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Journal articles on the topic 'Pulvérisation cathodique en continu'

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1

Pauleau, Y., P. Juliet, A. Lefort, N. Maréchal, E. Mounier, E. Quesnel, A. Rouzaud, and P. Monge-Cadet. "Revêtements minces déposés par pulvérisation cathodique pour applications tribologiques." Matériaux & Techniques 84, no. 1-2 (1996): 20–25. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/199684010020.

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2

Pauleau, Y., P. Juliet, A. Lefort, N. Maréchal, E. Mounier, E. Quesnel, A. Rouzaud, and P. Monge-Cadet. "Revêtements minces déposés par pulvérisation cathodique pour applications tribologiques." Matériaux & Techniques 84, no. 5-6 (1996): 23–32. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/199684050023.

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3

Carchano, H., F. Lalande, and R. Loussier. "Dépôt de couches minces d'AsGa polycrystallin par pulvérisation cathodique r.f." Thin Solid Films 135, no. 1 (January 1986): 107–13. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(86)90093-3.

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4

Bouteloup, E., B. Mercey, G. Poullain, T. Brousse, H. Murray, and B. Raveau. "Couches minces supraconductrices à base D'YBa2Cu3O(7-x) par pulvérisation cathodique multicible." Revue de Physique Appliquée 25, no. 2 (1990): 183–87. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01990002502018300.

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5

Carin, R. "Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive." Revue de Physique Appliquée 25, no. 6 (1990): 489–97. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01990002506048900.

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6

Chappé, J. M., N. Martin, J. Lintymer, J. Gavoille, J. Takadoum, and F. Sthal. "Propriétés colorimétriques de couches minces d’oxynitrures de titane élaborées par pulvérisation cathodique réactive." Matériaux & Techniques 94, no. 1 (2006): 31–37. http://dx.doi.org/10.1051/mattech:2006022.

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7

Guillon, N., and R. Y. Fillit. "Analyse microstructurale de couches minces de Ti-B-N élaborées par pulvérisation cathodique magnétron." Le Journal de Physique IV 08, PR5 (October 1998): Pr5–303—Pr5–308. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998538.

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8

Debili, M. Y., Tran Huu Loï, and C. Frantz. "Caractérisation chimique et structurale de dépôts métastables aluminium-fer obtenus par pulvérisation cathodique magnétron." Revue de Métallurgie 95, no. 12 (December 1998): 1501–10. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199895121501.

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9

Boudiar, T., C. Nader, Th Rouiller, M. Le Berre, H. Joisten, M. F. Blanc-Mignon, B. Payet-Gervy, B. Bayard, and J. J. Rousseau. "Élaboration de couches minces YIG par pulvérisation cathodique RF pour la réalisation de composants hyperfréquences intégrés." Journal de Physique IV (Proceedings) 124 (May 2005): 159–63. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2005124024b.

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10

Le Priol, A., E. Le Bourhis, P. O. Renault, P. Muller, and H. Sik. "Influence des contraintes résiduelles et de la texture sur les propriétés mécaniques de films minces de Cr élaborés par pulvérisation cathodique RF." Matériaux & Techniques 101, no. 3 (2013): 307. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2013065.

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11

Abdesselem, S., A. Ouhab, and M. S. Aida. "Influence de la température de substrat sur la croissance et les propriétés des films minces de silicium amorphe déposés par pulvérisation cathodique." Canadian Journal of Physics 81, no. 11 (November 1, 2003): 1293–302. http://dx.doi.org/10.1139/p03-101.

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Abstract:
We deposit thin films of a-Si:H by RF diode spray on substrate with temperatures varying from 200 to 500 °C. Knowing that this deposition method is violent when compared with the plasma-assisted deposition method, we have used low RF power to limit the energy of the Ar ions bombarding the surface of the growing film. Characterization of the films by UV–visible absorption spectroscopy suggests that the influence of the substrate temperature can be classified into three different regimes: (i) low temperature, Ts < 300 °C: the films show a strong disorder, the hydrogen is bound only in the polyhydric configuration; (ii) intermediate temperature, 300 °C < Ts < 400 °C: film growth is rapid, the films present a lower defect density; this may be the best regime to make good quality a-Si:H films using the spraying method; (iii) high temperature, Ts > 400 °C: the films are more organized, but less hydrogenated. The substrate temperature influences the film properties by modifying the growing mechanism through a control of the reactions taking place at the plasma–substrate interface, where the hydrogen dynamics play a fundamental role.[Journal translation]
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Hafidi, K., M. Azizan, Y. Ijdiyaou, and E. L. Ameziane. "Ètude des interfaces SiO2/TiO2 et TiO2/SiO2 dans la structure SiO2/TiO2/SiO2/c-Si préparée par pulvérisation cathodique radio fréquence." Canadian Journal of Physics 85, no. 7 (July 1, 2007): 763–76. http://dx.doi.org/10.1139/p07-053.

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Abstract:
The atomic structure of the TiO2/SiO2 and SiO2/TiO2 interfaces has been investigated in SiO2/TiO2/SiO2 multilayers deposited by radio frequency reactive sputtering without breaking the vacuum on the crystalline substrate cooled by water. The characterizations of these interfaces have been performed using three complementary techniques sensitive to surface and interface state: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), grazing incidence X-ray diffraction (GIXD), and specular X-ray reflectometry (GIXR). The concentration profiles and Si2p and O1s core level chemical displacements show that TiO2/SiO2 and SiO2/TiO2 interfaces are very diffuse. The reflectometry measurements confirm this character and indicate that the silicon, titanium, and oxygen atomic concentrations vary gradually at the interfaces. The grazing incidence X-ray spectra indicates that the interfacial layers are not well crystallized and are formed by SiO2-TiO2, TiO, Ti2O3, Ti3O5, Ti5Si3, Ti5Si4, TiSi, and TiSi2 components.
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13

Benhenda, S., J. M. Guglielmacci, M. Gillet, and T. Pech. "Caracterisation et comportement en diffusion de couches de nickel déposées sur substrat de cuivre par canon à électrons, pulvérisation cathodique et électrodéposition." Applied Surface Science 25, no. 1-2 (February 1986): 53–67. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(86)90025-5.

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14

Gautier-Picard, C., J. L. Lebrun, M. Frainais, and D. Girard. "Détermination par diffraction des rayons X de la texture et des contraintes dans des revêtements de chrome dopé au carbone réalisés par pulvérisation cathodique magnétron." Le Journal de Physique IV 10, PR10 (September 2000): Pr10–185—Pr10–192. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20001020.

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15

Sanchette, F., S. Sanchette, A. Billard, J. Lepage, M. Nivoit, and C. Frantz. "Détermination par une méthode vibratoire du module d’Young de revêtements Al-MT-(N) (MT = Cr, Ti) déposés sur des substrats en acier par pulvérisation cathodique magnétron." Revue de Métallurgie 96, no. 2 (February 1999): 259–67. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199996020259.

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