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Dissertations / Theses on the topic 'Semi-Conducteur moléculaire'

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Auvray, Stéphane. "Transistors à base de nanotubes de carbone réalisés par auto-assemblage et leur optimisation chimique." Paris 11, 2004. http://www.theses.fr/2004PA112011.

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Abstract:
Ce travail concerne le développement d'une technique de positionnement sélectif des nanotubes de carbone et son utilisation pour la fabrication de transistors à base de nanotubes (CNTFETs) individuels auto-assemblés. Nous mettons en évidence le rôle crucial des interfaces nanotube/substrat et nanotube/électrodes dans le fonctionnement de ce type de dispositifs et nous proposons une méthode efficace d'optimisation de leurs perfonnances. La méthode de positionnement contrôlée repose sur la fonctionnalisation de surfaces de silice par un aminosilane. Cette technique confère localement une réactiv
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Ismaili, Jihane. "Synthèse de nouveaux polymères pour l’élaboration d’un papier semi-conducteur." Thesis, Limoges, 2016. http://www.theses.fr/2016LIMO0097/document.

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Abstract:
L’utilisation de semi-conducteurs organiques dans les dispositifs électroniques offre d’intéressantes perspectives. En effet, ils permettent d’alléger le poids de ces dispositifs en plus de diminuer grandement le coût de leur fabrication. Cependant, une des principales problématiques associées à ces semi-conducteurs organiques est leur procédé de fabrication qui requiert des solvants organiques toxiques et de multiples étapes de synthèse. Dans ce travail, un nouveau procédé de synthèse respectueux de l’environnement a été mis au point. Une seule étape était nécessaire à la préparation des semi
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Deman, Anne-Laure. "Influence du diélectrique de grille et de la structure moléculaire du semi conducteur sur les performances de transistors organiques." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2005. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/aldeman.pdf.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude de l'influence du diélectrique de grille et de la structure moléculaire du semi conducteur sur les performances de transistors organiques (OFET). L'obtention d'OFET stables, fonctionnant à de faibles tensions tout en présentant de bonnes performances constitue un aspect déterminant de ces dispositifs. Dans ce contexte, nous avons réalisé des transistors en pentacène, avec différents diélectriques de grille. Nous proposons un diélectrique bicouche, composé d'un isolant à forte constante et d'un isolant polymère, qui permet, en associant les avantages de ces deux mat
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Verdier, Maxime. "Effet de l’orientation et de l’état des surfaces/interfaces sur les propriétés thermiques des semi-conducteurs nano-structurés." Thesis, Université de Lorraine, 2018. http://www.theses.fr/2018LORR0138/document.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude du transport de chaleur dans le Silicium cristallin nanostructuré et l’effet de l’amorphisation. La conductivité thermique de diverses nanostructures est calculée à l'aide de deux méthodes numériques : la Dynamique Moléculaire et la résolution de l'équation de transport de Boltzmann par technique Monte Carlo. Les matériaux contenant des nanopores sphériques sont d'abord examinés et l'importance de la densité de surfaces de diffusion est mise en évidence. Puis des nanofilms à pores cylindriques périodiques, souvent appelés cristaux phononiques, sont étudiés. La dens
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Verdier, Maxime. "Effet de l’orientation et de l’état des surfaces/interfaces sur les propriétés thermiques des semi-conducteurs nano-structurés." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2018. http://www.theses.fr/2018LORR0138.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude du transport de chaleur dans le Silicium cristallin nanostructuré et l’effet de l’amorphisation. La conductivité thermique de diverses nanostructures est calculée à l'aide de deux méthodes numériques : la Dynamique Moléculaire et la résolution de l'équation de transport de Boltzmann par technique Monte Carlo. Les matériaux contenant des nanopores sphériques sont d'abord examinés et l'importance de la densité de surfaces de diffusion est mise en évidence. Puis des nanofilms à pores cylindriques périodiques, souvent appelés cristaux phononiques, sont étudiés. La dens
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Abed, El Nabi Firas. "Effets de taille sur la transition fragile-ductile dans les nanopiliers de silicium : étude par simulation numérique." Thesis, Poitiers, 2016. http://www.theses.fr/2016POIT2253/document.

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Abstract:
Pour des intérêts technologiques, la compréhension des mécanismes de déformation des nano-structures est essentielle afin d'éviter que la relaxation des contraintes ne génère des défauts aux conséquences parfois catastrophiques. De plus, dans les nano-objets semi-conducteurs, les expériences montrent une transition fragile-ductile qui dépend de la taille des systèmes : ils sont ductiles pour des dimensions inférieures à quelques centaines de nanomètres, fragiles au-delà. Nous avons abordé ce problème via des calculs de dynamique moléculaire pour simuler des tests de déformation de nano-fils, e
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Ganesh, Moorthy Sujithkumar. "Study of unipolar and ambipolar phthalocyanine- and porphyrin-based heterojunction devices through external triggers and gas sensing." Electronic Thesis or Diss., Bourgogne Franche-Comté, 2024. http://www.theses.fr/2024UBFCK035.

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Abstract:
Les dispositifs à base de semi-conducteurs organiques font l’objet de nombreuses recherches en raison de leurs propriétés électriques uniques. Il existe une forte demande pour des appareils miniatures, en particulier ceux remplissant des fonctions multiples. Ce besoin a attiré une attention particulière sur les dispositifs ambipolaires. Dans cette thèse, nous visons à utiliser des matériaux possédant des densités de porteurs de charge mobiles positives et négatives presque égales pour créer des dispositifs bipolaires (de type p et n) appelés dispositifs ambipolaires. Ce type de dispositif prés
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Zaiter, Ayla. "Crοissance des cοmpοsés ΙΙΙ-Ν et de leurs alliages : dévelοppement des οutils numériques pοur l'οptimisatiοn de leurs prοpriété". Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2025. http://www.theses.fr/2025NORMC208.

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Abstract:
Les propriétés optiques, électriques et thermiques des semi-conducteurs du groupe III-N en font d’excellents matériaux pour de nombreuses applications électroniques et optoélectroniques. Le travail de la thèse porte sur leur croissance par dynamique moléculaire (DM) ainsi que le développement des outils numériques pour analyser les résultats et caractériser leurs propriétés en couche mince. Les propriétés thermiques, telles que le coefficient de dilatation thermique et le coefficient de diffusion à la surface de GaN, ont été calculés avec un potentiel empirique Stillinger-Weber. Des simulation
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Carbonell, Laure. "Croissance et propriétés de structures hybrides métal ferromagnétique/semi-conducteur à base de ZnSe." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066065.

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Naji, Khalid. "Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00568900.

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Abstract:
Les nanofils (NFs) semiconducteurs suscitent un intérêt croissant depuis ces dix dernières années, aussi bien pour leurs propriétés fondamentales que pour leurs applications potentielles dans de nombreux domaines (électronique, optoélectronique, photonique, photovoltaïque, ...). Par exemple, grâce à leur aptitude à relaxer des contraintes, ils présentent une nouvelle voie pour l'intégration monolithique des matériaux semiconducteurs III-V sur le substrat de Silicium. C'est dans ce contexte que s'est déroulée cette thèse axée sur la croissance de NFs d'InP sur Silicium par la technique d'épitax
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Mohamad, Ranim. "Relaxation de la contrainte dans les hétérostructures Al(Ga)InN/GaN pour applications électroniques : modélisation des propriétés physiques et rôle de l'indium dans la dégradation des couches épitaxiales." Thesis, Normandie, 2018. http://www.theses.fr/2018NORMC229/document.

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Abstract:
Pour la fabrication des transistors hyperfréquences de puissance à base de nitrures, l’alliage InAlN est considéré comme une meilleure barrière qu’AlGaN grâce à l’accord de maille pour une composition en indium voisine de 18 %. Ainsi le gaz d'électrons à deux dimensions (2DEG) est-il généré seulement par la polarisation spontanée dans une hétérointerface InAlN/GaN sans contrainte résiduelle pour une fabrication de transistors aux performances optimales. Cependant, durant sa croissance sur GaN, sa qualité cristalline se dégrade avec l’épaisseur et il se forme des défauts V au niveau de l’interf
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Provost, David. "Synthèse d’architectures moléculaires pour la photoaccumulation de charges et la production photoinduite de dihydrogène : développement d’une nouvelle méthode de stabilisation des systèmes moléculaires à la surface d’un semi-conducteur pour l’amélioration des performances des cellules photovoltaïques." Thesis, Nantes, 2017. http://www.theses.fr/2017NANT4095.

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Abstract:
L’objectif de cette thèse a consisté à développer des systèmes moléculaires capables de convertir l’énergie solaire en des formes directement utilisables par l’Homme : l’énergie chimique et l’énergie électrique. Les deux premiers chapitres décrivent la conception et la synthèse de systèmes moléculaires artificiels en vue de reproduire la fonction de photoaccumulation de charges de l’appareil photosynthétique naturel. Pour accomplir cela, notre stratégie, inspirée de celle de la Nature, a consisté en la synthèse d’un édifice moléculaire de structure étoilée, composé de plusieurs antennes molécu
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Jeux, Victorien. "Systèmes conjugués moléculaires à base de Triarylamines et d'analogues thiophéniques du Spirobi(fluorène) : de la synthèse aux matériaux." Phd thesis, Université d'Angers, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01010088.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit porte d'une part sur la synthèse, la caractérisation et l'incorporation dans des prototypes de cellules solaires de systèmes conjugués organiques et d'autres part sur l'obtention d'analogues thiophéniques du Spirobi(fluorène). En premier lieu, deux séries de composés donneur-accepteur-donneur (D-A-D) et donneur-accepteur (D-A) à base de triarylamine ont été synthétisés, caractérisés et incorporés en tant que matériaux donneurs dans des dispositifs photovoltaïques. Afin de moduler les propriétés électroniques et optiques des composés, des modifications de l
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Aubel, Dominique. "Apport des techniques de photoémission à la connaissance des hétérostructures Ge/Si(001), Si/Ge(001), Si1-xGex/Si(001) et Si1-xGex/Ge(001)." Mulhouse, 1995. http://www.theses.fr/1995MULH0412.

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Abstract:
Les premières phases de la croissance à température ambiante (TA) et 400°C des deux hétérostructures Si/Ge(001) et Ge/Si(001) ont été étudiées par des techniques de surface comme la spectroscopie de photoélectrons X(XPS) et UV(UPS) et la diffraction d'électrons lents (LEED). Un effort particulier a été fait pour développer la dernière née des méthodes d'investigations structurales dérivée de l'XPS à savoir la diffraction de photoélectrons X(XPD). L'analyse fine de l'émergence des signatures XFD et la mesure des contrastes sur les pics de diffusion vers l'avant en fonction du recouvrement, appo
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Aballéa, Ludovic. "Développement d'un spectromètre térahertz par différence de fréquences : application à des molécules d'intérêt atmosphérique." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10020.

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Abstract:
Cette thèse rapporte le développement d’un nouveau montage expérimental pour la spectroscopie Térahertz basé sur une source de rayonnement réalisant la différence de fréquences, sur un substrat AsGa, de deux lasers émettant vers 820 nm pour générer du rayonnement infrarouge lointain. Ce montage s’inscrit dans le courant d’intérêt récent pour les possibilités du rayonnement Térahertz vues dans un premier chapitre. Le second chapitre s’intéresse à la génération de rayonnement par différence de fréquences sur un élément semi-conducteur et à son utilisation pour la spectroscopie. L’obtention d’une
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Provencher, Françoise. "Influence de la structure moléculaire sur la structure cristalline et électronique de molécules organiques conjuguées : une étude spectroscopique." Thèse, 2009. http://hdl.handle.net/1866/8053.

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