Relevant bibliographies by topics / Nm and 32 nm

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers
  6. Reports

Academic literature on the topic 'Nm and 32 nm'

Author: Grafiati
Published: 12 October 2022
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Nm and 32 nm"

1

Wisely, D. R. "32 channel WDM multiplexer with 1 nm channel spacing and 0.7 nm bandwidth." Electronics Letters 27, no. 6 (1991): 520. http://dx.doi.org/10.1049/el:19910326.

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2

Fernandes, Leonardo Agostini, and Luiz Henrique Lucas Barbosa. "breve análise exegética de Nm 10,29-32." Revista de Cultura Teológica, no. 102 (October 1, 2022): 287–306. http://dx.doi.org/10.23925/rct.i102.58815.

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Abstract:
O Livro de Números parece não receber a mesma atenção que os demais livros da Torá. Existem bons comentários, mas poucos artigos. Nesse sentido, um estudo sobre Nm 10,29-32 pode trazer alguma contribuição, em particular sobre o tema da súplica com promessa de recompensa que não é estranho ao livro. No texto em foco, encontra-se o diálogo entre Moisés e Hobab, na iminência da partida do Sinai rumo a Canaã. Moisés pede que Hobab sirva de guia na travessia pelo deserto. O vínculo, a denominação do sogro de Moisés e a utilidade a ele atribuída são questões relevantes e trabalhadas na análise, inda
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3

Asenov, Asen. "Variability Headaches in Sub-32 nm CMOS." ECS Transactions 25, no. 7 (2019): 131–36. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203949.

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4

Kurd, Nasser A., Subramani Bhamidipati, Chris Mozak, et al. "A Family of 32 nm IA Processors." IEEE Journal of Solid-State Circuits 46, no. 1 (2011): 119–30. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2010.2079430.

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5

Jaatinen, E., and N. Brown. "A simple external iodine stabilizer applied to 633 nm, 612 nm and 543 nm He-Ne lasers." Metrologia 32, no. 2 (1995): 95–101. http://dx.doi.org/10.1088/0026-1394/32/2/004.

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6

Maharrey, J. A., R. C. Quinn, T. D. Loveless, et al. "Effect of Device Variants in 32 nm and 45 nm SOI on SET Pulse Distributions." IEEE Transactions on Nuclear Science 60, no. 6 (2013): 4399–404. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2013.2288572.

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7

Somra, Neha, and Ravinder Singh Sawhney. "32 nm Gate Length FinFET: Impact of Doping." International Journal of Computer Applications 122, no. 6 (2015): 11–14. http://dx.doi.org/10.5120/21703-4816.

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8

Bohnenstiehl, Brent, Aaron Stillmaker, Jon J. Pimentel, et al. "KiloCore: A 32-nm 1000-Processor Computational Array." IEEE Journal of Solid-State Circuits 52, no. 4 (2017): 891–902. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2016.2638459.

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9

Deren P.J., Watras A., and Stefanska D. "32-21." Optics and Spectroscopy 132, no. 1 (2022): 123. http://dx.doi.org/10.21883/eos.2022.01.52997.32-21.

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Abstract:
ZnAl2O4 nanocrystallites doped with Cr3+ ions with mean sizes ranging from 2 to 16 nm were synthesized by the hydrothermal method. Chromium ions occupy the aluminum positions, which symmetry depends on the crystallite size. The smallest nanocrystals have a much larger unit cell than the bigger ones. The metal to ligand distance increases when the size of the nanocrystals decreases. This causes the nephelauxetic effect, which is for the first time (to our knowledge) observed as a size effect. It was also observed that ZnAl2O4: Cr3+ nanocrystals with size larger than 10 nm possesses the same spe
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10

Noh, Heeso, and Jai-Min Choi. "One-Way Zero Reflection in an Insulator-Metal-Insulator Structure Using the Transfer Matrix Method." Photonics 8, no. 1 (2020): 8. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8010008.

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Abstract:
We numerically demonstrate one-way zero reflection using the transfer matrix method. Using simulations, we adjusted the thickness of SiO2 layers in a simple SiO2-Au-SiO2 layer structure. We found two solutions, 47 nm-10 nm-32 nm and 71 nm-10 nm-60 nm, which are the thicknesses for one-way zero reflection at a wavelength of 560 nm. We confirmed it with reflection spectra, where reflectance is zero for forwardly incident light and 2.5% for backwardly incident light at the wavelength 560 nm, and thickness 47 nm-10 nm-32 nm.
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Dissertations / Theses on the topic "Nm and 32 nm"

1

Guillaumond, Jean-Frédéric. "Étude de la résistivité et de l'électromigration dans les interconnexions destinées aux technologies des noeuds 90 nm - 32 nm." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://www.theses.fr/2005GRE10246.

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Abstract:
La résistivité et la fiabilité du cuivre dans les interconnexions des circuits intégrés pour les générations 90 nm – 32 nm ont été étudiées. Le contexte, la réalisation des interconnexions et les outils de caractérisations utilisés sont présentés dans une première partie. Dans une seconde partie, l'augmentation de résistivité observée en diminuant la largeur des lignes de cuivre est décrite à l'aide du modèle de Mayadas. Ce phénomène est dû à la diffusion des électrons sur les défauts du cristal (joints de grains, parois extérieures, impuretés). La résistivité des lignes de dimensions décanano
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2

Kechichian, Ardem. "Impact de l'environnement du diélectrique sur les performances du transistor pour les noeuds technologiques de 32 nm à 14 nm." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066748.

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Abstract:
Dans le cadre de la stratégie More Moore, la réduction de la taille des transistors MOS à effet de champs en deçà de 32nm requiert l’utilisation d’un diélectrique à forte permittivité (high-k) et l’emploi d’une grille métallique. Or, cette architecture présente une instabilité intrinsèque qui décale la tension de seuil du transistor. Cette instabilité est expliquée par plusieurs modèles, mais toutes accordent un rôle important à la diffusion de l’oxygène. Le modèle le plus consensuel est celui du Fermi Level Pinning, qui explique le décalage de tension de seuil par la création d’un dipôle à l’
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3

Ben, Akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT081/document.

Full text
Abstract:
&gt; Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une&gt; technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques&gt; combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes&gt; liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces&gt; aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."<br>This manuscript presents a theoretical and experimental study ca
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4

Luere, Olivier. "Analyse des différentes stratégies de procédés de gravure de grille métal - high k pour les nœuds technologiques 45 nm et 32 nm." Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10249.

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Abstract:
Avec la miniaturisation des composants et l'ajout de nouveaux matériaux de grille, notamment les métaux et les oxydes high-k, il est de plus en plus difficile de développer des procédés de gravure plasma permettant de maintenir un bon contrôle dimensionnel. L'objectif de ce travail de thèse est de déterminer une stratégie de gravure qui permette de graver un empilement polysilicium/TiN/Mo/HfO2 tout en satisfaisant les exigences dimensionnelles des nœuds technologiques 45 nm et 32 nm. Dans une première partie nous avons étudié la gravure du polysilicium par des plasmas de SF6/CH2F2(CHF3)/Ar et
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5

Leu, Jonathan Chung. "A 9GHz injection locked loop optical clock receiver in 32-nm CMOS." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1721.1/62443.

Full text
Abstract:
Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2010.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 65-68).<br>The bottleneck of multi-core processors performance will be the I/O, for both on-chip core-to-core I/0, and off-chip core-to-memory. Integrated silicon photonics can potentially provide high-bandwidth low-power signal and clock distribution for multicore processors, by exploiting wavelength-division multiplexing. This thesis presents the technology environment of the monolithic optical/el
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6

Ben, akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870329.

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Abstract:
> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."
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Hamioud, Karim. "Élaboration et caractérisation des interconnexions pour les nœuds technologiques CMOS 32 et 22 nm." Lyon, INSA, 2010. http://www.theses.fr/2010ISAL0011.

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Abstract:
Les performances globales des circuits intégrés doivent augmenter d’environ 20 % à chaque nouvelle génération technologique. Les interconnexions constituant ces circuits ces circuits doivent participer à l’augmentation de ces performances et plus particulièrement à la réduction du temps de propagation des signaux. L’utilisation de diélectrique poreux à très faible permittivité est nécessaire pour les générations sub-45 nm. Dans un premier temps, une feuille de route pour une filière BEOL 32 nm performante est proposée. Les développements de procédés élémentaires ont permis de démontrer la fonc
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8

Jouve, Amandine. "Limitations des résines à amplification chimique destinées à la réalisation du noeud technologique 32 nm." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0147.

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Abstract:
Les performances d'une technique lithographique sont étroitement liées aux performances du procédé lithographique, et notamment aux performances des résines à amplification chimique. L'objet de ce travail est donc d'étudier certaines limitations de ces matériaux à adresser les critères requis par l'ITRS pour le nœud technologique 32 nm. Dans un premier temps nous avons montré que si les dernières formulations des résines photosensibles permettent effectivement d'imprimer des motifs de dimension proche de 32 nm, d'autres paramètres (sensibilité, rugosité, facteur de forme) ne sont toujours pas
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9

Quémerais, Thomas. "Conception et étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0158.

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Abstract:
Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étud
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10

Babaud, Laurène. "Développement et optimisation d’un procédé de gravure grille polysilicium pour les nœuds technologiques 45 et 32 nm." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0034.

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Abstract:
Dans la course à l'intégration, l'un des paramètres les plus critiques dans la fabrication des dispositifs et leur performance est la définition des grilles des transistors et en particulier le contrôle en dimension de ces grilles de transistors. Pour le nœud technologique 45nm, la variation totale de dimension devra être inférieure à 2. 8nm sur une tranche de 300mm. Cela comprend la variation intrapuce, intraplaque, plaque à plaque et lot à lot. Cette thèse porte sur l'étude des interactions plasma/matériaux lors d'un procédé industriel de gravure d'une grille polysilicium pour le nœud techno
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Books on the topic "Nm and 32 nm"

1

Akins, Nancy J. Excavations at the Gallo Mountain sites, NM 32, Catron County, New Mexico. Museum of New Mexico, Office of Archaeological Studies, 1998.

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2

Donnelly, Michelle K. Particle size measurements for spheres with diameters of 50 nm to 400 nm. U.S. Dept. of Commerce, Technology Administration, National Institute of Standards and Technology, Building and Fire Research Laboratory, 2003.

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3

W, Mulholland G., and Building and Fire Research Laboratory (U.S.), eds. Particle size measurements for spheres with diameters of 50 nm to 400 nm. U.S. Dept. of Commerce, Technology Administration, National Institute of Standards and Technology, Building and Fire Research Laboratory, 2003.

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4

D, Emin, ed. Boron-rich solids: Albuquerque, NM 1990. American Institute of Physics, 1991.

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5

Jacks, Ben. Residential NM wiring with bonding & grounding. R. Benton Jacks, 2005.

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6

C, Swann William, and National Institute of Standards and Technology (U.S.), eds. Acetylene ¹²C₂H₂ absorption reference for 1510 nm to 1540 nm wavelength calibration--SRM 2517a. 2nd ed. U.S. Dept. of Commerce, Technology Administration, National Institute of Standards and Technology, 2001.

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7

Bullock, John H. Analytical results and sample locality map for stream-sediment and heavy-mineral-concentrate samples from the Rimrock (NM-020-007), Sand Canyon (NM-020-008), Little Rimrock (NM-020-009), Pinyon (NM-020-010), and Petaca Pinta (NM-020-014) Wilderness study areas, Cibola County, New Mexico. U.S. Dept. of the Interior, Geological Survey, 1989.

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8

A, Roemer T., Nowlan G. A, and Geological Survey (U.S.), eds. Analytical results and sample locality map for stream-sediment and heavy-mineral-concentrate samples from the Rimrock (NM-020-007), Sand Canyon (NM-020-008), Little Rimrock (NM-020-009), Pinyon (NM-020-010), and Petaca Pinta (NM-020-014) Wilderness study areas, Cibola County, New Mexico. U.S. Dept. of the Interior, Geological Survey, 1989.

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9

L, Brainard Robert, ed. Advanced processes for 193-nm immersion lithography. SPIE, 2009.

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10

Bird, Catherine Ann. Photodissociation dynamics of acrylonitrile at 193 nm. National Library of Canada, 1994.

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Book chapters on the topic "Nm and 32 nm"

1

Dao, Thuy, Ik_Sung Lim, Larry Connell, Dina H. Triyoso, Youngbog Park, and Charlie Mackenzie. "Metal Gate Effects on a 32 nm Metal Gate Resistor." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Netherlands, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-90-481-9379-0_6.

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2

Valasa, Sresta, and Shubham Tayal. "Modeling and Analysis of Low Power High-Speed Phase Detector and Phase Frequency Detector Using Nano Dimensional MOS Transistors at 16 nm, 22 nm, 32 nm." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-6780-1_1.

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3

Jeffry Louis, V., and Jai Gopal Pandey. "A Novel Design of SRAM Using Memristors at 45 nm Technology." In Communications in Computer and Information Science. Springer Singapore, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-32-9767-8_48.

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4

Sharma, Jyoti, Puneet Sharma, and Deepak Verma. "Performance Comparison of 45 nm CMOS Based CDTA and 32 nm FinFET Based CDTA and Its Application as Universal Filter." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Nature Singapore, 2025. https://doi.org/10.1007/978-981-96-0476-0_13.

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5

Srivastava, Prakhar, Bhawna Rawat, and Poornima Mittal. "Comparative Analysis of Various SRAM Bit Cells for 32 nm Technology Node." In Data Science and Applications. Springer Nature Singapore, 2024. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-99-7820-5_1.

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6

Gupta, Vaibhav, Atharv Kapre, Shashank Kumar Dubey, and Aminul Islam. "Implementation and Analysis of CNFET-Based PCRAM Cell Using 32 nm Technology." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-99-3691-5_21.

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7

Pittala, Suresh Kumar, and A. Jhansi Rani. "Complementary Energy Path Adiabatic Logic-Based Adder Design in 32 Nm FinFET Technology." In Advances in Communication, Devices and Networking. Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-7901-6_11.

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8

Ahmed Khan, Imran, Md Rashid Mahmood, and J. P. Keshari. "Analytical Comparison of Power Efficient and High Performance Adders at 32 nm Technology." In Lecture Notes in Networks and Systems. Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-3172-9_62.

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9

Krishna, R., and Punithavathi Duraiswamy. "Simulation Study and Performance Comparison of Various SRAM Cells in 32 nm CMOS Technology." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-3477-5_7.

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10

Sahu, Anil Kumar, G. R. Sinha, and Sapna Soni. "Design of Sigma-Delta Converter Using 65 nm CMOS Technology for Nerves Organization in Brain Machine Interface." In Data Management, Analytics and Innovation. Springer Singapore, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-32-9949-8_28.

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Conference papers on the topic "Nm and 32 nm"

1

Rice, Bryan J., Heidi B. Cao, Ovijut Chaudhuri, et al. "CD metrology for the 45-nm and 32-nm nodes." In Microlithography 2004, edited by Richard M. Silver. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.536071.

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2

Stellari, Franco, Alessandro Ruggeri, Andrea Bahgat Shehata, Herschel Ainspan, and Peilin Song. "Spontaneous photon emission from 32 nm and 14 nm SOI FETs." In 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/irps.2016.7574577.

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3

Tejnil, Edita, Yuanfang Hu, Emile Sahouria, Steffen Schulze, Ming Jing Tian, and Eric Guo. "Advanced mask process modeling for 45-nm and 32-nm nodes." In SPIE Advanced Lithography. SPIE, 2008. http://dx.doi.org/10.1117/12.772975.

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4

Boyd, Sarah, David Dornfeld, Nikhil Krishnan, and Mehran Moalem. "Environmental Challenges for 45-nm and 32-nm node CMOS Logic." In 2007 IEEE International Symposium on Electronics and the Environment. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/isee.2007.369375.

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5

Busch, Jens, Anne Parge, Rolf Seltmann, et al. "Improving lithographic performance for 32 nm." In SPIE Advanced Lithography, edited by Christopher J. Raymond. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.848613.

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6

Bohnenstiehl, Brent, Aaron Stillmaker, Jon Pimentel, et al. "KiloCore: A 32 nm 1000-processor array." In 2016 IEEE Hot Chips 28 Symposium (HCS). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/hotchips.2016.7936218.

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7

Rathod, S. S., A. K. Saxena, and S. Dasgupta. "Rad-Hard 32 nm FinFET Based Inverters." In 2009 Annual IEEE India Conference. IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/indcon.2009.5409457.

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8

Jogad, Seema, Neelofer Afzal, and Sajad A. Loan. "Sinusoidal Oscillator using 32-nm CNTFET-OTA." In 2019 International Conference on Electrical, Electronics and Computer Engineering (UPCON). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/upcon47278.2019.8980199.

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Afifah Maheran, A. H., P. S. Menon, I. Ahmad, H. A. Elgomati, B. Y. Majlis, and F. Salehuddin. "Scaling down of the 32 nm to 22 nm gate length NMOS transistor." In 2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2012.6417117.

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10

Wack, Daniel, Qiang Q. Zhang, Gregg Inderhees, and Dan Lopez. "EUV mask inspection with 193 nm inspector for 32 and 22 nm HP." In Photomask and NGL Mask Technology XVII, edited by Kunihiro Hosono. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.864093.

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Reports on the topic "Nm and 32 nm"

1

Becher, Julie, Samuel Beal, Susan Taylor, Katerina Dontsova, and Dean Wilcox. Photo-transformation of aqueous nitroguanidine and 3-nitro-1,2,4-triazol-5-one : emerging munitions compounds. Engineer Research and Development Center (U.S.), 2021. http://dx.doi.org/10.21079/11681/41743.

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Abstract:
Two major components of insensitive munition formulations, nitroguanidine (NQ) and 3-nitro-1,2,4-triazol-5-one (NTO), are highly water soluble and therefore likely to photo-transform while in solution in the environment. The ecotoxicities of NQ and NTO solutions are known to increase with UV exposure, but a detailed accounting of aqueous degradation rates, products, and pathways under different exposure wavelengths is currently lacking. We irradiated aqueous solutions of NQ and NTO over a 32-h period at three ultraviolet wavelengths and analyzed their degradation rates and transformation produ
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2

Migliori, Albert. NM Legislation5. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2013. http://dx.doi.org/10.2172/1094825.

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Helfand, M. S. Photodissociation studies of the chlorotoluenes at 193 nm and 248 nm. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1989. http://dx.doi.org/10.2172/7071593.

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4

Sauer, Nancy. NM Universities, Partnership Discussion. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2021. http://dx.doi.org/10.2172/1835748.

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5

Donnelly, Michelle K., and George W. Mulholland. Particle size measurements for spheres with diameters of 50 nm to 400 nm. National Institute of Standards and Technology, 2003. http://dx.doi.org/10.6028/nist.ir.6935.

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6

Sands, Linnea. NM Tech Mercury Spill Response. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1493822.

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7

Van Vlack, Hannah, and Cyler Norman Conrad. Steen's photographs of Bandelier NM. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2020. http://dx.doi.org/10.2172/1601597.

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Padilla, Angelo, and Linnea Sands. NM Tech Mercury Spill Response. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1761859.

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Link, Michael F. Spectral Characteristics and Indoor Air Quality Effects of Germicidal 254 nm and 222 nm Ultraviolet Light. National Institute of Standards and Technology, 2024. http://dx.doi.org/10.6028/nist.ir.8550.

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