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  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers

Academic literature on the topic 'Photodiodes avalanche ?? photon unique'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 3 February 2022

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Journal articles on the topic "Photodiodes avalanche ?? photon unique"

1

Prochazka, I., L. Kral, K. Hamal, and B. Sopko. "Photon counting timing uniformity–unique feature of the silicon avalanche photodiodes K14." Journal of Modern Optics 54, no. 2-3 (January 20, 2007): 141–49. http://dx.doi.org/10.1080/09500340600791814.

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2

Mazzillo, M., G. Condorelli, A. Campisi, E. Sciacca, M. Belluso, S. Billotta, D. Sanfilippo, et al. "Single photon avalanche photodiodes arrays." Sensors and Actuators A: Physical 138, no. 2 (August 2007): 306–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2007.05.016.

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3

Huang, Tao. "Photon emission characteristics of avalanche photodiodes." Optical Engineering 44, no. 7 (July 1, 2005): 074001. http://dx.doi.org/10.1117/1.1950087.

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4

Sun, X., and F. M. Davidson. "Photon counting with silicon avalanche photodiodes." Journal of Lightwave Technology 10, no. 8 (1992): 1023–32. http://dx.doi.org/10.1109/50.156841.

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5

Robinson, D. L., and B. D. Metscher. "Photon detection with cooled avalanche photodiodes." Applied Physics Letters 51, no. 19 (November 9, 1987): 1493–94. http://dx.doi.org/10.1063/1.98665.

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6

Tan, Chee Hing, Anton Velichko, Leh Woon Lim, and Jo Shien Ng. "Few-photon detection using InAs avalanche photodiodes." Optics Express 27, no. 4 (February 15, 2019): 5835. http://dx.doi.org/10.1364/oe.27.005835.

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7

McIntosh, K. A., R. J. Molnar, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, N. Efremow, and S. Verghese. "Ultraviolet photon counting with GaN avalanche photodiodes." Applied Physics Letters 76, no. 26 (June 26, 2000): 3938–40. http://dx.doi.org/10.1063/1.126827.

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8

S.A. Bordakevich, S. A., A. A. Kielbowicz, I. H. López Grande, and M. A. Larotonda. "PHOTON COUNTING MODULE BASED ON AVALANCHE PHOTODIODES." Anales AFA 28, no. 4 (January 15, 2018): 99–105. http://dx.doi.org/10.31527/analesafa.2018.28.4.99.

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9

Dautet, Henri, Pierre Deschamps, Bruno Dion, Andrew D. MacGregor, Darleene MacSween, Robert J. McIntyre, Claude Trottier, and Paul P. Webb. "Photon counting techniques with silicon avalanche photodiodes." Applied Optics 32, no. 21 (July 20, 1993): 3894. http://dx.doi.org/10.1364/ao.32.003894.

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10

Min Ren, Xiaoguang Zheng, Yaojia Chen, Xiao Jie Chen, Erik B. Johnson, James F. Christian, and Joe C. Campbell. "Al0.8Ga0.2As Avalanche Photodiodes for Single-Photon Detection." IEEE Journal of Quantum Electronics 51, no. 11 (November 2015): 1–6. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2015.2491648.

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Dissertations / Theses on the topic "Photodiodes avalanche ?? photon unique"

1

B??rub??, Beno??t-Louis. "Conception de matrices de diodes avalanche ?? photon unique sur circuits int??gr??s CMOS 3D." Thèse, Universit?? de Sherbrooke, 2014. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/92.

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Abstract:
La photod??tection est un sujet de recherche tr??s actif encore de nos jours et l???industrie, particuli??rement de la physique des hautes ??nergies et de l???imagerie m??dicale, est en qu??te de d??tecteurs avec une plus grande sensibilit??, de meilleures r??solutions temporelles et une plus grande densit?? d???int??gration. Pour ces raisons, les photodiodes avalanche ?? photon unique (Single photon avalanche diode, ou SPAD) suscitent beaucoup d???int??r??t depuis quelques ann??es pour ses performances en temps et sa grande photosensibilit??. Les SPAD sont des photodiodes avalanche op??r??es au-dessus de la tension de claquage et un photoporteur atteignant la r??gion de multiplication peut ?? lui seul d??clencher une avalanche soutenue de porteurs et entra??ner le claquage de la jonction. Un circuit d??tecte le courant divergent et l?????touffe en abaissant la polarisation de la jonction sous la tension de claquage. Le circuit recharge ensuite la jonction en r??appliquant la tension initiale permettant la d??tection d???un nouveau photon. Dans le but d???augmenter le nombre de photons simultan??s d??tectables, les SPAD s???int??grent en matrice. Cependant, dans le cas o?? une matrice de SPAD et leurs circuits d?????touffement s???int??grent sur le m??me substrat, la surface photosensible devient limit??e par l???espace qu???occupent les circuits d?????touffement. Dans le but d???augmenter leur r??gion photosensible, les matrices de SPAD peuvent s???int??grer en trois dimensions (3D) avec leurs circuits d?????touffement. Ce projet porte sur le d??veloppement de matrices de SPAD en technologie CMOS HV 0,8 ??m de Teledyne DALSA d??di??es ?? une int??gration 3D avec leurs circuits d?????touffement actifs. Les r??sultats de caract??risation montrent que les SPAD atteignent une r??solution temporelle de 27 ps largeur ?? mi hauteur (LMH), poss??dent un taux de comptage en obscurit?? (DCR, ou Dark Count Rate) de 3 s[indice sup??rieur -1]??m[indice sup??rieur -2] et ont une probabilit?? de photod??tection (PDP) de 49 %. De plus, une m??thode d???isolation utilisant un puits p a ??t?? d??velopp??e. Les SPAD con??us avec cette m??thode ont un facteur de remplissage pouvant atteindre 54 % et une probabilit?? de diaphonie de 6,6 % ?? une tension exc??dentaire ?? la tension de claquage (V[indice inf??rieur E]) de 4 V.
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Bérubé, Benoît-Louis. "Conception de matrices de diodes avalanche à photon unique sur circuits intégrés CMOS 3D." Thèse, Université de Sherbrooke, 2014. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/92.

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Abstract:
La photodétection est un sujet de recherche très actif encore de nos jours et l’industrie, particulièrement de la physique des hautes énergies et de l’imagerie médicale, est en quête de détecteurs avec une plus grande sensibilité, de meilleures résolutions temporelles et une plus grande densité d’intégration. Pour ces raisons, les photodiodes avalanche à photon unique (Single photon avalanche diode, ou SPAD) suscitent beaucoup d’intérêt depuis quelques années pour ses performances en temps et sa grande photosensibilité. Les SPAD sont des photodiodes avalanche opérées au-dessus de la tension de claquage et un photoporteur atteignant la région de multiplication peut à lui seul déclencher une avalanche soutenue de porteurs et entraîner le claquage de la jonction. Un circuit détecte le courant divergent et l’étouffe en abaissant la polarisation de la jonction sous la tension de claquage. Le circuit recharge ensuite la jonction en réappliquant la tension initiale permettant la détection d’un nouveau photon. Dans le but d’augmenter le nombre de photons simultanés détectables, les SPAD s’intègrent en matrice. Cependant, dans le cas où une matrice de SPAD et leurs circuits d’étouffement s’intègrent sur le même substrat, la surface photosensible devient limitée par l’espace qu’occupent les circuits d’étouffement. Dans le but d’augmenter leur région photosensible, les matrices de SPAD peuvent s’intégrer en trois dimensions (3D) avec leurs circuits d’étouffement. Ce projet porte sur le développement de matrices de SPAD en technologie CMOS HV 0,8 µm de Teledyne DALSA dédiées à une intégration 3D avec leurs circuits d’étouffement actifs. Les résultats de caractérisation montrent que les SPAD atteignent une résolution temporelle de 27 ps largeur à mi hauteur (LMH), possèdent un taux de comptage en obscurité (DCR, ou Dark Count Rate) de 3 s[indice supérieur -1]µm[indice supérieur -2] et ont une probabilité de photodétection (PDP) de 49 %. De plus, une méthode d’isolation utilisant un puits p a été développée. Les SPAD conçus avec cette méthode ont un facteur de remplissage pouvant atteindre 54 % et une probabilité de diaphonie de 6,6 % à une tension excédentaire à la tension de claquage (V[indice inférieur E]) de 4 V.
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3

Pellion, Denis. "Modélisation, fabrication et évaluation des photodiodes à avalanche polarisées en mode Geiger pour la détection du photon unique dans les applications Astrophysiques." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00358847.

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Abstract:
La genèse des travaux présentés dans ce mémoire se situe dans le domaine de l'astrophysique des très hautes énergies. Il y a un siècle les scientifiques de la planète ont identifié un nouveau type de messagers venant de l'espace : les rayons cosmiques. Ce rayonnement est constitué de particules (photons et autres) de très haute énergie qui bombardent la terre en permanence. Le passage de rayonnements cosmiques dans l'atmosphère terrestre se traduit par la génération de brefs éclairs lumineux (5ns) d'une intensité très faible (1pW) : le flash Tcherenkov, devenant alors visible du sol.

Dans l'état de l'art le meilleur détecteur de lumière est aujourd'hui le Photomultiplicateur (PMT), grâce à ses caractéristiques de sensibilité et de vitesse. Mais il présente quelques inconvénients : faible efficacité quantique, coût, poids etc. Nous présentons dans cette thèse une nouvelle technologie alternative : les compteurs de photons sur semi-conducteur, constitués de photodiodes polarisées en mode Geiger.
Ce mode de fonctionnement permet d'obtenir un effet de multiplication au moins identique à celui des PMT. Un modèle physique et électrique a été développé pour reproduire le comportement de ce détecteur.
Nous présentons ensuite dans ce travail de thèse un procédé technologique original permettant la réalisation de ces dispositifs dans la centrale de technologie du LAAS-CNRS, avec la simulation de chaque opération du processus.
Nous avons mis au point une fiche pour la caractérisation électrique des dispositifs, du mode statique au mode dynamique, et vérifié la conformité aux simulations SILVACO, et au modèle initial. Les résultats obtenus sont déjà excellents, compte tenu qu'il s'agit d'une première étape de prototypage, et comparables avec les résultats publiés dans la littérature.
Ces composants sur silicium peuvent intervenir dans toutes les applications où il y a un photomultiplicateur, et le remplacer. Les applications sont donc très vastes et la croissance du marché très rapide. Nous présentons une première expérience d'astrophysique installée au Pic du Midi qui a détecté des flashs Tcherenkov de rayons cosmiques avec cette nouvelle technologie à semi-conducteur.
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4

Panglosse, Aymeric. "Modélisation pour la simulation et la prédiction des performances des photodiodes à avalanche en mode Geiger pour Lidars spatiaux." Thesis, Toulouse, ISAE, 2019. http://www.theses.fr/2019ESAE0046.

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Abstract:
Ce travail porte sur la modélisation pour la simulation et la prédiction desparamètres de performance des photodiodes à avalanche polarisée en mode Geiger en technologieCMOS, ou SPADs CMOS, pour Lidars spatiaux. Ce travail de thèse vise à développerune méthodologie basée sur : des modèles de la physique du semi-conducteur, des mesuresfournissant des informations sur le procédé technologique visé et des outils commerciaux desimulation. Ceci, dans le but de simuler les paramètres de performance des SPADs en serapprochant autant que possible de la réalité du procédé technologique afin d’améliorer lesprédictions. Des SPADs ont été conçues et caractérisées de manière à acquérir les paramètresde performances et les confronter aux résultats de simulation pour valider notre approche.De plus, la conception des SPADs s’est faite en regard des spécifications Lidar du CNESet d’Airbus Defence and Space en vue d’obtenir des structures permettant d’améliorer nosconnaissances en matière de : compréhension des mécanismes physiques, conception et méthodede caractérisation des SPADs CMOS. Ceci, dans l’intention d’étudier la possibilitéd’intégrer ces détecteurs dans leurs futurs systèmes Lidars spatiaux
This work focuses on modelling for simulation and prediction purposes ofCMOS SPADs performance parameters used in spaceborne Lidars. The innovative side ofthis work lies in a new methodology based on physical models for semiconductor devices,measurements performed on the targeted CMOS process and commercial simulation tools topredict CMOS SPADs performances. This method allows to get as close as possible to theprocess reality and to improve predictions. A set of SPAD has been designed and fabricated,and is used for measurements and model validation. SPAD design has been done with respectto CNES and Airbus Defence Space Lidar specification, in order to produce devices that willimprove our knowledge in terms of understanding of the involved physical mechanisms, SPADsdesign and test method, for a possible integration within their future spaceborne Lidars
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5

Parent, Samuel. "Conception, caractérisation et optimisation de SPAD en technologie Dalsa HV CMOS 0.8 μm pour intégration dans un 3D-SiPM." Mémoire, Université de Sherbrooke, 2016. http://hdl.handle.net/11143/8850.

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Abstract:
Résumé : Les photodiodes à avalanche monophotonique (SPAD) sont d'intérêts pour les applications requérant la détection de photons uniques avec une grande résolution temporelle, comme en physique des hautes énergies et en imagerie médicale. En fait, les matrices de SPAD, souvent appelés photomultiplicateurs sur silicium (SiPM), remplacent graduellement les tubes photomultiplicateurs (PMT) et les photodiodes à avalanche (APD). De plus, il y a une tendance à utiliser les matrices de SPAD en technologie CMOS afin d'obtenir des pixels intelligents optimisés pour la résolution temporelle. La fabrication de SPAD en technologie CMOS commerciale apporte plusieurs avantages par rapport aux procédés optoélectroniques comme le faible coût, la capacité de production, l'intégration d'électronique et la miniaturisation des systèmes. Cependant, le défaut principal du CMOS est le manque de flexibilité de conception au niveau de l'architecture du SPAD, causé par le caractère fixe et standardisé des étapes de fabrication en technologie CMOS. Un autre inconvénient des matrices de SPAD CMOS est la perte de surface photosensible amenée par la présence de circuits CMOS. Ce document présente la conception, la caractérisation et l'optimisation de SPAD fabriqués dans une technologie CMOS commerciale (Teledyne DALSA 0.8µm HV CMOS - TDSI CMOSP8G). Des modifications de procédé sur mesure ont été introduites en collaboration avec l'entreprise CMOS pour optimiser les SPAD tout en gardant la compatibilité CMOS. Les matrices de SPAD produites sont dédiées à être intégrées en 3D avec de l'électronique CMOS économique (TDSI) ou avec de l'électronique CMOS submicronique avancée, produisant ainsi un SiPM 3D numérique. Ce SiPM 3D innovateur vise à remplacer les PMT, les APD et les SiPM commerciaux dans les applications à haute résolution temporelle. L'objectif principal du groupe de recherche est de développer un SiPM 3D avec une résolution temporelle de 10 ps pour usage en physique des hautes énergies et en imagerie médicale. Ces applications demandent des procédés fiables avec une capacité de production certifiée, ce qui justifie la volonté de produire le SiPM 3D avec des technologies CMOS commerciales. Ce mémoire étudie la conception, la caractérisation et l'optimisation de SPAD fabriqués en technologie TDSI-CMOSP8G.
Abstract : Single Photon Avalanche Diodes (SPAD) generate much interest in applications which require single photon detection and excellent timing resolution, such as high energy physics and medical imaging. In fact, SPAD arrays such as Silicon PhotoMultipliers (SiPM) are gradually replacing PhotoMultiplier Tubes (PMT) and Avalanche PhotoDiodes (APD). There is now a trend moving towards SPAD arrays in CMOS technologies with smart pixels control for high timing demanding applications. Making SPAD in commercial CMOS technologies provides several advantages over optoelectronic processes such as lower costs, higher production capabilities, easier electronics integration and system miniaturization. However, the major drawback is the lack of flexibility when designing the SPAD architecture because all fabrication steps are fixed by the CMOS technology used. Another drawback of CMOS SPAD arrays is the loss of photosensitive areas caused by the CMOS circuits integration. This document presents SPAD design, characterization and optimization made in a commercial CMOS technology (Teledyne DALSA 0.8 µm HV CMOS - TDSI CMOSP8G). Custom process variations have been performed in partnership with the CMOS foundry to optimize the SPAD while keeping the CMOS line compatibility. The realized SPAD and SPAD arrays are dedicated to 3D integration with either low-cost TDSI CMOS electronics or advanced deep sub-micron CMOS electronics to perform a 3D digital SiPM (3D-SiPM). The novel 3D-SiPM is intended to replace PMT, APD and commercially available SiPM in timing demanding applications. The group main objective is to develop a 10 ps timing resolution 3D-SiPM for use in high energy physics and medical imaging applications. Those applications require reliable technologies with a certified production capability, which justifies the actual effort to use commercial CMOS line to develop our 3D-SiPM. This dissertation focuses on SPAD design, characterization and optimization made in the TDSI-CMOSP8G technology.
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6

Tapan, Ilhan. "Avalanche photodiodes as proportional photon detectors." Thesis, University of Bristol, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.389143.

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7

Vestby, Aksel Jan Verne. "Calculation of Terminal Currents in Single Photon Excited Avalanche Photodiodes." Thesis, Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Institutt for fysikk, 2012. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:no:ntnu:diva-19691.

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Abstract:
We use the Shockley-Ramo (SR) theorem to calculate terminal currents in single photon excited APDs. A unified notation for the SR theorem is introduced, and we derive the theorem in those particular ways found useful for displaying its limits of applicability. Furthermore some analytically solvable examples that clarify the implications of the theorem have been studied. Finally, some tests with this method on an APD have been carried out, using an existing Monte Carlo code, and the results are discussed.
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8

Strasburg, Jana Dee. "Characterization of avalanche photodiode arrays for temporally resolved photon counting /." Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 2004. http://hdl.handle.net/1773/9710.

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9

Zhang, Yun. "Fabrication and characterization of GaN visible-blind ultraviolet avalanche photodiodes." Thesis, Atlanta, Ga. : Georgia Institute of Technology, 2009. http://hdl.handle.net/1853/29604.

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Abstract:
Thesis (M. S.)--Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 2009.
Committee Chair: Shen, Shyh-Chiang; Committee Member: Doolittle, William A.; Committee Member: Dupuis, Russell Dean. Part of the SMARTech Electronic Thesis and Dissertation Collection.
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10

Devita, Marie. "Mesure et dangerosité des métaux nobles pour les photodétecteurs à avalanche à photon unique." Thesis, Strasbourg, 2016. http://www.theses.fr/2016STRAD029/document.

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Abstract:
Les métaux nobles (Au, Ag, Pt, Ir, Pd et Ru) sont utilisés en salle blanche pour la réalisation de dispositifs électroniques ou peuvent être apportés par les équipements de fabrication (composants d’alliage par exemple). Il a été montré qu’ils pouvaient impacter fortement les dispositifs. Il est alors nécessaire de procéder au contrôle des équipements pour diagnostiquer au plus tôt une contamination. Or, il n’existe pas de technique industrielle pour leur suivi et ce à des niveaux d’au moins 5.109 at.cm-2 - recommandation ITRS. Il se pose la question de la pertinence de ces recommandations en fonction des types de dispositifs (SPAD notamment). Dans un premier temps, les travaux ont consisté à développer une technique physico-chimique pour l’analyse des métaux nobles sur silicium par VPD-DC-ICPMS. Enfin, leur dangerosité vis-à-vis des équipements et des dispositifs a été évaluée d’après leur comportement en température et le DCR généré sur SPAD
Noble metals (Au, Ag, Pt, Ir, Pd and Ru) are used for the fabrication of microelectronics devices or can be brought by manufacturing tools (alloy components for example). It is well known that these impurities are detrimental to the efficiency of the devices. This implies a real and present need for control of their introduction in clean rooms to diagnose as soon as possible a contamination. Yet, there are no industrial technique for their follow-up at levels about 5.109 at.cm-2 - ITRS recommendations. The relevance of these recommendations according to the electronic device (SPAD in particular) could be questioned. At first, this study consisted in developing a physicochemical technique for the analysis of noble metals on Si wafers by VPD-DC-ICPMS. Then, their dangerousness towards tools and devices was established according to their behavior in temperature and the DCR generated on SPAD devices
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Books on the topic "Photodiodes avalanche ?? photon unique"

1

Dolgos, Denis. Full-band Monte Carlo simulation of single photon avalanche diodes. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 2012.

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Wright, A. G. Why photomultipliers? Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199565092.003.0001.

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Abstract:
Photon detectors transform information, carried by light, to an electrical analogue. Signals contain information on the time of occurrence and the intensity in terms of the number of photons involved. Photon rates may be constant with time, slowly varying, or transient in the form of pulses. The time response is specified in terms of some property of the pulse shape, such as its rise time, or it may be expressed in terms of bandwidth. Light detector applications fall into two categories: imaging and non-imaging; however, only the latter are considered. Detectors can be further divided into vacuum and solid state devices. Vacuum devices include photomultipliers (PMTs), microchannel plate PMTs (MCPPMTs), and hybrid devices in which a silicon device replaces the discrete dynode multiplier. PIN diodes, avalanche photodiodes (APDs), pixelated silicon PMTs (SiPMs), and charge-coupled devices (CCDs) are examples of solid state light detectors.
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Book chapters on the topic "Photodiodes avalanche ?? photon unique"

1

Razeghi, Manijeh. "Single-Photon Avalanche Photodiodes." In Technology of Quantum Devices, 425–55. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-1056-1_12.

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VERT, ALEXEY, STANSILAV SOLOVIEV, JODY FRONHEISER, and PETER SANDVIK. "SOLAR-BLIND SINGLE-PHOTON 4H-SiC AVALANCHE PHOTODIODES." In Selected Topics in Electronics and Systems, 85–92. WORLD SCIENTIFIC, 2009. http://dx.doi.org/10.1142/9789814287876_0009.

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3

Fisher, Edward M. D. "Principles and Early Historical Development of Silicon Avalanche and Geiger-Mode Photodiodes." In Photon Counting - Fundamentals and Applications. InTech, 2018. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.72148.

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Melnychuk, Dmytro, and Boguslaw Zwieglinski. "Low-Energy Photon Detection with PWO-II Scintillators and Avalanche Photodiodes in Application to High-Energy Gamma-Ray Calorimetry." In Advances in Photodiodes. InTech, 2011. http://dx.doi.org/10.5772/14191.

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Liang, Yan, and Heping Zeng. "High-Speed Single-Photon Detection with Avalanche Photodiodes in the Near Infrared." In Optoelectronics - Materials and Devices. InTech, 2015. http://dx.doi.org/10.5772/60481.

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Conference papers on the topic "Photodiodes avalanche ?? photon unique"

1

Campbell, Joe C. "Single Photon Avalanche Photodiodes." In Optical Fiber Communication Conference. Washington, D.C.: OSA, 2009. http://dx.doi.org/10.1364/ofc.2009.owx1.

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2

McClintock, Ryan, Jose L. Pau, Kathryn Minder, Can Bayram, and Manijeh Razeghi. "III-nitride photon counting avalanche photodiodes." In Integrated Optoelectronic Devices 2008, edited by Rengarajan Sudharsanan and Christopher Jelen. SPIE, 2008. http://dx.doi.org/10.1117/12.776265.

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3

Itzler, Mark A., Xudong Jiang, Rafael Ben-Michael, Bruce Nyman, and Krystyna Slomkowski. "Single photon avalanche photodiodes for near-infrared photon counting." In Integrated Optoelectronic Devices 2008, edited by Rengarajan Sudharsanan and Christopher Jelen. SPIE, 2008. http://dx.doi.org/10.1117/12.768564.

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4

Taylor, D. M., J. G. Rarity, C. Jackson, and A. Mathewson. "Novel geometry photon counting silicon avalanche photodiodes." In 2003 European Quantum Electronics Conference. EQEC 2003 (IEEE Cat No.03TH8665). IEEE, 2003. http://dx.doi.org/10.1109/eqec.2003.1314200.

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Blazej, Josef. "New Materials for Photon Counting Avalanche Photodiodes." In 4th International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology. SCITEPRESS - Science and and Technology Publications, 2016. http://dx.doi.org/10.5220/0005656802360240.

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6

Robinson, Deborah L., and Brian D. Metscher. "Cooled Avalanche Photodiodes Used For Photon Detection." In OE LASE'87 and EO Imaging Symp (January 1987, Los Angeles), edited by Robert L. Caswell. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.939855.

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7

Cova, Sergio D., Andrea L. Lacaita, Franco Zappa, and Piergiorgio G. Lovati. "Avalanche photodiodes for near-infrared photon counting." In Photonics West '95, edited by Joseph R. Lakowicz. SPIE, 1995. http://dx.doi.org/10.1117/12.208529.

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8

Dautet, Henri, P. Deschamps, Bruno Dion, Andrew D. MacGregor, D. MacSween, Robert J. McIntyre, C. Trottier, and Paul P. Webb. "Photon-counting techniques with silicon avalanche photodiodes." In OE/LASE'93: Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, edited by Joseph R. Lakowicz and Richard B. Thompson. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.144738.

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9

Thomas, O., Z. L. Yuan, J. F. Dynes, A. W. Sharpe, and A. J. Shields. "Efficient photon number detection with silicon avalanche photodiodes." In 12th European Quantum Electronics Conference CLEO EUROPE/EQEC. IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/cleoe.2011.5943467.

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Thomas, Oliver, Zhiliang L. Yuan, James F. Dynes, Andrew W. Sharpe, and Andrew J. Shields. "Efficient photon number detection with silicon avalanche photodiodes." In SPIE OPTO, edited by Zameer U. Hasan, Philip R. Hemmer, Hwang Lee, and Charles M. Santori. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.875116.

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