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Dissertations / Theses on the topic 'PCoC - Puissance Chip on Chip'

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Derkacz, Pawel. "Convertisseur GaN optimisé vis-à-vis de la CEM." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT067.

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Abstract:
Cette thèse étudie les possibilités de réduction des interférences électromagnétiques pour les convertisseurs d'électroniques de puissance utilisant des transistors GaN dans trois domaines principaux: la stratégie de contrôle, la conception des circuits imprimés ainsi que l'agencement des composants de puissance et les éléments magnétiques à haute fréquence. Sur la base d'un convertisseur Buck, l’impact de la contribution de la commutation dure et douce sur le bruit conduit généré (mode commun (CM) et mode différentiel (DM)) a été étudiée. L'effet positif de la commutation douce sur la réducti
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Meyer, Sandra de. "Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : Conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande." Limoges, 2005. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c6724388-69b6-4017-a9a5-6408d2282ef8/blobholder:0/2005LIMO0030.pdf.

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Abstract:
Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence. L'analyse des caractéristiques des matériaux grand gap, et plus précisément du GaN, est réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour des applications d'amplification de puissance large bande. Des résultats de caractérisation et modélisation électrique de composants sont présentés. Par la suite, la méthode de modélisation hybride de composant est exposée et mise en œuvre sur différentes topologies et montages de HEMTs GaN. La finalité de ces travaux concerne la conception d'am
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Dubois, Florentine. "Une méthodologie de conception de modèles analytiques de surface et de puissance de réseaux sur puce hautement paramétriques basée sur une méthode d’apprentissage automatique." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENM026/document.

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Abstract:
Les réseaux sur puces (SoCs - Networks-on-chip) sont apparus durant la dernière décennie en tant que solution flexible et efficace pour interconnecter le nombre toujours croissant d'éléments inclus dans les systèmes sur puces (SoCs - Systems-on-chip). Les réseaux sur puces sont en mesure de répondre aux besoins grandissants en bande-passante et en scalabilité tout en respectant des contraintes fortes de performances. Cependant, ils sont habituellement caractérisés par un grand nombre de paramètres architecturaux et d'implémentation qui forment un vaste espace de conception. Dans ces conditions
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Martin, Audrey. "Etude d'une nouvelle filière de composants sur technologie nitrure de gallium. Conception et réalisation d'amplificateurs distribués de puissance large bande à cellules cascodes en montage flip-chip et technologie MMIC." Phd thesis, Université de Limoges, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00271472.

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Abstract:
Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristique des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réaliséé afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour les applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différe
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Philippon-Martin, Audrey. "Étude d’une nouvelle filière de composants sur technologie nitrure de gallium : conception et réalisation d’amplificateurs distribués de puissance large bande à cellules cascodes en montage flip-chip et technologie MMIC." Limoges, 2007. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/862a35bd-117b-4bc6-b2a0-044747ee2ff7/blobholder:0/2007LIMO4025.pdf.

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Abstract:
Ces travaux de recherche se rapportent à l’étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l’amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l’adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l’amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différ
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Durand, Camille. "Etude thermomécanique expérimentale et numérique d'un module d'électronique de puissance soumis à des cycles actifs de puissance." Thesis, Valenciennes, 2015. http://www.theses.fr/2015VALE0007/document.

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Abstract:
De nos jours, la durée de vie des modules d’électronique de puissance est désormais limitée par les technologies standards de conditionnement, telles que le câblage par fils et le brasage. Ainsi une optimisation des technologies actuellement employées n’est pas suffisante pour satisfaire les futures exigences de fiabilité. Pour dépasser ces limites, un nouveau module de puissance remplaçant les fils de connexion par des clips en cuivre a été développé. Ce design innovant vise à améliorer la fiabilité du module puisqu’il empêche la dégradation des fils de connexion, constituant bien souvent la
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Souvignet, Thomas. "Contribution to the design of switched-capacitor voltage regulators in 28nm FDSOI CMOS." Thesis, Lyon, INSA, 2015. http://www.theses.fr/2015ISAL0043/document.

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Abstract:
Les appareils multimédias portables nécessitent toujours plus d'innovation pour satisfaire les besoins des utilisateurs. Les fabricants de système-sur-puces font donc face à une forte demande en capacité de calcul jusqu'à lors réservée aux ordinateurs de bureau. Ce transfert de performance se répercute inévitablement sur la consommation de ces appareils alors que dans le même temps la capacité des batteries n'est pas en mesure de répondre à cet accroissement. De nombreux compléments matériels et logiciels sont mis en places afin d'économiser l'énergie au maximum sans toutefois dégrader les per
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Thollin, Benoît. "Outils et méthodologies de caractérisation électrothermique pour l'analyse des technologies d'interconnexion de l'électronique de puissance." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT005/document.

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Abstract:
L'électronique de puissance et particulièrement les systèmes de conversions deviennent un enjeu majeur de la transition énergétique et de l'avenir des transports. Les contraintes technico-économiques liées aux nouvelles applications impliquent une augmentation des densités de puissance au sein des modules tout en limitant leur coût et en conservant une robustesse satisfaisante. Aujourd'hui, des solutions semblent émerger grâce à des structures innovantes associées aux composants grands gap et à l'intégration tridimensionnelle. Ces solutions apportent cependant un certain nombre de contraintes
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Riva, Raphaël. "Solution d'interconnexions pour la haute température." Thesis, Lyon, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAL0064/document.

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Abstract:
Le silicium a atteint sa limite d’utilisation dans de nombreux domaines tels que l’aéronautique. Un verrou concerne la conception de composants de puissance pouvant fonctionner en haute température et/ou en haute tension. Le recours à des matériaux à large bande interdite tels que le carbure de Silicium (SiC) apporte en partie une solution pour répondre à ces besoins. Le packaging doit être adapté à ces nouveaux types de composants et nouveaux environnements de fonctionnement. Or, il s’avère que l’intégration planaire (2D), composé de fils de câblage et de report de composants par brasure, ne
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El, Khadiry Abdelilah. "Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs bi-puce et mono-puce pour convertisseurs de puissance compacts." Phd thesis, Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/2298/.

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Abstract:
Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal
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El, Khadiry Abdelilah. "Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs "bi-puce" et "mono-puce" pour convertisseurs de puissance compacts." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01020587.

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Abstract:
Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal
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Samir, Anass. "Conception de solutions basses puissances et optimisation de la gestion d'énergie de circuits dédiés aux applications mixtes." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4700.

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Abstract:
Depuis trois décennies, la tendance du marché répond à la demande actuelle de miniaturisation et d'augmentation de performances des appareils multimédias. Or, toute réduction des dimensions d'un facteur donné impose une diminution des tensions (pour des raisons de fiabilité). Afin d'y répondre, la réduction de taille des circuits intégrés CMOS atteint des échelles d'intégration submicroniques entrainant une baisse importante de la fiabilité des composants et en particulier des transistors. La création de porteurs chauds, ainsi que la dissipation thermique à l'intérieur des circuits submicroniq
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Affes, Hend. "Modélisation au niveau transactionnel de l'architecture et du contrôle relatifs à la gestion d'énergie de systèmes sur puce." Thesis, Nice, 2015. http://www.theses.fr/2015NICE4137/document.

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Abstract:
Les systèmes embarqués sur puce (SoC) envahissent notre vie quotidienne. Avec les progrès technologiques, ils intègrent de plus en plus de fonctionnalités complexes impliquant des charges de calcul et des tailles de mémoire importantes. Alors que leur complexité est une tendance clé, la consommation d’énergie est aussi devenue un facteur critique pour la conception de SoC. Dans ce contexte, nous avons étudié une approche de modélisation au niveau transactionnel qui associe à un modèle fonctionnel SystemC-TLM une description d’une structure de gestion d’un arbre d’horloge décrit au même niveau
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Thomas, tomasevic Marc veljko. "Etude des couplages substrats dans des circuits mixtes "Smart Power" pour applications automobiles." Thesis, Toulouse, INSA, 2017. http://www.theses.fr/2017ISAT0002/document.

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Abstract:
Les circuits Smart Power, utilisés dans l’industrie automobile, se caractérisent par l’intégration sur une puce des parties de puissance avec des parties analogiques&numériques basse tension. Leur principal point faible vient de la commutation des structures de puissance sur des charges inductives. Celles-ci injectent des courants parasites dans le substrat, pouvant activer des structures bipolaires parasites inhérentes au layout du circuit, menant à une défaillance ou la destruction du circuit intégré.Ces structures parasites ne sont pas actuellement modélisées dans les outils CAO ni simu
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Genov, Antonio. "Estimation de la consommation basée sur les modèles de performance SystemC-TLM des systèmes d'interconnexion et de mémoire des SoC." Thesis, Université Côte d'Azur, 2021. http://www.theses.fr/2021COAZ4108.

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Abstract:
Le rythme rapide de développement de la microélectronique permet à l’industrie des semiconducteurs de se surpasser constamment et de proposer des produits et des technologies toujours plus innovants et complexes. Les domaines de développement les plus modernes, tels que la 5G, l’Internet des objets (IoT) et l’automobile, reposent sur des conceptions complexes, performantes et à faible consommation. Malheureusement, cette complexité accrue entraîne souvent une consommation d’énergie plus élevée et des conceptions plus difficiles. Afin de résoudre ces problèmes et de se différencier sur le march
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Li, Bo. "Conception et test de cellules de gestion d'énergie à commande numérique en technologies CMOS avancées." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00782429.

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Abstract:
Les technologies avancées de semi-conducteur permettent de mettre en œuvre un contrôleur numérique dédié aux convertisseurs à découpage, de faible puissance et de fréquence de découpage élevée sur FPGA et ASIC. Cette thèse vise à proposer des contrôleurs numériques des performances élevées, de faible consommation énergétique et qui peuvent être implémentés facilement. En plus des contrôleurs numériques existants comme PID, RST, tri-mode et par mode de glissement, un nouveau contrôleur numérique (DDP) pour le convertisseur abaisseur de tension est proposé sur le principe de la commande prédicti
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Renaud-Goud, Paul. "Energy-aware scheduling : complexity and algorithms." Phd thesis, Ecole normale supérieure de lyon - ENS LYON, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00744247.

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Abstract:
In this thesis we have tackled a few scheduling problems under energy constraint, since the energy issue is becoming crucial, for both economical and environmental reasons. In the first chapter, we exhibit tight bounds on the energy metric of a classical algorithm that minimizes the makespan of independent tasks. In the second chapter, we schedule several independent but concurrent pipelined applications and address problems combining multiple criteria, which are period, latency and energy. We perform an exhaustive complexity study and describe the performance of new heuristics. In the third c
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