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Dissertations / Theses on the topic 'Photoconductor'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 26 July 2025

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Rowehl, Jill A. (Jill Annette). "Organic multilayer photoconductor utilizing a spacer layer." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2008. http://hdl.handle.net/1721.1/57977.

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Abstract:
Thesis (S.B.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Materials Science and Engineering, 2008.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 61-62).<br>Chemosensors hold many vital applications in today's world, particularly as detectors for explosives. There is still vast room for improvement as other technologies-particularly those of explosives-continue to evolve and expand. Herein, we develop a novel device structure with the potential for much higher sensitivity. The lateral bilayer photoconductor is comprised of an exciton generation layer (
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Higgins, Erle Daniel. "Gigahertz optical mixing on a photoconductor using a single laser." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/MQ63525.pdf.

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3

Rabanus, David. "Development of a modular stressed Ge:Ga photoconductor focal plane array prototype." [S.l.] : [s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=962396206.

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4

Hebbron, Michael Christopher. "An investigation into gallium arsenide liquid crystal light valves." Thesis, University of Salford, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.308165.

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5

Ledwosinska, Elzbieta. "Design, fabrication, and characterization of a floating-gate double quantum well far-infrared photoconductor." Thesis, McGill University, 2009. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=66787.

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Abstract:
The design, fabrication, and characterization of a GaAs/AlGaAs double quantum well long-infrared photoconductor are reported. The double quantum well structure was designed using a 1-D Schrodinger-Poisson solver to fine-tune the material composition, thickness, and doping to control the 2-D electron gas (2DEG) subband energies, positions, carrier densities, and lifetimes of transitions. The wafer was grown commercially and devices were fabricated using cleanroom facilities at McGill and the Universite de Montreal. The device has a floating gate architecture with perpendicular
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6

Danziger, James Lee. "Characterization of molecular semiconductor and multilayer molecular organic photoconductor interfaces by photoelectrochemistry and surface analytical techniques." Diss., The University of Arizona, 1990. http://hdl.handle.net/10150/185217.

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Abstract:
Organic semiconductor thin films are of interest to us for a variety of molecular electronic applications, including solar cells, chemical sensors, and nonlinear optical devices. We have been seeking unusual new ways of controlling the composition and long-range molecular structure of these materials through the use of vacuum deposition techniques which mimic, in some ways, those used for epitaxial layer growth in inorganic materials. Thin films of perylene tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) have been examined as electrodes and photoelectrodes on both metal and metal oxide substrates. In cont
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Kostakis, Ioannis. "Quantum-engineered semiconductor photomixers at long wavelength illumination (1.55 μm) for THz generation and detection". Thesis, University of Manchester, 2014. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/quantum--engineered-semiconductor-photomixers-at-long-wavelength-illumination-155-micro-metre-for-thz-generation-and-detection(2164fd28-cf88-4540-9544-33d3a6f8f310).html.

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Abstract:
This thesis is concerned with the characterisation, fabrication and testing of devices capable of generating and detecting terahertz (THz) radiation. Such devices are based on semiconductor photoconductors grown under low temperature (LT) conditions using the technique of Molecular Beam Epitaxy (MBE). The absorption of a pulsed or continuous wave (CW) signal by these structures in conjunction with the presence of an electric field generates photocurrent, which is fed into an antenna structure fabricated on the surface of the active layers. As a result of such a sequence, a THz signal is genera
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Glasser, Francis. "Méthodes de détection de rayonnement X pulsé pour la tomographie par transmission avec accélérateur linéaire." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10081.

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Abstract:
Etude du comportement de semi-conducteurs et d'un scintillateur comme convertisseurs de photons x en signal mesurable. Application a la tomographie industrielle utilisant un accelerateur lineaire en vue du controle non destructif d'objets denses et volumineux
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9

Сидор, О. М., та О. А. Сидор. "Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64489.

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Abstract:
Традиційна кремнієва електроніка швидко деградує вже при порівняно помірних дозах радіації. Альтернативою при створенні радіаційно-стійких фотоперетворювачів (ФП) видимого, ближніх ІЧ- і УФ-випромінювань можуть служити кристали унікальної групи А3В6. Запропоновано фізичну модель електронних процесів, що спостерігаються у даних р-n-переходах при опроміненні: на фоні утворення простих точкових дефектів відбувалося суттєве покращення досконалості кристалічної гратки шаруватого селеніду індію внаслідок ефективного “заліковування” власних структурних дефектів.
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Lam, Dennis Kwok Wah Carleton University Dissertation Engineering Electrical. "Optoelectronic switching with GaAs photoconductors." Ottawa, 1986.

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Petty, David Matthew. "Transient photoconduction in phthalocyanines." Thesis, University of Nottingham, 1991. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.277939.

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Berkin, J. "Transient photoconduction in amphorous materials." Thesis, University of Abertay Dundee, 1989. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.328002.

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Howson, Peter Allen. "Bulk photoconductive high voltage switching techniques." Thesis, University of Brighton, 1992. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.357154.

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Rouède, Denis. "Contribution a l'etude des reseaux de phase photoinduits dans un cristal de bi : :(12) si o::(20)." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066206.

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Abstract:
Etat de polarisation de l'onde diffractee pour deux configurations transverses 110 et 001. On montre que la configuration 110 est tres bien adaptee au traitement d'images, alors que la configuration 001 est bien adaptee au couplage des ondes
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Delord, Jean-Marie. "Echantillonnage photoconductif de signaux radio-fréquence." Chambéry, 2010. http://www.theses.fr/2010CHAMS026.

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Abstract:
La très grande stabilité des sources lasers impulsionnelles utilisées comme "horloges" optiques permet d'envisager la réalisation de convertisseurs analogique-numériques fonctionnant jusqu'aux radio-fréquences. Dans ce travail nous abordons plus précisément l'étude de l'échantillonnage photoconductif pour le traitement de signaux entre 10 et 20 GHz. L'utilisation de matériau semiconducteur rapide (GaAs épitaxié à basse température) nous permet d'obtenir les bandes passantes requises alors que la propagation du signal microonde est assurée par un guide d'onde métallique déposé sur le substrat s
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Stott, Colin Mark. "Synthesis and photoconduction properties of haloanthanthrone pigments." Thesis, Open University, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.255409.

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Beaumont, François. "Études de senseurs d'images radiologiques à photoconducteur." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112356.

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Abstract:
L'évolution des techniques d'imagerie médicales vers des systèmes numériques rend nécessaire le remplacement du film radiologique, présentant de nombreux inconvénients, par un détecteur aussi per­ formant et délivrant rapidement un signal numérisable. L'objet de cette thèse est une recherche de nouveaux procédés d'imagerie numérique en rayons X, utilisant des matériaux photoconducteurs comme le sélénium amorphe. La radiologie directe est basée sur le principe d'une ombre portée en rayons X. Les fonctions que doit remplir l'imageur X sont : détection, mémoire, adressage et visualisation. Les co
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Wolverson, D. "Optical and electronic properties of disordered semiconductors." Thesis, University of Exeter, 1987. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.379465.

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He, Catherine Fang. "The synthesis of columnar liquid crystals for photoconductors and light emitting diodes." Thesis, University of Hull, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.402714.

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Ariaudo, Myriam. "Analyse théorique de la génération optoélectronique d'impulsions ultrabrèves par photoconduction." Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0049.

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Abstract:
Les travaux de recherche presentes dans ce memoire traitent de l'analyse de la generation d'impulsions electromagnetiques ultracourtes par phenomene de photoconduction. L'utilisation grandissante de ces signaux dans des dispositifs optoelectroniques, tels qu'un interrupteur, un echantillonneur ou un autocorrelateur, necessite une connaissance et une maitrise des phenomenes physiques intervenant lors de l'interaction laser/matiere. L'outil numerique developpe est base sur la resolution des equations de maxwell et des equations des semiconducteurs par la methode des differences finies dans le do
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Chimot, Nicolas. "Génération et détection de rayonnement aux fréquences térahertz à partir d'antennes photo-conductrices en InGaAs sur InP." Paris 11, 2006. http://www.theses.fr/2006PA112083.

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Abstract:
Le domaine de fréquence térahertz vit une fantastique accélération, motivée par l'exploration de nombreux processus physiques dont les fréquences caractéristiques tombent dans ce domaine. La réalisation d'émetteurs et de détecteurs efficaces, de faible coût, et fonctionnant à la température ambiante représente un enjeu pour les systèmes térahertz modernes. Les antennes photoconductrices en In0,53Ga0,47As et excitées avec des impulsions lasers de longueur d'onde 1550 nm sont une solution, grâce à la disponibilité de sources optiques relativement peu onéreuses, compactes et permettant de bénéfic
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Mouhssine, Najma. "Système d’émission de signaux ultra large bande par utilisation de l’effet photoconducteur." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066769.

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Abstract:
Ce travail présente un système utilisant l’optique pour générer l’émission de signaux ultra large bande (ULB). En effet, une commande sans contact par des impulsions optiques ultra courtes appliquées sur un photocommutateur permet d'activer l'émission d'un signal radiofréquence de forme et durée contrôlée. Le dispositif réalisé en particulier sur semi-conducteur GaAs-BT est optimisé en termes de génération de porteurs et de géométrie afin d'obtenir une réponse temporelle ultra courte dans une structure de transmission coplanaire. Le système d’émission complet associe ce dispositif à une antenn
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DE, CARRE PATRICE. "Etude experimentale des proprietes de transport non stationnaire dans inp par photoconduction." Paris 11, 1990. http://www.theses.fr/1990PA112124.

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Abstract:
Le developpement de l'electronique rapide et de l'optoelectronique est associe a celui des semiconducteurs composes iii-v, dont inp. Ce travail porte sur l'etude experimentale des phenomenes de transport non stationnaire dans inp, par mesure de photocourant en regime permanent d'eclairement, sur des dispositifs semiconducteurs submicroniques de differentes longueurs. L'interpretation des resultats fait appel a des simulations numeriques de type monte-carlo. La structure de bande d'inp et les mecanismes d'interactions entre electrons et reseau cristallin sont decrits et permettent d'analyser le
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Haristoy, Denis. "Synthese, mesomorphisme et proprietes de photoconduction de cristaux liquides de type calamitique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2000. http://www.theses.fr/2000STR13167.

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Abstract:
Quatre differents types de mesogenes calamitiques comportant des curs rigides heteroaromatiques soufres ont ete synthetises. La substitution de ces curs par certaines natures de chaines a permis d'abaisser avec succes les temperatures de transition de phases. Les proprietes mesomorphes ont ete systematiquement caracterisees par microscopie optique en lumiere polarisee, analyse enthalpique differentielle et diffraction des rayons x. Ces analyses ont notamment permis de mettre en evidence pour un type de composes, une mesophase originale de type lamello-colonnaire pour laquelle nous avons propos
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Kaczmarek, Jean. "Mise en évidence des phénomènes de photoconduction dans des cristaux liquides ferroélectriques photosensibles." Thesis, Lille, 2018. http://www.theses.fr/2018LIL1R028.

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Abstract:
Les cristaux liquides ferroélectriques (CLF), photosensibles, sont susceptibles de générer des charges de surfaces s’ils sont soumis à un champ électrique ; cette propriété est mise à profit dans les dispositifs d’affichages à cadence rapide. Les CLF utilisés dans ce travail présentent une phase smectique C* ferroélectrique ; l’un est un mélange commercial utilisé comme matériau hôte, l’autre, un dérivé azobenzénique photosensible utilisé comme dopant (1, 3, 5%). Les propriétés optiques et ferroélectriques ont été étudiées en fonction de la concentration, de la température et du champ électriq
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Haddab, Karima. "Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné : courants limités par charge d'espace et photoconduction." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112052.

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Abstract:
Les propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogène sont déterminés par la densité d’états dans la bande interdite. A partir de la méthode des courants limités par charge d’espace (CLCE) sous excitation lumineuse, nous avons pu déterminer cette densité d’états dans un domaine d’énergie situé au-dessus du niveau de Fermi. Nous avons obtenu une densité d’états exponentielle de température caractéristique de l’order de 1000k. Nous proposons une discussion sur la différence dans les pentes de densité d’états déterminées à partir de la méthode précédente, de la méthode CLCE à l’obscurité et
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Rousseau, Michel. "Etude expérimentale des propriétés de transport électronique au voisinage d'une hétérojonction par photoconduction." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112341.

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Abstract:
Ce travail a pour but l'étude des propriétés du transport électronique au voisinage d'une hétérojonction. L'étude expérimentale réalisée sur des structures AIGaAs (N+)/GaAs(P-) fait intervenir des mesures de photocourant et de magnétorésistance. Des simulations numériques de type Monte Carlo ont été faites pour interpréter les résultats expérimentaux et prévoir le comportement des dispositifs submicroniques. La construction du diagramme des bandes d'énergie d'un dispositif à hétérojonction à dopage modulé montre qu'il existe un puits de potentiel à l'interface. Les porteurs qui y sont confinés
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Richard, Bénédicte. "Contribution à l'étude d'un procédé d'imagerie radiologique utilisant le photoconducteur à mémoire BiSiO." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37609343n.

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Haddab, Karima. "Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné courants limités par charge d'espace et photoconduction /." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376141402.

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Fralaide, Michael Orcino. "Electrical Transport and Photoconduction of Ambipolar Tungsten Diselenide and n-type Indium Selenide." OpenSIUC, 2015. https://opensiuc.lib.siu.edu/theses/1824.

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Abstract:
In today's "silicon age" in which we live, field-effect transistors (FET) are the workhorse of virtually all modern-day electronic gadgets. Although silicon currently dominates most of these electronics, layered 2D transition metal dichalcogenides (TMDCs) have great potential in low power optoelectronic applications due to their indirect-to-direct band gap transition from bulk to few-layer and high on/off switching ratios. TMDC WSe2 is studied here, mechanically exfoliated from CVT-grown bulk WSe2 crystals, to create a few-layered ambipolar FET, which transitions from dominant p-type behavior
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Podlecki, Jean. "Réalisation par EPVOM d'hétérostructures à base d'antimoniures sur GaAs : application au photoconducteur à 4 micromètres." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20109.

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Abstract:
Ce memoire a pour but la fabrication, par epvom, et l'etude de photoconducteurs a base de inas#1#-#xsb#x repondant aux longueurs d'onde superieures a 3 micrometres. Apres une etude bibliographique sur la photodetection infrarouge a base d'antimoniures, nous presentons l'evolution des techniques epvom au laboratoire, puis la croissance de couches de gasb, la realisation de photoconducteurs a inassb et enfin les premiers essais de croissance d'empilements ga(al)sb/gaalsb. La croissance de gasb a tout d'abord ete abordee afin de tester la qualite des couches et de montrer la faisabilite d'heteros
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Ramdani, Jamal. "Contribution à l'étude des phénomènes de photoconduction sur matériaux contraints Ga In As/Ga As." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37609159g.

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RICHARD, GONZALEZ DE LINARES BENEDICTE. "Contribution a l'etude d'un procede d'imagerie radiologique utilisant le photoconducteur a memoire bi : :(12)sio::(20)." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066095.

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Guelfucci, Jean-Pierre. "Contribution a l'etude des mecanismes de photoionisation et de photoconduction dans les dielectriques liquides non polaires." Toulouse 3, 1986. http://www.theses.fr/1986TOU30029.

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Abstract:
Mesure du niveau de conduction d'alcanes et de cycloalcanes par difference de travaux de sortie metal/liquide, metal/vide de photocathodes en zinc ou en or irradiees par photons uv. Mise en evidence du role des etats de surface. Determination du seuil d'ionisation par photoionisation de liquides avec des photons de 7 a 10 ev. Comparaison des courbes a la theorie d'onsager. Etude de la nature des etats precurseurs a la paire separee ion-electron
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Guelfucci, Jean-Pierre. "Contribution à l'étude des mécanismes de photoionisation et de photoconduction dans les diélectriques liquides non polaires." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb375980527.

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Nandi, Uttam [Verfasser], Sascha [Akademischer Betreuer] Preu, and Clara [Akademischer Betreuer] Saraceno. "ErAs:In(Al)GaAs photoconductors for 1550 nm-based Terahertz time domain spectroscopy systems / Uttam Nandi ; Sascha Preu, Clara Saraceno." Darmstadt : Universitäts- und Landesbibliothek, 2021. http://d-nb.info/124124832X/34.

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Souza, Carlos Eduardo Zanetti de. "Análise fotocondutiva de estruturas fotovoltaicas baseadas em TiO2 e poli(3-hexiltiofeno)." Universidade de São Paulo, 2009. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-15032010-114330/.

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Abstract:
Neste trabalho investigamos o transporte eletrônico em dispositivos com estrutura ITO(óxido de estanho dopado com índio)/TiO2(dióxido de titânio)/RRP3HT(poli(3-hexiltiofeno)-regiorregular)/Al através de medidas de resposta espectral de fotocorrente, iluminando os dispositivos ora pelo eletrodo de ITO ora pelo de alumínio. O polímero RRP3HT é um politiofeno regiorregular e exibe uma atividade fotovoltaica relativamente alta. Os filmes de TiO2 e RRP3HT foram obtidos por spin-coating, sendo o óxido depositado a partir de uma dispersão coloidal de nanopartículas e o polímero a partir de uma soluçã
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Fabre, Jean-Claude. "Étude des non-linéarités optiques par mélange à deux ondes dans les composés III-V semi-isolants." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112293.

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Abstract:
L'effet photo réfractif permet de réaliser de nombreuses opérations dans le domaine du traitement optique. Les semi-conducteurs sont des matériaux photo réfractifs qui possèdent de grandes mobilités et pour lesquels le temps d'établissement de cet effet devrait être très court. Nous avons réalisé une étude tant expérimentale que théorique du mélange à deux ondes dans InP:Fe et GaAs:Cr en régime d'excitation nanoseconde. Nous avons tout d'abord mis en évidence un transfert d'énergie du a l'effet photo réfractif dans ces deux cristaux. De plus un second effet, absorption non linéaire, se superpo
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Rupavatharam, Vikram. "Modeling of QE, I-V Characteristics of MSM (Metal-Semiconductor-Metal) Mercuric Iodide Thin Films with MEDICITM." Scholar Commons, 2004. https://scholarcommons.usf.edu/etd/1229.

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Abstract:
Mercuric Iodide is the most promising of all semiconductor materials currently under investigation for use as radiation detectors at room temperature. While substantial studies have been conducted on single crystal HgI2, polycrystalline HgI2 remains a comparatively less studied form. The HgI2 films are deposited on TEC-15 LOF glass with a Tin Oxide (SnO2) coating which acts as the growth surface and front contact. The back contact, Palladium (Pd), is deposited by sputtering through a shadow mask. The films are circular in shape with an approximate diameter of 2.5 cm and thicknesses ranging fro
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Gouy, Jean-Philippe. "Etude comparative de la photodiode PIN, de la photodiode à avalanche et du photoconducteur sur matériaux III-V." Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10058.

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Abstract:
L'objet de cette thèse est de présenter un certain nombre d'outils théoriques et expérimentaux pour l'évaluation des performances de photodétecteurs, et de les appliquer à l'étude comparative de la photodiode pin, de la photodiode à avalanche et du photoconducteur, fabriqué sur matériaux III-V. Dans ce but, des logiciels de simulation des deux sortes de photodiodes ont été mis au point ainsi que deux méthodes de mesure ; l'une concernant les réponses impulsionnelles de photodétecteurs, l'autre la mesure du niveau de bruit d'éclairement
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Filippozzi, Jean-Luc. "Modélisation et intégration d'un détecteur infrarouge associant un photoconducteur HgCdTe à un transistor à effet de champ GaAs." Toulouse 3, 1991. http://www.theses.fr/1991TOU30068.

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Abstract:
Ce memoire presente les resultats d'une modelisation et d'une etude de faisabilite technologique d'un photorecepteur integrant un detecteur hgcdte a un transistor a effet de champ gaas. La modelisation vise la definition de certaines regles d'optimisation des parametres technologiques et electriques, directement utilisables lors de la phase de conception du dispositif. Les principales caracteristiques etudiees sont d'une part, le facteur de bruit et le rapport de la transconductance sur le carre de la capacite pour le transistor et d'autre part, le rendement quantique, la reponse spectrale et
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Le, Saux Gilles. "Étude des propriétés photoréfractives des oxydes de bismuth silicium et germanium en régime d'excitation nanoseconde : photoconduction, holographie dynamique, couplage d'onde." Paris 11, 1986. http://www.theses.fr/1986PA112143.

Full text
Abstract:
Ce mémoire présente les résultats théoriques et expérimentaux relatifs à l’étude des propriétés photoréfractives des oxydes de Bismuth Germanium et Silicium en régime d’excitation impulsionnel nanoseconde. L’étude des transitoires de photo-courants induits par l’impulsion lumineuse nous permet dans un premier temps de mesurer les grandeurs régissant les processus de transport de charge dans ces cristaux, en particulier : la mobilité des électrons dans la bande de conduction, ainsi que leur durée de vie. Nous développons ensuite un modèle théorique expliquant l’ensemble de nos observations expé
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Le, Saux Gilles. "Etude des propriétés photoréfractives des oxydes de bismuth silicium et germanium en régime d'excitation nanosecondes photoconduction, holographie dynamique, couplage d'onde." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb375991475.

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Badi, Siham. "Interfaces optoélectroniques ultra-rapides pour l'électronique supraconductrice à quantum de flux magnétique." Phd thesis, Chambéry, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00368297.

Full text
Abstract:
Par leur fréquence d'horloge pouvant atteindre plusieurs dizaines de GHz et leur très faible dissipation, les circuits numériques supraconducteurs, fondés sur la logique à quantum de flux (RSFQ: Rapid Single-Flux Quantum), sont envisagés pour diverses applications spécifiques du fait de leurs performances exceptionnelles, très au delà de celles des filières électroniques classiques. Ces circuits RSFQ traitent l'information numérique sous forme d'impulsions de tension picoseconde avec une aire quantifiée de 2,07mV.ps, correspondant à un quantum de flux h/2e. L'électronique numérique supraconduc
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Sugunan, Abhilash. "Photochemical and Photoelectric Applications of II-VI Semiconductor Nanomaterials." Licentiate thesis, KTH, Functional Materials, FNM, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-12808.

Full text
Abstract:
<p>In this work we investigated fabrication of semiconductor nanomaterials and evaluated their potential for photo-chemical and photovoltaic applications. We investigated two different II-VI semiconductor nanomaterial systems; (i) ZnO oriented nanowire arrays non-epitaxially grown from a substrate; and (ii) colloidal CdTe nanotetrapods synthesized by solution-based thermal decomposition of organo-metallic precursors. In both the cases our main focus has been optimizing material synthesis for improving potential applications based on photon-electron interactions.</p><p>We have studied the synth
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Rumen, Gwenaëlle. "Élaboration et caractérisation de matériau CdTe pour application à la radiologie." Grenoble INPG, 2001. http://www.theses.fr/2001INPG0005.

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Abstract:
Cette thèse rend compte de l’étude d’une solution technique pour la réalisation de détecteur numérique pour la radiologie. Notre choix s’est porté sur la conversion directe des rayons X par un photoconducteur ; du tellurure de cadmium. Un premier chapitre de généralités sur la radiologie et les exigences de la détection de rayons X justifie la recherche d’une nouvelle solution technique ainsi que les choix du tellurure de cadmium et de la méthode d’élaboration. Un deuxième chapitre est consacré à l’étude de la technique de croissance de couches épaisses polycristallines. Une analyse détaillée
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FROC, GWILLERM. "Etude des proprietes optiques lineaires, non lineaires et de photoconduction dans des films minces de polymeres et de sol-gel dopes." Paris 11, 1997. http://www.theses.fr/1997PA112091.

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Abstract:
Dans les materiaux a matrice amorphe dopees par des colorants organiques, les proprietes optiques sont definies par les proprietes microscopiques des molecules dopantes et par la distribution angulaire de celles-ci. La mobilite rotationnelle des chromophores est dans ce cadre un parametre physique qui joue un role essentiel. La reflexion totale attenuee est une methode experimentale tres adaptee a l'etude de ces materiaux disposes en films minces. Elle permet de mesurer l'epaisseur, les trois indices principaux, les coefficients electrooptiques pockels et kerr ainsi que la piezoelectricite et
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Fekecs, André. "Élaboration de photoconducteurs d’InGaAsP par implantation d'ions de fer pour des applications en imagerie proche-infrarouge et spectroscopie térahertz." Thèse, Université de Sherbrooke, 2015. http://hdl.handle.net/11143/6840.

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Abstract:
Cette thèse décrit l’incorporation de fer dans l’hétérostructure InGaAsP/InP par implantation ionique à haute énergie (MeV) suivi d’un recuit thermique rapide. L’alliage quaternaire InGaAsP est tout indiqué pour fabriquer des couches photoconductrices qui peuvent absorber dans le proche-infrarouge, à 1.3 µm ou 1.55 µm. Ce procédé vise à développer de nouveaux matériaux de forte résistivité pour l’holographie photoréfractive et la spectroscopie térahertz pulsée. À notre connaissance, cette investigation représente les premiers essais détaillés de l’implantation de fer dans le matériau InGaAsP/I
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Le, Naour Claire. "Realisation et metrologie de photoconducteurs germanium dope au gallium tres sensibles soumis a une contrainte uniaxiale." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0014.

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Moulin, Hélène. "Étude et caractérisation de matériaux semi-conducteurs III-V en vue de leurs applications à la détection de rayonnements ionisants." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1989. http://www.theses.fr/1989GRE10130.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'etude de la photoconduction en volume de l'arseniure de gallium (gaas) et du phosphure d'indium dope fer (inp:fe) en vue de leurs applications a la detection de rayonnements x. Dans ces materiaux semiconducteurs la detection des rayons x s'effectue directement dans le materiau. Dans la premiere partie de la these on aborde l'aspect theorique de la photoconduction. Apres avoir rappele les caracteristiques physiques des materiaux et le principe de la photoconduction, nous decrivons deux modelisations informatiques permettant d'etudier les reponses des photoconducteurs a de
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