-se a influência da escolha do material de fonte no desempenho do dispositivo, bem como o impacto do diâmetro do nanofio nos principais parâmetros analógicos do transistor. Os dispositivos compostos por fonte de SiGe apresentaram valores maiores de gm e gd do que aqueles compostos por fonte de silício. A diferença percentual entre os valores de transcondutância para os diferentes materiais de fonte variou de 43% a 96%, sendo dependente do método utilizado para comparação, e a diferença percentual entre os valores de condutância de saída variou de 38% a 91%. Observou-se também uma degradação no valor de AV com a redução do diâmetro do nanofio. O ganho calculado a partir das medidas experimentais para o dispositivo com diâmetro de 50 nm é aproximadamente 45% menor do que o correspondente ao diâmetro de 110 nm. Adicionalmente estudou-se o impacto do diâmetro considerando diferentes polarizações de porta (VG) e concluiu-se que os TFETs apresentam melhor desempenho para baixos valores de VG (houve uma redução de aproximadamente 88% no valor de AV com o aumento da tensão de porta de 1,25 V para 1,9 V). A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo. Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção. Por fim comparou-se a tecnologia MOS com o TFET, obtendo-se como resultado um maior valor de AV (maior do que 40 dB) para o TFET.This Master thesis focused in the study of the NW-TFET. The study was performed either by simulation as by experimental measurements. The main digital and analog characteristics of the device and its potential for use in advanced integrated circuits for the next decade were studied. The analysis was performed by extracting and studying the devices main parameters, such as subthreshold swing, transconductance (gm), output conductance (gd), intrinsic voltage gain (AV) and transistor efficiency. The experimental measurements were compared with the results obtained by simulation. Utilizing different simulation fitting parameters and models, the device behavior (observed in the experimental measurements) was understood and explained. During the execution of this work, either the influence of the source material on the device performance, as the impact of the nanowire diameter on the transistor main analog parameters, were studied. The devices with SiGe source presented higher values of gm and gd than those with silicon source. The percentual difference among the values of transconductance for the different source materials varied from 43% to 96%, being dependent on the method utilized for the comparison, and the percentual difference among the values of output conductance varied from 38% to 91%. A degradation of AV was also observed with the nanowire diameter reduction. The gain calculated from the experimental measurements for the device with 50 nm of diameter is approximately 57% lower than the gain corresponding to the diameter of 110 nm. Furthermore, the impact of the diameter considering different gate biases (VG) was analysed. It was concluded that TFETs show improved performance for lower values of VG (a reduction of approximately 88% of AV was observed for an increase of the gate voltage from 1.25 V to 1.9 V). The gate/source overlap length and the dopant profile at the tunneling junction were also analyzed in order to understand which combination of this features would result in a better performance of the device. It was observed that the best results were related to an alignment between the gate electrode and the source/channel junction and to an abrupt dopant profile at the junction. Finally, the MOS technology was compared with TFET, resulting in a higher AV (higher than 40 dB) for the TFET.
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Souza, Felipe Neves. "Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura." Universidade de São Paulo, 2015. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07072016-104740/.
Full textAbstract:
Este trabalho teve como objetivo estudar os transistores de tunelamento por efeito de campo em estruturas de nanofio (NW-TFET), sendo realizado através de analises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais. A fim de avaliar melhorar o desempenho do NW-TFET, este trabalho utilizou dispositivos com diferentes materiais de fonte, sendo eles: Si, liga SiGe e Ge, além da variação da espessura de HfO2 no material do dielétrico de porta. Com o auxílio de simulações numéricas foram obtidos os diagramas de bandas de energia dos dispositivos NW-TFET com fonte de Si0,73Ge0,27 e foi analisada a influência de cada um dos mecanismos de transporte de portadores para diversas condições de polarização, sendo observado a predominância da influência da recombinação e geração Shockley-Read-Hall (SRH) na corrente de desligamento, do tunelamento induzido por armadilhas (TAT) para baixos valores de tensões de porta (0,5V > VGS > 1,5V) e do tunelamento direto de banda para banda (BTBT) para maiores valores tensões de porta (VGS > 1,5V). A predominância de cada um desses mecanismos de transporte foi posteriormente comprovada com a utilização do método de Arrhenius, sendo este método adotado em todas as análises do trabalho. O comportamento relativamente constante da corrente dos NW-TFETs com a temperatura na região de BTBT tem chamado a atenção e por isso foi realizado o estudo dos parâmetros analógicos em função da temperatura. Este estudo foi realizado comparando a influência dos diferentes materiais de fonte. O uso de Ge na fonte, permitiu a melhora na corrente de tunelamento, devido à sua menor banda proibida, aumentando a corrente de funcionamento (ION) e a transcondutância do dispositivo. Porém, devido à forte dependência de BTBT com o campo elétrico, o uso de Ge na fonte resulta em uma maior degradação da condutância de saída. Entretanto, a redução da espessura de HfO2 no dielétrico de porta resultou no melhor acoplamento eletrostático, também aumentando a corrente de tunelamento, fazendo com que o dispositivo com fonte Ge e menor HfO2 apresentasse melhores resultados analógicos quando comparado ao puramente de Si. O uso de diferentes materiais durante o processo de fabricação induz ao aumento de defeitos nas interfaces do dispositivo. Ao longo deste trabalho foi realizado o estudo da influência da densidade de armadilhas de interface na corrente do dispositivo, demonstrando uma relação direta com o TAT e a formação de uma região de platô nas curvas de IDS x VGS, além de uma forte dependência com a temperatura, aumentando a degradação da corrente para temperaturas mais altas. Além disso, o uso de Ge introduziu maior número de impurezas no óxido, e através do estudo de ruído foi observado que o aumento na densidade de armadilhas no óxido resultou no aumento do ruído flicker em baixa frequência, que para o TFET, ocorre devido ao armadilhamento e desarmadilhamento de elétrons na região do óxido. E mais uma vez, o melhor acoplamento eletrostático devido a redução da espessura de HfO2, resultou na redução desse ruído tornando-se melhor quando comparado à um TFET puramente de Si. Neste trabalho foi proposto um modelo de ruído em baixa frequência para o NW-TFET baseado no modelo para MOSFET. Foram realizadas apenas algumas modificações, e assim, obtendo uma boa concordância com os resultados experimentais na região onde o BTBT é o mecanismo de condução predominante.This work aims to study the nanowire tunneling field effect transistors (NW-TFET). The analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data. In order to improve the NW-TFET performance, it was used devices with different source compositions, such as Si, SiGe alloy and Ge, besides different thicknesses of HfO2 for the gate dielectric. With the aid of numerical simulations it was obtained the NW-TFET energy band diagrams and analyzed the influence of recombination and generation Shockley-Read-Hall (SRH) on the off current, the influence of the trap assisted tunneling (TAT) at low gate voltage bias (0,5V > VGS > 1,5V) and the direct band to band tunneling (BTBT) at higher gate voltage bias(VGS > 1,5V). The predominance of each conduction mechanisms was confirmed by the Arrhenius plot method, being this method adopted in all analysis in this work. The constant current with the temperature in the BTBT region has drawn attention and due to that, this work have studied the NW-TFET analog performance as function of temperature and also the influence of the source composition. The Ge source device shows an improved tunneling current, related to the bandgap narrowing, which leads to higher ION and transconductance. However, due to the strong BTBT dependence with the electric field, the use of Ge as source results in further ION/IOFF degradation. Despite this, the reduced HfO2 thickness in the gate dielectric, results in better electrostatic coupling, which also increases the tunneling current, making this device to present better analog performance when compared to devices with Si source. The use of different materials during the device fabrication leads to an increase of the interface defects. This work presented the influence of the interface trap density on the current, showing a direct relation with TAT and appearance of a plateau region in the IDS x VGS curves. In addition it was shown a strong temperature dependence increasing the current degradation at higher temperatures. Furthermore, the use of Ge has shown an increase of impurities in the oxide, and through the noise study it was observed the flicker noise increase at low frequency, which for TFETs, occurs due to the electrons trapping and detrapping in the oxide region. Once again, the reduced HfO2 thickness leads to better electrostatic coupling, resulting in noise reduction and becoming better when compared to a devices with Si source. In this work was proposed a low frequency noise model for a NW-TFET based on MOSFET models. Minor changes have been done, and thus a good agreement with the experimental results in the region where the BTBT is predominant conduction mechanism was obtained.
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Itocazu, Vitor Tatsuo. "Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW)." Universidade de São Paulo, 2018. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/.
Full textAbstract:
Esse trabalho tem como objetivo estudar o comportamento de transistores de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (UTBB SOI nMOSFET) e transistores de nanofios horizontais com porta ômega ? (?G NW SOI MOSFET) com ênfase na variação da tensão aplicada no substrato (VGB). As análises foram feitas através de medidas experimentais e simulações numéricas. Nos dispositivos UTBB SOI nMOSFET foram estudados dispositivos com e sem implantação de plano de terra (GP), de três diferentes tecnologias, e com diferentes comprimentos de canal. A partir do modelo analítico de tensão de limiar desenvolvido por Martino et al. foram definidos os valores de VGB. A tecnologia referência possui 6 nm de camada de silício (tSi) e no óxido de porta uma camada de 5 nm de SiO2. A segunda tecnologia tem um tSi maior (14 nm) em relação a referência e a terceira tecnologia tem no óxido de porta um material de alta constante dielétrica, HfSiO. Na tecnologia de referência, os dispositivos com GP mostraram melhores resultados para transcondutância na região de saturação (gmSAT) devido ao forte acoplamento eletrostático entre a região da porta e do substrato. Porém os dispositivos com GP apresentam uma maior influência do campo elétrico longitudinal do dreno no canal, assim os parâmetros condutância de saída (gD) e tensão Early (VEA) são degradados, consequentemente o ganho de tensão intrínseco (AV) também. Na tecnologia com tSi de 14 nm, a influência do acoplamento eletrostático entre porta e substrato é menor em relação a referência, devido à maior espessura de tSi. Como a penetração do campo elétrico do dreno é maior em dispositivos com GP, todos os parâmetros analógicos estudados são degradados em dispositivos com GP. A última tecnologia estudada, não apresenta grande variação nos resultados quando comparadodispositivos com e sem GP. O AV, por exemplo, tem uma variação entre 1% e 3% comparando os dispositivos com e sem GP. Foram feitas análises em dispositivos das três tecnologias com comprimento de canal de 70 nm, e todos os parâmetros degradaram com a diminuição do comprimento de canal, como esperado. O fato de ter um comprimento de canal menor faz com que a influência do campo elétrico longitudinal do dreno seja mais relevante, degradando assim todos os parâmetros analógicos nos dispositivos com GP. Nos dispositivos ?G NW SOI MOSFET foram feitas análises em dispositivos pMOS e nMOS com diferentes larguras de canal (WNW = 220 nm, 40 nm e 10 nm) para diferentes VGB. Através de simulações viu-se que dispositivos com largura de canal de 40 nm possuem uma condução de corrente pela segunda interface para polarizações muito altas (VGB = +20 V para nMOS e VGB -20 V para pMOS). Todavia essa condução de corrente na segunda interface ocorre ao mesmo tempo que na primeira interface, impossibilitando fazer a separação dos efeitos de cada interface.A medida que a polarização no substrato faz com que haja uma condução na segunda interface, todos os parâmetros degradam devido a essa condução parasitária. Dispositivos estreitos sofrem menor influência de VGB e, portanto, tem os parâmetros menos degradados, diferente dos dispositivos largos que tem uma grande influência de VGB no comportamento elétrico do transistor. Quando a polarização no substrato é feita a fim de que não haja condução na segunda interface, a variação da inclinação de sublimiar entre dispositivos com WNW = 220 nm e 10 nm é menor que 2 mV/déc. Porém a corrente de dreno de estado ligado do transistor (ION) apresenta melhores resultados em dispositivos largos chegando a 6 vezes maior para nMOS e 4 vezes maior para pMOS que em dispositivos estreitos. Os parâmetros analógicos sofrem pouca influência da variação de VGB. Os dispositivos estreitos (WNW = 10 nm) praticamente têm resultados constantes para gmSAT, VEA e AV. Já os dispositivos largos (WNW = 220 nm) possuem uma pequena degradação de gmSAT para os nMOS, o que degrada levemente o AV em cerca de 10 dB. A eficiência do transistor (gm/ID) apresentou grande variação com a variação de VGB, piorando-a a medida que a segunda interface ia do estado de não condução para o estado de condução. Porém analisando os dados para a tensão que não há condução na segunda interface observou-se que, em inversão forte, a eficiência do transistor apresentou uma variação de 1,1 V-1 entre dispositivos largos (WNW = 220 nm) e estreitos (WNW = 10 nm). Com o aumento do comprimento do canal, esse valor de variação tende a diminuir e dispositivos largos passam a ser uma alternativa válida para aplicação nessa região de operação.This work aims to study the behavior of the ultrathin body and buried oxide SOI nMOSFET (UTBB SOI nMOSFET) and the horizontal ?-gate nanowire SOI MOSFET (?G NW SOI MOSFET) with the variation of the back gate bias (VGB). The analysis were made through experimental measures and numerical simulation. In the UTBB SOI nMOSFET devices, devices with and without ground plane (GP) implantation of three different technologies were studied. Based on analytical model developed by Martino et al. the values VGB were defined. The reference technology has silicon film thickness (tSi) of 6 nm and 5 nm of SiO2 in the front oxide. The second technology has a thicker tSi of 14 nm comparing to the reference and the third technology has a high-? material in the front oxide, HfSiO. In the reference technology, the devices with GP shows better result for transconductance on saturation region (gmSAT) due to the strong coupling between front gate and substrate. However, devices with GP have major influence of the drain electrical field penetration, then the output conductance (gD) and Early voltage (VEA) are degraded, consequently the intrinsic voltage gain (AV) as well. In the technology with tSi of 14 nm, the influence of the coupling between front gate and substrate is lower because of the thicker tSi. Once the drain electrical field penetration is higher in devices with GP, all analog parameters are degraded in devices with GP. The third technology, presents results very close between devices with and without GP. The AV has a variation from 1% to 3% comparing devices with and withoutGP. Devices with channel length of 70 nm were analyzed and all parameters degraded with the decrease of the channel length, as expected. Due to the shorter channel length, the influence of the drain electrical field penetration is more relevant, degrading all the analog parameters in devices with GP. In the ?G NW SOI MOSFET devices, the analysis were done in nMOS and pMOS devices with different channel width (WNW = 220 nm, 40 nm and 10 nm) for different VGB. By the simulations, devices with channel width of 40 nm have a conduction though the back interface for very high biases (+20 V for nMOS and -20 V for pMOS). However, this conduction occurs at the same time as in the front interface, so it is not possible to separate de effects of each interface. As the substrate bias voltage induces a back gate current, all the parameters are degraded due to this parasitic current. Narrow devices are less affected by VGB and thus its parameters are less degraded, different from wider devices, in which VGB has a greater influence on their behavior. When the back gate is biased in order to avoid the conduction in back interface, the subthreshold swing variation between devices with WNW = 220 nm and 10 nm is lower than 2 mV/déc. However, the on state current (ION) has better results in wide devices reaching 6 times bigger for nMOS and 4 times bigger for pMOS The analog parameterssuffer little influence of the back gate bias variation. The narrow devices (WNW = 10 nm) have practically constant results gmSAT, VEA and AV. On the other hand, wide devices (WNW = 220 nm) have a small degradation in the gmSAT for nMOS, which slightly degrades de AV. The transistor efficiency showed great variation with the back gate bias variation, worsening as the back interface went from non-conduction state to conduction state. However, when the back gate is biased avoiding the conduction in back interface, the transistor efficiency for strong inversion region has a small variation of 1,1 V-1 between wide (WNW = 220 nm) and narrow (WNW = 10 nm) devices. As the channel length increases, this value of variation tends to decrease and wide devices become a valid alternative for applications in this region of operation.
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SHOMBERT, Henry Hodelin. "Simulação micromagnética para o estudo dos efeitos de rugosidade em nanofios de níquel." Universidade Federal de Pernambuco, 2015. https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/17699.
Full textAbstract:
Submitted by Fabio Sobreira Campos da Costa (fabio.sobreira@ufpe.br) on 2016-08-18T13:04:44Z
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CAPEs
CNPq
Neste trabalho é realizado um estudo sobre os efeitos das rugosidades nas propriedades magnéticas de nanofios de níquel para os modos de reversão curling e transversal. Para o estudo adotamos a simulação micromagnética como ferramenta fundamental e para ser implementada utilizamos OOMMF. Para mudar a rugosidade utilizamos uma cadeia de elipsóides e uma forma de variar este parâmetro foi fixando o comprimento dos fios em 1 μm e mudando o número de elipsóides na cadeia. Dessa forma a relação de aspecto dos elipsóides foi modificada para ser entendida como câmbios na rugosidade. Nas análises realizamos estudos dinâmicos e estáticos da reversão dos momentos. A simulação se baseia fundamentalmente na resolução da equação LLG. Nos estudos dinâmicos monitoramos a dependência temporal dos mapas de momentos a das componentes transversais da magnetização depois de ser invertido o campo aplicado. Foram simulados os ciclos de histerese através da minimização da energia livre de Gibbs. Nos estudos estáticos monitoramos a dependência ângular do campo coercitivo, campo de comutação e a magnetização remanente. Observamos em modo geral que há grandes efeitos das rugosidades sobre as propriedades magnéticase que nossos resultados reproduzem os reportados na literatura assim como as curvas experimentais.
This work is a study on the effects of roughness on the magnetic properties of nickel nanowires for their reversal modes (curling and transversal). For the study we adopted the micromagnetic simulation as a fundamental tool and we used OOMMF to implemented. To change the roughness use ellipsoids chain and a way to vary this parameter was securing the length of the wires in 1 μm and changing the number of ellipsoids in the sequence. Thus the ellipsoids of the aspect ratio has been modified to be understood as the exchange roughness. In the analyzes we perform static and dynamic studies of the reversal of moments. The simulation is based largely on the resolution of the LLG equation. In dynamic studies we monitor the time dependence of the maps of magnetic moments and the transverse components of the magnetization after being reversed the field applied. The hysteresis cycles were simulated by minimization of Gibbs free energy.In static studies we monitor the angular dependence of the coercive field, the switching field and remanent magnetization. We observe in general that there are major effects of roughness on the magnetic properties and that our results reproduce the reported in the literature as well as the experimental curves.
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Maras, Emile. "Du nanofil bimétallique isolé à la distribution de nanofils codéposés : une vision d'ensemble(s)." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00765965.
Full textAbstract:
Les nano-objets unidimensionnels alliés présentent des propriétés physiques spécifiques qui résultent à la fois de leur morphologie, de leur taille et de la répartition chimique des atomes. Nous exploitons un modèle d'Ising sur réseau qui rend compte en particulier des effets de ségrégation au sein de nanofils bimétalliques pour obtenir une compréhension fine des effets gouvernant cette répartition à l'équilibre.Dans une première section, nous détaillons l'équilibre d'un nanofil en fonction de sa taille et de sa composition, de manière à mettre en évidence le rôle des effets de taille finie sur la thermodynamique d'équilibre d'objets bimétalliques 1D. Contrairement aux systèmes infinis, l'équilibre dépend de l'ensemble statistique considéré. Ainsi la ségrégation est plus marquée dans l'ensemble canonique, où la concentration du nanofil est imposée, que dans l'ensemble pseudo-Grand Canonique (p-GC) où le nanofil est en équilibre avec un réservoir qui fixe la différence de potentiel chimique entre les espèces. De même, la contrainte de composition dans l'ensemble canonique induit des corrélations chimiques d'occupation des sites qui favorisent davantage les paires hétéroatomiques. Nous montrons que l'écart observé entre les isothermes des deux ensembles croît avec la courbure de l'isotherme canonique et avec l'amplitude des fluctuations de la concentration nominale dans l'ensemble p-GC. Ces fluctuations diminuant avec la taille du nanofil considéré, l'écart entre les ensembles s'annule à la limite thermodynamique. Les effets de taille finie se traduisent par ailleurs par l'apparition, à basse température et pour de petits nanofils, d'une coexistence d'un mode pur en l'espèce ségrégeante et d'un mode de faible concentration nominale constitué principalement de configurations de type cœur-coquille et Janus. Nous développons alors un formalisme permettant de caractériser cette bimodalité.Alors que les résultats évoqués précédemment concernent un nanofil considéré seul, nous étudions dans la deuxième section l'équilibre de l'ensemble des nanofils formant un co-dépôt unidimensionnel inférieur à la mono-couche. Nous montrons que la distribution en taille de ces nanofils varie globalement selon une loi de puissance, quelle que soit la composition du codépôt, de sorte que la ségrégation n'a que peu d'influence sur la microstructure observée. Par contre, en raison du rapport surface/volume et des corrélations chimiques dans ces objets, la composition des nanofils du co-dépôt varie très fortement selon leur taille, les petits nanofils étant plus riches en l'espèce ségrégeante que les plus grands. Enfin, nous étendons le diagramme de bimodalité d'un nanofil seul à l'ensemble des nanofils du co-dépôt et montrons que cette bimodalité est difficilement observable car elle ne concerne que des amas de petite taille qui sont très minoritaires du fait de la cohésion atomique.
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Rosaz, Guillaume. "Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00981971.
Full textAbstract:
Le but de cette thèse est de réaliser et d'étudier les propriétés électroniques d'un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistors vont nous permettre d'augmenter la densité d'intégration et de réaliser de nouvelles fonctionnalités (par exemple : des interconnections reconfigurables) dans les zones froides d'un circuit intégré. La thèse proposée se déroulera dans le cadre d'une collaboration entre le laboratoire LTM-CNRS et le laboratoire SiNaPS du CEA/INAC/SP2M et utilisera la Plateforme Technologique Amont (PTA) au sein du pôle MINATEC.
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Landré, Olivier. "Étude de la nucléation et de la croissance de structures filaires GaN et AlN." Phd thesis, Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00529998.
Full textAbstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit traite de la compréhension des processus de croissance de structures colonnaires de matériaux semiconducteurs nitrures. La technique de croissance utilisée est l'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE). Plusieurs types d'expériences viennent étayer ce travail: des expériences de microscopie électronique à balayage et à transmission, des expériences de diffraction multi-longueurs d'onde et de spectroscopie en condition de diffraction (menées à l'ESRF sur les lignes BM2 et BM32), et des expériences de photoluminescence. Tout d'abord les mécanismes de nucléation des nanofils nitrure de gallium (GaN) réalisés sur un fin (3nm) buffer de nitrure d'aluminium (AlN) épitaxié sur un substrat de silicium (111) sont étudiés. Il est démontré que la relaxation complète des précurseurs des nanofils GaN est un élément clé du mécanisme de nucléation. Dans le cas des fils de GaN, il apparaît en outre que la morphologie granulaire du buffer AlN joue un rôle essentiel. Ensuite le développement des nanofils GaN, une fois la nucléation achevée, est analysé. Nous identifions la diffusion du gallium dans le plan de croissance ainsi que sur les facettes des nanofils comme étant le mécanisme responsable de la croissance. Nous montrons en particulier que l'In, qui joue le rôle de surfactant, active la diffusion du Ga dans le plan et permet la croissance de nanofils GaN à des températures relativement basses. Sur la base de la compréhension de la nucléation et du développement des nanofils GaN, la croissance de nanofils AlN sur 4nm de SiO2 amorphe déposé sur Si(001) est développée. C'est la première fois que ce type de nanofils est réalisé par MBE. La relaxation des contraintes au cours de la réalisation d'un super réseau AlN/GaN sur des nanofils GaN a ensuite été étudiée. Nous comparons les résultats expérimentaux à des simulations théoriques pour conclure à la relaxation élastique des contraintes. La croissance de nanofils AlGaN est finalement abordée de façon préliminaire.
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Mendes, Udson Cabra. "Condutância em nanofios magnéticos diluídos." Universidade Federal de Goiás, 2010. http://repositorio.bc.ufg.br/tede/handle/tde/2888.
Full textAbstract:
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES
Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq
We investigate core-shell nanowires of diluted magnetic semiconductors (DMS) with remote n-type modulation doping. The incorporation of Mn2 ions acting as spin 5/2 impurities in the core region of the wire gives rise to a strong s-d exchange coupling between electrons in the wire and those of the d levels of the Mn2 ions. Applying an external magnetic eld along the axis of the wire, within the mean eld approximation, the s-d exchange generates a spin-dependent core potential. A gate voltage is applied radially to wire, to obtain some control over the density of the wire. Electronic strucutre of the wire was calculated within the e?ective mass approximation, in both approximations Hartree and spin density functional theory. We calculated the conductance of wire using the Landauer-B?uttiker formulation in the linear response regime, which generally results in a total conductance with well-de ned plateaus in GT = 2; 6; 10G0 (G0 = e2=h is the quanta of conductance), which occurred because in the system investigated the rst level is twofold degenerated (spin degenerescence) and the others are fourfold degenerated (spin degenerescence and orbital angular momentum). In the absence of a magnetic eld we observe that when we take into account the e?ects of exchange and correlation, the states with eigenvalues of Lz nonzero will be polarized while those with l = 0 isn't polarized. This unpolarized level with eigenvalue of Lz null suggests that, perhaps, the 0.7 anomaly (the emergence of two plateau at G = 0:7G0 and the other in G = G0) quantum wires on existing geometry of split-gate is related to the geometry of the wire. The results for total energy show that there are a competition between the ferromagnetic and paramagnetic states.
Investigamos nano fios de semicondutores magnéticos dilu??dos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroço-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fi o, faz surgir um forte acoplamento de trocas dentre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplicação de um campo magnético externo ao longo do eixo do fi o, na aproximação de campo médio, a interação de troca s-d gera um potencial dependente do spin na região do caroço do fi o. Um potencial de gate é aplicado radialmente ao nanofi o, para obtermos um certo controle sobre a densidade eletrônica do fi o. Calculamos a estrutura eletrônica do nanofi o de DMSs usando o modelo da massa efetiva, tanto na aproximação de Hartree quanto na teoria do funcional da densidade dependente de spin (SDFT - Spin Density Functional Theory). Calculamos a condutância do nano fio usando a formulação de Landauer-B?uttiker no regime de resposta linear, o que de modo geral, resultou numa condutância total com platôs bem de finidos em GT = 2; 6; 10G0 (G0 = e2=h ?e o quanta de condutância), o que ocorreu porque no sistema investigado a primeira subbanda ?e duplamente degenerada (degenerescência de spin) e as outras duas são quadruplamente degenerada (degenerescência de spin e de momento angular orbital). Na ausência de um campo magnético observamos que ao levarmos em conta os efeitos de troca e correlação, os estados que possuem autovalor de Lz diferente de zero se polarizam enquanto que os que possuem l = 0 não se polarizam. Essa não-polarização do nível com autovalor de Lz nulo sugere que, talvez, a anomalia 0,7 (o surgimento de dois platôs um em G = 0; 7G0 e outro em G = G0) existente em os quânticos com geometria de split-gate esteja relacionada com a geometria do o. Os resultados obtidos para a energia total mostram que há uma competição entre os estados ferromagnético e paramagnéticos.
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Leão, Cedric Rocha. "Propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores." Universidade de São Paulo, 2008. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19112008-104834/.
Full textAbstract:
No presente trabalho, efetuamos um extensivo estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios de silcio (Si NWs) utilizando simulações computacionais totalmente ab-initio (metodo do DFT). Mostramos que nestes sistemas, diferentes facetas podem ser eletronicamente ativas ou inativas nos estados de borda dependendo apenas da maneira como os átomos de superfície se ligam aos átomos mais internos. Estes efeitos são causados pelo confinamento quântico nos fios, e por isso podem ser estendidas para outros tipos de fios semicondutores. Nossos resultados podem ser utilizados para guiar o processo de manufatura de sensores baseados em nanofios. Efetuamos cálculos ab-initio de transporte eletrônico nos nanofios com radicais de NH2 adsorvidos em diferentes facetas. Estas análises indicam que há diferenças entre a resposta do sistema a perturbações em superfícies distintas que são eletronicamente ativas. Em certas circunstâncias que serão discutidas, o nível de impureza gera centros espalhadores que reduzem o transporte eletrônico de maneira mais uniforme, enquanto em outros casos as quedas na transmitância são extremamente agudas, com perfil lembrando ressonâncias de fano. Investigamos ainda dopagem de Si NWs com boro e fósforo. Mostramos que estas impurezas se distribuem de maneira razoavelmente uniforme em sítios internos e superficiais dos fios. Embora o confinamento quântico tenda a tornar os níveis de impureza significativamente mais profundos nos fios que no cristal de Si, mostramos que rapidamente, para diâmetros acima de 30°A, dopagem com características de bulke recuperada. Efeitos associados as diferentes superfícies nas quais as impurezas estão localizadas também foram identificados, e acordo com nossas constatações anteriores. Estudamos outra importante impureza em nanofios de Si, que é o ouro, que é utilizado como catalisador no crescimento destes fios. Nossas analises indicam que ha uma forte tendência para estes átomos serem incorporados em sítios superficiais, onde eles não introduzem estados próximos ao gap de energia. Isso indica que ouro pode ser utilizado para catalisar estes fios sem afetar suas propriedades eletrônicas. Por fim analisamos as propriedades eletrônicas de heteroestruturas filiformes de silicio-germânio. Dispositivos eletrônicos baseados nestes materiais têm apresentado propriedades superiores a de equivalentes em arquitetura planar ou mesmo dispositivos baseados em outros nanofios. Nossas análises indicam que estes materiais podem apresentar tão variadas que os tornam candidatos `a diversas implementações tecnológicas, desde detectores de alta sensibilidade e grande liberdade de manipulação até materiais de propriedades eletrônicas robustas e pouco sujeitas a indesejáveis perturbações.We have performed an extensive study on the electronic and structural properties of silicon nanowires (NWs) using parameter free computational simulations (DFT). We show that in Si NWs, surfaces whose atoms are connected to inner ones perpendicularly to the wires axes become electronically inactive at the band edges. However, when these bonds are oriented along the growth axes the surface states contribute significantly to the formation of the HOMO and LUMO, even for relatively large wires (diameters > 30 °A). This is the dimension of the smallest experimental as-grown wires. These effects are caused by the fact that the electronic wave function is confined in the two directions perpendicular to the wires axes but it is not along it. Therefore, these conclusions can be extended to other types of semiconductor NWs, grown along different directions, with different facets and even surface reconstructions. These results can be used to guide actual implementations of NW based chemical and biological sensors, in a fashion that is now being followed by experimentalists. Following this work, we have investigated the electronic transport in these NWs with a NH2 radical adsorbed on different types of facets. These investigations not only confirm our previous conclusions but also indicate different effects associated with impurities adsorbed on distinct active surfaces. In some cases, the impurity level induces scattering centres that reduce the transport in an uniform way, whereas on other types of facets the decrease in the eletronic transport is sharp, suggesting the occurence of fano resonance.
Books on the topic "Nanofio"
1
Singh, Navdeep, and Debjyoti Banerjee. Nanofins. New York, NY: Springer New York, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8532-2.
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3
Tokyo, Japan) JST-CREST International Symposium "Nanobio-Interfaces in Relation to Molecular Mobility" (2009. Nanobio-interfaces in relation to molecular mobility. Nomi, Ishikawa, Japan: JAIST Press, 2010.
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4
1972-, Hosokawa Yōichirō, ed. Rēzā ga hiraku nanobaio. Kyōto-shi: Kei Dī Neobukku, 2005.
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7
Maksimović, Mirjana, Enisa Omanović-Mikličanin, and Almir Badnjević. Nanofood and Internet of Nano Things. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-15054-9.
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8
Solovʹev, A. A. Rabotnik nanosit ushcherb--rabotodatelʹ vozmeshchaet: Regressnye iski. Moskva: "Izdatelʹstvo PRIOR", 2001.
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9
Hofmannsthal, Hugo von. Svatković: Igrokaz o bogataševu umiranju, nanovo napisan. Zagreb: Grech, 1993.
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10
Osadchuk, Petro. Nezryma strila chasu: Vybrane, nove i nanovo napysane. Kyïv: Vyd-vo "Dnipro", 1997.
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1
Singh, Navdeep, and Debjyoti Banerjee. "Introduction." In Nanofins, 1–21. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8532-2_1.
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2
Singh, Navdeep, and Debjyoti Banerjee. "Nanofins: Science." In Nanofins, 23–50. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8532-2_2.
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3
Singh, Navdeep, and Debjyoti Banerjee. "Nanofins: Applications." In Nanofins, 51–64. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8532-2_3.
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4
Singh, Navdeep, and Debjyoti Banerjee. "Nanofins: Implications." In Nanofins, 65–70. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8532-2_4.
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5
Maksimović, Mirjana, Enisa Omanović-Mikličanin, and Almir Badnjević. "Is Nanofood Safe?" In Nanofood and Internet of Nano Things, 87–137. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-15054-9_3.
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6
Meghani, Nikita, Sruja Dave, and Ashutosh Kumar. "Introduction to Nanofood." In Food Engineering Series, 1–23. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-44552-2_1.
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7
Hamouda, Tarek, Jakub Simon, Ali Fattom, and James Baker. "NanoBio™ Nanoemulsion for Mucosal Vaccine Delivery." In Novel Immune Potentiators and Delivery Technologies for Next Generation Vaccines, 269–86. Boston, MA: Springer US, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-5380-2_13.
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8
Ademola Ijabadeniyi, Oluwatosin. "Quality and Safety of Nanofood." In Nanotechnology in Agriculture and Food Science, 297–310. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017. http://dx.doi.org/10.1002/9783527697724.ch17.
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9
Binh, Vu Thien, N. Garcia, S. T. Purcell, and V. Semet. "Nanotip Fashioning and Nanosource Characteristics." In Nanosources and Manipulation of Atoms Under High Fields and Temperatures: Applications, 59–76. Dordrecht: Springer Netherlands, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-1729-6_6.
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10
Maksimović, Mirjana, Enisa Omanović-Mikličanin, and Almir Badnjević. "What Food Do We Want to Eat? Is Nanofood Food of Our Future?" In Nanofood and Internet of Nano Things, 1–8. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-15054-9_1.
Full textConference papers on the topic "Nanofio"
1
"NANOfIM 2018 Cover Page." In 2018 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/nanofim.2018.8688604.
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2
"NANOfIM 2018 Cover Page." In 2018 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/nanofim.2018.8688614.
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3
"NanofIM 2019 Breaker Page." In 2019 5th International Conference on Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NanofIM). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/nanofim49467.2019.9233476.
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4
Zhu, Ruiyu, Darion Cassel, Amr Sabry, and Yan Huang. "NANOPI." In CCS '18: 2018 ACM SIGSAC Conference on Computer and Communications Security. New York, NY, USA: ACM, 2018. http://dx.doi.org/10.1145/3243734.3243850.
Full text
5
Maftouni, Negin, M. Amininasab, and Farshad Kowsari. "Molecular Dynamics Study of Nanobio Membranes." In ASME 2010 First Global Congress on NanoEngineering for Medicine and Biology. ASMEDC, 2010. http://dx.doi.org/10.1115/nemb2010-13277.
Full textAbstract:
Molecular models of lipid bilayers have ignored the interface of two monolayers of nanobiomembranes in detail by now, however in this paper a new physical model is proposed based on variation of surface tension in the interface of two monolayers of membrane. Experimental results have shown that some peptides and proteins like antimicrobial peptides and cytotoxins are able to change the shape of — or in some cases to destroy — the bilayer membrane during insertion to external monolayer. All interfaces in nanobiomembrane are liquid-liquid type. In this paper appropriate ensembles to simulate liquid/liquid interfaces are presented with special focus on proper ones for surface tension analysis.
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Robinson, W. P., and N. W. Parker. "Advanced Mask Repair With The Nanofix." In Microlithography Conference, edited by Phillip D. Blais. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.940374.
Full text
7
Kim, Jong-Hoon, Morgan Hiraiwa, Dayong Gao, Kyong-Hoon Lee, and Jae-Hyun Chung. "Dendritic Nanotip for Low-Cost Detection of Mycobacterium Tuberculosis." In ASME 2012 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. American Society of Mechanical Engineers, 2012. http://dx.doi.org/10.1115/imece2012-87871.
Full textAbstract:
Rapid diagnosis of tuberculosis, one of the most widely spread diseases on the globe today, has been critically demanded for over a century. One of the major challenges for screening Mycobacterium tuberculosis (MTB) is in low-cost detection of MTB. In this study, we present an electrical detection method of MTB cells using a dendritic nanotip composed of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) and Si micro- and nanowires. The novelty is in the direct measurement of electric current with a minimal capacitance effect on dendritic nanotip surface. Upon binding of target cells, a gating effect on the nanotip surface decreases the electric current, which is measured directly by a dendritic nanotip. The measurement resolution is aided by reduced interference of an electrical double layer effect, due to the dendritic nanostructure. Using the nanotip, BCG cells could be electrically detected within 15 minutes, which is validated by fluorescence detection. The sensitivity is 1000 cfu/ml for both methods. The presented tip sensor demonstrated the potential for rapid and low-cost detection of MTB.
8
"2016 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM)." In 2016 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/nanofim.2016.8521431.
Full text
9
"2016 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM)." In 2016 Nanotechnology for Instrumentation and Measurement (NANOfIM). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/nanofim.2016.8521421.
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10
Maftouni, Negin, Mehriar Amininasab, MohammadReza Ejtehadi, and Farshad Kowsari. "Multiscale Molecular Dynamics Simulation of Nanobio Membrane in Interaction With Protein." In ASME 2013 2nd Global Congress on NanoEngineering for Medicine and Biology. American Society of Mechanical Engineers, 2013. http://dx.doi.org/10.1115/nemb2013-93054.
Full textAbstract:
One of the most important biological components is lipid nanobio membrane. The lipid membranes of alive cells and their mechanical properties play an important role in biophysical investigations. Some proteins affect the shape and properties of the nanobio membrane while interacting with it. In this study a multiscale approach is experienced: first a 100ns all atom (fine-grained) molecular dynamics simulation is done to investigate the binding of CTX A3, a protein from snake venom, to a phosphatidylcholine lipid bilayer, second, a 5 micro seconds coarse-grained molecular dynamics simulation is carried out to compute the pressure tensor, lateral pressure, surface tension, and first moment of lateral pressure. Our simulations reveal that the insertion of CTX A3 into one monolayer results in an asymmetrical change in the lateral pressure and distribution of surface tension of the individual bilayer leaflets. The relative variation in the surface tension of the two monolayers as a result of a change in the contribution of the various intermolecular forces may be expressed morphologically and lead to deformation of the lipid membrane.
Reports on the topic "Nanofio"
1
Junhang Dong, Hai Xiao, Xiling Tang, Hongmin Jiang, Kurtis Remmel, and Amardeep Kaur. DEVELOPMENT OF NOVEL CERAMIC NANOFILM-FIBER INTEGRATED OPTICAL SENSORS FOR RAPID DETECTION OF COAL DERIVED SYNTHESIS GAS. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), September 2012. http://dx.doi.org/10.2172/1060495.
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