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Dissertations / Theses on the topic 'Nm and 32 nm'

Author: Grafiati

Published: 12 October 2022

Last updated: 31 July 2025

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Guillaumond, Jean-Frédéric. "Étude de la résistivité et de l'électromigration dans les interconnexions destinées aux technologies des noeuds 90 nm - 32 nm." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://www.theses.fr/2005GRE10246.

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Abstract:

La résistivité et la fiabilité du cuivre dans les interconnexions des circuits intégrés pour les générations 90 nm – 32 nm ont été étudiées. Le contexte, la réalisation des interconnexions et les outils de caractérisations utilisés sont présentés dans une première partie. Dans une seconde partie, l'augmentation de résistivité observée en diminuant la largeur des lignes de cuivre est décrite à l'aide du modèle de Mayadas. Ce phénomène est dû à la diffusion des électrons sur les défauts du cristal (joints de grains, parois extérieures, impuretés). La résistivité des lignes de dimensions décanano

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Kechichian, Ardem. "Impact de l'environnement du diélectrique sur les performances du transistor pour les noeuds technologiques de 32 nm à 14 nm." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066748.

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Abstract:

Dans le cadre de la stratégie More Moore, la réduction de la taille des transistors MOS à effet de champs en deçà de 32nm requiert l’utilisation d’un diélectrique à forte permittivité (high-k) et l’emploi d’une grille métallique. Or, cette architecture présente une instabilité intrinsèque qui décale la tension de seuil du transistor. Cette instabilité est expliquée par plusieurs modèles, mais toutes accordent un rôle important à la diffusion de l’oxygène. Le modèle le plus consensuel est celui du Fermi Level Pinning, qui explique le décalage de tension de seuil par la création d’un dipôle à l’

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Ben, Akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT081/document.

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Abstract:

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."<br>This manuscript presents a theoretical and experimental study ca

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4

Luere, Olivier. "Analyse des différentes stratégies de procédés de gravure de grille métal - high k pour les nœuds technologiques 45 nm et 32 nm." Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10249.

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Abstract:

Avec la miniaturisation des composants et l'ajout de nouveaux matériaux de grille, notamment les métaux et les oxydes high-k, il est de plus en plus difficile de développer des procédés de gravure plasma permettant de maintenir un bon contrôle dimensionnel. L'objectif de ce travail de thèse est de déterminer une stratégie de gravure qui permette de graver un empilement polysilicium/TiN/Mo/HfO2 tout en satisfaisant les exigences dimensionnelles des nœuds technologiques 45 nm et 32 nm. Dans une première partie nous avons étudié la gravure du polysilicium par des plasmas de SF6/CH2F2(CHF3)/Ar et

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Leu, Jonathan Chung. "A 9GHz injection locked loop optical clock receiver in 32-nm CMOS." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1721.1/62443.

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Abstract:

Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2010.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 65-68).<br>The bottleneck of multi-core processors performance will be the I/O, for both on-chip core-to-core I/0, and off-chip core-to-memory. Integrated silicon photonics can potentially provide high-bandwidth low-power signal and clock distribution for multicore processors, by exploiting wavelength-division multiplexing. This thesis presents the technology environment of the monolithic optical/el

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6

Ben, akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870329.

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Abstract:

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."

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Hamioud, Karim. "Élaboration et caractérisation des interconnexions pour les nœuds technologiques CMOS 32 et 22 nm." Lyon, INSA, 2010. http://www.theses.fr/2010ISAL0011.

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Abstract:

Les performances globales des circuits intégrés doivent augmenter d’environ 20 % à chaque nouvelle génération technologique. Les interconnexions constituant ces circuits ces circuits doivent participer à l’augmentation de ces performances et plus particulièrement à la réduction du temps de propagation des signaux. L’utilisation de diélectrique poreux à très faible permittivité est nécessaire pour les générations sub-45 nm. Dans un premier temps, une feuille de route pour une filière BEOL 32 nm performante est proposée. Les développements de procédés élémentaires ont permis de démontrer la fonc

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Jouve, Amandine. "Limitations des résines à amplification chimique destinées à la réalisation du noeud technologique 32 nm." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0147.

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Abstract:

Les performances d'une technique lithographique sont étroitement liées aux performances du procédé lithographique, et notamment aux performances des résines à amplification chimique. L'objet de ce travail est donc d'étudier certaines limitations de ces matériaux à adresser les critères requis par l'ITRS pour le nœud technologique 32 nm. Dans un premier temps nous avons montré que si les dernières formulations des résines photosensibles permettent effectivement d'imprimer des motifs de dimension proche de 32 nm, d'autres paramètres (sensibilité, rugosité, facteur de forme) ne sont toujours pas

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Quémerais, Thomas. "Conception et étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0158.

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Abstract:

Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étud

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10

Babaud, Laurène. "Développement et optimisation d’un procédé de gravure grille polysilicium pour les nœuds technologiques 45 et 32 nm." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0034.

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Abstract:

Dans la course à l'intégration, l'un des paramètres les plus critiques dans la fabrication des dispositifs et leur performance est la définition des grilles des transistors et en particulier le contrôle en dimension de ces grilles de transistors. Pour le nœud technologique 45nm, la variation totale de dimension devra être inférieure à 2. 8nm sur une tranche de 300mm. Cela comprend la variation intrapuce, intraplaque, plaque à plaque et lot à lot. Cette thèse porte sur l'étude des interactions plasma/matériaux lors d'un procédé industriel de gravure d'une grille polysilicium pour le nœud techno

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Baudot, Sylvain. "Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologiesCMOS 32 / 28 nm à base de diélectrique haute permittivité." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT122/document.

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Abstract:

Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN ca

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Vitiello, Julien. "Etude des matériaux diélectriques à très faible permittivité déposés par voie chimique en phase vapeur développés pour l'isolation des interconnexions cuivre des circuits intégrés pour les générations technologiques 45 nm et 32 nm." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0097/these.pdf.

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Abstract:

Les besoins en performance des générations sub-65 nm impliquent l'utilisation de films diélectriques à très faible permittivité relative dans les interconnexions. Avec l'introduction du cuivre, deux films diélectriques interviennent dans l'architecture : un isolant entre les lignes métalliques et une barrière diélectrique recouvrant le dessus de ces lignes. Pour la génération 45 nm, le film isolant interligne de très faible permittivité relative est obtenu en introduisant de la porosité dans une matrice SiOC. Ces films poreux sont un véritable saut technologique pour l'ensemble de la chaîne de

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Vitiello, Julien Barbier Daniel. "Etude des matériaux diélectriques à très faible permittivité déposés par voie chimique en phase vapeur développés pour l'isolation des interconnexions cuivre des circuits intégrés pour les générations technologiques 45 nm et 32 nm." Villeurbanne : Doc'INSA, 2007. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=vitiello.

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Tissandier, Fabien. "Caractérisation spatio-temporelle d'une chaîne laser à 32. 8 nm par plasma laser et perspectives vers une source ultrabrève et intense." Palaiseau, Ecole polytechnique, 2011. https://pastel.hal.science/docs/00/60/43/62/PDF/tissandier_these_finale.pdf.

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Abstract:

Ce travail s'inscrit dans le cadre du développement des sources XUV impulsionnelles cohérentes, et plus particulièrement des lasers XUV. Alors que la plupart des lasers XUV fonctionnent en régime d'émission spontanée amplifiée, c'est ici une géométrie de type oscillateur-amplificateur inspirée des lasers de puissance qui est étudiée. L'amplificateur, un plasma de krypton ionisé 8 fois par un champ laser intense, est injecté par un rayonnement harmonique d'ordre élevé à la même longueur d'onde. La source ainsi créée est étudiée aussi bien expérimentalement que numériquement, et l'accent est mis

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Shaik, Khajaahmad. "High-speed low-power 0.5-V 28-nm FD-SOI 5T-cell SRAMs." Thesis, Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066046.

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Abstract:

L'objectif de cette thèse est d'atteindre 0,5 V haute vitesse faible puissance SRAM. Pour ce faire, les cellules SRAM de pointe, des tableaux et des architectures de bus sont examinées. Les questions difficiles sont alors précisées. Pour répondre aux exigences, une cellule de 5T d'alimentation statique de puissance boostée, combiné avec WL boosté et milieu point de détection et d'un tableau de multi divisé BL ouvert sont proposées et évaluées. Pour encore accélérer l'opération d'écriture, un tableau de 4Kb sélectivement stimulé puissance alimentation 5T cell est proposé et évalué par simulatio

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Shaik, Khajaahmad. "High-speed low-power 0.5-V 28-nm FD-SOI 5T-cell SRAMs." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066046.

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Abstract:

L'objectif de cette thèse est d'atteindre 0,5 V haute vitesse faible puissance SRAM. Pour ce faire, les cellules SRAM de pointe, des tableaux et des architectures de bus sont examinées. Les questions difficiles sont alors précisées. Pour répondre aux exigences, une cellule de 5T d'alimentation statique de puissance boostée, combiné avec WL boosté et milieu point de détection et d'un tableau de multi divisé BL ouvert sont proposées et évaluées. Pour encore accélérer l'opération d'écriture, un tableau de 4Kb sélectivement stimulé puissance alimentation 5T cell est proposé et évalué par simulatio

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Decorps, Tifenn. "Barrières métalliques auto-alignées déposées par voie electroless pour la fabrication des interconnexions au nœud 32 nm : étude electrochimique, propriétés physico-chimiques et enjeux technologiques." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0135.

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Abstract:

L' utilisation du cuivre comme métal conducteur dans les interconnexions a entraîné l'apparition de nouvelles solutions technologiques. Afin de d'empêcher la 'fusion du cuivre dans le matériau diélectrique interligne, il est nécessaire d'encapsuler les interconnexions par une couche barrière. Les barrières !Iectriques actuelles en SiCCN) contribuent à l'augmentation des phénomènes de couplage capacitifs, et les phénomène d'électromigration sont connus ,ur apparaître au niveau de l'interface cuivre - barrière. Afin de limiter ces phénomènes, une solution consiste à déposer sélectivement à la su

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Gallon, Claire. "Architectures avancées de transistors CMOS SOI pour le nœud 32 nm et en deça : films ultra-fins, contraintes mécaniques, BOX mince et plan de masse." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0063.

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Abstract:

Les besoins croissants en tennes de performances et de miniaturisation pour les prochaines générations de composants CMOS ont permis à la technologie SOI de se présenter comme une alternative crédible à la technologie sur silicium massif. En effet, de par leur architecture, les dispositifs à film mince de conduction ont montré une amélioration significative du contrôle des effets de canaux courts, comparée à la technologie sur silicium massif. Toutefois, afin de satisfaire les spécifications des n��uds technologiques ultimes, nous savons qu'il sera nécessaire de repousser les limites des dispo

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Guo, Wei. "Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm)." Caen, 2008. http://www.theses.fr/2008CAEN2058.

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Abstract:

Dans cette thèse, une étude expérimentale du bruit basse fréquence est réalisée en fonction de la température entre 80K et 300E pour des transistors MOS issus de trois technologies avancées de 0,13 mum à 32 nm. Pour les transistors MOS partiellement déplétés sur substrat SOI (Silicon on insulator), un modèle complet du bruit Lorentzien filtré dû à l’effet Kink linéaire est proposé et validé en fonction de la température. Pour les transistors MOS en germanium sur substrat de silicium avec un isolant de grille à haute permittivité, il a été observé du bruit en 1/fγ expliqué par des fluctuations

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CORDEIRO, MAURO CEZAR REBELLO. "EXPERIMENTAL EVALUATION OF SCINTILLATION EFFECTS IN FREE SPACE OPTICAL CHANNEL IN 780 NM, 1550 NM AND 9100 NM." PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO, 2008. http://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=12289@1.

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Abstract:

PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO<br>A comunicação óptica por laser no espaço livre é uma área que vem despertando crescente interesse, nos últimos anos, em função da possibilidade de resolver o problema de difusão da informação, dando acesso de alta capacidade ao usuário. Sistemas ópticos sem fio oferecem rapidez na sua instalação e inicialização, além de um sistema flexível com largura de banda equivalente à da fibra óptica, em torno de 1.5 Gbps para sistemas comerciais disponíveis atualmente. O cerne da problemática que envolve as aplicações de sistemas ópticos sem f

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Patterson, Kyle William. "Design, synthesis, and optimization of materials for 193 nm and 157 nm photoresists /." Digital version accessible at:, 2000. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.

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Almeida, Thomé Simpliciano. "Sensibilidade da refletância de uma floresta tropical em 460 nm, 650 nm e 850 nm aos parâmetros ópticos e arquitetônicos do dossel." Universidade Federal de Viçosa, 2009. http://locus.ufv.br/handle/123456789/5226.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2015-03-26T13:50:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 1588514 bytes, checksum: 9a0a5adcf52a9faa39fd56223c08051d (MD5) Previous issue date: 2009-02-16<br>Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico<br>Studying and monitoring the vegetation - forest, savannah or other types - is important to understand the current climatic standard. Dynamical vegetation models (DVM) are useful tools in biome studies as they are based on physical principles as well as on initial and boundary conditions, therefore can obtain evidence of the influence o

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Bettinelli, Claudio. "Etude de la photolyse à 266 nm ou 355 nm de composés carbonylés d’intérêt atmosphérique." Thesis, Lille 1, 2011. http://www.theses.fr/2011LIL10129/document.

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Abstract:

Les sources d’émission de composés organiques volatils (COV) dans l’atmosphère sont très majoritairement la végétation, suivie par l’activité humaine. Les arbres (forêts d’Amérique du Nord) émettent de grandes quantités d’isoprène, hydrocarbure insaturé qui conduit par oxydation à de nombreux composés carbonylés, dont la méthylvinylcétone (MVK) et l’hydroxyacétone (HAC). Ces COV secondaires sont eux-mêmes oxydés ou photolysés. Des mécanismes élaborés de dégradation de l’isoprène, comprenant plusieurs dizaines de réactions incluant toutes les espèces secondaires (mécanismes des groupes de Mainz

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Böse, Katharina [Verfasser], and Alexandra K. [Akademischer Betreuer] Kiemer. "Interactions of 3 nm, 8 nm, and 15 nm gold particles with human alveolar epithelial cells : a microscopy study / Katharina Böse. Betreuer: Alexandra K. Kiemer." Saarbrücken : Saarländische Universitäts- und Landesbibliothek, 2013. http://d-nb.info/1053682131/34.

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El, dirani Hassan. "Étude détaillée des dispositifs à modulation de bandes dans les technologies 14 nm et 28 nm FDSOI." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT098/document.

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Abstract:

Durant les 5 dernières décennies, les technologies CMOS se sont imposées comme méthode de fabrication principale pour les circuits semi-conducteurs intégrés avec notamment le transistor MOSFET. Néanmoins, la miniaturisation de ces transistors en technologie CMOS sur substrat massif atteint ses limites et a donc été arrêtée. Les filières FDSOI apparaissent comme une excellente alternative permettant une faible consommation et une excellente maîtrise des effets électrostatiques dans les transistors MOS, même pour les nœuds technologiques 14 et 28 nm. Cependant, la pente sous le seuil (60 mV/déca

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Mehmet, Moritz [Verfasser]. "Squeezed light at 1064 nm and 1550 nm with a nonclassical noise suppression beyond 10 dB / Moritz Mehmet." Hannover : Technische Informationsbibliothek und Universitätsbibliothek Hannover (TIB), 2012. http://d-nb.info/1022760688/34.

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Leconte, Baptiste. "Développement de sources laser à fibre dopée Nd3+ pour une émission autour de 900 nm et 450 nm." Caen, 2016. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01505597.

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Abstract:

De nombreux secteurs d’activité incluant les télécommunications et le biomédical nécessitent une source laser émettant dans le domaine spectral bleu avec une qualité de faisceau proche de la limite par diffraction. Pour obtenir une telle source, la solution retenue au cours de ce travail de thèse consiste à développer un système laser à fibre dopée Nd3+ de forte puissance opérant sur la transition 4F3/2-4I9/2 de l’ion Néodyme à 900 nm. Après doublage de fréquence dans un cristal non-linéaire, il devient alors possible d’accéder à des longueurs d’onde avoisinant 450 nm. Dans les fibres aluminos

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Centurión, Patricio, J. L. Cuba, and A. Noriega. "Liposucción con diodo láser 980-nm (LSDL 980-nm): optimización de protocolo seguro en cirugía de contorno corporal." Sociedad Española de Cirugía Plástica, Reparadora y Estética (SECPRE), 2014. http://hdl.handle.net/10757/320971.

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Abstract:

pccenturion@gmail.com<br>Introduction: Liposuction has undergone several improvements since its first description, including changes in the cannulas, variation in the concentration of the infiltrating solution, and the use of different devices and technologies. The use of laser technology devices for lipolysis and stimulation of skin retraction has contributed to the procedure. This article presents the authors’ experience with laser lipolysis in 400 patients, within a 5-year period, and discusses the principles of the technology and its effect on tissues. Methods: This is a study perfor

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Huynh, V. "Reconstitution of the 30-nm chromatin fiber." Thesis, University of Cambridge, 2002. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.604906.

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Abstract:

This thesis describes the production of folded and regular 30-nm chromatin fibers reconstituted from purified components of DNA tandem repeats, histone octamer, and H5. Obtaining evenly spaced nucleosome arrays saturated with H5 is feasible with the use an artificially derived sequence with a high affinity for histone octamer. This artificial "sequence 601" positions the nucleosome specifically and uniquely. Folding of the 30-nm chromatin fiber requires that each DNA repeat (200 bp) be found or saturated with exactly one histone octamer and one H5. The basis of the reconstitution system presen

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Saydjari, Yves [Verfasser], Norbert [Akademischer Betreuer] Gutknecht, and Ulrike [Akademischer Betreuer] Fritz. "Laser Application in Dentistry: Irradiation Effects of Nd:YAG 1064 nm and Diode 810 nm and 980 nm in Infected Root Canals - A Literature Overview / Yves Saydjari ; Norbert Gutknecht, Ulrike Fritz." Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2017. http://d-nb.info/1192308050/34.

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Poulin, Michel. "Étalon de fréquence optique absolue à 1556 nm utilisant la transition à deux photons du rubidium à 778 nm." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2000. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape4/PQDD_0021/NQ56843.pdf.

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SUN, CHIEN YUAN. "Analise comparativa do efeito da irradiacao do laser de GaAlAS em 780 nm e 660 nm na hipersensibilidade dentinaria." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2003. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11096.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:48:16Z (GMT). No. of bitstreams: 0<br>Made available in DSpace on 2014-10-09T13:57:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 08994.pdf: 2550778 bytes, checksum: cc9505b959ac4f50555ef0f15b346835 (MD5)<br>Dissertacao (Mestrado Profissionalizante em Lasers em Odontologia)<br>IPEN/D-MPLO<br>Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares, IPEN/CNEN-SP; Faculdade de Odontologia, Universidade de Sao Paulo

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Rathsack, Benjamen Michael. "Photoresist modeling for 365 nm and 257 nm laser photomask lithography and multi-analyte biosensors indexed through shape recognition." Access restricted to users with UT Austin EID, 2001. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/fullcit?p3035170.

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May, Michael Julian. "Etude des résines à amplification chimique 193 nm de tonalité positive ou négative pour une application microélectronique sub65 nm." Strasbourg, 2008. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2008/MAY_Michael_2008_ED182.pdf.

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Abstract:

Ce travail vise l’étude des résines utilisées en microélectonique. Le procédé de fabrication des circuits intégrés nécessite en effet l’utilisation d’un polymère photosensible qui permet de définir des motifs sur le substrat silicium lors d’une étape d’insolation. Ces motifs servent ensuite de masque lors d’une étape de gravure plasma qui permet d’obtenir le tracé du circuit intégré. L’objectif principal a donc été d’étudier la résistance à la gravure des résines pour une chimie de gravure oxyde donnée. L’analyse de l’ensemble des résines met en évidence des modifications chimiques liées à l’u

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Neves, Joana Brilhante das. "Desenvolvimento de um concentrador solar fixo para foto-estimulação." Master's thesis, FCT-UNL, 2011. http://hdl.handle.net/10362/7119.

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Abstract:

Dissertação para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Biomédica<br>Com este trabalho pretendeu-se desenvolver um protótipo que emitisse luz vermelha, de 660 nm de c.d.o., de forma a poder testá-la num alvo biológico e assim confirmar a sua eficácia no desenvolvimento de tecidos vivos. Ao longo do tempo de duração deste trabalho foram simulados, no programa de design óptico Zemax®, vários protótipos de emissores de luz vermelha, tais como: LEDs vermelhos, lentes de Fresnel com aberração cromática e concentradores de luz solar, posteriormente filtrada, de formas diversas. Com todos estes

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Carrinho, Patrícia Michelassi. "Estudo comparativo utilizando lasers de 685 nm e 830 nm no processo de reparo tecidual em tendões tenotomizados de ratos." Universidade Federal de São Carlos, 2004. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5234.

Full text

Abstract:

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:19:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissPMC.pdf: 6652992 bytes, checksum: ded1eb1eecf60367b1a7f8223eddbe63 (MD5) Previous issue date: 2004-02-18<br>A lot of therapeutic techniques are used to accelerate and/or stimulate the tendineous repair process, among this techniques we have the low level laser therapy (LLLT). Therefore, this study had the aim of evaluating the effects of LLLT, in different wavelengths and different densities energy, on the tendineous repair process of calcaneal tendon of mice. In this study was used 48 male mice. 40 animals were

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Kaufmann, Kai [Verfasser]. "Laserinduzierte Lift-Off-Prozesse in Cu(In, Ga)Se2-Dünnschichtsolarzellen bei Wellenlängen von 1064 nm und 1342 nm / Kai Kaufmann." Halle, 2018. http://d-nb.info/1172288321/34.

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Sele, Christoph W. "Self-aligned printing with sub-100 nm resolution." Thesis, University of Cambridge, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.428804.

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Winston, Donald Ph D. Massachusetts Institute of Technology. "Sub-10-nm lithography with light-ion beams." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2012. http://hdl.handle.net/1721.1/71495.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2012.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 203-212).<br>Scanning-electron-beam lithography (SEBL) is the workhorse of nanoscale lithography in part because of the high brightness of the Schottky source of electrons, but also benefiting from decades of incremental innovation and engineering of apparatus around the Schottky source. Light ions are an attractive intermediary between electrons and heavy ions in terms of exposure efficiency and

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Wu, Sheldon Shao Quan. "Hydrocarbon-free resonance transition 795 nm rubidium laser." Diss., [La Jolla] : University of California, San Diego, 2009. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p3356349.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--University of California, San Diego, 2009.<br>Title from first page of PDF file (viewed July 9, 2009). Available via ProQuest Digital Dissertations. Vita. Includes bibliographical references (p. 110-113).

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Cho, Sungseo. "Synthesis of photoresist materials for 193 nm exposure /." Digital version accessible at:, 2000. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.

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Clark, L. J., and E. R. Norton. "Short Staple Variety Trian in Virden, NM, 2001." College of Agriculture, University of Arizona (Tucson, AZ), 2002. http://hdl.handle.net/10150/197696.

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Abstract:

Twelve varieties were tested including three New Mexico (NM) Acalas and one Acala from ButtonWillow Research in California, six Roundup Ready varieties, five of which also contained the Bt gene, along with a couple of other varieties were planted including FiberMax 989R, the Roundup Ready version of FM 989, which was the highest yielding variety in the trial for two of the past three years. The highest yielding variety in the trial was SureGrow 215BR, the stacked (Bt/Roundup Ready version of SG 125), with a yield near 925 pounds of lint per acre. FM 989R and DP 436BR followed SG 215BR in yield

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Clark, L. J., and E. R. Norton. "Short Staple Variety Trial in Virden, NM, 2002." College of Agriculture, University of Arizona (Tucson, AZ), 2003. http://hdl.handle.net/10150/197750.

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Abstract:

Twelve varieties were tested including two new herbicide resistant entries from California, Riata and Nova, two New Mexico Acalas, seven roundup resistant entries from Delta and Pine Land Co., Stoneville, SureGrow and FiberMax, and the new variety developed for the Arizona Cotton Grower’s Association, AG 3601. The highest yielding variety in the trial was FM 989 with a yield of 1045 pounds of lint per acre. It was also the highest yielding variety at this location last year. The Acala 1517-99 placed second in yield at 1039 pounds of lint per acre. HVI data are also included in this report.

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Clark, L. J., and E. R. Norton. "Short Staple Variety Trial in Virden, NM, 2003." College of Agriculture, University of Arizona (Tucson, AZ), 2004. http://hdl.handle.net/10150/198150.

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Abstract:

This study is a continuation of the variety trials that have been grown in the Duncan/Virden area over many years to supply yield and revenue data on premium cotton varieties for local growers. In recent years, the introduction of herbicide resistant cultivars has been particularly interesting to help clean up many weedy fields. The premium quality New Mexico Acala varieties do not, at this time, have herbicide resistance traits and have struggled to produce high enough yields to compete with the lower quality varieties that are available. Fifteen cotton varieties were tested including two 151

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Clark, L. J. "Short Staple Variety Trial in Virden, NM, 2000." College of Agriculture, University of Arizona (Tucson, AZ), 2001. http://hdl.handle.net/10150/211314.

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Abstract:

Twelve varieties were tested including three New Mexico Acalas and one Acala from Buttonwillow Research in California, three roundup ready varieties, a buctril resistant variety, a Bollgard variety and three other varieties. The highest yielding variety in the trial was FM 989 with a yield of 1046 pounds of lint per acre. It was also the highest yielding variety in the Cochise County trial the past two years, but had not been grown in Hidalgo or Greenlee Counties before. BW 9802, a variety from Buttonwillow Research in California, came in a close second. Interesting HVI data are also included

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Frison, Blaise David. "Single and dual-wavelength lasing in the 800-820 nm and 1460 1520 nm bands in a thulium ZBLAN fibre laser." Thesis, McGill University, 2013. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=114254.

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Abstract:

Tm3+ ions provide amplification in a wide variety of wavelength bands,including 480 nm, 810 nm, 1480 nm, 1900 nm, and 2300 nm. This thesis presentsthe characteristics of lasers fabricated with Tm:ZBLAN fibre as the gain medium.First, a single-wavelength linear cavity fibre laser at 810 nm is presented. Dual-wavelength lasing and bistable behaviour are demonstrated in single cavity lasers,while dual-wavelength lasing, bistable behaviour and wavelength switching are demonstrated in cascaded cavity lasers. Second, single wavelengths fibre lasers at 1480 nm in linear and ring cavities are presente

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Matos, Felipe de Souza. "Efeito da fotobiomodulação a laser de λ808 nm e λ660 nm no processo de reparo periodontal de dentes reimplantados em ratos". Universidade Federal de Sergipe, 2016. https://ri.ufs.br/handle/riufs/5896.

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Abstract:

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES<br>The tooth replantation is considered the ideal treatment in cases of dentoalveolar trauma with avulsion. However, even respecting the optimal conditions of extra-alveolar time or storage, much of the replanted teeth is lost mainly by the occurrence of external root resorption. Thus, this study evaluated through histomorphometric analysis the effect of laser photobiomodulation (LPBM) at λ808 nm and λ660 nm and of storage media on the periodontal repair process of replanted teeth in rats. The research was conducted on the in

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Bazin, Arnaud. "Analyse de procédés de traitement plasma des résines photosensibles à 193 nm pour le développement de technologies CMOS sub-65 nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0094.

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Abstract:

Ce travail de thèse vise l’étude des interactions entre les plasmas utilisés en microélectroniques et les résines à amplification chimique. Les résines employées en microélectronique servent de masque à la gravure et doivent donc être suffisamment résistantes vis-à-vis des plasmas. L’objectif de ce travail a été dans un premier temps de mettre en évidence les dégradations subies par les résines pendant une étape de gravure. Puis, des procédés de renforcement de ces résines par des traitements plasma ont été étudiés. Ainsi les mécanismes permettant de modifier et de renforcer les résines pour l

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Bazin, Arnaud. "Analyse de procédés de traitement plasma des résines photosensibles à 193 nm pour le développement de technologies CMOS sub-65 nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00668121.

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Abstract:

Ce travail de thèse vise l'étude des interactions entre les plasmas utilisés en microélectronique et les résines à amplification chimique. Les procédés de fabrication employés en microélectronique nécessitent l'utilisation de matériaux polymères. Ces matériaux permettent dans un premier temps de définir des motifs représentant les différentes parties des composants électroniques, grâce à une étape de lithographie. Dans la suite du procédé de fabrication, ils jouent le rôle de masque afin de traiter les surfaces sous-jacentes aux endroits désirés. Une de ces étapes pour laquelle le polymère jou

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Niederkrüger, Matthias, Christian Salb, Michael Beck, Niko Hildebrandt, Hans-Gerd Löhmannsröben, and Gerd Marowsky. "Improvement of a fluorescence immunoassay with a compact diode-pumped solid state laser at 315 nm." Universität Potsdam, 2006. http://opus.kobv.de/ubp/volltexte/2006/1015/.

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Abstract:

We demonstrate the improvement of fluorescence immunoassay (FIA) diagnostics in deploying a newly developed compact diode-pumped solid state (DPSS) laser with emission at 315 nm. The laser is based on the quasi-three-level transition in Nd:YAG at 946 nm. The pulsed operation is either realized by an active Q-switch using an electro-optical device or by introduction of a Cr<SUP>4+</SUP>:YAG saturable absorber as passive Q-switch element. By extra-cavity second harmonic generation in different nonlinear crystal media we obtained blue light at 473 nm. Subsequent mixing of the fundamental and the

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