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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Nitrure de gallium – Propriétés physico-chimiques'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024
Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Nitrure de gallium – Propriétés physico-chimiques"

1

Tang, Xiao. "Optimisation théorique et expérimentale de composants hyperfréquences de la filière nitrure de gallium à partir d’études physico-thermiques et électriques." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10004/document.

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Abstract:
Le travail de thèse consiste à étudier des composants de la filière nitrure de gallium à partir d’études électriques et d’un modèle physico-thermique. Les dispositifs de cette filière sont très prometteurs pour des applications de puissance en hyperfréquence. Cependant, leurs performances électriques sont limitées par deux causes principales : La première cause est liée à la réalisation des contacts. Dans ce travail, nous avons étudié des contacts Schottky TiN sur hétérostructures AlGaN/GaN sur substrats Si (111) réalisés par pulvérisation magnétron. Une analyse détaillée des paramètres obtenu
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2

Barbier, Camille. "Epitaxie de GaN sur substrat de graphène." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2021. http://www.theses.fr/2021SORUS069.

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Abstract:
De par leurs excellentes propriétés physiques, les nitrures d’éléments III sont des semi-conducteurs très prisés pour la fabrication de dispositifs micro-électroniques et opto-électroniques. Bien que de nombreux dispositifs à base d’alliages III-N soient d’ores et déjà commercialisés, leurs performances peuvent rester impactées par une densité importante de défauts dans les couches actives. Cela est lié à l’absence de substrat natif de III-N, disponible à bas coût. Actuellement, la fabrication de ces couches est réalisée par hétéroépitaxie, c’est-à-dire sur des substrats massifs de nature diff
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3

Denis, Annaïg. "Elaboration, cristallogenèse et caractérisations physico-chimiques des nitrures des éléments de la colonne IIIA et en particulier de GaN." Bordeaux 1, 2003. http://www.theses.fr/2003BOR12705.

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Abstract:
Le nitrure de gallium est un semi-conducteur à large gap qui présente un intérêt considérable pour de nombreuses applications en opto et microélectronique. Cependant le développement de tels dispositifs est très limité du fait du manque de substrats adaptés pour leur réalisation. L'élaboration de monocristaux de GaN est donc devenue un enjeu mondial et constitue le cadre de cette étude. Nous avons transposé dans ce but deux procédés de cristallogenèse existants : d'une part la cristallogenèse hydrothermale du quartz-a (le solvant choisi étant NH3) et d'autre part la cristallogenèse du diamant
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4

Thierry-Jebali, Nicolas. "Caractérisations et modélisations physiques de contacts entre phases métalliques et Nitrure de Gallium semi-conducteur." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00744661.

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Abstract:
Les composés III-N, et le Nitrure de Gallium (GaN) en particulier, sont devenus des matériaux semi conducteurs importants pour l'ensemble de l'humanité. Depuis la fin des années 1990, ils ont permis le développement de composants électroluminescents fiables, diodes LED et diodes laser, qui constituent une solution de remplacement à rendement énergétique amélioré par rapport aux composants à incandescence. Il est possible qu'ils jouent aussi un rôle dans les nouvelles générations de composants pour l'électronique de puissance. Lors du développement des composants, des recherches expérimentales
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5

Lauque, Pascal. "Caractérisation des propriétés physico-chimiques, électriques et optiques de films minces de GaxAs1-x amorphe hydrogéné obtenus par décharge luminescente RF." Toulouse 3, 1990. http://www.theses.fr/1990TOU30224.

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Abstract:
Une technique de depot combinant la pulverisation d'une cible de gallium et la decomposition de l'arsine est utilisee pour realiser des couches minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene. La correlation lineaire observee entre le rapport des raies d'emission optique de gallium et d'arsenic et la compositon des films deposes permet d'obtenir des alliages de composition souhaitee. Les caracteristiques physico-chimiques des echantillons portent sur la determination de leur composition (edax) et leur morphologie (diffrction et microscopie electronique): les films deposes sur verre sont amorph
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6

Fontaine, Florian. "Composites à matrice carbone-oxyde et carbone-nitrure : thermodynamique de l'élaboration et son impact sur les propriétés physico-chimiques, thermiques et mécaniques des composites." Thesis, Bordeaux 1, 2011. http://www.theses.fr/2011BOR14217/document.

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Abstract:
Les composites carbone/carbone présentent de propriétés thermomécaniques à hautes températures qui les rendent particulièrement adaptés à l’ablation ou à la friction. Leur sensibilité à l’oxydation dès 400°C a conduit à envisager leur dopage en éléments réfractaires inoxydables ou à température d’oxydation élevée. Le procédé sol-gel a permis d’introduire environ 1 % volumique d’oxyde ou de nitrure de titane ou d’aluminium dans leur matrice. Les nitrures sont obtenus par nitruration carbothermique des films d’oxydes. Deux types de sols ont été utilisés : des sols « standard » et des sols enrich
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Reynes, Brigitte. "Contribution à l'étude de quelques propriétés physico-chimiques et électroniques de a-SixNyHz préparé par PECVD et dilution hélium." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10036.

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Abstract:
L'etude de quelques proprietes physico-chimiques et electroniques de nitrures de silicium prepares par depot chimique en phase vapeur assiste plasma (pecvd) a basse frequence (50 khz) a partir du melange gazeux compose de silane dilue dans l'helium (1%), d'ammoniac et d'azote, fait l'objet de ce memoire. Nous montrons que ces materiaux presentent des taux d'hydrogene et des compositions chimiques variables selon le rapport des debits gazeux utilise (r=n#2/n#2+nh#3). Dans certaines conditions de preparation (r=1), ces nitrures peuvent atteindre des taux d'hydrogene inferieurs a 10% pour une com
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Termoss, Hussein. "Préparation de revêtements de nitrure de bore (BN) par voie polymère précéramique : étude des paramètres d’élaboration : caractérisations physico-chimiques." Thesis, Lyon 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LYO10145/document.

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Abstract:
L’objectif de cette thèse est de réaliser des revêtements de nitrure de bore sur différents types de substrats comme le graphite, le quartz, le pyrex, en allant jusqu’aux métaux et en particulier le titane. Le choix de la voie PDCs s’avère intéressant grâce à la maîtrise du précurseur de départ au niveau atomique d’une part et à la facilité du procédé de dépôt, d’autre part. Nos objectifs étaient d’étudier la faisabilité de réaliser des revêtements BN sur différents types de substrat en utilisant un traitement thermique résistif et de mettre en place un dispositif qui nous permette de pyrolyse
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Medjdoub-El, Amraoui Mokhtaria. "Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD : application à la passivation du transistor à haute mobilité électronique GaInAs/InP." Paris 7, 2001. http://www.theses.fr/2001PA077100.

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Schnaffnit, Catherine. "Elaboration de couches minces de nitrure de bore par voie chimique assistée par plasma R. F. à partir de BCl3/N2/H2/Ar : étude du procédé et des propriétés physico-chimiques du matériau." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0125.

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Abstract:
Des couches minces de nitrure de bore ont ete synthetisees a partir de melanges bcl#3/n#2/h#2/ar dans un reacteur plasma r. F. A couplage capacitif. L'etude a porte dans un premier temps sur la caracterisation de la phase gazeuse par spectrometrie de masse et par spectroscopie optique d'emission. En particulier, l'effet de la teneur de la phase gazeuse en hydrogene sur la nature et la concentration relative des especes a ete etudie: tout d'abord dans un plasma argon-hydrogene, dans lequel ont ensuite ete ajoutes les deux precurseurs bcl#3 et n#2, separement puis simultanement. Le debit d'hydro
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