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Dissertations / Theses on the topic 'Semiconducteurs grand gap'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 1 February 2022

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1

Guénaud, Charles. "Etudes des propriétés optiques de semiconducteurs à grand gap : puits ZnSe/ZnCdSe et couches minces de GaN." Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066224.

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2

Le, Thi mai hoa. "Microscopie de biréfringence et caractérisation de matériaux à grand gap." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENI102.

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Abstract:

Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) tels que le carbure de silicium (SiC) et le diamant ont des propriétés matérielles exceptionnelles. De nombreuses applications peuvent bénéficier des semi-conducteurs WBG. Afin d'améliorer la qualité de ces matériaux, ainsi que pour augmenter leur gamme d'applications technologiques, il est nécessaire de diminuer ou réduire au minimum le nombre de défauts étendus.Ce travail de recherche a porté sur l'évaluation, la modélisation et le développement de techniques d'analyse s'appuyant sur l'utilisation de la microscopie optique. La thès

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3

Henneghien, Anne-Line. "Étude et optimisation de l’émission et de l’extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents." Grenoble, 2010. http://www.theses.fr/2010GRENY072.

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Abstract:

Les diodes électroluminescentes (LEDs) bleues ou blanches actuelles sont constituées de couches épitaxiales planaires, essentiellement à base de GaN. Sans autres opérations technologiques, la réflexion totale interne aux interfaces réduit le nombre de photons extraits à quelques pourcents du nombre de photons émis. Cette thèse s'intéresse à un concept en rupture : les LEDs à nanofils GaN ou ZnO. Plus précisément elle vise à préciser l'intérêt de ces couches pour l'augmentation du rendement d'extraction. Nous nous sommes plus particulièrement intéressés à trois types de couches (taille des fils

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4

Martin, Jérôme. "Etude par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de la croissance sélective de nano-hétéro-structures de matériaux à base de GaN." Thesis, Metz, 2009. http://www.theses.fr/2009METZ027S/document.

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Abstract:

La nano-structuration de matériaux semiconducteurs à grand gap à base de GaN fait l'objet d'un très grand intérêt de par son potentiel pour l'élaboration de composants optoélectroniques innovants émettant dans la gamme spectrale de l’ultraviolet. Le contrôle de la croissance à l'échelle nanométrique doit être ainsi démontré. L'épitaxie sélective ou SAG (Selective Area Growth) étendue au domaine nanométrique (NSAG pour NanoSAG) est un excellent choix pour l'élaboration de nanostructures de semiconducteur. Cette technique consiste en la croissance localisée du matériau sur un substrat partiellem

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5

Henneghien, Anne-Line. "Étude et optimisation de l'émission et de l'extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents." Phd thesis, Université de Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00558359.

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Abstract:

Les diodes électroluminescentes (LEDs) bleues ou blanches actuelles sont constituées de couches épitaxiales planaires, essentiellement à base de GaN. Sans autres opérations technologiques, la réflexion totale interne aux interfaces réduit le nombre de photons extraits à quelques pourcents du nombre de photons émis. Cette thèse s'intéresse à un concept en rupture : les LEDs à nanofils GaN ou ZnO. Plus précisément elle vise à préciser l'intérêt de ces couches pour l'augmentation du rendement d'extraction. Nous nous sommes plus particulièrement intéressés à trois types de couches (taille des fils

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6

Zamfirescu, Marian. "Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures à base de semi-conducteurs à grand gap." Clermont-Ferrand 2, 2003. http://www.theses.fr/2003CLF21418.

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Abstract:

Ce travail est consacré à l'étude théorique et expérimentale du couplage lumière-matière dans des structures à base de semi-conducteurs à grand gap GaN et ZnO et dans les nitrures InGaAsN à petit gap. La partie expérimentale de la thèse est dédiée à l'analyse par photoluminescence résolue en temps des processus de recombinaison radiative et non-radiative dans des puits quantiques InGaAsN à faible teneur en azote. Les résultats obtenus montrent que la dynamique de recombinaison est dominée par les processus non-radiatifs dus à la matrice hôte ( InGaAs) de la structure plutôt qu'à l'insertion d'

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7

Regnat, Guillaume. "Onduleur à forte intégration utilisant des semi-conducteurs à grand gap." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT050/document.

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Abstract:

Les composants semi-conducteurs à base de matériaux à grand gap (SiC et GaN) présentent des caractéristiques intéressantes pour la réalisation de convertisseurs d’électronique de puissance toujours plus intégrés. Cependant, le packaging des composants traditionnels en silicium ne semble plus adapté pour ces nouveaux composants et apparaît même comme un facteur limitant. Le développement d’un packaging adapté aux caractéristiques des composants à grand gap est alors nécessaire. Les travaux développés dans cette thèse proposent un nouveau packaging tridimensionnel basé sur un procédé de fabricat

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8

Cloitre, Thierry. "Elaboration par MOVPE des matériaux semiconducteurs II-VI grand gap ZnSe et ZnTe : application à la croissance des superréseaux ZnSe/ZnTe." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20072.

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Abstract:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale par movpe des semiconducteurs ii-vi a grand gap, znse, znte, ainsi que des structures de type super-reseaux znse-znte. L'utilisation d'un nouveau precurseur du zinc a permis d'ameliorer considerablement la qualite des materiaux deposes (homogeneite et purete). La determination des conditions de croissance optimales de znse et znte, epitaxie grace a ce nouveau precurseur, a permis d'aboutir a la realisation effective de super-reseaux znse-znte pour movpe. Une premiere modelisation de la structure de bande de ces structures a ete realisee par la

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9

Tempier, Nathalie. "Croissance par MOVPE et caractérisation des super-réseaux II-VI grand gap ZnSe-ZnTe." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20161.

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Abstract:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale et a l'etude des super-reseaux a grand gap znse-znte. Les applications potentielles de ce systeme concernent l'opto-electronique (emission dans la gamme bleue du spectre visible). La technique de croissance utilisee est l'epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques (movpe). La technologie de l'equipement a ete optimisee en vue d'obtenir des interfaces abruptes et les conditions de croissance optimales ont ete determinees. Les echantillons ont ete caracterises d'un point de vue structural (diffraction x, etocaps, microscopie. . . ) et

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10

Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Abstract:

Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport él

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11

Lebga, Noudjoud. "Propriétés structurales, élastiques et optiques de semiconducteurs à grand gap : Les composés B-V, les alliages ZnxCd1-xSe et ZnSe1-xTex, le β-SiC". Paris 13, 2011. http://www.theses.fr/2011PA132027.

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Abstract:

Le travail de thèse a fait l’objet d’une étude expérimentale et théorique sur les propriétés structurales et physiques des semiconducteurs à grand gap de structure cubique. Ce travail porte sur une étude uniquement numérique sur les composés au bore B-V, les alliages ZnxCd1-xSe et ZnSe1-xTex qui utilise dans ce deuxième cas la méthode VCA (virtual crystal approximation) avec le code ABINIT. Dans le cas du β-SiC, nous avons fait une étude comparative entre les résultats numériques obtenus par calculs ab-initio avec ABINIT ou Wien2k, par la méthode DFT avec les approximations LDA ou GGA pour les

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12

Lagarde, Delphine. "Dynamique de spin dans des structures semiconductrices à base de ZnO et de GaN." Toulouse, INSA, 2008. http://eprint.insa-toulouse.fr/archive/00000229/.

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Abstract:

Ce travail de thèse est une contribution à l'étude de la dynamique de spin des porteurs dans les structures semiconductrices de grande énergie de bande interdite à base de GaN et de ZnO. Nous avons mis en œuvre la technique de pompage optique orienté résolu en temps dans le domaine de l'ultra-violet pour mesurer les temps de relaxation de spin dans ces structures. Les propriétés de spin du trou et de l'exciton ont été analysées dans des couches épitaxiées de ZnO à partir des propriétés de polarisation de la photoluminescence issue des complexes d'excitons piégés sur des donneurs neutres. Nous

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Amor, Sarrah. "Étude des défauts dans les alliages de semi-conducteurs à grand gap B(AlGa)N et de leur rôle dans les propriétés de transport : application aux photo-détecteurs U." Thesis, Université de Lorraine, 2017. http://www.theses.fr/2017LORR0286/document.

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Abstract:

Le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages ternaires et quaternaires suscitent de plus en plus d’intérêt dans les communautés scientifiques et industrielles pour leur potentiel d’utilisation dans des dispositifs électroniques haute fréquence, dans les transistors à forte mobilité électroniques, dans la photo-détection UV et les cellules solaires de nouvelles générations. L’aboutissement de ces nouveaux composants reste entravé à l’heure actuelle, entre autre, par la non maîtrise des techniques d’établissement de contacts électriques. C’est dans ce cadre général que s’inscrivent les travaux de

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Lancry, Ophélie. "Étude par microspectrométrie Raman de matériaux et de composants microélectroniques à base de semi-conducteurs III-V grand gap." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10128/document.

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Abstract:

Les semi-conducteurs à base de composés III-V de type GaN présentent de nombreux avantages – liés essentiellement à leur grande bande interdite - par rapport aux semi-conducteurs traditionnels Si, ou III-V des filières GaAs. De plus, il est possible de former, comme pour les semi-conducteurs traditionnels III-V des hétérojonctions de type HEMT (High Electron Mobility Transistor) AlGaN/GaN permettant d’obtenir à la fois une forte densité de porteurs confinés à l’hétérojonction et des mobilités électroniques élevées. Ces composants sont à l’heure actuelle les candidats les plus prometteurs pour

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Martin, Aude. "Nonlinear Photonic Nanostructures based on Wide Gap Semiconductor Compounds." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS526/document.

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Abstract:

La consommation d’énergie liée aux technologies de l’information augmente trèsrapidement et dans la mesure où la société a besoin d’être toujours plus connectée tout ens’appuyant sur des solutions durables, les technologies actuelles ne suffisent plus. La photoniqueintégrée s’impose dès lors comme une alternative à l’électronique pour réaliser du traitementdu signal économe en énergie. Au cours de cette thèse, j’ai étudié des structures sub-longueurd’onde en semiconducteur, les cristaux photoniques, qui présentent des propriétés non linéairesimpressionnantes. Plus précisément, le confinement f

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16

Jouha, Wadia. "Etude et modélisation des dégradations des composants de puissance grand gap soumis à des contraintes thermiques et électriques." Thesis, Normandie, 2018. http://www.theses.fr/2018NORMR083/document.

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Abstract:

Ce travail vise à étudier la robustesse de trois générations de MOSFET SiC de puissance (Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field E_ect Transistors). Plusieurs approches sont suivies : la caractérisation électrique, la modélisation physique, les tests de vieillissement et la simulation physique. Un modèle compact basé sur une nouvelle méthode d'extraction de paramètres et sur les résultats de caractérisation électrique est présenté. Les paramètres extraits du modèle (tensionde seuil, transconductance de la région de saturation et paramètre du champ électrique transverse) sont utilisés p

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Maertens, Alban. "Etude de la réalisation d'une structure transistor (FET) pour l'observation de l'exciton du ZnO sous champ électrique." Thesis, CentraleSupélec, 2016. http://www.theses.fr/2016SUPL0009/document.

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Abstract:

Ce manuscrit porte sur la conception d’un transistor à effet de champ destiné à l’observation de la photoluminescence de l’exciton et des complexes excitoniques chargés du ZnO sous l’influence d’un champ électrique. Pour cela, des simulations ont permis de définir un cahier des charges de la structure du transistor afin de bloquer la conductivité dans le canal de ZnO et d’appliquer un champ électrique intense. La seconde partie concerne le choix du matériau de grille et de l’électrode transparente de surface pour l’observation de la photoluminescence dans le canal. L’oxyde de gallium (-Ga2O3)

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GUILLET, Thierry. "Couplage exciton-photon dans les nanostructures semiconductrices à grand gap." Habilitation à diriger des recherches, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00816107.

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Abstract:

Les interactions entre les électrons et les photons sont au cœur des recherches liées à l'information quantique, nées en particulier d'échanges croissants entre deux domaines de la physique : l'opto-électronique, qui s'intéresse aux dispositifs d'émission, de détection et de conversion de lumière à base de matériaux semiconducteurs, et l'optique quantique, historiquement centrée sur l'étude des interactions entre atome et rayonnement électromagnétique. Dans ce mémoire, nous explorons les configurations originales de couplage entre les excitations électroniques (les excitons) et les modes photo

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19

Sall, Mamour. "Irradiation par des ions de grande énergie de semiconducteurs III-N (AlN, GaN, InN) : création de défauts ponctuels et étendus." Phd thesis, Université de Caen, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00936879.

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Abstract:

Les matériaux semiconducteurs III N (AlN, GaN, InN) présentent des propriétés intéressantes pour la micro et l'opto-électronique. Ils peuvent être soumis à différents types d'irradiation dans une large gamme d'énergie de projectile. Dans l'AlN, initialement considéré insensible aux excitations électroniques (Se), nous avons mis en évidence une synergie inédite entre Se et les chocs nucléaires (Sn) pour la création de défauts absorbants à 4.7 eV. Par ailleurs, un autre effet du Se est mis en évidence dans l'AlN : les dislocations vis subissent, sous l'effet du Se, une montée aux fortes fluences

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Angelo, Marie d'. "Interaction de l'hydrogène, de l'argent et du sodium avec des surfaces de β-SiC(001) : organisation atomique, nanostructures et métallisation". Paris 11, 2003. http://www.theses.fr/2003PA112142.

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Abstract:

Nous étudions les surfaces β-SiC(001) propres et couvertes d'hydrogène, d'argent et de sodium par microscopie tunnel (STM), spectroscopie de photo électrons utilisant le rayonnement synchrotron et la diffraction de rayons X en incidence rasante. Nous déterminons la structure atomique de la surface riche en silicium β-SiC(001) 3x2 et proposons un modèle, ALSD (Alternately Long and Short Dimers) qui met en évidence l'importance des contraintes sur l'organisation des surfaces du SiC. Nous confirmons en photoémission de bande de valence utilisant le rayonnement synchrotron et par spectroscopie tun

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Pierret, A. "Propriétés structurales et optiques de nanostructures III-N semiconductrices à grand gap : nanofils d'AlxGa1-xN synthétisés par épitaxie par jets moléculaires et nanostructures de nitrure de bore." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01020119.

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Abstract:

Ce travail de thèse s'intéresse aux propriétés structurales et optiques de semiconducteurs à grand gap de nitrure d'éléments III (AlxGa1-xN et h-BN), émettant dans l'ultraviolet (4-6 eV). Les propriétés des nano-objets étant modifiées par la réduction de dimensionnalité, un point central de ce travail a consisté à étudier des nanostructures de ces matériaux (nanofils d'AlN et d'AlxGa1-xN, nanotubes et nanofeuillets de BN). Un soin particulier a aussi été apporté à la corrélation à l'échelle nanométrique, entre la structure et la luminescence. Dans un premier temps, les nanofils d'AlxGa1-xN ont

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Bui, Thi Thanh Huyen. "Terminaisons verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEI061/document.

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Abstract:

Le développement de l’énergie renouvelable loin des zones urbaines demande le transport d'une grande quantité d’énergie sur de longues distances. Le transport d’électricité en courant continu haute tension (HVDC) présente beaucoup d’avantages par rapport à celui en courant alternatif. Dans ce contexte il est nécessaire de développer des convertisseurs de puissance constitués par des composants électroniques très haute tension, 10 à 30 kV. Si les composants en silicium ne peuvent pas atteindre ces objectifs, le carbure de silicium (SiC) se positionne comme un matériau semiconducteur alternatif

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Douvry, Yannick. "Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement pour la puissance hyperfréquence : conception et fabrication, caractérisation et fiabilité." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10131/document.

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Abstract:

Cette thèse expose les travaux effectués au sein du laboratoire central de l’IEMN. La finalité de ce travail est de participer a l’optimisation des transistors HEMTs de la filière AlGaN/GaN sur substrat Si(111), au niveau de leur fabrication et de leurs propriétés électroniques, qui seront a terme intégrés dans des dispositifs de puissance hyperfréquence. Ce manuscrit expose dans un premier chapitre les principales propriétés physiques, électriques et mécaniques des matériaux choisis, ainsi que le principe de fonctionnement du HEMT. Ensuite, toutes les étapes technologiques permettant la conce

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Gleize, Jérôme. "Dynamique de réseau de nanostructures à base de nitrures d'éléments III à grande bande interdite : effets de l'anisotropie de la structure wurtzite." Toulouse 3, 2001. http://www.theses.fr/2001TOU30100.

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Abstract:

Les nitrures d'éléments III (GaN, AIN, InN et leurs alliages) sont à la base de dispositifs optolélectriques fonctionnant dans une gamme d'énergies s'étendant du visible au proche ultra-violet. Ces composés ioniques cristalisent dans la structure wurtzite, qui leur confère une anisotropie structurelle, ainsi que des propriétés de piézoélectricité. Ce dernier point revêt une importance particulière dans les nanostructures contraintes (puits quantiques et super-réseaux, boîtes quantiques) à base de nitrures, qui sont le siège de champs électriques intenses. L'influence de ces champs sur l'état d

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Civrac, De Fabian Gabriel. "Vers la réalisation de composants haute tension, forte puissance sur diamant CVD. Développement des technologies associées." Phd thesis, Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00459854.

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Abstract:

L'évolution des composants d'électronique de puissance se heurte aujourd'hui aux limites physiques du silicium. L'utilisation des semi-conducteurs à large bande interdite permettraient de dépasser ces limites. Parmi ces nouveaux matériaux, le diamant possède les propriétés les plus intéressantes pour l'électronique de puissance : champ de rupture et conductivité thermique les plus élevés parmi les solides, grandes mobilités des porteurs électriques, possibilité de fonctionnement à haute température& Les substrats de diamant synthétisés actuellement par des méthodes de dépôt en phase vapeur ont

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Robutel, Rémi. "Etude des composants passifs pour l'électronique de puissance à "haute température" : application au filtre CEM d'entrée." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665819.

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Abstract:

Les travaux présentés dans ce manuscrit sont dédiés à l'étude des composants passifs pour l'électronique de puissance à haute température. Des condensateurs et des matériaux magnétiques sont sélectionnés et caractérisés jusqu'à environ 250°C. Les caractéristiques électriques et électromagnétiques montrent, pour certains de ces composants et matériaux, des dépendances significatives en fonction de la température, mais également des non-linéarités et des phénomènes d'hystérésis. Les caractérisations sont ensuite exploitées pour la conception d'un filtre CEM d'entrée d'un onduleur de tension de 2

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Bodiou, Loic. "Etude des mécanismes d'excitation et d'émission de couches minces de GaN dopées Eu3+, Er3+ et Tm3+ pour nouveaux dispositifs électroluminescents." Phd thesis, Université de Caen, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00324656.

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Abstract:

Cette thèse porte sur les mécanismes d'excitation et d'émission des couches minces de nitrure de gallium dopées par des ions de terre rare (Eu3+, Er3+ et Tm3+) suite à une excitation optique (photoluminescence) ou électrique (électroluminescence) du matériau semi-conducteur.<br /> A l'intérieur du GaN, deux catégories de site d'incorporation d'ions de terre rare peuvent être distinguées, à savoir les ions de terre rare "isolés" (c'est-à-dire ne contenant aucun défaut dans leur voisinage) et les complexes associant un ion de terre rare avec un piège, celui-ci pouvant provenir du dopage lui-même

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Huang, Runhua. "Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00708553.

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Abstract:

Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d'utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être les semi-conducteurs à grand gap tels que le SiC-4H. Grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde, les performances s'améliorent d'année en année. Le laboratoire AMPERE conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en SiC-4 H. Cette thèse s'inscrit dans les projets SiCHT2 et VHVD du laboratoire. Le travail réalisé au cou

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Omnès, Franck. "Couches minces de nitrures d'éléments III et de diamant : de la croissance par CVD des semiconducteurs de grand gap aux applications." Habilitation à diriger des recherches, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00547387.

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Abstract:

Ce mémoire décrit les recherches récentes que j'ai effectuées de 1998 à ce jour. De 1998 à 2004, mes efforts principaux ont eu pour objet au CRHEA le développement de la croissance par épitaxie en phase vapeur par décomposition d'organométalliques (EPVOM) des matériaux GaN et AlGaN sur saphir avec des perspectives d'application aux photodétecteurs ultraviolets et aux transistors à effet de champ, dans un cadre de recherche coopérative intense qui a été soutenue en permanence par des ressources propres apportées sur une base de contrats européens et nationaux. Le mémoire, qui ne prétend pas êtr

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