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Dissertations / Theses on the topic 'Oxyde de silicium ultra-Mince'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 1 February 2022

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Mathur, Shashank. "Croissance et structure à l'échelle atomique d'un nouveau matériau cristallin bidimensionnel à base de silicium et d'oxygène." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAY019/document.

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Abstract:
L'oxyde de silicium est un composé très largement abondant qui existe sous différentes phases, cristallines ou amorphes, qui se présentent sous la forme de structures poreuses ou de films minces. Il s'agit d'un diélectrique traditionnel pour la microélectronique et d'un support de choix pour des nanoparticules dans des systèmes catalytiques. Sa structure, amorphe ou tridimensionnelle et complexe, rend difficile la compréhension des propriétés jusqu'aux échelles les plus élémentaires. Les films utra-minces épitaxiés, parfois nommés « silice bidimensionelle » se prêtent au contraire à des caract
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Sarpi, Brice. "Etude in-situ de la formation d'oxyde ultra-mince de magnésium sur substrats métalliques et semi-conducteurs." Thesis, Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4329/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse s’est inscrit dans un cadre fondamental d’étude de la formation contrôlée d’oxydes en couches ultra-minces. Un bâti ultra-vide dédié à la croissance contrôlée de ces oxydes et à leur analyse in-situ (STM-STS, AES et LEED) a été développé. Par une méthode originale de phases alternées de dépôt d’une monocouche atomique de Mg et oxydation à RT, les mécanismes impliqués dans la formation de deux systèmes à fort potentiel applicatif : MgO/Si(100) et MgO/Ag(111) ont été étudiés .Le système MgO/Si(100) a révélé la formation d’une couche ultra-mince de Mg2Si à l’interface entre le
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Keränen, Jetta. "Synthèse par dépôt en couche mince, caractérisation et applications catalytiques de matériaux à base d'oxydes de vanadium, titane et silicium." Lyon 1, 2003. http://www.theses.fr/2003LYO10168.

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Abstract:
Le dépôt en couche mince ou " atomic layer deposition " (ALD), une technique basée sur des réactions gaz-solide, a été appliqué pour synthétiser des matériaux tels que V2O5/SiO2, V2O5/TiO2 et V2O5/TiO2/SiO2. Des solides homologues ont été préparés par imprégnation conventionnelle. Les catalyseurs ont été caractérisés par BET, DRX, XPS, RTP, microscopie électronique, spectroscopies IR, UV-vis, Raman, microcalorimétrie d'adsorption, et testés en réactions de déshydrogénation et d'oxydation sélective. La dispersion, la structure superficielle et la cristallinité de la phase active ont été forteme
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Jordana, Emmanuel. "Conception, réalisation et caractérisation de grilles en silicium polycristallin déposé amorphe à basse température et dopé bore in situ." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30091.

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Vizzini, Sébastien. "ELABORATION ET CARACTERISATION D'OXYDES D'ALUMINIUM ULTRA-MINCES POUR UNE APPLICATION AUX JONCTIONS TUNNELS MAGNETIQUES." Phd thesis, Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00343700.

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Abstract:
L'objectif premier de ce travail de thèse a été de mettre au point une méthode de fabrication (alternative aux méthodes existantes) d'un oxyde d'aluminium en couches minces, de façon très contrôlée et reproductible dans le but d'obtenir un oxyde homogène en épaisseur, en composition chimique et en structure atomique. Le but étant d'employer cet oxyde dans les jonctions tunnels magnétiques (MTJ) qui suscitent un très grand intérêt avec l'avènement de la Spintronique et le prix Nobel de physique décerné en 2007 à Albert Fert et Peter Grunberg pour la magnétorésistance géante GMR.<br /> <br />Cet
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JORDANA, Emmanuel. "Conception, réalisation et caractérisation de grilles en silicium polycristallin déposé amorphe à basse température et dopé bore in situ." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010405.

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Abstract:
Depuis 40 ans, suivant le rythme dicté par la loi de Moore, la microélectronique évolue de façon continue grâce à la réduction constante des dimensions des transistors MOS. Celle-ci a entraîné pour les grilles polycristallines des transistors PMOS l'apparition de la déplétion de grille et de la pénétration du bore dans l'isolant, dégradant fortement leurs performances, lorsque le dopage par implantation ionique est utilisé. Afin de réduire ces deux effets, nous proposons une autre forme de dopage pour l'électrode de grille: un dépôt de silicium amorphe à basse température, dopé bore in-situ, à
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Fiori, Costantino. "Oxydation du silicium et modification de l'ordre à courte distance dans les oxydes de silicium induits par un rayonnement laser ultra violet." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10131.

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Abstract:
Etude par spectrometrie auger de la structure de la surface de si(111) faiblement recouverte d'oxygene sec. L'irradiation par un faible flux de photons uv induit d'importants rearrangements atomiques dans la phase adsorbees avec formation d'une monocouche tres desordonnee de sio::(2) se transformant en sio::(2) amorphe stable apres un recuit thermique a 949 k. L'irradiation de ces couches par un rayonnement laser uv les rend instables. Formation d'une forte densite de defauts structuraux. Etablissement d'une correlation entre les phenomenes physiques evoques
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Soliman, Lélia. "Caractérisation de composants microélectroniques de test pour la technologie ULSI sur silicium." Rouen, 1999. http://www.theses.fr/1999ROUES048.

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Abstract:
Le travail présenté dans cette thèse concerne la caractérisation des composants microélectroniques de test pour la technologie ULSI sur silicium ainsi que l'étude du comportement du bore en profondeur dans les jonctions p +n de très faible épaisseur. Les caractéristiques particulières des technologies de petites dimensions destinées à l'intégration à très grande échelle ont été soulignées tout au long de ce travail. Nous avons montré le rôle important joue par la fine couche d'oxyde de silicium, présenté aussi bien dans les structures métal/oxyde/semiconducteur que bipolaires. Afin de caractér
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Bazinette, Rémy. "Effet de la forme d'excitation électrique sur une décharge contrôlée par barrière diélectrique (dbd) à la pression atmosphérique et application au dépôt de couche mince." Thesis, Pau, 2016. http://www.theses.fr/2016PAUU3009/document.

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Abstract:
Les décharges contrôlées par barrière diélectrique (DBD) homogènes à pression atmosphérique sont une alternative pour réaliser des couches minces sur de grandes surfaces, en continu, sans système de pompage. La physique de ces décharges tout comme les propriétés des couches minces obtenues sont bien établies en excitation sinusoïdale basse fréquence (&lt; 200 kHz) et radiofréquence (13,56 MHz). L’objet de cette thèse est d’étendre le domaine de fonctionnement de ces décharges dans un mélange Penning Ar/NH3. Pour ce faire, un dispositif original a été mis au point permettant de faire varier la
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Jalabert, Laurent. "Ingénierie de grille pour application à la micro-électronique MOS sub-micronique." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2001. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00142309.

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Abstract:
Depuis plus de trente ans, la micro-électronique subit une évolution continue permettant de répondre à une demande croissante en terme de rapidité et de complexité des circuits intégrés. Cette évolution a été rendue possible grâce à la miniaturisation des composants, qui atteint aujourd'hui les limites physiques des matériaux utilisés en technologie CMOS. Parmi les nombreux problèmes et limitations liés à la réduction de la longueur de canal et de l'épaisseur de l'oxyde (effets de canal court, effets quantiques, déplétion de grille, claquage, quasi-claquage, SILC ¿), nous nous sommes centrés s
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Nguyen, Thien Phap. "Contribution a l'etude des couches minces de monoxyde de silicium : modifications apportees par l'interface nickel-sio sur les proprietes de transport electrique dans les structures metal-sio-metal." Nantes, 1987. http://www.theses.fr/1987NANT2034.

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Abstract:
Etude des proprietes des couches minces obtenues par evaporation thermique de la poudre de monoxyde de silicium dans des conditions precises sous forme de structures symetriques al-sio-al ou dissymetriques al-sio-ni
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Sindzingre, Thierry. "Réacteur de dépot assisté d'un plasma hyperfréquence pour déposer des couches minces d'oxyde de silicium planarisées." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10016.

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Abstract:
Le developpement des futures filieres de fabrication des composants electroniques requiert la maitrise d'un procede de depot de materiau dielectrique planarisant, capable de remplir des tranchees et d'aplanir les reliefs presents a la surface des circuits. Le but de cette these est de concevoir et d'evaluer les performances d'un nouveau reacteur de depot chimique en phase vapeur assiste par un plasma capable de repondre a ce besoin en deposant des couches minces d'oxyde de silicium planarisees. Ce reacteur met en oeuvre simultanement un plasma, entretenu par une onde de surface generee par des
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Thirion, Valérie. "Croissance et nitruration à basse pression d'oxydes minces de silicium : caractérisations physiques et électriques pour l'application aux dispositifs CMOS." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10052.

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Abstract:
Avec la miniaturisation des technologies MOS, la diminution de l'épaisseur de l'oxyde de grille pose de nouvelles difficultés liées au contrôle de l'épaisseur, à la diffusion des impuretés et des dopants et à l'injection de porteurs chauds. Ce travail est consacré à la croissance et à la nitruration à basse pression d'oxyde de grille mince de silicium ; les mécanismes de ces réactions sont étudiés en relation avec les caractéristiques physico-chimiques et électriques des structures et dispositifs MOS. La croissance des oxydes très minces, qualifiée d'anormalement rapide, est décrite en faisant
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Moulin, Nelly. "Cellules solaires à haute tension de fonctionnement à basede Silicium ultra mince nanostructuré." Thesis, Lyon, 2021. http://www.theses.fr/2021LYSEI002.

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Abstract:
Les technologies actuelles sont marquées par une augmentation exponentielle du nombre d’objets connectés. Ceux-ci sont intégrés dans tous les domaines et s’accompagnent d’un enjeu de taille : leur approvisionnement en énergie. Dans cette thèse, on propose une nouvelle architecture de cellule solaire en Silicium pouvant s’intégrer facilement dans le design d’un objet connecté. Cette cellule est constituée de plusieurs sous-cellules mises en série par des jonctions tunnels verticales. La jonction tunnel a été étudiée analytiquement par le développement de deux nouveaux modèles sur sa caractérist
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Guilhalmenc, Caroline. "Étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procédés SIMOX Faible Dose et Smart-Cut®." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0135.

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Abstract:
Les matériaux silicium-sur-isolant (SOI) présentent de nombreux avantages pour la production de nouvelles générations de circuits intégrés fonctionnant à très basses tensions. Ils constituent désormais l’une des voies principales de recherche dans le domaine de la micro-électronique à très grande densité d’intégration. Pour cela, il est nécessaire de mettre au point des technique permettant d’obtenir des matériaux SOI de bonne qualité, capables de rivaliser avec le silicium massif. Les mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de deux types de substrats SOI, SIMOX Faible Dose et
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Ortega, Luc. "Caractérisation par rayons X des isolants amorphes d'oxynitrures de silicium, SiOxNyHz, préparés en couches minces par PECVD." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10169.

Full text
Abstract:
Ce memoire est consacre a la caracterisation des couches minces amorphes d'oxynitrures de silicium sioxnyhz preparee par pecvd. Ces materiaux isolants jouent un role de plus en plus important dans le domaine de la microelectronique. Ils ont donne lieu a un programme europeen de recherche esprit-deson qui a implique six laboratoires europeens et dans lequel nous sommes intervenus. Nous nous sommes attaches a caracteriser les oxynitrures de silicium a l'aide de plusieurs techniques x: reflectometrie x, diffusion des rayons x en incidence rasante, exafs, xanes et xps. L'epaisseur, la densite et l
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Mollica, Fabien. "Optimization of ultra-thin Cu(In,Ga)Se2 based solar cells with alternative back-contacts." Thesis, Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066556/document.

Full text
Abstract:
En quelques années, l'efficacité des cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) est passée de 20% à 22.6%. La rapidité de ce développement montre que le CIGS est un matériaux idéal pour les technologies solaires en couches minces. Pourtant, le coût de production cette technologie doit encore être abaissé pour une meilleure compétitivité. La fabrication d'un module avec une couche CIGS plus fine permettrait d'augmenter la production d'une usine et de réduire sa consommation en métaux. Ce travail de thèse vise à réduire l'épaisseur du CIGS d'un standard de 2.0-2.5 µm à une épaisseur inférie
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Lemiti, Mustapha. "Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ) : élaboration et caractérisation." Lyon 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LYO19022.

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Abstract:
Nous avons mis au point un dispositif permettant d'élaborer des couches de SiO₂ à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ). Le procédé consiste à hydrolyser un composé halogéné (SiCl₄) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un substrat de silicium suivant la réaction : SiC1₄+ 2H₂0 -> Si0₂ + 4HC1. Les dépôts ont été réalisés essentiellement à température ambiante. L'influence des paramètres expérimentaux sur la cinétique de dépôt a été; étudiée. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsométrie, Raman, Auger, décharge luminescente) nous a renseigné sur la nature des liaisons, l
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Jaouen, Thomas. "Isolant dans la limite ultra-mince : propriétés électroniques et barrières tunnel de MgO." Phd thesis, Université Rennes 1, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00772602.

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Abstract:
Présentes dans de nombreux dispositifs comme les jonctions tunnel magnétiques ou les systèmes cluster/oxyde utilisés en catalyse hétérogène, les interfaces métal/oxyde présentent des propriétés spécifiques venant du raccordement entre deux matériaux de structure atomique et surtout de structure électronique très différentes. Ce projet de recherche repose sur l'étude, par diverses techniques de spectroscopies de photoémission, de la géométrie et de la structure électronique aux interfaces MgO/Ag(001) pour des épaisseurs d'oxyde subnanométriques. Nous avons, tout d'abord, montré que la valeur de
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Blondeau-Patissier, Virginie. "Etude physico-chimique et structurale à l'échelle nanométrique de la réactivité de surfaces de TiO2 : interaction avec un dépôt ultra-mince de molybdène." Dijon, 2001. http://www.theses.fr/2001DIJOS051.

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Champory, Romain. "Cellules solaires silicium ultra-minces nanostructurées : conception électro-optique et développement technologique." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEC057/document.

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Abstract:
Les cellules photovoltaïques en couches minces de silicium cristallin sont des candidates prometteuses pour les développements futurs de l’industrie photovoltaïque, au travers des réductions de coûts attendues et des applications dans les modules souples. Pour devenir compétitive, la filière des couches minces de silicium monocristallin doit se différencier des filières classiques. Elle est donc généralement basée sur l’épitaxie de couches de haute qualité puis sur le transfert de ces couches vers un support mécanique pour terminer la fabrication de la cellule et réutiliser le premier substrat
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Fiori, Costantino. "Oxydation du silicium et modification de l'ordre à courte distance dans les oxydes de silicium induits par un rayonnement laser ultra violet." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37597680w.

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Darif, Mohamed. "Etude de la recristallisation du silicium par procédé laser nanoseconde pour la formation et le contrôle des jonctions ultraminces." Phd thesis, Université d'Orléans, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00639065.

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Abstract:
La réalisation des jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la continuité de la miniaturisation des dispositifs microélectroniques. Les techniques de production en termes d'implantation ionique et de recuit d'activation doivent évoluer afin de répondre aux exigences du marché de la microélectronique. Le travail de recherche de cette thèse s'inscrit dans le cadre du projet ALDIP (Activation Laser de Dopants implantés par Immersion Plasma) et a pour objectif l'étude et le contrôle du procédé laser pour la réalisation des jonctions ultra-minces sur silicium (cristallin
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Quiroga, Jean-Manuel. "Étude des propriétés optiques de multicouches a-Si:H/a-SiO2." Grenoble 1, 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10124.

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Abstract:
L'etude porte sur les proprietes optiques de puits nanometriques multiples a-si:h/a-sio#2 elabores par pecvd (he+sih#4+o#2). Les caracteristiques des materiaux de reference sont determinees par diverses techniques de spectroscopie optique. Nous montrons la necessite de simuler les spectres en tenant compte des reflexions multiples afin d'eviter des erreurs importantes sur la valeur du coefficient d'absorption. Des mesures in situ de la teneur en oxygene dans le plasma nous ont permis de determiner une procedure de depot des multicouches reduisant la largeur des interfaces. La modulation de la
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Zander, Damien. "Contribution à l'étude de la dégradation des couches d'oxyde de silicium ultra-minces, sous contraintes électriques." Reims, 2002. http://www.theses.fr/2002REIMS015.

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Abstract:
L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégrada
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Simonetti, Olivier. "Influence de la quantification en énergie des porteurs sur la modélisation et la caractérisation électriques des structures MOS à oxyde de grille ultra-mince (inférieur à 3nm)." Reims, 2002. http://www.theses.fr/2002REIMS002.

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Abstract:
Influence de la quantification en énergie des porteurs sur la modélisation et la caractérisation électriques des structures MOS à oxyde de grille ultra-mince (<3 nm). L'amélioration des technologies CMOS est possible grâce à la miniaturisation toujours plus poussée des transistors MOS. Nous étudions dans ce manuscrit certains problèmes liés au fonctionnement électrique qui en résultent. Le chapitre I replace cette étude dans le contexte actuel de la recherche pour la mise au point des technologies MOS avancées. Il montre que pour des épaisseurs d'oxyde inférieures à 3nm, les effets quantiques
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Cunge, Gilles. "Diagnostics optiques et électriques dans les plasmas : application à l'étude des interactions plasma-surface pour la micro-électronique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10104.

Full text
Abstract:
Nous avons etudie la cinetique des radicaux cf et cf#2 dans un plasma pulse de cf#4 utilise pour la gravure de couches minces de si ou sio#2 dans l'industrie micro-electronique. Les profils de concentration spatiaux resolus dans le temps de ces especes ont ete determines par la technique de fluorescence induite par laser. Ils permettent d'etudier les mecanismes de perte et de production de ces radicaux en phase gazeuse et sur les surfaces du reacteur. Un nouveau mecanisme de production en surface de cf et de cf#2 a ainsi ete mis en evidence, en particulier sur un substrat de silicium. Nous avo
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Marage, Pierre. "Contribution à la mise au point du procédé aérosol-gel : application au dépôt de couches minces optiques dans le système SiO2-TiO2." Grenoble INPG, 1993. http://www.theses.fr/1993INPG0150.

Full text
Abstract:
Le procédé aérosol-gel est une nouvelle technique de dépôt sol-gel. Son principe repose sur la pulvérisation d'un sol par voie ultrasonore. L'aérosol ainsi généré est transporte par un gaz vecteur vers le substrat et forme, en se déposant, un film liquide. Ce film conduit après évaporation du solvant et polymérisation du dépôt, a la formation d'une couche mince xérogel homogène et transparente. Des films SiO² ont pu être obtenus a partir d'un système chimique de type tetraethoxysilane/eau/acide chlorhydrique/alcool. Apres recuit à 500°C, ces films sont purs et présentent une densité proche de
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Collot, Philippe. "Oxydation du silicium stimulée par bombardement électronique : contribution à l'étude du mécanisme de croissance et des propriétés des oxydes ultra-minces." Paris 7, 1985. http://www.theses.fr/1985PA07F044.

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Abstract:
Influence de paramètres de dépôt comme l'énergie du bombardement électronique, la température de croissance sur le processus de croissance. Caractérisation physico-chimique associée à des mesures électriques permettant de considérer la nature des oxydes ultraminces
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Cariou, Romain. "Epitaxial growth of Si(Ge) materials on Si and GaAs by low temperature PECVD: towards tandem devices." Palaiseau, Ecole polytechnique, 2014. https://theses.hal.science/tel-01113794/document.

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Abstract:
Cette thèse s'intéresse à la croissance épitaxiale de Si et SiGe à basse température (200°C) par dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma (PECVD), et à l'utilisation de ces matériaux cristallins dans les cellules solaires en couches minces. L'objectif était de mieux comprendre cette croissance inattendue et d'étudier le potentiel de ces matériaux pour les cellules simples et multijonctions. Nous avons d'abord démontré qu'il est possible d'effectuer, avec un réacteur PECVD standard, un nettoyage efficace de la surface du c-Si et de poursuivre par une croissance épitaxiale de couches d
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Bodart, Vincent. "Controle de la croissance d'empilements ultra-minces carbone tungstene et silicium-tungstene par ellipsometrie cinetique in-situ : application aux miroirs pour x-mous." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077094.

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Abstract:
Dans le but d'obtenir des reflecteurs de bragg pour rx mous, on realise par pulverisation avec controle ellipsometrique in situ des empilements de 200 couches nanometriques. Observation de la formation des interfaces a l'echelle atomique, evaluation des rugosites d'interface
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Montpied, Sylvie. "Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma." Clermont-Ferrand 2, 1986. http://www.theses.fr/1986CLF21020.

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Abstract:
Les transistors a effet champ a contact metal-semiconducteur, non passives, realises sur arseniure de gallium sont sujet a une degradation progressive de leurs performances statiques et dynamiques aux hyperfrequences. Ce defaut de fonctionnement est en parti attribue aux surfaces d'arseniure de gallium situees de part et d'autres de la grille. La stabilisation des composants requiert donc de la passivation de ces zones grace a des materiaux de haute qualite dielectrique realisant une interface stable avec gaas. Dans cette optique, les proprietes physico-chimiques et electriques de films de sil
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El, Hdiy Abdelillah. "Etude des comportements en champ et en température des défauts induits par effet tunnel Fowler-Nordheim dans des oxydes de grille minces et ultra-minces de capacités MOS au silicium." Nancy 1, 1993. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/SCD_T_1993_0049_EL_HDIY.pdf.

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Abstract:
L'objectif de ce travail consistait à contribuer d'une part à l'étude du mécanisme de création des défauts dans des oxydes de grille minces et ultra-minces et à l'interface Si/SiO2 des structures MOS (métal-oxyde-semiconducteur) et d'autre part, à l'étude des comportements de ces défauts suivant la variation du champ électrique en régime Fowler-Nordheim et de la température. Pour cela, deux technologies différentes (LIR04 et CAPMUL) ont subi des injections homogènes d'électrons à partir de la grille à forts champs électriques et à différentes températures (de 77 a 400 K). Il a été trouvé que l
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Hourani, Wael. "Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841.

Full text
Abstract:
La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l'oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches minces d'oxydes. L'utilisation de techniques de caractérisation permettant de mesurer les courants de fuite avec une résolution spatiale nanométrique a montré que le phénomène de claquage des oxydes est un phénomène très localisé. Le diamètre des "points chauds", des endroits où le courant de fuite est très élevé pour une tension appliquée continue, peut-ê
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Turcotte-Tremblay, Pierre. "Synthèse de couches ultra-minces de siliciures sur silicium cristallin et endommagé étudiée par microscopie et profilométrie en profondeur." Thèse, 2010. http://hdl.handle.net/1866/4346.

Full text
Abstract:
Les siliciures métalliques constituent un élément crucial des contacts électriques des transistors que l'on retrouve au coeur des circuits intégrés modernes. À mesure qu'on réduit les dimensions de ces derniers apparaissent de graves problèmes de formation, liés par exemple à la limitation des processus par la faible densité de sites de germination. L'objectif de ce projet est d'étudier les mécanismes de synthèse de siliciures métalliques à très petite échelle, en particulier le NiSi, et de déterminer l’effet de l’endommagement du Si par implantation ionique sur la séquence de phase. Nous avon
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