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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Quantum dots ternaires'

Author: Grafiati

Published: 8 June 2024

Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Quantum dots ternaires"

1

Mabrouk, Salima. "Synthèse par voie colloïdale et étude des propriétés optiques et structurales de nanocristaux ternaires ZnSeS dopés." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2022. http://www.theses.fr/2022LORR0169.

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Abstract:

Depuis quelques années, les QDs ternaires ont connu un développement exponentiel grâce à leurs propriétés, notamment leur photoluminescence, qui peut non seulement être contrôlée par leur taille mais également par leur composition. Dans le cadre de cette thèse, nous avons développé une nouvelle méthode de synthèse « verte » en milieu aqueux de QDs ternaires ZnSeS dopés et nous avons étudié l'effet de la variation du dopant (Mn2+, Cu2+ou Cu2+/Al3+) ainsi que de sa localisation (dans le cœur ou dans la coquille) sur leurs propriétés optiques et structurales. La première partie de ce travail décr

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2

Kauffer, Florence-Anaïs. "Synthèse, stabilité et toxicité de quantum dots à coeur CdSe." Thesis, Université de Lorraine, 2014. http://www.theses.fr/2014LORR0006/document.

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Abstract:

Parce qu'ils présentent des propriétés remarquables par rapport à leurs équivalents massifs, les nanomatériaux occupent une place de plus en plus importante dans l'industrie et en médecine. Leur essor rapide a généré de nombreuses craintes dans l'opinion publique notamment au regard de certaines méconnaissances liées à leur toxicité. Notre projet vise l'utilisation du séléniure de cadmium (CdSe) comme matériau modèle afin d'établir une corrélation entre la structure chimique des nanoparticules, leur réactivité de surface, leur (photo)stabilité et leur toxicité. Des quantum dots (QDs) CdSe et a

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3

Mrad, Maroua. "Nouveaux procédés de synthèse en milieu aqueux de quantum dots ternaires AgInS₂ (AIS) et quaternaires AgInS₂/ZnS (AIZS). Dopage de ces nanocristaux par Ni²⁺ ou Co²⁺. Application à la photocatalyse hétérogène." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2021. http://www.theses.fr/2021LORR0119.

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Abstract:

Les quantum dots (QDs) ont un fort potentiel pour la détection biologique, le photovoltaïque et la catalyse en raison de leurs propriétés photophysiques uniques. Les semiconducteurs les plus étudiés contiennent des métaux lourds comme le cadmium et le plomb et leurs domaines d’applications sont très limités. Dans le cadre de cette thèse, nous avons développé de nouveaux procédés de synthèse en milieu aqueux des QDs ternaires AgInSAgInS₂ et quaternaires AgInS₂/ZnS et avons étudié leur dopage par les cations Ni²⁺ et Co²⁺ afin de préparer des nanocristaux dotés de propriétés fluorescentes et magn

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4

Gourgon, Cécile. "Fabrication et caractérisation optique de fils et boites quantiques CdTe/CdZnTe." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10145.

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Abstract:

Un certain nombre de techniques ont ete developpees ces dernieres annees pour fabriquer des nanostructures quantiques, principalement dans le domaine des semiconducteurs iii-v. Nous avons realise des fils et des boites quantiques de semiconducteurs ii-vi, a partir de puits quantiques cdte/cdznte, soit par nanolithographie et gravure de structures 2d, soit directement par epitaxie par jets moleculaires avec une croissance en deux etapes. Les proprietes optiques de ces nanostructures ont ete etudiees en photoluminescence a basse temperature (2k). Dans la premiere approche, les nanostructures ont

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5

Widmann, Frédéric. "Epitaxie par jets moléculaires de GaN, AlN, InN et leurs alliages : physique de la croissance et réalisation de nanostructures." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10234.

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Abstract:

Ce travail a porte sur la croissance epitaxiale des nitrures d'elements iii gan, aln, et inn, en utilisant l'epitaxie par jets moleculaires assistee par plasma d'azote. Nous avons optimise les premiers stades de la croissance de gan ou aln sur substrat al#2o#3 (0001). Le processus utilise consiste a nitrurer la surface du substrat a l'aide du plasma d'azote, afin de la transformer en aln, puis a faire croitre une couche tampon d'aln ou de gan a basse temperature, avant de reprendre la croissance de gan ou aln a haute temperature (680 a 750c). Nous avons en particulier etudie les proprietes d'u

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