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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Nitrure d'aluminium gallium'

Author: Grafiati
Published: 7 July 2024
Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Nitrure d'aluminium gallium"

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Gloux, Florence. "Comportement des semiconducteurs de structure wurtzite à base d'azote sous implantation d'ions terres rares de moyenne énergie." Caen, 2008. http://www.theses.fr/2008CAEN2047.

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Abstract:
L'endommagement par l'implantation ionique d'ions lourds de terre rares à 300 kV dans les seminconducteurs GaN et AlN de structure wurtzite a été étudié. En effet, des résultats sur la nature de l'endommagement de GaN à température ambiante montraient des divergences vis-à-vis du comportement conventionnel. L’objectif de ce travail été de contribuer à la compréhension du mécanisme d'endommagement de GaN. L'évolution en fonction de la fluence de la nature et de la distribution des défauts a été caractérisée par microscopie électronique en transmission. Le comportement de l'AlN a été étudié en p
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Rossner, Ulrike. "Epitaxie des nitrures de gallium et d'aluminium sur silicium par jets moléculaires : caractérisation structurale et optique." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10181.

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Abstract:
Les nitrures de gallium et d'aluminium ont ete elabores par epitaxie par jets moleculaires (mbe) sur des substrats de silicium. La phase cubique de ces nitrures a ete obtenue sur le si(001). Elle est initiee par une carburation de la surface du silicium precedante a la croissance des nitrures: cette carburation permet de recouvrir completement la surface des substrats par des cristallites de sic cubique. La phase hexagonale du gan et de l'ain a ete observee sur le si(111). Pour la croissance du gan hexagonal, des couches tampons d'ain ont ete utilisees. Le nitrure d'aluminium a ete caracterise
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3

Le, Louarn Arnaud. "Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN." Nice, 2006. http://www.theses.fr/2006NICE4016.

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Abstract:
Ce travail concerne l'étude de la nucléation d'AlN sur Si(111), première étape nécessaire à la croissance de GaN sur ce substrat. En effet, les détails de la réalisation de cette étape, en particulier l'ordre de l'exposition de la surface Si(111) à Al et à NH3, jouent un rôle déterminant sur les propriétés finales des couches épitaxiales de GaN. Sur la base d'un dispositif expérimental couplant sous ultra-vide un microscope à effet tunnel (STM) et un réacteur d'épitaxie par jets moléculaires, l'objectif de cette thèse était d'identifier et de comprendre les différents mécanismes mis en jeu dan
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Vermaut, Philippe. "Structure de couches de composes semi-conducteurs iii-v a large bande interdite, nitrure de gallium ou d'aluminium, epitaxiees sur carbure de silicum, par microscopie electronique en transmission." Caen, 1997. http://www.theses.fr/1997CAEN2019.

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Abstract:
La microstructure des couches de nitrure de gallium epitaxiees par jets moleculaires sur la face silicium (0001) du carbure de silicium avec ou sans couche tampon de nitrure d'aluminium a ete analysee. Ces couches contiennent une grande densite de defauts : dislocations, fautes d'empilement et domaines prismatiques. Les vecteurs de burgers des dislocations sont 1/3<-2110>, 1/3<-2113> et minoritairement 0001. L'arrangement de leurs lignes forme des sous-joints mixtes. Afin de connaitre l'influence de la difference de polytype entre le substrat (6h) et le depot (2h) sur la formation des defauts,
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5

Bassaler, Julien. "Propriétés de transport électronique et performances de HEMT à canal AlGaN pour l'électronique de puissance." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALY002.

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Abstract:
La demande croissante en énergie exige la création d'infrastructures nouvelles et adaptées, et le développement de l'électronique de puissance joue un rôle clé dans cette quête. L'utilisation de semi-conducteurs à large bande interdite, en raison de leurs propriétés physiques supérieures au silicium, s'avère être la voie la plus prometteuse pour concevoir des composants plus performants. Bien que les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de GaN sur silicium soient déjà commercialisés, leur tension de fonctionnement est limitée à 650 V et ils montrent une nette dégradation de
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Lecourt, François. "Hétérostructures AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour la réalisation de HEMTs de puissance hyperfréquence en bande Ka." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10123/document.

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Abstract:
Les Transistors à Haute Mobilité Electronique (HEMTs) à base de GaN sont les composants les plus prometteurs pour des applications de puissance en gamme d’ondes micrométriques et millimétriques grâce à leurs très bonnes propriétés physiques comme leur grande largeur de bande interdite (3.4eV), induisant un champ de claquage élevé (&gt;106 V/cm) mais également une vitesse de saturation des électrons élevée (&gt;107 cm/s). Dans ce travail, nous avons étudié les effets de canaux courts pour des transistors réalisés sur des hétérostructures AlGaN/GaN et InAlN/GaN. Des grilles de longueur (Lg=75nm)
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Zeng, Yijia. "Circuits photoniques III-nitrure avec des cristaux photoniques et des microdisques." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS070.

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Abstract:
Les semi-conducteurs nitrures d'éléments III type GaN, AlN sont des matériaux extrêmement intéressants pour la photonique intégrée sur silicium. Ils sont transparents sur une gamme très étendue et possèdent des susceptibilités non linéaires non nulles, ce qui rend possible les expériences non linéaires d'ordre deux et d'ordre trois. Dans ce contexte, cette thèse a été consacrée à l'étude de circuits photoniques avec des micro-résonateurs tels que les cristaux photoniques et les microdisques en matériau GaN/AlN épitaxiés sur Si. Le dessin des microcavités et des procédés de fabrication ont été
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Douvry, Yannick. "Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement pour la puissance hyperfréquence : conception et fabrication, caractérisation et fiabilité." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10131/document.

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Abstract:
Cette thèse expose les travaux effectués au sein du laboratoire central de l’IEMN. La finalité de ce travail est de participer a l’optimisation des transistors HEMTs de la filière AlGaN/GaN sur substrat Si(111), au niveau de leur fabrication et de leurs propriétés électroniques, qui seront a terme intégrés dans des dispositifs de puissance hyperfréquence. Ce manuscrit expose dans un premier chapitre les principales propriétés physiques, électriques et mécaniques des matériaux choisis, ainsi que le principe de fonctionnement du HEMT. Ensuite, toutes les étapes technologiques permettant la conce
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Agboton, Alain. "Études théorique et expérimentale de dispositifs à hétérojonction AL(Ga, In)N/GaN pour des applications de puissances en bande Q (40.5 - 43.5GHz)." Thesis, Lille 1, 2016. http://www.theses.fr/2016LIL10047/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse a consisté à faire une étude théorique et expérimentale des transistors HEMTs Al(In,Ga)N/GaN . Il a été réalisé au sein du groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à L’IEMN. Il s’articule autour de quatre chapitres qui permettent d’abord d’évoquer les principales propriétés physiques des matériaux nitrurés, de présenter les principes de fonctionnement des HEMTs Al(In,Ga)N/GaN et d’exposer à travers l’état de l’art, leurs performances en termes de puissances hyperfréquences. Ensuite l’analyse des contacts de type Schottky et ohmique a été réalisée notamment
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Ben, ammar Hichem. "Investigation of ternary ΑlΙnΝ and quaternary ΑlGaΙnΝ alloys for high electron mobility transistors by transmission electron microscopy". Thesis, Normandie, 2017. http://www.theses.fr/2017NORMC241/document.

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Abstract:
Les semi-conducteurs III-V à base d’azote et leurs alliages possèdent des propriétés remarquables et sont largement étudiés depuis les années 90. En comparaison à d'autres semi-conducteurs III-V, Les alliages de type ; AlGaN, InGaN et AlInN, ont leurs bandes interdites, directes, du lointain ultra-violet au proche infrarouge. Ainsi, ils sont appropriés pour de nombreuses applications dans des domaines tant civils que militaires tout en montrant de meilleures performances. De plus, l'alliage quaternaire AlGaInN montre des propriétés intéressantes car il peut être épitaxié soit avec un paramètre
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