Relevant bibliographies by topics / Semiconducteurs métal-oxyde

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Academic literature on the topic 'Semiconducteurs métal-oxyde'

Author: Grafiati
Published: 21 December 2024
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Semiconducteurs métal-oxyde"

1

Tranduc, H., P. Rossel, M. Gharbi, J. L. Sanchez, and G. Charitat. "Le transistor-thyristor métal-oxyde-semiconducteur (T2 MOS)." Revue de Physique Appliquée 20, no. 8 (1985): 575–81. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01985002008057500.

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Dissertations / Theses on the topic "Semiconducteurs métal-oxyde"

1

Bouchikhi, Benachir. "Propriétés physiques des structures métal/isolant/semiconducteur réalisées sur INP(N) à l'aide d'un oxyde natif plasma." Nancy 1, 1988. http://www.theses.fr/1988NAN10085.

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Abstract:
On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS
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2

Khomarloo, Niloufar. "Development of nanofiber-based gas sensors for the detection of respiratory diseases." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2024. http://www.theses.fr/2024ULILN024.

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Abstract:
Les capteurs de gaz sont conçus pour détecter la présence ou la concentration de divers gaz dans l'atmosphère. L'oxyde de zinc est un semi-conducteur d'oxyde métallique largement utilisé pour les capteurs de gaz, en particulier pour la détection des oxydes d'azote (NO et NO2) dans l'air. Ces défis incluent la nécessité de températures de fonctionnement élevées. Les MOGs montrent souvent une faible sélectivité pour le NO et le NO2 en raison de leur sensibilité aux interférences d'autres gaz présents dans l'environnement. De plus, ils peuvent présenter une faible sensibilité lors de la détection
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3

Fouquat, Louise. "Etude par photoémission d’interfaces métal / oxyde et métal / semiconducteur élaborées par épitaxie par jets moléculaires." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEC045/document.

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Abstract:
La recherche d’une miniaturisation toujours plus poussée des dispositifs en micro- et opto- électronique a participé au développement des nanotechnologies. A l’échelle nanométrique, la densité des interfaces augmente énormément leur conférant un rôle crucial dans les performances des dispositifs. Dans cette thèse, l’intérêt a été porté sur les interactions aux interfaces entre matériaux hétérogènes lors des premiers stades de leur croissance par épitaxie par jets moléculaires. Chaque chapitre est dédié à l’étude d’une interface spécifique dans le cadre des recherches menées par l’équipe Hétéro
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BERNARDINI, Sandrine. "Modélisation des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux dispositifs mémoires." Phd thesis, Université de Provence - Aix-Marseille I, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007764.

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Abstract:
Nos travaux concernent la modélisation des structures MOS affectées par des défauts qui détériorent leurs propriétés électriques et par conséquent celles des dispositifs mémoires. Nous avons attaché une grande importance à la compréhension des phénomènes liés à la miniaturisation de la capacité et du transistor MOS qui sont les composants électroniques élémentaires des mémoires. Nos modèles basés sur de nombreuses études réalisées sur ces sujets, représentent de nouveaux outils d'analyses pour créer les modèles de base décrivant le fonctionnement plus complexe des dispositifs mémoires. Après u
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5

Bernardini, Sandrine. "Modélisation des structures métal-oxyde-semiconducteur (MOS) : applications aux dispositifs mémoires." Aix-Marseille 1, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007764.

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6

Prodhomme, Pierre-Yves. "Etude ab initio des alignements de bandes dans les empilements Métal-Oxyde-Semiconducteur." Phd thesis, INSA de Rennes, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00639024.

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Abstract:
L'échec des modèles pour prévoir l'alignement de bandes dans un empilement MOS (métal-oxyde-semiconducteur) rend utile et intéressant une étude à l'échelle atomique. Nous exposons deux théories ab initio: d'abord la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), dont dépendent les codes Abinit et Siesta utilisés pour étudier la nature quantique des matériaux ; puis la théorie de l'approximation GW qui corrige les niveaux d'énergies électroniques mal évalués avec l'approximation utilisée en DFT. Ces deux théories sont appliquées à chaque matériau composant l'empilement. Puis nous étudions la
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7

Taurines, Philippe. "Faisabilité de structures métal-oxyde-semiconducteur sur films minces de Si-LPCVD par procédé technologique à basse température (600o C)." Toulouse, INSA, 1991. http://www.theses.fr/1991ISAT0031.

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Abstract:
La faisabilite des structures mos sur films minces de polysilicium, obtenus a partir de depots chimiques en phase vapeur a basse pression, est analysee du point de vue de la qualite electrique des oxydes thermiques realises a 600c et de l'effet des conditions de depot des films sur leur cinetique d'oxydation et leur structure cristalline. Dans une premiere etape, l'etude met en relief les avantages indeniables offerts par l'emploi du disilane, au lieu du silane, comme gaz de depot, a savoir: temperature de depot plus basse, vitesse de depot plus elevee et enfin taille de grains plus grande lor
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8

Zhao, Fenghuan. "Synthèse d'hétérostructures métal-semiconducteur par photodéposition laser." Thesis, Bordeaux, 2022. http://www.theses.fr/2022BORD0229.

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Abstract:
Un montage utilisant des cuvettes et des lasers UV et bleu comme sources de lumière a été construit pour effectuer la photodéposition de nanodots métalliques (NDs) sur des nanoparticules (NPs) de TiO2 et des nano-hétérostructures de type Janus de Cu2-xS-CuInS2 en solution aqueuse et organique respectivement. Trois types de NDs métalliques différents, à savoir Au, Ag, Pd, sont introduits en surface des NPs de TiO2, et des NDs d'Au sont déposés sur Cu2-xS-CuInS2. Plusieurs techniques, dont le TEM/HRTEM, la cartographie EDS et la spectroscopie UV-vis, sont utilisées pour caractériser la taille, l
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9

Sire, Cédric. "Propriétés électriques à l'échelle nanométrique des diélectriques dans les structures MIM et MOS." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00442919.

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Abstract:
Cette étude s'inscrit dans le cadre de la caractérisation électrique par sonde locale de dispositifs Métal-Oxyde-Semiconducteur et Métal-Isolant-Métal. L'enjeu est de comparer les caractéristiques de conduction et de rigidité diélectrique aux échelles nanométrique et macroscopique, dans le but d'évaluer ces caractéristiques sans la réalisation coûteuses de structures intégrées. Un microscope à force atomique en mode de conduction (C-AFM) fonctionnant sous ultravide a été utilisé, et un protocole expérimental couplant des mesures électriques standards de la microélectronique industrielle et les
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10

Rachidi, Idris El-Idrissi. "Interactions orbitalaires en chimie organométallique et chimie du solide : structures de complexes déficients en électrons ML₅ d⁶ et de complexes acétyléniques : instabilités électroniques dans les bronzes mono et diphosphates de tungstène." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112152.

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Abstract:
Étude de la structure des complexes organométalliques de type ML₅ d⁶ par la méthode de Hueckel généralisée. On montre comment les coordinats L stabilisent l'une des deux structures connues, pyramide à base carrée ou bipyramide trigonale distordue. Structure de quelques complexes ML3 d^8 de type tétraédrique. Analyse de la nature des surfaces de Fermi de bronzes monophosphate de tungstène ; analyse de l'origine des transitions semiconducteur-métal et métal-semiconducteur dans CsP8W8O44 et de l'origine structurale de la conductivité de type 3d de P8W12O52 par des calculs de structures de bandes.
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