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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Semiconducteurs grand gap'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 1 February 2022

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Dissertations / Theses on the topic "Semiconducteurs grand gap"

1

Guénaud, Charles. "Etudes des propriétés optiques de semiconducteurs à grand gap : puits ZnSe/ZnCdSe et couches minces de GaN." Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066224.

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2

Le, Thi mai hoa. "Microscopie de biréfringence et caractérisation de matériaux à grand gap." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENI102.

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Abstract:

Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) tels que le carbure de silicium (SiC) et le diamant ont des propriétés matérielles exceptionnelles. De nombreuses applications peuvent bénéficier des semi-conducteurs WBG. Afin d'améliorer la qualité de ces matériaux, ainsi que pour augmenter leur gamme d'applications technologiques, il est nécessaire de diminuer ou réduire au minimum le nombre de défauts étendus.Ce travail de recherche a porté sur l'évaluation, la modélisation et le développement de techniques d'analyse s'appuyant sur l'utilisation de la microscopie optique. La thès

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3

Henneghien, Anne-Line. "Étude et optimisation de l’émission et de l’extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents." Grenoble, 2010. http://www.theses.fr/2010GRENY072.

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Abstract:

Les diodes électroluminescentes (LEDs) bleues ou blanches actuelles sont constituées de couches épitaxiales planaires, essentiellement à base de GaN. Sans autres opérations technologiques, la réflexion totale interne aux interfaces réduit le nombre de photons extraits à quelques pourcents du nombre de photons émis. Cette thèse s'intéresse à un concept en rupture : les LEDs à nanofils GaN ou ZnO. Plus précisément elle vise à préciser l'intérêt de ces couches pour l'augmentation du rendement d'extraction. Nous nous sommes plus particulièrement intéressés à trois types de couches (taille des fils

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4

Martin, Jérôme. "Etude par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de la croissance sélective de nano-hétéro-structures de matériaux à base de GaN." Thesis, Metz, 2009. http://www.theses.fr/2009METZ027S/document.

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Abstract:

La nano-structuration de matériaux semiconducteurs à grand gap à base de GaN fait l'objet d'un très grand intérêt de par son potentiel pour l'élaboration de composants optoélectroniques innovants émettant dans la gamme spectrale de l’ultraviolet. Le contrôle de la croissance à l'échelle nanométrique doit être ainsi démontré. L'épitaxie sélective ou SAG (Selective Area Growth) étendue au domaine nanométrique (NSAG pour NanoSAG) est un excellent choix pour l'élaboration de nanostructures de semiconducteur. Cette technique consiste en la croissance localisée du matériau sur un substrat partiellem

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5

Henneghien, Anne-Line. "Étude et optimisation de l'émission et de l'extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents." Phd thesis, Université de Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00558359.

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Abstract:

Les diodes électroluminescentes (LEDs) bleues ou blanches actuelles sont constituées de couches épitaxiales planaires, essentiellement à base de GaN. Sans autres opérations technologiques, la réflexion totale interne aux interfaces réduit le nombre de photons extraits à quelques pourcents du nombre de photons émis. Cette thèse s'intéresse à un concept en rupture : les LEDs à nanofils GaN ou ZnO. Plus précisément elle vise à préciser l'intérêt de ces couches pour l'augmentation du rendement d'extraction. Nous nous sommes plus particulièrement intéressés à trois types de couches (taille des fils

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6

Zamfirescu, Marian. "Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures à base de semi-conducteurs à grand gap." Clermont-Ferrand 2, 2003. http://www.theses.fr/2003CLF21418.

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Abstract:

Ce travail est consacré à l'étude théorique et expérimentale du couplage lumière-matière dans des structures à base de semi-conducteurs à grand gap GaN et ZnO et dans les nitrures InGaAsN à petit gap. La partie expérimentale de la thèse est dédiée à l'analyse par photoluminescence résolue en temps des processus de recombinaison radiative et non-radiative dans des puits quantiques InGaAsN à faible teneur en azote. Les résultats obtenus montrent que la dynamique de recombinaison est dominée par les processus non-radiatifs dus à la matrice hôte ( InGaAs) de la structure plutôt qu'à l'insertion d'

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7

Regnat, Guillaume. "Onduleur à forte intégration utilisant des semi-conducteurs à grand gap." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT050/document.

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Abstract:

Les composants semi-conducteurs à base de matériaux à grand gap (SiC et GaN) présentent des caractéristiques intéressantes pour la réalisation de convertisseurs d’électronique de puissance toujours plus intégrés. Cependant, le packaging des composants traditionnels en silicium ne semble plus adapté pour ces nouveaux composants et apparaît même comme un facteur limitant. Le développement d’un packaging adapté aux caractéristiques des composants à grand gap est alors nécessaire. Les travaux développés dans cette thèse proposent un nouveau packaging tridimensionnel basé sur un procédé de fabricat

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8

Cloitre, Thierry. "Elaboration par MOVPE des matériaux semiconducteurs II-VI grand gap ZnSe et ZnTe : application à la croissance des superréseaux ZnSe/ZnTe." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20072.

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Abstract:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale par movpe des semiconducteurs ii-vi a grand gap, znse, znte, ainsi que des structures de type super-reseaux znse-znte. L'utilisation d'un nouveau precurseur du zinc a permis d'ameliorer considerablement la qualite des materiaux deposes (homogeneite et purete). La determination des conditions de croissance optimales de znse et znte, epitaxie grace a ce nouveau precurseur, a permis d'aboutir a la realisation effective de super-reseaux znse-znte pour movpe. Une premiere modelisation de la structure de bande de ces structures a ete realisee par la

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9

Tempier, Nathalie. "Croissance par MOVPE et caractérisation des super-réseaux II-VI grand gap ZnSe-ZnTe." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20161.

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Abstract:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale et a l'etude des super-reseaux a grand gap znse-znte. Les applications potentielles de ce systeme concernent l'opto-electronique (emission dans la gamme bleue du spectre visible). La technique de croissance utilisee est l'epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques (movpe). La technologie de l'equipement a ete optimisee en vue d'obtenir des interfaces abruptes et les conditions de croissance optimales ont ete determinees. Les echantillons ont ete caracterises d'un point de vue structural (diffraction x, etocaps, microscopie. . . ) et

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10

Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Abstract:

Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport él

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