Academic literature on the topic 'Plasma ultra-froids'

Nous avons observe l'evolution spontanee d'un gaz de rydberg gele vers un plasma ultra-froid neutre. Les atomes de rydberg sont excites dans un piege magneto-optique. Certains d'entre eux sont ionises du fait de collisions ou de l'absorption du rayonnement du corps noir. Il se cree une charge d'espace. Lorsque celle-ci est suffisament profonde, des electrons sont pieges. Il se produit un phenomene d'ionisation en avalanche de tous les atomes de rydberg restant. Dans la reaction de photoassociation, deux atomes en collision absorbent un photon et forment une molecule electroniquement excitee. Le taux de photoassociation mesure dans nos conditions experimentales est de 0,1 a 5 s - 1 par atome. La spectroscopie de photoassociation est un outil puissant pour la determination des parametres collisionnels. Ainsi, les modulations d'intensite de spectres de photoassociation nous ont permis de determiner la longueur de diffusion triplet du cesium, et d'observer la modification de la longueur de diffusion des atomes de cesium polarises dans l'etat f = 3 m f = 3 au voisinage d'une resonance de feshbach. La reaction de photoassociation conduit a la possibilite de former des molecules froides par desexcitation radiative des molecules excitees. Les mecanismes favorables a la formation de molecules froides reposent sur l'existence de niveaux moleculaires excites pour lesquels la probabilite de presence a courte distance interatomique est importante. De maniere a produire des molecules froides toutes dans le meme niveau ro-vibrationnel, nous avons realise une experience de photoassociation raman stimulee, qui consiste a stimuler la desexcitation radiative des molecules excitees vers un niveau unique du fondamental. Un taux de formation de molecules froides de 10 5 s - 1 a ete mesure. Enfin, nous avons realise un piege magnetique pour les molecules froides dans l'etat triplet de plus basse energie. Le temps de vie du piege a molecules est de l'ordre d'une seconde.

Depuis le début de la microélectronique, l’industrie a développé sans arrêt des nouvelles technologies de gravure plasma pour diminuer la taille des dispositifs tout en réduisant le cout de fabrication et en augmentent les performances des circuits intégrés. Aujourd’hui, les transistors tel que le FDSOI 22nm ou FinFET 10 nm doivent être gravé avec une précision sub-nanométrique et sans endommager la sous-couche sur plus d’une couche atomique. Pour arriver à faire cela, de nouvelles technologie se développent, dont le Smart Etch. Cette technologie en deux étapes consiste à modifier la surface du matériau sous l’action d’un plasma, puis à retirer ce matériau modifié sélectivement par rapport au matériau non modifié. Le but de cette thèse est d’étudier la faisabilité de remplacer les plasmas de He et H2 utilisé dans le Smart Etch par des plasmas d’O2. L’intérêt est l’oxydation du matériau est une réelle modification chimique, permettant l’élimination sélective de ce dernier en RPS. Par ailleurs, contrairement aux plasma de He/H2, le plasma de O2 ne grave pas les parois du réacteur et rejette beaucoup moins d’impuretés dans le plasma. Dans un premier temps, nous avons étudié les mélanges gazeux NF3/H2 et NF3/NH3 utilisés dans l’étape de retrait RPS. Ces études ont été fait grâce à la spectroscopie d’absorption VUV et d’émission UV. Nous avons mis en évidence la création de HF dans les deux mélanges et nous avons mis en avant de manière indirecte la création de NH4F (cette espèce jouant un rôle clé dans la formation des sels) à partir de NH3 et HF. De plus nous avons observé la présence de F et H qui sont responsable de la gravure de SiO2 et SiN lorsque H2<br>Since the beginning of microelectronics, the industry has continuously developed new plasma etching technologies to reduce the size of devices while reducing the cost of manufacturing and increase the performance of integrated circuits. Today, transistors such as 22nm FDSOI or 10nm FinFET must be engraved with sub-nanometric precision and without damaging the underlayment on more than one atomic layer. To achieve this, new technologies are developing, including the Smart Etch. This two-step technology involves modifying the surface of the material under the action of a plasma and then removing selectively the modified material from the unmodified material. The aim of this thesis is to study the feasibility of replacing the He and H2 plasmas used in the Smart Etch by O2 plasmas. The interest is the oxidation of the material, that it is a real chemical modification, allowing latter the selective elimination by RPS. Moreover, unlike He / H2 plasma, the O2 plasma does not damage the reactor walls and releases much less impurities into the plasma. Firstly, we studied the gaseous mixtures NF3 / H2 and NF3 / NH3 used in the step of RPS remove. Thouse studies were done through VUV absorption spectroscopy and UV emission. We have demonstrated the creation of HF in both mixtures and we have indirectly highlighted the creation of NH4F (this species plays a key role in the formation of salts) from NH3 and HF. In addition we observed the presence of F and H which are responsible for the etching of SiO2 and SiN when H2