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Dissertations / Theses on the topic 'Permittivité relative (constante diélectrique)'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Last updated: 31 July 2025

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1

Madi, Mohammed Zine Elabidine. "Permittivité des mélanges hétérogènes diélectriques à deux et à trois constituants." Nancy 1, 1996. http://www.theses.fr/1996NAN10346.

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Abstract:

Les propriétés diélectriques d'un milieu hétérogène sont importantes. Plusieurs auteurs ont proposé des fonctions empiriques et théoriques concernant la permittivité diélectrique d'un milieu hétérogène. La formulation de Bergman est la plus complète. Cette formule permet d'évaluer la permittivité effective d'un milieu hétérogène contenant deux composants sous la forme d'une intégrale qui sépare l'influence des permittivités de chaque composant et le rôle de la dispersion géométrique. Nous avons appliqué cette formule aux formules de Lichtenecker, de C. R. I. M. , de Rayleigh, de Bottcher, de B

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2

Iravani, Mohammad Ali. "Monitoring the remediation of coal tar in contaminated soil using electro-geophysical methods." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2020. http://www.theses.fr/2020SORUS330.

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Abstract:

Au cours des deux dernières décennies, la dépollution et la surveillance des sites pollués sont devenus une question sociétale importante. Les techniques classiques de surveillance par piézomètres et piézairs ne suffisent pas pour suivre les changements caractéristiques dans le sous-sol de ces sites en raison de leur caractère ponctuel. Ainsi l’interprétation de données géophysiques acquises lors de la surveillance de tels sites est un outil pour la dépollution de leurs sols. Les propriétés géophysiques sont des paramètres clés dans la validation des méthodes de dépollution des sols contaminés

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3

Gaillard, Sébastien. "Elaboration d'oxydes à forte constante diélectrique sur silicium par épitaxie par jets moléculaires." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2005. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/sgaillard.pdf.

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Abstract:

Le remplacement des oxydes de grille en SiO2 par des oxydes à plus forte constante diélectrique (high k) est inéluctable pour les technologies CMOS sub 50 nm, notamment pour les circuits à basse consommation d'énergie. Il s'agit dans ce projet de développer une technologie de fabrication de films minces d'oxydes monocristallins, à forte constante diélectrique, épitaxiés sur silicium, qui pourrait prendre le relais des technologies à base de films amorphes comme HfO2, dans les futures filières 45 nm ou 32 nm. La technique d'épitaxie choisie est l'épitaxie par jets moléculaires qui présente l'in

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4

Borvon, Gaël. "Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS." Nantes, 2003. http://www.theses.fr/2003NANT2087.

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Abstract:

L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (<100°C) et basse presssion (2mTorr) sur des substrats de silicium à partir d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO) pur ou mélangé avec de l'oxygène ou du méthane. En multipliant les diagnostics de caractérisations du plasma et des couches minces, nous avons cherché à mesurer des paramètres plasmas cruciaux pour le dépôt, approfondir la connaissance des structures et des pr

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5

Raballand, Vanessa. "Gravure en plasma dense fluorocarboné de matériaux organosiliciés à faible constante diélectrique (SiOCH, SiOCH poreux) : étude d'un procédé de polarisation pulsée." Nantes, 2006. http://www.theses.fr/2006NANT2040.

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Abstract:

L'objet de ce travail est la gravure en plasma ICP fluorocarboné de matériaux à faible constante diélectrique que sont les méthylsilsesquioxanes SiOCH et SiOCH poreux, utilisés comme isolant intermétallique dans la réalisation de circuits intégrés en microélectronique. La gravure de matériaux utilisés comme masque dur ou couche d'arrêt, SiO2, SiCH, est aussi étudiée. Une vitesse de gravure élevée pour le low- SiOCH poreux, associée à une forte sélectivité de gravure vis à vis de SiO2 et SiCH, sont recherchées. Dans cet objectif, le procédé de gravure est modifié : la tension de polarisation,

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6

Tchiakaka, Parfait. "Suivi en temps réel des caractéristiques diélectriques et magnétiques des matériaux traités dans un applicateur micro-onde." Nancy 1, 2000. http://www.theses.fr/2000NAN10090.

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Abstract:

Ce travail montre et justifie que le coefficient de réflexion d'un applicateur microonde peut être représenté, avec une bonne approximation par une fonction bihomographique de la permittivité et de la perméabilité complexes du matériau qu'il contient. Cette approximation permet de calculer simplement et après calibration, les caractéristiques d'un matériau quelle que soit la forme géométrique du matériau et quelle que soit la distribution du champ électromagnétique à laquelle il est soumis. Cette approximation permet ainsi de suivre en temps réel le traitement que subit le matériau<br>It is sh

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7

Naas, Abdelkrim. "Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : évolution de la constante diélectrique." Thesis, Orléans, 2010. http://www.theses.fr/2010ORLE2059/document.

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Abstract:

Ce travail de thèse consiste en une étude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implanté Kr ou Xe pour son application comme matériau à faible constante diélectrique. Deux volets sont examinés: une étude structurale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS, PL, MET et PAS) et une étude de la variation de la constante diélectrique par utilisation de la spectroscopie IR avec le développement d'un modèle de la fonction diélectrique et des mesures C(V). Pour la caractérisation structurale, les principaux résultats confirment pour le cas du Kr, une distribution homogène de ce der

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8

BELHADJ, TAHAR NOUR-EDDINE. "Méthode de mesure automatique large bande de la permittivité et de la conductibilité de matériaux : optimisation d'une cellule adaptée." Paris 6, 1986. http://www.theses.fr/1986PA066447.

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9

Coulon, Pierre-Eugène. "Films minces d'oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique : organisation structurale et chimique et propriétés diélectriques." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/514/.

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Abstract:

Malgré les gros efforts de recherche consacrés depuis dix ans à l'étude de nouveaux films minces d'oxyde à grande permittivité kappa pour remplacer la silice en microélectronique, les relations qui existent entre les propriétés structurales/chimiques et électriques de ces films restent encore peu explorées. Des films minces d'oxydes à base de zirconium et de lanthane, préparés par dépôt chimique de couches atomiques (ALD) sur substrats de silicium et/ou germanium, font l'objet de ce mémoire. Les paramètres quantitatifs relatifs à l'organisation à l'échelle nanométrique dans ces films et aux in

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10

El, Housni Abdallah. "Étude diélectrique de la flottation de la malachite par sulfuration." Nancy 1, 1989. http://www.theses.fr/1989NAN10151.

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Abstract:

Les techniques diélectriques haute fréquence permettent, grâce à une détermination de la permitivité complexe de mettre en évidence l'évolution de la conductibilité électronique au cours d'une réaction chimique. L'activation de la malachite par les ions sulfure ou hydrure se traduit, par un accroissement important de la conductivité du carbonate. La désactivation de la malachite sulfurée ou l'adsorption des cations métalliques (AG#2#+, HG#2#+) ou encore des collecteurs xanthate par la malachite sulfurée entraîne une perte de la conductibilité

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11

Ename-Obiang, Paul Francis. "Utilisation des résonateurs hélicoïdaux comme cellules de mesures de la permittivité et comme applicateurs microondes pour le chauffage des matériaux." Nancy 1, 1995. http://www.theses.fr/1995NAN10010.

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Abstract:

L’auteur propose une méthode de mesure de la permittivité des matériaux solides pour laquelle il suffit de disposer d'un échantillon de très petite taille. La méthode met en œuvre une cavité hélicoïdale. Il traite en détail la propagation des ondes électromagnétiques dans un guide hélicoïdal et montre qu'un élément de ligne court-circuite à ses extrémités constitue une cavité dont la particularité et de résonner a un intervalle régulier dans un large domaine de fréquence. Cette particularité permet d'effectuer des mesures de la permittivité des matériaux sur une large bande de fréquence. L’int

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12

Galan-Malaga, Horacio. "Diffraction électromagnétique en puits de forage : approximations dipolaires et application au problème inverse." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112182.

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Abstract:

Le sondage du sous-sol à l'aide d'un puits de forage est un moyen couramment utilisé dans les études géophysiques et dans la recherche d’hydrocarbures. Ce travail concerne les possibilités du sondage électromagnétique du sous-sol dans un tel puits de forage, sondage dont le but est de permettre d'accéder aux valeurs de la permittivité et de la conductivité du sous-sol. Le principe de l'outil de sondage est le suivant : une petite boucle de courant placée sur l'axe du puits rayonnant à 25 MHz, produit une onde à symétrie axiale, dont une partie se propage dans le sous-sol et revient dans le pui

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Gonçalves, Maria Augusta. "Mise au point d'un logiciel général pour les lois de mélange des matériaux composites en vue de l'étude de leurs propriétés électromagnétiques." Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1995. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/INPL_T_1995_GONCALVES_M_A.pdf.

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Abstract:

Ce travail présente une méthodologie pour étudier les lois de mélange des matériaux composites, en vue de la détermination de leurs propriétés électromagnétiques. La première partie présente un recueil des modèles existants pour décrire les propriétés diélectriques des mélanges, ainsi que les théories qui décrivent le phénomène de la percolation et les études à propos de la variation de la permittivité en fonction de la fréquence. Tous les modèles qui décrivent ces études ont été introduits dans un logiciel, qui accomplit des analyses selon les types des données disponibles: il peut effectuer

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Aulagner, Emmanuel. "Elaboration et étude des propriétés diélectriques de films minces de polyfluorure de vinylidène et de polypropylène chargés d'une céramique à haute permittivité relative." Saint-Etienne, 1996. http://www.theses.fr/1996STET4002.

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Abstract:

Des films de polyfluorure de vinylidène et de polypropylène, chargés en titanate de baryum, sont réalisés par extrusion. Les propriétés diélectriques de ces films sont mesurées dans différentes conditions. Les films à matrice PVDF présentent les meilleures caractéristiques pour une application de stockage d'énergie. L'évolution de la permittivité relative et de la rigidité diélectrique en fonction du taux volumique de charge, sont modélisées respectivement par la théorie de la percolation et par un modèle semi-empirique. Les mélanges sont étudiés en rhéométrie dynamique et capillaire. Les inte

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Di, Geronimo Camacho Elizabeth Carolina. "Synthesis, high-pressure study and dielectric characterization of two lead-free perovskite materials : SrTi1-xZrxO3 and KNb1-xTaxO3." Thesis, Montpellier, 2016. http://www.theses.fr/2016MONTT208/document.

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Abstract:

Les matériaux de structure pérovskite de formule générale ABO3 sont les ferroélectriques les plus étudiés pour leurs propriétés intéressantes dans de nombreuses applications technologiques. Cependant leurs propriétés sont directement reliées à la structure et sont fortement conditionnées par les transitions de phases qui dépendent de la température, de la composition chimique et de la pression. Dans le manuscrit de thèse, le comportement sous haute pression de deux matériaux pérovskite SrTi1-xZrxO3 (STZ) et KNb1-XTaXO3 (KNT) est étudié et différentes techniques de frittage pour améliorer la de

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Pointet, John. "Elaboration et caractérisation de structures métal-isolant-métal à base de TiO2 déposé par Atomic Layer Deposition." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT089/document.

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Abstract:

Les besoins de la microélectronique pour les condensateurs de type DRAM sont résumés dans la feuille de route ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Pour descendre en dessous du noeud technologique 22 nm, des performances électriques telles qu'une épaisseur d'oxyde équivalent (EOT) < 0.5 nm et un niveau de courant de fuite < 1.10-7 A/cm² à 0.8 V sont nécessaires. Ces performances sont difficiles à atteindre si l'on considère des oxydes standards largement utilisés tels que le SiO2, le Si3N4 ou l'Al2O3. Le dioxyde de Titane constitue un matériau diélectrique de choix

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17

Sevrain, Pascal. "Étude de l'influence d'un champ électromagnétique intense sur la flottation aérobie de la fluorine et de la barytine." Nancy 1, 1989. http://www.theses.fr/1989NAN10365.

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Abstract:

Mesure de permittivité diélectrique complexe des pulpes de minerais dans le domaine des hautes fréquences afin de différencier les intéractions physicochimiques engagées entre les collecteurs et les minerais. Étude de flottation sous champ électromagnétique intense dans un tube de hallimond et dans cellule prototype. Amélioration du rendement et de la sélectivité du procédé par irradiation haute fréquence des pulpes

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Chaker, Ahmad. "Etude des structures MIM à base de dioxyde de titane pour des applications DRAM." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT007/document.

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Abstract:

Le développement des mémoires dynamiques (DRAM) à haute performance basées sur la structure métal-isolateur-métal (MIM) nécessite de remplacer la couche de dioxyde de silicium par des matériaux diélectriques à haute permittivité diélectrique. L'utilisation de ces isolants dits high-k permet de réduire la taille du dispositif DRAM tout en conservant une densité de capacité élevée et un faible courant de fuite pour diminuer la fréquence de rafraichissement. Parmi les nombreux matériaux high k, le dioxyde de titane (TiO2) est l'un des candidats les plus prometteurs en raison de sa constant diélec

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19

Alfonso, Marco Salvatore. "Liquid carbon dispersions for energy applications." Thesis, Bordeaux, 2018. http://www.theses.fr/2018BORD0240/document.

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Abstract:

L'objectif de ce travail est de développer et d’étudier une nouvelle classe de fluidesintelligents à base de dispersions colloïdales de carbone, sensibles à un stimulus externe pour desapplications de conversion et stockage d’énergie. Ces stimuli sont de différentes natures : vibrationmécanique, mouvement humain, variation de pression ou écoulement d'un solvant, et peuventaltérer les structures de tels systèmes. Ceci induit une modification de la structure locale desparticules et par conséquent des propriétés diélectriques et électriques. Habituellement, lessuspensions de matériaux carbonés so

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Hofheinz, Max. "Blocage de Coulomb dans les transistors silicium à base de nanofils." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00131052.

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Abstract:

Cette thèse est consacrée à des mesures de transport électronique dans des transistors mono-électroniques de type MOSFET silicium à base de nanofil.<br />L'îlot de blocage de Coulomb n'est pas formé par des constrictions ou des barrières d'oxyde mais par une modulation du dopage et une grille couvrant la partie centrale du fil. Ces dispositifs sont des transistors mono-électroniques très stables et bien contrôlés.<br />Quand il ne contient que peu d'électrons, l'îlot est dans un régime localisé où l'espacement entre résonances de Coulomb est très irrégulier. A partir de quelques dizaines d'éle

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Jégou, Carole. "Intégration d'un film mince de Pb(Zr,Ti)O₃ dans une structure capacitive pour applications RF." Thesis, Paris 11, 2014. http://www.theses.fr/2014PA112322/document.

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Abstract:

Les matériaux ferroélectriques suscitent beaucoup d’intérêt du fait de leurs propriétés physiques telles que la piézoélectricité, la ferroélectricité ou encore leur permittivité élevée. Ainsi, on cherche à les intégrer dans les micro- et nano-systèmes dans lesquels on les retrouve généralement sous forme de couche mince dans une configuration de type capacité plane. En particulier, l’oxyde de plomb, titane et zirconium (PZT) est un matériau très attractif pour les applications RF capacitives du fait de sa grande permittivité. Son intégration sur des électrodes métalliques, i.e. les lignes copl

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Kader, Ammar. "Caractérisation et modélisation électromagnétique de multimatériaux composites : application aux structures automobiles." Thesis, Bordeaux, 2015. http://www.theses.fr/2015BORD0056.

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Abstract:

Ce manuscrit se focalise sur l’effet de divers matériaux composites sur les différentes problématiques de compatibilité électromagnétique dans un véhicule automobile. Les modèles surfaciques des matériaux diélectriques sont validés en confrontant des résultats de mesures et de simulation de leurs permittivités. Ceux des matériaux conducteurs le sont en confrontant le modèle d’impédance de surface à un modèle filaire et en effectuant des mesures des simulations de paramètres S sur une structure majoritairement constituée par un matériau de ce type. Dans les deux cas, la technique de modélisatio

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Sylvestre, Alain. "Apport de la spectroscopie diélectrique basse fréquence dans l'analyse de matériaux isolants à forte permittivité." Habilitation à diriger des recherches, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00651493.

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Abstract:

Les travaux présentés dans ce manuscrit sont centrés sur l'analyse diélectrique de deux familles de matériaux diélectriques en couche mince et à forte permittivité : la première concerne des pérovskites de type SrTiO3 et la seconde est un nanocomposite constitué d'une matrice de carbone amorphe contenant des particules métalliques de nickel. Concernant les couches SrTiO3, élaborées par IBS (Ion Beam sputtering) au CEA-Leti à Grenoble, les propriétés diélectriques (constante diélectrique ', pertes '' et facteur de dissipation tan) sont analysées en fonction de la fréquence, de la température

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Gourhant, Olivier. "Élaboration et caractérisation de matériaux à très faible constante diélectrique de type a-SiOCH élaborés par PECVD : application aux interconnexions des circuits intégrés." Phd thesis, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00373417.

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Abstract:

L'amélioration des performances des circuits intégrés nécessite le développement de nouveaux matériaux comme, par exemple, les diélectriques à très faible permittivité, appelés Ultra Low-K (K<=2,5). Cette étude se focalise sur les matériaux a-SiOCH poreux déposés en couche mince par PECVD suivant une approche dite « porogène ». Cette approche consiste en le dépôt d'une matrice de type a-SiOCH contenant des inclusions organiques qui sont dégradées dans un second temps, grâce à l'utilisation d'un post-traitement, afin de créer la porosité. La première partie de cette étude montre que l'extension

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Guillan, Julie. "Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques à très forte constante diélectrique, BaTiO3, SrTiO3 et SrTiO3/BaTiO3 déposées par pulvérisation par faisceau d'ions." Phd thesis, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00141132.

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Abstract:

Dans l'optique d'une miniaturisation dans le secteur de la microélectronique et plus particulièrement dans celui de la téléphonie mobile, les matériaux pérovskites à très haute constante diélectrique sont des candidats intéressants au remplacement des diélectriques actuellement utilisés dans l'élaboration des capacités Métal/Isolant/Métal (MIM). Ce travail est consacré à l'élaboration et à la caractérisation de couches minces de titanate de strontium (SrTiO3) et de titanate de baryum (BaTiO3) déposées par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS) dans des structures capacitives MIM Pt/diélectriq

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