Academic literature on the topic 'Pulvérisation cathodique en continu'

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Journal articles on the topic "Pulvérisation cathodique en continu"

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Pauleau, Y., P. Juliet, A. Lefort, N. Maréchal, E. Mounier, E. Quesnel, A. Rouzaud, and P. Monge-Cadet. "Revêtements minces déposés par pulvérisation cathodique pour applications tribologiques." Matériaux & Techniques 84, no. 1-2 (1996): 20–25. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/199684010020.

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Pauleau, Y., P. Juliet, A. Lefort, N. Maréchal, E. Mounier, E. Quesnel, A. Rouzaud, and P. Monge-Cadet. "Revêtements minces déposés par pulvérisation cathodique pour applications tribologiques." Matériaux & Techniques 84, no. 5-6 (1996): 23–32. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/199684050023.

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3

Carchano, H., F. Lalande, and R. Loussier. "Dépôt de couches minces d'AsGa polycrystallin par pulvérisation cathodique r.f." Thin Solid Films 135, no. 1 (January 1986): 107–13. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(86)90093-3.

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Bouteloup, E., B. Mercey, G. Poullain, T. Brousse, H. Murray, and B. Raveau. "Couches minces supraconductrices à base D'YBa2Cu3O(7-x) par pulvérisation cathodique multicible." Revue de Physique Appliquée 25, no. 2 (1990): 183–87. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01990002502018300.

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5

Carin, R. "Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive." Revue de Physique Appliquée 25, no. 6 (1990): 489–97. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01990002506048900.

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6

Chappé, J. M., N. Martin, J. Lintymer, J. Gavoille, J. Takadoum, and F. Sthal. "Propriétés colorimétriques de couches minces d’oxynitrures de titane élaborées par pulvérisation cathodique réactive." Matériaux & Techniques 94, no. 1 (2006): 31–37. http://dx.doi.org/10.1051/mattech:2006022.

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7

Guillon, N., and R. Y. Fillit. "Analyse microstructurale de couches minces de Ti-B-N élaborées par pulvérisation cathodique magnétron." Le Journal de Physique IV 08, PR5 (October 1998): Pr5–303—Pr5–308. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998538.

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Debili, M. Y., Tran Huu Loï, and C. Frantz. "Caractérisation chimique et structurale de dépôts métastables aluminium-fer obtenus par pulvérisation cathodique magnétron." Revue de Métallurgie 95, no. 12 (December 1998): 1501–10. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199895121501.

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9

Boudiar, T., C. Nader, Th Rouiller, M. Le Berre, H. Joisten, M. F. Blanc-Mignon, B. Payet-Gervy, B. Bayard, and J. J. Rousseau. "Élaboration de couches minces YIG par pulvérisation cathodique RF pour la réalisation de composants hyperfréquences intégrés." Journal de Physique IV (Proceedings) 124 (May 2005): 159–63. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2005124024b.

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Le Priol, A., E. Le Bourhis, P. O. Renault, P. Muller, and H. Sik. "Influence des contraintes résiduelles et de la texture sur les propriétés mécaniques de films minces de Cr élaborés par pulvérisation cathodique RF." Matériaux & Techniques 101, no. 3 (2013): 307. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2013065.

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Dissertations / Theses on the topic "Pulvérisation cathodique en continu"

1

Yang, Liu. "Caractérisation de couches minces de ZnO élaborées par la pulvérisation cathodique en continu." Phd thesis, Université du Littoral Côte d'Opale, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00919764.

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Abstract:
Ce mémoire concerne un ensemble d'élaboration et de caractérisation de couches minces à base de ZnO par la pulvérisation cathodique en continu. L'étude structurale montre que le traitement thermique lors du dépôt et post-dépôt à l'air ont une influence similaire sur l'augmentation de la taille de cristallites jusqu'à une température de 250°C. À partir de cette température critique, la taille des cristallites continue à augmenter en fonction de la température de recuit, alors qu'elle diminue légèrement avec la température de dépôt. L'étude morphologique montre que le traitement thermique lors du dépôt a une influence plus marquée sur la rugosité que celui à l'air de l'ambiante à 470°C. En fonction de la température de dépôt la résistivité électrique en continu diminue lorsque celle-ci augmente. Ce phénomène est directement lié à la qualité de la structure cristalline des films. À l'inverse, le recuit post-dépôt à l'air rend le film plus résistif. La deuxième partie de ce travail porte sur des mesures de bruit en 1/f. Nous montrons que le bruit est très sensible à la température de dépôt et à l'orientation des cristallites dans le matériau. Le bruit obtenu dans le sens transversal est plus élevé que celui obtenu dans le sens longitudinal. De plus, le bruit mesuré en présence de lumière peut être beaucoup plus élevé. Par un modèle simple, nous avons montré que ce phénomène est relié à la photoconductivité et à la présence de défauts en surface du matériau. Enfin, une technique photothermique par radiométrie unfrarouge a été utlilisée pour effectuer une caractérisaiton thermophysique du matériau. Cette technique permet de déterminer les paramètres optiques et thermiques de l'échantillon. Une étude théorique de l'évolution du signal photothermique en fonction de la fréquence de modulation a permis de mettre en évidence les conditions dans lesquelles on peut mesurer ces paramètres avec précision.
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Désécures, Mikaël. "Mise au point de la fluorescence induite par diode laser résolue en temps : application à l'étude du transport des atomes de tungstène pulvérisés en procédé magnétron continu ou pulsé haute puissance." Thesis, Université de Lorraine, 2015. http://www.theses.fr/2015LORR0137/document.

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Abstract:
La pulvérisation cathodique magnétron est un procédé plasma très répandu dans l'industrie pour le dépôt de couches minces. Néanmoins, les exigences des nouvelles applications nécessitent de mieux comprendre, contrôler et maîtriser les processus fondamentaux gouvernant le transport de la matière pour optimiser le procédé. Ce travail de thèse porte sur l'étude du transport des atomes pulvérisés de tungstène (W) en décharge magnétron continu (DC direct current) et pulsée haute puissance (HiPIMS_high power impulse magnétron sputtering). La fluorescence induite par diode laser (TD-LIF) a été mise au point afin de mesurer les fonctions de distribution en vitesse des atomes W pulvérisés. Les mesures ont été calibrées par absorption laser et validées en corrélant avec les vitesses de dépôt. En procédé DC, l'étude de l’influence des paramètres de la décharge (puissance, tension, mélange gazeux Ar/He, distance par rapport à la cible, etc.) a mis en évidence l'évolution spatiale des régimes de transport balistique (atomes énergétiques), diffusif (atomes thermalisés), et mixte (balistique+diffusif). Pour l'étude du procédé HiPIMS, le plasma pulsé a nécessité de développer la TD-LIF résolue en temps (TR-TDLIF). Le degré de liberté supplémentaire qu'offre la dimension temporelle du plasma HiPIMS a permis de mieux comprendre le transport mixte qui représente le cas le plus compliqué. En effet, cela a permis de mesurer la cinétique du transport des atomes pulvérisés en ayant la possibilité de séparer les temps caractéristiques des différents processus
Magnetron sputter deposition is an established and widely used method for the growth of thin films. Nevertheless, the high level of expectations regarding new applications require a better understanding, controlling, mastering of basic processes governing atoms transport in the view of process optimization. This work consist in the study of transport of sputtered W atoms in direct current and high power impulse magnetron discharges (DC and HiPIMS). A tunable diode laser induced fluorescence technique (TD-LIF) has been developed, in order to measure W sputtered atom velocity distribution function. Measurements were calibrated using laser absorption and were corroborated by deposition rate. In DC, the study of the influence of discharge parameters (power, voltage, Ar/He gas mixture, and distance from target, etc.) highlighted spatial evolution of different regimes of transport: ballistic (energetic atoms), diffusive (thermalized atoms), and mixed (ballistic + diffusive). In HiPIMS, pulsed plasma required to develop a time resolved TD-LIF technique (TR-TDLIF). The additional degree of freedom, given by time dimension allowed for a better understanding of mixed transport which represents the most complicated situation. This technique allowed to measure the kinetic of sputtered W atoms while at the same time providing the possibility to separate characteristic time scales of different processes
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JIANG, Yan Mei. "Pulvérisation cathodique assistée par ordinateur." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 1992. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002739.

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Abstract:
La pulvérisation cathodique est l'une des méthodes les plus utilisées pour le dépôt de films minces. Elle présente de nombreux avantages, mais elle est délicate à mettre en ?uvre dans le cas de films minces d'alliages parce qu'il est très difficile d'en contrôler la composition chimique. C'est pour tenter de résoudre ce problème que nous avons conçu et réalisé un équipement de pulvérisation cathodique triode à courant continu ultravide multicible séquentiel assistée par ordinateur. Ce dispositif est capable de fabriquer des couches minces dont la composition chimique est définie à mieux que 0,4 %. Il permet de contrôler la composition chimique au niveau d'une monocouche atomique. Il est constitué de quatre sous-ensembles : le contrôle du plasma, le contrôle du taux de dépôt, le calcul du rendement de pulvérisation cathodique, et enfin le séquençage rapide de la polarisation des cibles. Le taux de dépôt est obtenu par une mesure de la fréquence de résonance d'un quartz de 16 MHz, grâce à une chaîne de comptage reliée à un ordinateur. En utilisant un dispositif de vernier digital, nous avons pu d'une part augmenter la vitesse de lecture du quartz, de manière à évaluer sa dérive en température et à s'en affranchir, d'autre part améliorer la résolution (10 picogrammes par seconde), ce qui nous permet de déceler le 1/1000e de couche atomique en un temps de comptage de 100 millisecondes. Il est ainsi possible de réaliser un ajustement dynamique de la composition chimique d'un film mince pendant le processus de pulvérisation. Cet objectif a pu être réalisé grâce au contrôle par un ordinateur de la durée de polarisation des cibles. Ce dispositif a été utilisé pour la fabrication de films minces bolométriques couvrant une très large gamme de température.
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Jiang, Yan-mei. "Pulvérisation cathodique assistée par ordiateur." Paris 11, 1992. http://www.theses.fr/1992PA112376.

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Abstract:
La pulverisation cathodique est l'une des methodes les plus utilisees pour le depot de films minces. Elle presente de nombreux avantages, mais elle est delicate a mettre en uvre dans le cas de films minces d'alliages parce qu'il est tres difficile d'en controler la composition chimique. C'est pour tenter de resoudre ce probleme que nous avons concu et realise un equipement de pulverisation cathodique triode ultravide multicible sequentiel. Ce dispositif est capable de fabriquer des couches minces dont la composition chimique est definie a mieux que 0. 4%. Il permet de controler la composition chimique au niveau d'une monocouche atomique. Il est constitue de quatre sous-ensembles: le controle du plasma, le controle du taux de depot, le sequencement rapide de la polarisation des cibles, et enfin le calcul, l'analyse ainsi que la correction du rendement de pulverisation cathodique. Le taux de depot est obtenu par une mesure de la frequence de resonance d'un quartz de 16 mhz, grace a une chaine de comptage reliee a un ordinateur. En utilisant un dispositif de vernier digital, nous avons pu d'autre part augmenter la vitesse de lecture du quartz, de maniere a evaluer sa derive en temperature et a s'en affranchir, d'autre part ameliorer la resolution (10 picogrammes par seconde), ce qui nous permet de deceler le 1/1000e de couche atomique en un temps de comptage de 100 millisecondes. Il est ainsi possible de realiser un ajustement dynamique de la composition chimique d'un film mince pendant le processus de pulverisation. Cet objectif a pu etre realise grace au controle par un ordinateur de la duree de polarisation des cibles
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Chatelon, Jean-Pierre. "Couches minces magnétiques élaborées par pulvérisation cathodique RF." Habilitation à diriger des recherches, Université Jean Monnet - Saint-Etienne, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00788464.

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Abstract:
Ce document représente ma candidature à l'habilitation à diriger des recherches au sein de l'Université Jean Monnet de Saint-Étienne.. Vous trouverez dans ce document un Curriculum Vitae détaillé et une synthèse de mes travaux de recherche. - Le Curriculum Vitae exhaustif fait apparaître la chronologie de mes activités dans les domaines de l'enseignement et de la recherche. Dans ce CV vous trouverez une liste des travaux et publications, une liste des mémoires dirigés. - La synthèse des travaux de recherche met en évidence les problématiques abordées et leurs positions dans le champ scientifique national et international.
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Chappé, Jean-Marie. "Couches minces d'oxynitrures de titane par pulvérisation cathodique réactive." Besançon, 2005. http://www.theses.fr/2005BESA2028.

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Piscitelli, David. "Simulation de la pulvérisation cathodique dans les écrans à plasma." Toulouse 3, 2002. http://www.theses.fr/2002TOU30184.

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Ehouarne, Loeizig. "Métallisation des mémoires Flash à base de NiSi et d’éléments d’alliage." Aix-Marseille 3, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX30027.

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Abstract:
L’objectif de cette étude est de regarder l’influence du Pt sur la formation des siliciures de Ni dans le procédé Salicide et en particulier sur la phase basse résistivité NiSi, envisagée par l’industrie pour réaliser les contacts avec les zones actives de transistors de type Flash. Pour cela, nous avons étudié la nature, la séquence et la cinétique des phases formées, d’une part sur le système Ni1-xPtx/Si(100) (0% ≤ x ≤ 30%), et plus particulièrement sur un système intéressant pour certaines de ces propriétés, Ni(13%Pt)/Si(100). Deux types de dépôts ont été confrontés : dépôts réalisés avec une cible alliée Ni(13%Pt) ou par codéposition (cibles Ni et Pt dissociées). Ainsi nous avons couplé différentes techniques de caractérisation in situ (diffraction des rayons X, Réflectivité des rayons X (RRX), résistivité 4 pointes) pour essayer de comprendre les mécanismes liés à ce système. En particulier des expériences de RRX in-situ, associées à une analyse par transformée de Fourier inverse, ont été mises en œuvre, en utilisant le rayonnement synchrotron (ESRF), et aboutissent à des résultats originaux : la séquence des phases est modifiée dans le cas du Ni(13%Pt). Enfin, des premières mesures de résistance sur lignes étroites ont été réalisées, soulignant les avantages et les limites associées à l’utilisation d’un tel système
The aim of this study is to characterize the Pt influence on the formation of nickel silicides in the salicide process and especially on the low resistivity phase NiSi, that is believed to become the next silicide used as contacting material on source and drain region in flash memory transistors. We thus studied the nature, the sequence and the kinetics of the formed phases on various systems: firstly on the Ni1-xPtx/Si(100) (0% ≤ x ≤ 30%), and more especially on the Ni(13%Pt)/Si(100) system that presents very interesting properties for microelectronic devices. Two types of deposition techniques have been used and compared: layers deposited using a single Ni(13%Pt) alloyed target and co-deposited using two separated targets. Several in-situ characterization technique were coupled (x-ray diffraction and reflectivity, 4-points probe sheet resistance) in order to understand the mechanisms involved in this system. In particular, in-situ x-ray reflectivity experiments were performed using the synchrotron radiation (ESRF) and analyzed using the fast Fourier transform; these experiments show original results: the phase sequence is modified for the Ni(13%Pt). Finally, sheet resistance measurements have been performed on narrow lines to show the advantages and the limitations of this system
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Jouanny, Isabelle. "Etude de carbures, nitrures et carbonitrures de fer élaborés par pulvérisation de fer élaborés par pulvérisation cathodique." Thesis, Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 2006. http://www.theses.fr/2006INPL095N/document.

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Abstract:
Trois nouvelles phases cubiques riches en azote ont récemment été découvertes dans le système Fe-N. Les systèmes Fe-N et Fe-C possèdant des structures en commun, il peut être envisagé la formation de structures inédites dans le système Fe-N-C. Ces 3 systèmes sont explorés en élaborant dans un large domaine de composition des dépôts par pulvérisation cathodique et en les caractérisant par XEDS, SNMS, microsonde de Castaing, DRX, MET, EELS et MEB. Les films du système Fe-C riches en carbone possèdent une structure nanocomposite. Les films du système Fe-N riches en azote sont constitués des phases cubiques ?'' et ?''' et d’une phase non répertoriée appelée X. L’insertion de carbone entraîne la disparition de ces phases au profit des phases Fe2(N,C). Les nitrures ?'' et ?''' ont été isolés, ce qui a permis de déterminer la structure de ?''' et de caractériser leur microstructure, l'influence de l'oxygène, etc... L'existence d'un carbonitrure cubique ?'''-Fe(N,C) a été mise en évidence
Three nitrogen-rich new cubic phases were recently discovered in the Fe-N system. As the Fe?N and Fe-C systems have joint structures, it can be considered the formation of new structures in the Fe-N-C system. These three systems are explored by preparing, in a large field of composition, coatings by sputtering. The coatings were characterized structurally and chemically with the help of XEDS, SNMS, Castaing probe, XRD, TEM, EELS and SEM. The carbon-rich Fe-C coatings possess a nanocomposite structure. The nitrogen-rich Fe-N coatings rich are mixtures of the cubic ?'' and ?''' phases and of a no-referenced phase, called X. Carbon addition involves the disappearance of these phases to the profit of the Fe2(N,C) phases. The ?'' and ?''' nitrides were isolated, which made it possible to determine the structure of ?''', together with the characterization of their microstructure, the influence of oxygen … A cubic ?'''-Fe(N,C) carbonitride was highlighted
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Maréchal, Nadine. "Revêtements autolubrifiants déposés par pulvérisation cathodique pour applications à hautes températures." Grenoble INPG, 1993. http://www.theses.fr/1993INPG0151.

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Abstract:
Des revetements solides d'argent, de fluorure de calcium et de chrome-carbone ainsi que des multicouches a base de ces materiaux ont ete prepares par pulverisation cathodique diode continue et radiofrequence et ont ete etudies pour leurs proprietes d'amelioration du frottement a sec a hautes temperatures et en atmosphere oxydante. Les caracteristiques microstructurales, composition, structure cristallographique, texture, morphologie et contraintes residuelles dependent des parametres de depot, pression d'argon et polarisation des substrats qui determinent la nature, le flux et l'energie des particules arrivant a la surface de la couche en cours de croissance. Par ailleurs, la microstructure des couches modifie les proprietes physiques comme la resistivite electrique et les proprietes mecaniques comme la durete des couches. Les couches deposees sur des substrats metalliques presentent une stabilite chimique et mecanique a 500c dans l'air, suffisante pour envisager des essais tribologiques dans ces conditions. Les mecanismes de frottement de ces revetements dependent des conditions de tests liees a la pression de contact et a la temperature d'essai mais egalement des caracteristiques des couches comme leur epaisseur et la composition des multicouches
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Books on the topic "Pulvérisation cathodique en continu"

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Weisbuch, Claude. Physics, Fabrication, and Applications of Multilayered Structures. Springer, 1989.

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