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Dissertations / Theses on the topic 'Propriétés optiques de semiconducteurs'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024
Last updated: 31 July 2025

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Lamouche, Guy. "Propriétés optiques des semiconducteurs, impuretés et points quantiques." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1996. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp04/nq21480.pdf.

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Zhao, Shen. "Propriétés optiques de nanorubans et boites quantiques de graphène." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLN032/document.

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Abstract:
Ce manuscrit présente une étude expérimentale sur les propriétés optiques des nanorubans de graphène (acronyme anglais : GNRs) et des boites quantiques de graphène (acronyme anglais : GQDs) synthétisés par la chimie ascendante.Pour la partie sur les GNRs, les spectres d'absorption et de photoluminescence ainsi que les mesures de la durée de vie sur la dispersion impliquent la formation d'états excimères résultant de l'agrégation des GNRs. Au moyen de la microscopie confocale et de la microscopie à force atomique, nous observons l'émission de petits agrégats de GNRs confirmant leur capacité à é
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Wen, Shi-Jie. "Étude des propriétés électroniques de semiconducteurs à base de In₂O₃." Bordeaux 1, 1992. http://www.theses.fr/1992BOR10594.

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Abstract:
Dans le but d'améliorer les performances d'électrodes à base d'IO ou d'ITO, une étude comparative des propriétés électroniques de monocristaux, de céramiques et de couches minces a été réalisée. Nous avons pu ainsi proposer de nouveaux éléments dopants et, corrélativement, de nouvelles électrodes transparentes et conductrices (IO:Ge, ITO:Ge,. . . ).
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4

Zaoui, Ali. "Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des semi-conducteurs de type AN B8-N et de leurs alliages." Metz, 1999. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1999/Zaoui.Ali.SMZ9943.pdf.

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Abstract:
Cette thèse a été conçue dans le but de déterminer les propriétés structurales, électroniques et optiques d'une grande variété de semi-conducteurs à liaisons tétraédriques, allant des plus covalents aux plus ioniques, des semi-conducteurs de type IV-IV aux semi-conducteurs de type I-VII. Pour cela nous avons utilisé un large éventail de méthodes de calcul, allant de l'empirique au premier principe en passant par le semi-empirique. Cette diversité de méthode nous a permis d'optimiser des résultats relatifs à chaque propriété étudiée. La notion d'ionicité a été définit et utilisée pour prédire l
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Ingert, Dorothée. "Synthèse et propriétés optiques de semiconducteurs II-VI à l'échelle nanométrique." Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066250.

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6

Hizem, Neila. "Etude des propriétés électro-optiques des impuretés vanadium et nickel dans GaAs." Lyon, INSA, 1989. http://www.theses.fr/1989ISAL0028.

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Abstract:
Au cours de ce travail nous avons étudié l'effet de l'introduction du Vanadium et du Nickel sur les propriétés électriques et optiques de matériaux GaAs. Un ensemble de caractérisations électro-optiques basé essentiellement sur les techniques capacitives (DLTS,DLOS), et optiques (AO, PL), a été utilisé pour réaliser cette étude. Les principaux résultats se résument comme suit (1) Nous avons tenté de réaliser des dispositifs électroluminescents à base de GaAs : V élaboré par épitaxie en phase liquide(LPE). Nous avons mis en évidence des problèmes métallurgiques liés à la réactivité du V avec le
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Capet, Frédéric. "Évolution sous pression hydrostatique des propriétés structurales, optiques et électroniques du semi-conducteur ternaire : cugas2." Lille 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LIL10148.

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Abstract:
Le travail présente consiste en l'étude d'un semi-conducteur ternaire: CuGaS2. La famille de la chalcopyrite dont fait partie ce compose suscite, à l'heure actuelle, un intérêt grandissant compte tenu des applications possibles dans le domaine de l'optique non linéaire, des détecteurs photovoltaïques et des cellules solaires. En dépit d'une grande similitude structurale entre CuGaS2 et son analogue binaire (ZnS), la largeur de la bande interdite du compose ternaire est notablement plus faible. A partir de mesures de l'absorption optique, nous montrons l'évolution, sous pression hydrostatique,
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Malonga, Frédéric. "Propriétés électroniques et optiques des superréseaux semiconducteurs contraints suivant [001] et [111]." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20267.

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Abstract:
Ce memoire decrit les proprietes electroniques et optiques des superreseaux epitaxies dans les directions cristallographiques (001) et (111). On etudie l'eclatement des bandes d'energie des semiconducteurs massifs sous l'effet d'une contrainte de symetrie (001) ou (111). Les resultats obtenus ont ete utilises pour decrire l'effet piezoelectrique caracteristique des superreseaux (111) contraints znse/znte et (ga,in)as/gaas. Afin de montrer la difference fondamentale entre les superreseaux (001) et (111), une etude comparative de leurs proprietes electroniques et optiques a ete faite. Ce travail
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Ferraro, Mario. "Ingénierie des propriétés optiques des métamatériaux semiconducteurs à base d’oxyde de zinc." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019AZUR4092.

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Abstract:
Dans le cadre de l'ingénierie des propriétés optiques des matériaux, ce travail de thèse a proposé deux nanostructures semi-conductrices innovantes à base de ZnO. La première consistait en un empilement suspendu de puits quantiques de ZnO-ZnMgO dont la distribution des modes guidés est modifiée par un réseau sous-longueur d'onde de SiO2. En particulier, une dispersion présentant deux minima a été réalisée. Une telle dispersion particulière permet, en principe, la formation simultanée de deux condensats de polaritons dégénérés, distingués uniquement par leurs valeurs du vecteur k. Une structure
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Kany, François. "Étude des propriétés magnéto-optiques d'hétérostructures quantiques à base de semiconducteurs semimagnétiques." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10251.

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Abstract:
Le tellurure de cadmium et de manganese est l'un des semiconducteurs semimagnetiques les plus connus. On l'obtient, a partir d'un cristal ii-vi de cdte, en substituant des atomes de cadmium par des atomes de manganese (qui ont un spin 5/2). Deux phenomenes se combinent alors. D'une part, les atomes de manganese forment un systeme de spins localises qui est paramagnetique et, lorsque ceux-ci sont en concentration importante, ces spins se couplent entre-eux de facon antiferromagnetique. D'autre part, les porteurs que l'on peut photo-creer ont un spin (delocalise) qui interagit egalement avec cel
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Petit, Jacques. "Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs." Lille 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LIL10084.

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Abstract:
Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium.
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Albe, Virginie. "Nanocristaux semiconducteurs : effets de confinement, de forme et de dopage." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20064.

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Abstract:
Les nanocristaux ou cristallites sont des structures zero-dimensionnelles contenant quelques dizaines a plusieurs milliers d'atomes dont les tailles sont a l'echelle nanoscopique. La reduction de dimensionalite dans ces materiaux produit un confinement quantique tridimensionnel. Ce memoire presente l'etude des effets du confinement sur les proprietes electroniques et optiques des cristallites. La dependance des energies de l'etat fondamental et des spectres optiques en fonction de la taille, la forme, la structure de la surface et la dispersion de taille des nanocristaux est examinee. Une etud
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Garcia, Perez Miguel Angel. "Etude des propriétés optiques des microstructures InGaAs/InAlAs épitaxiées sur InP." Lyon, INSA, 1995. http://www.theses.fr/1995ISAL0086.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude des propriétés optiques des couches minces de InGaAs/InAlAs épitaxiées sur InP. Il comporte trois volets principaux : - La première partie de ce travail concerne l'étude des interfaces de type II dans le système InAIAs/lnP. Nos échantillons ont été élaborés par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM). Nous avons analysé la luminescence associée aux interfaces directe (InAlAs sur lnP) et inverse (InP sur InAIAs ), et nous avons pu montrer que ces interfaces n'étaient pas équivalentes. Dans la deuxième partie, nous présentons l'effet des interruptions
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Renard, Julien. "Propriétés optiques de boites quantiques et nanofils à base de GaN." Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10145.

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Abstract:
Nous avons étudié par diverses techniques de photoluminescence les propriétés optiques d'hétérostructures à base de composés III-N de structure wurtzite. Des expériences de photoluminescence résolues en polarisation nous ont permis de mettre en évidence l'influence des contraintes et du confinement sur la structure de bande d'une hétérostructure. L'étude de boites quantiques unique GaN/AIN a pu être réalisée sur un système original: une boite quantique comme tranche d'un nanofil. Ce nouveau système nous a ainsi permis d'identifier les émissions de l'ex ci ton et du biexciton. Nous avons égalem
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Jean, Bruno. "Propriétés électriques, optiques et électro-optiques du semiconducteur CdIn2 Te4." Bordeaux 1, 1994. http://www.theses.fr/1994BOR10553.

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Abstract:
Cette these est consacree aux proprietes electriques, optiques et electro-optiques du semiconducteur ternaire cdin#2te#4. La premiere partie de la these est consacree a l'etude des proprietes optiques et de transport par absorption optique, photoluminescence, photoconductivite et effet hall. La compensation du materiau, due a des defauts antisites dans le sous reseau cationique, a ete mise en evidence par effet hall. Un niveau accepteur situe a environ 40 mev de la bande de valence a ete observe en photoconductivite. D'autre part, l'asymetrie des mesures de conductivite par la methode de van d
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Royo, Francine. "Propriétés structurales et optiques des superréseaux InGaAs/InGaAs : mise en évidence d'une modulation tout optique." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20181.

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Abstract:
Les superreseaux mixtes type i/type ii ingaas/ingaas constituent une classe particuliere de nano-structures tres etudiees pour leurs applications potentielles en optoelectronique, dans la gamme des 1. 55 m. L'alignement indirect de la bande de valence de trous legers et sa grande sensibilite a toute perturbation exterieure permettra en particulier la conception de modulateurs electro-optiques bases sur l'effet wannier-stark. L'essentiel de ce travail porte sur la possibilite de realiser une modulation tout optique des heterostructures in#0#. #4#7ga#0#. #5#3as/in#1#-#xga#xas epitaxiees par epvo
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Monéger, Stéphane. "Spectroscopies optiques d'excitation de microstructures III-V contraintes." Lyon, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAL0089.

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Abstract:
Les systèmes In(Ga)As/InAlAs sur InP et InGaAs/(Al)GaAs sur GaAs ont été étudiés par sectroscopie optiques d'excitation. Les thecniques mises en œuvre sont l'excitation de la photoluminescence (EPL), la photoconductivité (PC) et la spectroscopie de modulation: photoréflectivité (PR), phototransmitivité (PT) et électroréflectivité (ER). Nous avons mis au pqint un programme d'ajustement théorique des spectres de photoréflectivité, permettant d'en extraire toutes les informations avec précision. Ces outils sont complémentaires les uns des autres et ont permis d'accéder aux propriétés optiques de
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Buldawoo, Naveena. "Module d'émission-réception pour communications optiques à base d'amplificateur optique à semi-conducteur." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20139.

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Abstract:
Ce memoire est consacre a l'etude des amplificateurs optiques a semi-conducteur (aosc) en vue de leur utilisation comme modulateur et detecteur dans le reseau fibre jusqu'a l'abonne. La premiere partie de ce travail est consacree a la mise en place d'un modele physique de l'aosc. Ce modele a permis de prevoir les principales caracteristiques de l'aosc. La deuxieme partie traite de l'etude theorique et experimentale de l'aosc en modulation directe dans une liaison de 18 km de fibre optique. Une etude de bruit est effectuee afin comparer les differentes contributions des elements de cette liaiso
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Girault, Gwenaëlle. "Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits." Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1E003.

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Abstract:
Ces travaux de thèse sont consacrés à l'étude de portes optiques pour la conversion de longueur d'onde et la régénération optique du signal à très hauts débits. Le principe et la problématique de caractérisation de telles fonctions sont tout d'abord présentés puis un état de l'art des techniques est dressé. L'amplificateur optique à semi-conducteurs (SOA) ayant constitué le coeur des dispositifs étudiés, quelques principes théoriques et les techniques pour le caractériser sont exposés. Un régénérateur 3R basé sur l'association de deux convertisseurs en longueur d'onde, un miroir à boucle optiq
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Moreau, Gautier. "Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm." Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur la caractérisation et la compréhension des propriétés optiques d'un milieu semi-conducteurs à boîtes quantiques InAs/InP(311)B obtenues par épitaxie. Cette étude est menée dans le cadre de la réalisation de lasers à modulation directe et d'amplificateurs optiques multi-canaux sans diaphonie. Après un rappel du contexte des réseaux de télécommunications optiques, nous rappelons les principes physiques du fonctionnement d'un ensemble de boîtes quantiques ainsi que les spécificités de ce milieu par rapport aux composants à base de matériaux massifs de puits quantique
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Raoux, Sébastien. "Propriétés optiques de l'erbium au sein de films minces de fluorures épitaxiés sur semiconducteurs." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10617.

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Abstract:
Ce travail de recherche examine une voie originale pour realiser des emetteurs de lumiere dans des milieux isolants en utilisant des techniques propres a la microelectronique. Il s'agit d'elaborer puis de caracteriser des films minces de fluorures epitaxies sur du silicium ou du phosphure d'indium et d'en etudier les proprietes de luminescence lorsque ces couches sont dopees par l'ion de terre rare erbium, dont l'emission a 1530 nm presente un interet pour les liaisons des telecommunications optiques. Les resultats experimentaux traitent des caracterisations physico-chimiques des films minces
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Karraï, Khaled. "Etude de propriétés magnéto-optiques des hétérostructures de semiconducteurs III-V par spectroscopie submillimétrique." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10127.

Full text
Abstract:
Interpretation des resultats experimentaux par un modele de transmission optique en presence de champ magnetique externe, developpe dans le formalisme de la fonction reponse; mise en evidence de l'absence d'interaction electron-phonon to etrange et d'une interpretation satisfaisante sans recours a l'interaction electron-phonon lo, indiquant l'importance de l'effet ecran dans la theorie de l'effet polaron resonnant. Etude de l'interaction spin-orbite induite par le champ electrique existant a l'interface; calcul des regles de selection des transitions entre niveaux de landau dans les differente
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Jensen, Pablo. "Métastabilité thermique dans le silicium amorphe hydrogéné intrinsèque." Lyon 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LYO10042.

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Abstract:
Ce travail aborde l'etude des phenomenes metastables d'origine thermique dans le silicium amorphe hydrogene (a-si:h) intrinseque. Nous demontrons qu'il existe a chaque temperature un etat d'equilibre. Cet equilibre n'est cependant pas atteint immediatement: la relaxation suit une exponentielle etiree: exp((t/)#) ou 0,50,8 et 1/ est thermiquement active avec une energie de 1,5 ev et un prefacteur de 10#1#4s##1. Nous montrons comment cet equilibre affecte la conductivite (mesuree en regime continu ou alternatif, en geometrie coplanaire ou sandwich) ainsi que la photoconductivite et l'absorption
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Koperski, Maciej. "Propriétés optiques des couches minces de dichalcogénures de métaux de transition." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY019/document.

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Abstract:
L’étude intitulée « optical properties of thin layers of transition metal dichalcogenides » vise les phénomènes physiques émergeant à la limite de la bidimensionnalité, lorsque l’épaisseur du composé ciblé est à l’échelle atomique. Les effets de la dimensionnalité réduite sur les propriétés physiques furent initialement explorés dans le graphène. Les études concernant ce composé se concentrent surtout sur ses propriétés de transport puisque le graphène lui-même n’a pas bande interdite. Les sc-TMD, en plus de présenter une structure atomique et électronique similaire au graphène (vallée aux poi
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Fang, Ming. "Physique de dépôt par plasma et propriétés optiques du silicium amorphe et microcristallin." Palaiseau, Ecole polytechnique, 1992. http://www.theses.fr/1992EPXX0006.

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Abstract:
Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés optiques et la physique de dépôt par plasma du silicium amorphe (a-si:h) et microcristallin (c-si) a l'utilisation des techniques optiques in situ et spectroscopiques (de proche infrarouge a ultraviolet). Nous avons développé la loi de dispersion diélectrique en tenant compte de la structure des bandes au lieu du modèle a deux niveaux (seul oscillateur) utilise habituellement. Nous avons montré qu'il n'y a pas de dépendance avec l'épaisseur de structure de bande de couche très mince du a-si:h (si l'épaisseur d>500a). L'étude en temps réel de l
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Sanchez, François. "Étude des propriétés non linéaires des cristaux liquides et des semiconducteurs dans l'infrarouge à 10,6 microns." Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112310.

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Abstract:
Cette thèse a pour objet l'étude des propriétés des cristaux liquides et des semiconducteurs dans l'infrarouge (a = 10. 6 microns). Dans une première partie, nous présentons le mélange à un cristal liquide nématique. La nonlinéarité, d'origine thermique est d’autant plus grande que l'on est près de la température de transition nématique isotrope. De grandes variations d'indice ont été ainsi observées en continu et à faible densité de puissance incidente. Le transfert d'énergie d'une onde pompe (intense) vers une onde signal a été mise en évidence. Afin d'expliquer le phénomène d’amplification,
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Cassette, Elsa. "Nanocristaux de semiconducteurs II-VI et I-III-VI : contrôle des propriétés optiques de structures cœur/coque." Paris 6, 2012. http://www.theses.fr/2012PA066366.

Full text
Abstract:
Dans cette thèse, nous nous intéressons aux propriétés de fluorescence de nanocristaux colloïdaux de semi-conducteurs composés d’un cœur entouré d’une coque. Ces hétéro-structures possèdent des propriétés optiques qui dépendent de leur taille, de leur forme et de leur composition. Il est donc essentiel de pouvoir les synthétiser en contrôlant précisément ces paramètres. Dans ce manuscrit nous présentons la synthèse et les caractérisations structurales et optiques de nanocristaux de semi-conducteurs II-VI et I-III-VI. Tout d’abord, nous montrons qu’il est possible de faire croître une coque pla
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Saublet, Jérôme. "Optique non-linéaire et propriétés dynamiques des composants IB/ISB sur InP, Application aux télécommunications optiques." Thesis, Rennes, INSA, 2017. http://www.theses.fr/2017ISAR0017/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse porte sur l'étude des propriétés dynamiques et non linéaires des dans les semi-conducteurs Ill-V et leur utilisation pour le traitement optique dans les réseaux de télécommunication haut débit. Elle est décomposée en deux axes majeurs. Le premier est lié à l'utilisation couplée des transitions inter-bandes (18) et inter-sousbandes (188). Les différences entre ces deux types de transitions, en termes de dynamique et de sensibilité à la polarisation, font des composants 18/188 de bons candidats pour la réalisation de fonctions de traitement avancées. Dans cette optique nous avons réa
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Duboz, Jean-Yves. "Propriétés électroniques et optiques des hétérostructures métal/semiconducteur." Grenoble 1, 1990. http://www.theses.fr/1990GRE10027.

Full text
Abstract:
Des films de siliciure d'excellente qualite morphologique et electrique peuvent etre obtenus par la methode de codepot, ce qui autorise la reprise de croissance de silicium. Les premiers resultats sur des multicouches metal/semiconducteur semblent montrer l'existence d'une photoemission d'electrons par-dessus la barriere et de trous par-dessous la barriere ultramince de silicium. L'optimisation des epaisseurs de chaque couche metallique s'appuie sur la connaissance de deux longueurs caracteristiques: la longueur d'absorption optique et le libre parcours moyen balistique. La premiere a ete dete
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Almuneau, Guilhem. "Etude et réalisation de lasers à cavité verticale à 1,55 mum sur GaSb." Montpellier 2, 1998. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006831.

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Abstract:
La geometrie innovante du laser a cavite verticale presente un attrait considerable pour quelques applications specifiques telles que les interconnexions optiques massivement paralleles ou l'ordinateur optique qui necessitent des reseaux uni- ou bi-dimensionnels de lasers a faible courant de seuil. Dans le dessein de realiser un laser a cavite verticale monolithique emettant aux longueurs d'onde d'interet pour les telecommunications optiques (1,31,55 m), le systeme semiconducteur algaassb permet d'atteindre de tres haut pouvoirs reflecteurs pour les miroirs de bragg, qui constituent les elemen
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Gaufrès, Etienne. "Photonique des nanotubes de carbone sur silicium." Paris 11, 2010. http://www.theses.fr/2010PA112215.

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Abstract:
Depuis leur découverte, les nanotubes de carbone ont suscité un grand intérêt pour leurs propriétés électroniques et optiques. Dans ce contexte, l'objectif de la thèse a été d'étudier les propriétés optiques des nanotubes de carbone semiconducteurs pour la réalisation de composants photoniques aux longueurs d'onde des télécommunications. La première partie de la thèse a concerné l'évolution des propriétés optiques des s-SWNTs en fonction de l'environnement des nanotubes : Pour cela une méthode d'extraction des s-SWNTs a été développée en collaboration avec l'AIST Tsukuba au Japon. L'influence
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Boemare, Claude. "Etude des propriétés optiques d'hétérostructures basées sur les semiconducteurs ZnSe, ZnSSe, ZnMgSSe élaborés par MOVPE." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20222.

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Abstract:
Nous presentons une analyse detaillee des proprietes optiques d'heterostructures realisee en epitaxie par depot d'organometallique. Les architectures de ces heterostructures realisees a base de materiaux semi-conducteurs a grands gap vont de la simple hetero-epitaxie aux super reseaux en passant par les puits quantiques. Le controle de l'homogeneite des depots est mis en evidence a travers une approche originale utilisant la physique des excitations elementaires: nous mettons en evidence apres une modelisation semiclassique de la reflectance au voisinage des resonances excitoniques, la quantif
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Butté, Raphaël. "Étude des propriétés structurales, optoélectroniques et de la métastabilité d'un nouveau matériau : le silicium polymorphe hydrogéné." Lyon 1, 2000. http://www.theses.fr/2000LYO10138.

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Abstract:
Ce travail consistait à caractériser un nouveau matériau appelé silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H) aux excellentes propriétés optoélectroniques et de transport comparé au silicium amorphe hydrogéné conventionnel (a-Si:H). Ce matériau est obtenu par PECVD à partir d'un mélange silane/hydrogène dans un régime proche de la formation des poudres. Nous avons comparé les propriétés de ce matériau à celles de films de a-Si:H standard optimisés. Ainsi, la photoconductivité normalisée du pm-Si:H est plus de deux ordres de grandeur (plus d'un ordre de grandeur) plus élevée que dans a-Si:H pour les
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Rajira, Amal. "Propriétés optiques des superréseaux à base de ZnCdSe/ZnSe." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20046.

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Abstract:
Ce memoire est consacre a l'etude des proprietes optiques et magnetooptiques des superreseaux zn#1#-#xcd#xse/znse elabores par movpe. L'etude experimentale a ete faite via les experiences de photoluminescence, de reflectivite et de dichroisme circulaire magnetique. Les spectres de photoluminescence sont caracterises par un pic excitonique tres intense caracteristique de l'exciton e#1hh#1. Sur les spectres de reflectivite, on peut noter la presence d'au moins deux transitions e#1hh#1 et e#1lh#1 pour les superreseaux a faibles concentrations en cadmium et des transitions e#2hh#2 pour les superre
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Arnaud, Gérald. "Structure électronique et propriétés optiques des hétérostructures InGaAs-GaAs." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20242.

Full text
Abstract:
Ce travail traite de la structure electronique et des proprietes optiques de puits et multi-puits quantiques in#xga#1##xas-gaas pour differentes valeurs de la composition x et de differentes largeurs de puits. Dans un premier temps, nous avons developpe le formalisme necessaire afin d'obtenir les etats propres relatifs aux fonctions propres des etats lies et quasi lies dans ces structures. Ensuite, nous avons tente d'estimer la valeur de l'offset de bande mal connu dans ces systemes. Enfin, dans la derniere partie nous avons employe la contrainte uniaxiale qui nous a permis d'identifier sans a
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Richard, Tristan. "Etude des effets du confinement quantique sur des verres dopés par des semiconducteurs." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20133.

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Abstract:
Ce travail presente l'etude par spectroscopie optique (absorption et photoluminescence) de verres de borosilicates de sodium dopes par des nanocristaux de cds, cdse ou cdte, ainsi que les modeles theoriques developpes pour interpreter les resultats experimentaux. Au plan theorique, les regimes de faible et de fort confinement sont envisages. Dans ce dernier cas, un modele prenant en compte le melange des etats issus des six bandes de valence superieures a ete developpe. Ce modele permet de simuler les spectres d'absorption d'une population de nanocristaux de tailles statistiquement distribuees
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Gauthier, Jean-Philippe. "Réalisation et optimisation de nanostructures à base de semiconducteurs III-V pour les applications de VCSEL accordables." Rennes, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAR0019.

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Abstract:
Le travail de thèse porte sur l’étude et l’optimisation de lasers verticaux émettant par la surface (VCSEL) accordables pour les applications télécom à 1,55µm. Les VCSEL étudiés intègrent notamment des puits quantiques contraints, ou des nanostructures filaires (ou Fils Quantiques – FQ) possédant des propriétés optiques remarquables. Une attention particulière est accordée aux propriétés thermiques et optiques des cavités développées et des solutions sont proposées pour l’amélioration des performances laser. Notamment, le développement de pseudo-substrat métallique par dépôt électrolytique de
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Paille, Françoise. "Xérogels de silice dopés par des nanocristaux de CdS : élaboration, caractérisation structurale et propriétés optiques." Lyon 1, 1997. http://www.theses.fr/1997LYO10140.

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Abstract:
Ce travail concerne l'elaboration, la caracterisation et une contribution a l'etude des proprietes optiques de xerogels de silice dopes par des nanocristaux de semiconducteur cds. Nous avons teste plusieurs methodes de dopage de la matrice de silice poreuse obtenue par voie sol-gel : la premiere consiste a incorporer un sel de cadmium dans le sol precurseur, et a faire precipiter les nanocristaux par un traitement thermique sous h#2s. La seconde technique, dite des ligands, utilise le meme principe, mais le cadmium est ici lie au precurseur de la silice. Enfin, la troisieme methode consiste a
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Abdel-Maksoud, Mohamed Safaa. "Propriétés optiques et phototransport dans le semiconducteur vitreux GeSe3 : étude du magnéto-transport dans le semiconducteur semimagnétique cristallin Hg1." Montpellier 2, 1987. http://www.theses.fr/1987MON20145.

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Abstract:
A partir de mesures du temps de transit des photoporteurs crees sur une face de l'echantillon de gese::(3) vitreux dans une geometrie sandwich a electrodes bloquantes, les mobilites d'entrainement et microscopique sont calculees. Les niveaux energetiques des pieges sont deduits. Les manipulation raman et i. R. Confirment les coordinations de ge (4) et se (2), ainsi que la presence de clusters de selenium. Le gap optique et sa dependance en temperature sont mesures. Pour hg::(1-x)fe::(x)te, la magnetoresistance et l'effet shubnikov-de-haas permettent de deduire le facteur de lande et la masse e
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Musa, Ishaq. "Propriétés optiques de nanostructures et composites de polymères à base d'oxyde de zinc." Nantes, 2011. http://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show.action?id=15e243b4-2dfe-49f7-9172-f8c9e9b62259.

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Abstract:
Cette thèse porte principalement sur l'étude de certaines propriétés optiques de nanostructures d'oxyde de zinc (ZnO) sous forme de nanocristaux, de films minces, et en tant que composant nanométrique dans des composites à base de polymères conducteurs. La première partie du mémoire décrit la synthèse de ces matériaux qui a été effectuée à l'Institut des Matériaux Jean Rouxel, par différentes méthodes. Une étude poussée de la caractérisation morphologique et structurale est effectuée au moyen de la microscopie électronique et de la diffraction des rayons X, appuyée par quelques expériences de
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Chetouane, Abdelkrim. "Contribution à l'étude des spectres optiques des semi-conducteurs en présence d'une impureté substitutionnelle isoélectronique." Metz, 1987. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1987/Chetouane.Abdelkrim.SMZ8715.pdf.

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Abstract:
Dans ce mémoire nous avons étudié les modifications du spectre optique dues au désordre créé dan s le corps pur par l'introduction d'une impureté subtitutionnelle isoéléctronique de faible concentration. L'intérêt de ce travail est d'avoir accès, d'une part, à des points de symétrie de la zone de Brillouin et d'autre part de donner une interprétation simple et complète des spectres optiques des alliages dilués. En effet, la présence d'impureté induit de nouvelles structures dans le spectre optique par suite de la rupture de la périodicité du réseau. Au départ nous disposons du formalisme de la
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Vasseur, Olivier. "Calcul et réalisation de traitements optiques multicouches pour diodes laser. Etude de l'influence des défauts de structure des couches sur les performances des diodes traitées." Aix-Marseille 3, 1990. http://www.theses.fr/1990AIX30028.

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Abstract:
Pour repondre au besoin de developpement des telecommunications par fibre optique on veut realiser des amplificateurs sans conversion optique-electronique, ce qui implique le depot de filtres antireflets sur les faces clivees des diodes laser. L'objectif est alors d'atteindre un facteur de reflexion d'environ cinq cent milliemes. En s'appuyant sur la theorie de ch. Vassallo pour le calcul des facteurs de reflexion a l'extremite de guides plans, une partie importante de ce travail est consacree au probleme de calcul de la structure d'empilements susceptibles de repondre aux performances desiree
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Hallaoui, Abdelaziz. "Propriétés électroniques et optiques des superréseaux (311) et des fils quantiques (110) à base de semiconducteurs." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20078.

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Abstract:
Mon travail presente les proprietes optiques et electroniques des fils quantiques (110) et des superreseaux (311). Premierement, j'etudie la densite de probabilite du premier niveau de conduction, du premier et du deuxieme niveau de valence de six echantillons de fils quantiques (quatre fils quantiques orientes: z648, z671, z682 et z694 et deux fils quantiques desorientes: z698 et z699). La comparaison avec les resultats experimentaux (confinement des niveaux d'energies) est satisfaisante. Deuxiemement, j'etudie les proprietes electroniques des superreseaux gaas/alas (311) a l'interieur de la
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Mohou, Messanh. "Caractérisation optique de doubles hétérostructures lasers GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb émettant vers 2 "mu"m." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20146.

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Abstract:
Des doubles heterostructures lasers gaalassb/gainassb/gaalassb, obtenues par epitaxie en phase liquide sur substrat gasb, ont ete caracterisees. L'indice de refraction optique de chaque couche de la structure laser a ete determine en fonction de la longueur d'onde et de la composition de l'alliage. L'analyse spectrale du rayonnement emis fait apparaitre des modes longitudinaux centres vers 2 m a 80 k. L'etude du champ lointain a ete effectuee en fonction de la temperature et de l'injection. Une etude theorique de la divergence du champ emis a ete confrontee aux resultats experimentaux. Elle a
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Bonvalot, Cyrille. "Contribution à la compréhension du courant d'obscurité dans les détecteurs infrarouges matriciels à base de matériaux III-V." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPAST016.

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Abstract:
Lynred est l’un des principaux acteurs mondiaux sur le marché des détecteurs infrarouge refroidis haute performance, historiquement basés sur des matériaux II-VI (HgCdTe), et plus récemment sur des matériaux III-V (QWIP, InSb, InGaAs). Les détecteurs InSb et InGaAs sont constitués de diodes organisées en matrices pour obtenir un imageur bidimensionnel. L’étude présentée dans ce manuscrit porte sur la compréhension du courant d’obscurité de ces diodes. La problématique est abordée en trois étapes : une étude du profil de la jonction, une analyse des phénomènes générant du courant d’obscurité da
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Boucher, Yann. "Propriétés optiques d'empilements multicouches de semi-conducteurs GaAs/AlGaAs : application à l'étude de microcavités laser à émission surfacique." Paris 11, 1993. http://www.theses.fr/1993PA112284.

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Abstract:
Ce mémoire est consacré à l'étude d'empilements multicouches de semi-conducteurs gaas/algaas, et plus particulièrement d'empilements périodiques (réflecteurs de Bragg), étudiés en tant que tels ou comme éléments intégrés à des structures plus complexes. Les structures étudiées sont caractérisées par leur spectre de réflectivité linéaire. Pour interpréter ces résultats, nous développons deux approches théoriques complémentaires: la première, basée sur un formalisme matriciel, permet de décrire exactement la propagation d'une onde optique dans une structure stratifiée quelconque et a servi de su
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Biadala, Louis. "Propriétés optiques de nanocristaux de CdSe/ZnS individuels à basse température." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00654493.

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Abstract:
Les nanocristaux de CdSe font l'objet d'applications émergentes dans les domaines de la nanoélectronique, des technologies laser ou du marquage fluorescent de biomolécules. Pour ces applications, la détermination de la structure fi…ne de l'exciton de bord de bande et des mécanismes de relaxation entre sous-niveaux est d'un intérêt majeur. Cette thèse a été consacrée à l'étude spectroscopique à basse température et sous champ magnétique de nanocristaux individuels de CdSe/ZnS. La remarquable photostabilité des nanocristaux étudiés a permis de caractériser les propriétés optiques des deux états
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Guénaud, Charles. "Etudes des propriétés optiques de semiconducteurs à grand gap : puits ZnSe/ZnCdSe et couches minces de GaN." Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066224.

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Assaid, El Mahdi. "Etude des propriétés électriques et optiques des complexes (D+,X) dans les microcristallites de semi-conducteur de forme sphérique." Metz, 1995. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1995/Assaid.El_Mahdi.SMZ9506.pdf.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire de thèse, est consacré à l'étude du complexe résultant de la liaison d'un exciton à un donneur ionisé dans une microcristallite de semi-conducteur de forme sphérique. Dans le cadre de l'approximation de la fonction enveloppe, et en modélisant le confinement par un puits de potentiel infini, nous avons donné l'équation effective du complexe. Par une approche variationnelle, nous avons déterminé l'énergie fondamentale du complexe, et étudié ses variations en fonction du rayon R de la microcristallite et du rapport des masses effectives de l'électron et du trou
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Aïnane, Abdelmajid. "Propriétés électroniques et optiques des trions excitoniques dans les semi-conducteurs bidimensionnels : étude de l'action d'un champ magnétique uniforme." Metz, 1991. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1991/Ainane.Abdelmajid.SMZ915.pdf.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est consacré à l'étude des trions excitoniques dans les semi-conducteurs bidimensionnels. Ces quasi-particules peuvent résulter, dans certains conditions, de la liaison d'un exciton (paire électron-trou liée) avec un électron ou un trou dans les semi-conducteurs. Ils se distinguent des autres complexes excitoniques par leur mobilité et leur charge. Ces deux caractéristiques sont susceptibles de donner lieu à des propriétés originales, notamment dans les semi-conducteurs quasi bidimensionnels (super-réseaux semi-conducteurs, puis quantiques). L'étude
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