Academic literature on the topic 'Semiconductores'
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Journal articles on the topic "Semiconductores"
1
Garcias-Morales, Cesar, Susana Lucia Estrada Flores, Ricardo Sebastián Mirón Velázquez, Catalina M. Pérez Berumen, and Fabiola Noemí De la Cruz Duran. "Una introducción a la Electrónica Orgánica." Educación Química 33, no. 2 (April 18, 2022): 3. http://dx.doi.org/10.22201/fq.18708404e.2022.2.79879.
Full textAbstract:
<p>En este documento se da a conocer la importancia de los semiconductores orgánicos en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, se abordan algunos conceptos fundamentales acerca de la estructura molecular los cuales deben ser considerados en el diseño de la molécula semiconductora. Se resaltan, ventajas y desventajas de los semiconductores orgánicos frente a los semiconductores inorgánicos. Para comprender la relación estructura-propiedades de este tipo de moléculas se presentan los conceptos básicos acerca de la electrónica orgánica, la importancia de la ingeniería del band gap (Eg); así como el funcionamiento, características fisicoquímicas, propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de celdas solares orgánicas (OPVs y DSSC), Diodos Orgánicos Emisores de Luz (OLEDs) y Transistores Orgánicos de Efecto de Campo (OFETs).</p>
2
Ramírez Ortega, David, Diana Clemencia Guerrero Araque, Próspero Acevedo Peña, and Rodolfo Zanella-Specia. "Producción fotocatalítica de hidrógeno empleando semiconductores modificados con nanopartículas metálicas." Mundo Nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología 17, no. 33 (April 12, 2024): 1e—27e. http://dx.doi.org/10.22201/ceiich.24485691e.2024.33.69825.
Full textAbstract:
Este trabajo de revisión se centra en la producción fotocatalítica de hidrógeno empleando agentes de sacrificio y semiconductores modificados con nanopartículas metálicas. Mientras que el uso de agentes de sacrificio reduce la energía requerida para la producción de hidrógeno y elimina los huecos fotogenerados, la modificación superficial de los semiconductores con nanopartículas metálicas cambia el flujo de los portadores de carga fotoinducidos, disminuyendo la recombinación de los pares electrón-hueco y aumentando la cantidad de sitios activos catalíticos para la reducción. Además, se describe el impacto de las técnicas electroquímicas y fotoelectroquímicas en la caracterización de los fotocatalizadores, la interfase semiconductor/electrolito y la modificación que tiene el nivel de Fermi cuando se ponen en contacto estos componentes. Dichas determinaciones electroquímicas brindan información sobre el diagrama de bandas (posiciones de banda de valencia y/o de conducción), estados energéticos del semiconductor, interacción del fotocatalizador con los co-catalizadores, separación de las especies electrón-hueco, aprovechamiento de la iluminación y resistencia a la transferencia de carga. La relación de la actividad fotocatalítica de los semiconductores y su caracterización electroquímica permite comprender los procesos de transferencia de carga involucrados en dicha reacción.
3
Sandoval-Plata, Emilio Iván, Ricardo Ballinas-Indili, Cecilio Álvarez-Toledano, and María Elena Sánchez-Vergara. "Dopaje de semiconductor orgánico basado en ftalocianina de silicio." Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI 11, Especial4 (November 30, 2023): 55–61. http://dx.doi.org/10.29057/icbi.v11iespecial4.11368.
Full textAbstract:
Tradicionalmente, los compuestos orgánicos han sido considerados aislantes eléctricos. Sin embargo, el estudio de los semiconductores orgánicos ha llevado al desarrollo de alternativas al silicio semiconductor, basadas en moléculas π-conjugadas tales como las ftalocianinas. En el presente estudio, se llevó a cabo un dopaje químico sobre el dicloruro de ftalocianina de silicio (SiPcCl2), con un ácido dieninoico con sustituyente bromuro, Br-1 (BrDAc). El semiconductor orgánico dopado fue sublimado al alto vacío y depositado sobre diferentes sustratos, para llevar a cabo una caracterización estructural, óptica, y eléctrica como película delgada. Para la caracterización estructural se realizó espectroscopía infrarroja, y se evaluaron parámetros ópticos como la transmitancia y absorbancia, obtenidos mediante espectroscopía ultravioleta-visible. A partir de estos resultados se determinaron por medio del modelo de Tauc, las brechas energéticas. Finalmente, se fabricaron dispositivos eléctricos simples: ITO/SiPcCl2-BrDAc/Ag que fueron caracterizados eléctricamente, para determinar el comportamiento cuando la película semiconductora SiPcCl2-BrDAc forma parte de un dispositivo simple.
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Vargas-Perea, Heiner Alexander, Robinson Rocha-Gonzalez, Mónica Andrea Botero-Londoño, Alexander Sepúlveda-Sepúlveda, and Clara Lilia Calderón Triana. "Herramienta de software para determinar constantes ópticas en celdas solares tipo película delgada." DYNA 85, no. 206 (July 1, 2018): 321–28. http://dx.doi.org/10.15446/dyna.v85n206.70003.
Full textAbstract:
En este trabajo se desarrolló una herramienta de software que permite determinar las propiedades ópticas de materiales semiconductores, esta herramienta es de utilidad para investigadores que trabajan en la caracterización de películas delgadas semiconductoras. El software calcula las constantes ópticas: índice de refracción (n), coeficiente de absorción (α) y brecha de energía prohibida (Gap), además del espesor aproximado de la película; con el programa desarrollado se calcularon las constantes ópticas de películas delgadas de ZnS, SnS:Bi y SnS2:Bi, que son usadas como capas buffer y absorbentes en celdas solares, en este trabajo se presentan los resultados obtenidos con una película de SnS2:Bi. El software fue creado en el lenguaje de programación Python dentro de una interfaz sencilla inglés-español y para desarrollarlo se tuvo en cuenta el método propuesto por Swanepoel, el cual toma como base el espectro de transmitancia experimental del material semiconductor.
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Garrido Lastra, María Isabel, and Stefanía Tapia Marchina. "Escenarios educativos y laborales para la relocalización de la industria de semiconductores en México. Un análisis regional desde la perspectiva de género." Revista de Economía, Facultad de Economía, Universidad Autónoma de Yucatán 41, no. 102 (March 19, 2024): 6–30. http://dx.doi.org/10.33937/reveco.2024.385.
Full textAbstract:
Este artículo examina desde la perspectiva de género y el desarrollo regional los posibles impactos en el mercado laboral de la industria de semiconductores en México inducidos por la política de relocalización de la misma, dada la crisis global de suministro de semiconductores. Considera las actuales brechas educativas y laborales entre mujeres y hombres, así como las disparidades regionales entre la demanda de trabajo especializado en la industria manufacturera y la oferta educativa. Para ello, se contrastan las tendencias actuales en el personal empleado en los sectores económicos orientados a los semiconductores con la matrícula y titulación en campos de formación especializados entre mujeres y hombres, así como entre las regiones del país. Se observa que, aunque la política busca mejorar la industria de semiconductores, crear empleos y promover el crecimiento económico, tiene el potencial de reforzar las disparidades de género y entre regiones. Por lo tanto, se enfatiza la necesidad de considerar estas desigualdades en el diseño y evaluación de la política industrial de México.
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Gard, Faramarz Sahra. "Desarrollo de Hardware y Software de un Sistema de Espectroscopia de Reflectancia Difusa (DRS) para Medir la Temperatura del Sustrato Semiconductor in-situ." Revista Tecnología y Ciencia, no. 41 (August 3, 2021): 118–34. http://dx.doi.org/10.33414/rtyc.41.118-134.2021.
Full textAbstract:
Se desarrolla un sistema de espectroscopia de reflectancia difusa (DRS) para medir la temperatura de materiales semiconductores en vacío ultra alto cámara. DRS es un método óptico para monitorear la temperatura de materiales semiconductores con la temperatura dependiente band gap. El sistema está calibrado y probado para sustratos de n-GaAs y GaAs. En la comunicación actual, se informa sobre el desarrollo de hardware, software y la calibración del sistema.
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Pérez París, Arturo. "Breve presentación de los semiconductores." Vivat Academia, no. 38 (September 15, 2002): 1. http://dx.doi.org/10.15178/va.2002.38.1-42.
Full text
8
García Carmona, Antonio. "Construcción de significados de física de semiconductores en educación secundaria: fundamentos y resultados de una investigación." Revista Brasileira de Ensino de Física 28, no. 4 (2006): 507–19. http://dx.doi.org/10.1590/s1806-11172006000400013.
Full textAbstract:
En este trabajo, exponemos la necesidad de emprender investigaciones didácticas orientadas a integrar las nociones básicas de física de semiconductores en el currículo de ciencias de Educación Secundaria. Ello tiene como objetivo servir de complemento y apoyo al estudio de la electrónica en el área de tecnología. En este sentido, presentamos los resultados de un estudio sobre las concepciones y dificultades de aprendizaje de alumnos de 3º de ESO (14-15 años), acerca del comportamiento de los semiconductores.
9
Yaringaño, Roxani, and Rodolfo Sonco. "Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V." Revista de Investigación de Física 24, no. 3 (December 7, 2021): 31–38. http://dx.doi.org/10.15381/rif.v24i3.21418.
Full textAbstract:
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semiconductor sin dopar, es necesario la caracterización de los efectos que producen las impurezas eléctricamente activas en las muestras dopadas. En este trabajo se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor binario antimoniuro de galio dopado con vanadio (GaSb:V) por medio de un Microscopio de Fuerza Atómica. El barrido de su superficie se realizó en el modo tapping para obtener imágenes de la topografía y de los perfiles topográficos de la muestra, mientras las propiedades electrónicas se determinaron a través de las curvas I vs V conseguidas mediante el modo contacto.
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Mercado, Alejandro Mercado, Manuel Martínez Facio, Fernando Favila Flores, and Ana García Moya. "Historia Y Evolución De La Industria De Semiconductores Y La Integración De México En El Sector." European Scientific Journal, ESJ 12, no. 18 (June 29, 2016): 65. http://dx.doi.org/10.19044/esj.2016.v12n18p65.
Full textAbstract:
Semiconductors and their applications, represent one of the technological revolutions with greatest impact on society, generating Industrial changes, new companies, jobs, professional careers and development of new products that have given a twist in the way of life of people around the world. This has produced an industrial war between developed countries, which dispute the first place in terms of production, import and export of semiconductors. The semiconductors industry has given way to agreements and alliances between countries; allowing México to participate on the import, export and the formation of research and development in the industry. The present research, have as an objective to review theoretically the historical evolution of the semiconductor industry and the incorporation of México in the sector.
Dissertations / Theses on the topic "Semiconductores"
1
Cornet, i. Calveras Albert. "Estudio por medio de espectroscopia picosegundo de los compuestos II-VI sometidos a fuerte excitación óptica." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 1987. http://hdl.handle.net/10803/665808.
Full textAbstract:
En la pasada década, se han observado nuevas bandas de luminescencia en los semiconductores cuando son excitados fuertemente por medio de láseres (fotoexcitacion). La interpretación del origen de estas bandas era variado y ha sido objeto de controversias y discusiones entre los diferentes autores. Finalmente, por medio de experiencias complementarias (efecto Raman, scattering con luz I.R., espectroscopia de excitación, fotoconducción)) se ha probado que en CuCl tiene lugar la formación de moleculas biexcitónicas y que en Ge y en Si, las altas excitaciones producen un plasma electrón-hueco.
Sin embargo, en los compuestos II-VI, la interpretación es más difícil, y si bien en alguno de ellos (ZnO) ha quedado bien establecida la existencia de procesos de colisión inelásticos, en general, hay controversias acerca de la interpretación de las llamadas bandas M y P.
Generalmente, una de las características comunes de todos los experimentos citados es el uso de láseres nanosegundo para el estudio, por medio de la espectroscopia integrada en el tiempo (técnicas de luminescencia o de ganancia-absorción), de las propiedades de dichos materiales sometidos a excitaciones fuertes. Estas condiciones experimentales dan lugar a ciertas dificultades, que se resuelven con el empleo de técnicas picosegundo, ya que en efecto, el uso de un láser psicosegundo de alta potencia (láser YAG), permite la excitación homogénea de la muestra en la dirección de la excitación, por medio de la absorción a dos fotones. Además, dado que la duración de la impulsión es menor oue el tiempo de vida de las diferentes excitaciones elementales (excitón, biexcitón, plasma electron-hueco...) podemos obtener una dinámica de la relajación de portadores que tiene lugar al final de la impulsión excitadora y, con ello, clarificar algunas de las contradicciones citadas anteriormente.
En el dominio de las fuertes excitaciones picosegundo, los experimentadores pueden escoger entre una excitación “caliente” pero relativamente homogénea (excitación a dos fotones) y una excitación “fría” (con un fotón de energía) pero inhomogénea. El primer método nos conduce a .la utilización de láseres de potencia y el segundo, al empleo de láseres de longitud de onda reglable. Nosotros hemos empleado el método de la excitacion caliente. Este método exige tener en cuenta los problemas de termalización del sistema electrón-hueco excitado. Dado que esta cuestión es esencial en este tipo de experiencias, gran parte de esta memoria ha sido consagrada al estudio de dicha termalización.
El capítulo I contiene la presentación del conjunto experimental y algunos datos de los materiales estudiados CdSe y CdS. En el capítulo II, calcularemos un modelo simple para prever la cinética de temperatura del plasma. Finalmente, el capitulo III contiene una discusiónsobre la naturaleza de las diferentes líneas de luminescencia del espectro de los semiconductores II-VI estudiados.
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Díaz, García José Gabriel. "Propiedades Optoelectrónicas de Nanocristales Semiconductores." Doctoral thesis, Universitat Jaume I, 2005. http://hdl.handle.net/10803/10556.
Full textAbstract:
Los métodos kp y tight-binding, que inicialmente fueron diseñados para predecir las propiedades del sólido extendido, han sido adaptados para describir las propiedades optoelectrónicas de nanoestructuras semiconductoras. El Hamiltoniano kp de 4 bandas para huecos y la ecuación de masa efectiva en el modelo de 1 banda para electrones se han discretizado en coordenadas cilíndricas, con el objetivo de estudiar los efectos de la aplicación de un campo magnético sobre el espectro energético de los nanocristales y las propiedades colectivas en sistemas de puntos cuánticos acoplados. Entre los resultados obtenidos cabe destacar que el acoplamiento entre nanocristales con topología de antidot provoca una importante estabilización energética de la minibanda fundamental, la cual permanece inalterada frente a la acción de un campo magnético.
El modelo tight-binding de primeros vecinos que se ha implementado utiliza una base sp3s* para describir cada átomo del nanocristal. Este modelo atomista permite la descripción detallada de la estructura óptica fina de los nanocristales. Se ha evidenciado que los espectros teóricos de absorción con luz polarizada en la dirección z permiten discriminar entre geometrías que la microscopía electrónica no es capaz de discernir.
3
Guerra, Torres Jorge Andrés. "Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering." Master's thesis, Pontificia Universidad Católica del Perú, 2010. http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/7009.
Full textAbstract:
Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, Al2O3 y vidrio. Con el fin de determinar el ancho de banda óptico versus la composición de la película, se realizaron medidas espectroscópicas de la transmisión de donde el índice de refracción y el coeficiente de absorción fueron calculados y medidas espectroscópicas de la dispersión de energía (EDS) de donde la composición fue determinada. El ancho de banda óptico es determinado para cada composición a partir del coeficiente de absorción de dos maneras distintas: según el gráfico de Tauc y utilizando el gráfico de (αhν)2. la dependencia del ancho de banda con la composición x puede ser descrita por la ley empírica de Vegard para aleaciones.Tesis
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Oré, Casio R. "El nivel Fermi en semiconductores dopados." Pontificia Universidad Católica del Perú, 2014. http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/95801.
Full text
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Samitier, i. Martí Josep. "Efectos de la implantación iónica de boro sobre el aislamiento eléctrico entre MESFET's en circuitos integrados de GaAs." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 1986. http://hdl.handle.net/10803/672605.
Full textAbstract:
Al principio de los años 60, aparecieron los primeros transistores FET en Arseniuro de Galio. En el instante en que el silicio se imponía de forma definitiva al germanio, la aparición de este nuevo material venía justificada por múltiples razones: a) El material GaAs de tipo N presenta unas propiedades de transporte muy buenas; b) Se pueden conseguir alturas de barrera Schottky elevadas, con diversidad de metales (Al,Pt,Ti,...), obteniéndose diodos con un factor de calidad excelente y un valor de la corriente en inverso baja; c) La estructura de bandas del GaAs que presenta un gap directo, favorece las transiciones ópticas entre las bandas. Este hecho, ha determinado que el GaAs sea el material base, sobre el que se ha desarrollado la Optoelectrónica; d) La posibilidad de obtener un substrato semi-aislante, es una importante ventaja para simplificar la tecnología de circuitos integrados en GaAs, al permitir utilizar el substrato para realizar el aislamiento entre dispositivos.
Las diferentes propiedades que hemos enunciado, hacen del GaAs, además de su aplicación generalizada en optoelectrónica, el candidato idóneo para aplicaciones de alta velocidad como amplificadores hiperfrecuencia (Gigahertz) y circuitos integrados lógicos de gran velocidad (Gigabits).
En esta memoria, analizaremos el aislamiento entre dispositivos MESFET obtenido mediante la implantación iónica de boro en comparación con otros métodos de aislamiento. La evaluación de los resultados obtenidos, se realizará en función de la corriente de fugas existente entre dispositivos - capítulo III- y el mayor o menor grado de backgating que presenten los mismos-capítulo IV-.
No es posible lograr una comprensión de los efectos tecnológicos de un proceso como la implantación iónica, sin estudiar en primer lugar aspectos propios de la física de semiconductores como es los defectos producidos por la irradiación, en particular los eléctricamente activos. Así, en el capítulo I, se estudia las características de los defectos producidos por la implantación iónica de boro, mediante espectroscopía de emisión térmica (DLTS). Este análisis no sería completo sin el estudio de los parámetros ópticos asociados a los mismos. Por ello, en el capítulo II, se analizan los espectros de fotocapacidad, mediante la aplicación de una nueva técnica (Optical Isothermal Transient Spectroscopy), cuyos resultados nos han permitido confirmar la existencia de interacción entre los defectos producidos.
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Reig, Canyelles Marta. "Carbazole-Based Materials for Organic Thin-Film Transistors and Organic Light-Emitting Diodes." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2017. http://hdl.handle.net/10803/404560.
Full textAbstract:
This thesis deals with the preparation and characterization of novel organic semiconductors based on the carbazole heterocycle for electronic and optoelectronic applications, specifically to be studied as active layers in OTFTs and as emitting layers in OLEDs. Carbazole-based materials are recognised for their high thermal stability, high emission efficiencies and excellent hole-transporting properties associated to its electron-donating ability, which make of them promising candidates for OTFTs and OLEDs applications.
OLEDs have been studied extensively due to their promising applications in flat panel displays and solid-state lighting. However, further improvement of power efficiency and colour purity are still required to produce more efficient industrial devices. Thus, the first part of this thesis deals with the preparation of a series of carbazole-based blue emitters for their application as emitting layers in blue and in particular in deep-blue OLEDs. The extension of the π-conjugated carbazole system by preparing bicarbazole and tricarbazole derivatives afforded materials with the sought deep-blue emission properties in the solid state, which were modulated by the insertion of the ethynylene linker. OLED devices exhibited very low turn-on voltages and a maximum luminance as high as 1.4 x 104 cd m–2.
The second part of this thesis is focused on the development of new organic semiconductors with effective charge transport properties. In order to obtain new n-type or ambipolar materials, the hole-transporting behaviour of the electron-donating carbazole moiety was modified by the introduction of electron-withdrawing groups on its structure. As a first approach, the coupling of the carbazole heterocycle with the electron acceptor tris(2,4,6-trichlorophenyl)methyl radical (TTM) yielded ambipolar materials, whose charge-transporting properties were found to be dependent on the substitution patterns of the carbazole core. As a second approach, the introduction of the strong electron-withdrawing tricyanovinyl group on the carbazole core afforded a push-pull system with high electron affinity, resulting in materials with n-type or ambipolar behaviour as determined by TOF and OTFT measurements.
The last part of this thesis is focused on the preparation of a series of p-type carbazole related derivatives, in which the extension of the π-conjugated core was progressively varied in order to study its effect on the charge-transporting properties. Indolo[3,2-b]carbazole and triindole derivatives showed enhanced OTFT device performance with hole mobilities in the range of 10–3 to 0.1 cm2 V–1 s–1. In particular, N-trimethyltriindole exhibits a face-to-face molecular packing with π–π interactions, and an optimal perpendicular molecular disposition to the substrate surface as determined by XRD, that can be related to a more favourable charge transport in the OTFT devices. The introduction of long hexyl chains in the triindole core contributes with additional C–H···π interactions to those of π–π type between the triindole cores, enhancing the degree of molecular order in the thin films as reflected in the determined hole mobility, which was found to be the highest value of all the series with a value of 0.1 cm2 V–1 s–1.
The knowledge of the molecular packing and intermolecular interactions in the organic layers has been proved to be essential to rationalize the charge-transporting properties and it is shown here to be a useful tool to be considered on the design of new organic semiconductors.El desenvolupament de nous semiconductors orgànics amb capacitat de transport de càrrega presenta un gran interès per a la seva aplicació en transistors orgànics de capa prima (OTFTs), díodes emissors de llum orgànics (OLEDs) i cel·les solars orgàniques, entre d’altres. L’objectiu d’aquesta tesi és la preparació i caracterització de nous semiconductors orgànics basats en l’heterocicle carbazole i el seu estudi com a components en OTFTs i en OLEDs. En primer terme, aquesta tesi està centrada en la preparació de nous derivats del carbazole amb propietats luminescents en la zona del blau de l’espectre electromagnètic. En concret, es pretén modular les propietats òptiques del carbazole mitjançant l’extensió de la conjugació del seu nucli aromàtic per introducció de grups donadors d’electrons en la seva estructura, així com per la introducció del triple enllaç com a espaiador entre el nucli carbazole i els grups donadors d’electrons. L’estudi dels materials preparats com a capes emissores en OLEDs ha donat lloc a dispositius amb emissió a la zona del blau que han presentat una elevada luminància de fins a 1.4 x 104 cd m–2. La segona part de la tesi està enfocada en el desenvolupament de nous semiconductors orgànics basats en l’heterocicle carbazole i l’estudi de les seves propietats de transport de càrrega. Per tal de preparar nous semiconductors orgànics de tipus n o ambipolars, es pretén modificar les propietats de transport de forats del nucli carbazole mitjançant la introducció de grups atractors d’electrons en la seva estructura. Per una altra banda, s’ha preparat una sèrie de materials basats en el carbazole en què s’ha variat progressivament l’extensió del seu sistema conjugat, per tal d’obtenir derivats amb propietats de transport de forats efectives. Les propietats de transport de càrrega dels materials preparats s’han avaluat mitjançant la tècnica “time of flight” (TOF) i la preparació i mesura de OTFTs. S’han obtingut alts valors de mobilitat de forats de fins a 0.1 cm2 V–1 s–1 a partir de OTFTs basats en derivats del triindole. Els resultats obtinguts s’han correlacionat amb l’estructura molecular, el tipus d’empaquetament molecular, i amb el grau d’ordre i disposició de les molècules a les capes dels dispositius mitjançant estudis de difracció de raigs X i càlculs teòrics.
7
Oliva, Vidal Robert. "High-pressure optical and vibrational properties of InN and InGaN." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2016. http://hdl.handle.net/10803/400490.
Full textAbstract:
This thesis is devoted to the study of the optical and vibrational properties of indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) at room and high-pressure conditions. For this purpose, we have employed spectroscopic tools such as absorption spectroscopy or Raman scattering in order to investigate a series of InN and InGaN thin films grown with different methods and on different substrates. For the high-pressure measurements, we have employed the diamond anvil cell technique.
High-pressure optical absorption experiments on InN epilayers have allowed us to observe the direct-to-indirect bandgap transition at 15 GPa, where wurtzite InN (w-InN) transits to the rocksalt polymorph (rs-InN). Investigating w-InN samples with different levels of residual electron density, we have been able to estimate the bandgap pressure coefficient of intrinsic w-InN (32 meV/GPa). In addition, we have measured the indirect bandgap of rs-InN and its pressure dependence. We have also performed FTIR reflectivity measurements to determine the pressure dependence of the refractive index of w-InN and rs-InN. By fitting the experimental results with a model for the dielectric function, we have determined the pressure coefficient of the high-frequency dielectric constant of both phases.
The pressure coefficient of the phonon frequencies of w-InN and their respective mode Grüneisen parameters have been measured by high-pressure Raman spectroscopy. After the wurtzite-to-rocksalt phase transition and the rocksalt-to-wurtzite backtransition upon decompression, the Raman features of both (amorphized) phases have been assigned in terms of first-principle lattice-dynamics calculations. Raman measurements on a heavily doped n-type sample have allowed us to detect a longitudinal-optical plasmon coupled mode, from which we have evaluated the pressure dependence of the electron effective mass of w-InN. With the aim of comparing the pressure behavior of the optical modes of rs-InN with that of a material exhibiting the rocksalt structure at ambient conditions, a high-pressure Raman-scattering study on rocksalt CdO is also presented.
The optical and vibrational properties of the InGaN alloy as a function of composition have also been investigated. The composition dependence of the fundamental bandgap of InGaN has been studied with optical absorption, and high-pressure photoluminescence measurements have been carried out to determine the pressure coefficients of the optical emission. In turn, the optical and acoustic phonons of InGaN have been investigated as a function of alloy composition at ambient conditions. From Raman measurements on InGaN thin films, we have found that strain importantly affects the dependence on composition of the optical modes. An analysis to correct for the strain-induced shifts as well as to assess the effect of compositional inhomogeneities on the optical phonon frequencies of InGaN is provided.
For the study of the acoustic modes of InGaN at room pressure, we have performed high-resolution Brillouin spectroscopy measurements, which have allowed us to determine the velocity of the surface acoustic waves of InGaN as a function of composition. With the aid of theoretical simulations based on the Green’s function formalism, these velocities have been used to evaluate the compositional dependence of the elastic constants of the alloy. Additional Raman-scattering measurements on InGaN/GaN superlattices have allowed us to detect the folded acoustic modes and observe the linear dispersion of the LA modes in InGaN, as predicted by elastic continuum theory.
Finally, the behavior of the optical modes of InGaN under pressure has been investigated by Raman spectroscopy on epilayers grown on GaN/Al2O3 and Si(111) substrates. This study, which
was initially aimed at determining the Grüneisen parameters of the optical phonons, has revealed that the experimental results strongly depend on the compressibility of the substrate material. We conclude that the pressure coefficients of free-standing InGaN should follow a linear dependence between those of GaN and InN.
8
Sevillano, Bendezú Miguel Ángel. "Comparison and evaluation of measured and simulated high-frequency capacitance-voltage curves of MOS structures for different interface passivation parameters." Master's thesis, Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019. http://hdl.handle.net/20.500.12404/14462.
Full textAbstract:
Semiconductor-insulator interfaces play an important role in the performance of
many different electronic and optoelectronic devices such as transistors, LEDs, lasers
and solar cells. Particularly, the recombination of photo-generated charge carriers
at interfaces in crystalline silicon solar cells causes a dramatic efficiency reduction.
Therefore, during the fabrication process, the crystalline silicon must be subjected
to prior superficial passivation; typically through an insulating layer such as SiO2,
SiNx or AlOx. The function of this passivating layer is to reduce electrical recombination
losses in interfacial defect states originating from dangling bonds. The
associated passivation parameters are, on the one hand, stable charges within the
insulating layer (Qox) that by repelling a certain type of charge carrier from the
crystalline silicon surface, reduces its recombination effectiveness (Field Effect Passivation).
On the other hand, the density of surface defect states or the interface
trap density (Dit), which is reduced by the passivation layer (Chemical Passivation).
These passivation parameters (Qox and Dit) turn out to be relevant when evaluating
the effectiveness of a new material with passivating properties, as well as relevant for
different theoretical models that allow simulations of the spectral response and/or
efficiency in solar cells under different passivation conditions. One of the techniques
widely used for studying the interfacial passivation properties of semiconductor electronic
devices is the extraction of these interfacial passivation parameters through
of capacitance-voltage (C-V) measurements on metal-oxide-semiconductor (MOS)
or metal-insulator-semiconductor (MIS) systems.
In the present work, a simulation tool for High-Frequency C-V curves based on simulated
Qox and the Dit was developed using Python. As a first step, the simulation
was developed for an ideal MOS system, i.e. for Qox = 0 and Dit = 0. A verification
of the resulting, simulated band-bending was reached through a band diagram
simulator (The Multi-Dielectric Band-Diagram program). As a second step, the program was subjected to an evaluation and validation through
experimental data. This data comprises measurements of C-V and their respective
extracted parameters for a sample of silicon dioxide thermally grown on crystalline
silicon wafer (SiO2/c-Si). Using three different models for the Dit distribution within
the band gap energy: Gaussian model, U-shape model, and a constant value, approximations
of the corresponding experimental C-V curve were obtained. It was
evident that the C-V curve simulated from the Dit based on the model with Gaussian
distributions for the defect centers and exponentials for the band tails resulted
in the best approximation of the experimental C-V curve. It should be noted that
the other two models were adjusted based on the value of the Dit near to midgap
energy, where the recombination probability and rate are the highest. In this way,
the constant model of the Dit at the midgap presented the largest deviation in the
simulated C-V curve among the used models.
An implicit fitting method of the Dit through the experimental C-V curve fitting
is proposed. For this, the U-shape model is used because it only depends on three
parameters. The average values of the fitted and the experimentally extracted Dit
are compared.
The parameter D0
it, which defines the value at midgap in the U-shape model could
be interpreted as an average estimation of the Dit energetic range values around the
midgap where recombinations are most significant. Therefore, this parameter could
determine a representative value of the Dit.
Finally, the developed program allows an in-depth analysis of the passivation parameters
from which the surface passivation is evaluated.La interfaz entre un semiconductor y un aislante juega un papel importante en el desempeño de diferentes dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como transistores, LEDs, láseres y celdas solares. Una de las técnicas ampliamente empleadas en el estudio de las propiedades interfaciales de dispositivos electrónicos semiconductores es la extracción de parámetros interfaciales por medio del modelo de un sistema Metal-óxido o aislante-semiconductor (MOS o MIS) sobre medidas de Capacitancia en función del voltaje (C-V). Uno de estos dispositivos, en el cual se encuentra una fuerte aplicabilidad debido al interés de investigación son las celdas solares de alta eficiencia basadas en silicio cristalino, las cuales, en la mayoría de los casos deben ser sometidas a una previa pasivacion superficial del material absorbente (comunmente silicio cristalino), por medio de una capa pasivadora, aislante (como el SiO2, SiNx o AlOx). La función de esta capa pasivadora es la de reducir las pérdidas eléctricas por recombinación en defectos interfaciales. Los parámetros asociados son por un lado, cargas estables dentro la capa aislante (Qox) que al repeler un cierto tipo de la superficie del silicio cristalino, reduce su efectividad de recombinación (pasivación por efecto de campo) y por lo lado, la reducción de la densidad de estados superficiales Dit del semiconductor (pasivación química). Estos parámetros de pasivación (Qox y Dit) resultan ser relevantes al momento de evaluar la efectividad de un nuevo material con propiedades pasivadoras, así como también son relevantes para los distintos modelos teóricos que permiten hacer simulaciones de la respuesta espectral y/o de la eficiencia en celdas solares bajo distintas condiciones. Es conocido que como primera aproximación la representación de una Dit por medio de un único estado resulta ser un buen punto de partida para estos modelos así como también una forma práctica de comparación de la pasivación química para distintas capas pasivadoras. En el presente trabajo se desarrolló, mediante el lenguaje Python, una herramienta de simulación de curvas C-V medidas a alta frecuencia en base a Qox y Dit simulados. Inicialmente la simulación es desarrollada para un sistema MOS ideal para diferentes conjuntos de ecuaciones, una solución exacta y otra aproximada del modelo usado, encontrándose una buena estimación de ambas curvas simuladas. En un primer instante un parámetro principal (band-bending potential) del programa, a partir del cual se construyen las curvas C-V, es validado con un simulador de diagrama de bandas (Multi-Dielectric Band-Diagram) obteniéndose un buen ajuste para el bandbending potential. Como segunda medida el programa fue sometido a una evaluación y validación por medio de datos experimentales. Estos datos comprenden medidas de C-V y sus respectivos parámetros extraídos para una muestra de óxido de silicio crecido térmicamente sobre obleas de silicio cristalino (SiO2/c-Si). Usando tres diferentes modelos, modelo gausiano, modelo U-shape y de valor constante, para simular la Dit. A partir de estos modelos se obtuvieron aproximaciones de la curva C-V experimental. Además comparando los distintos modelos se evidenció que el modelo gausiano es el más aproximado. Cabe señalar que los otros dos modelos se ajustaron en base al valor de la Dit en la mitad del ancho de banda (valor energético dónde más efectiva es la recombinación) el cual es conocido como midgap. De este modo, el modelo constante de Dit en el midgap presenta el mayor error entre los tres modelos usados. Un método de ajuste implícito de la Dit a través del ajuste de la curva C-V experimental es planteado. Para ello el model U-shape es usado debido a que solo depende de tres parámetros. Los valores promedios de la Dit ajustada y experimentalmente extraída son comparados, obteniéndose una aproximación hasta la segunda cifra significativa. Se da una supuesta interpretación de uno de los parámetros asociados a este modelo U-shape, el valor constante que define el midgap y sus alrededores, como el promedio de los valores centrales de la Dit experimental, cuya recombinación es significativa respecto al valor en el midgap. Por lo tanto este parámetro hallado podría determinar una Dit representativa a la hora de comparar diferentes curvas de Dit. Finalmente el programa desarrollado podría permitir un análisis profundo de los parámetros de pasivación a partir de los cuales la pasivación superficial es evaluada.
Tesis
9
Pretell, Valero Luis Jonathan. "Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes." Master's thesis, Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017. http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/8687.
Full textAbstract:
Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A través de estos contactos es por donde el flujo de portadores de carga entra y sale de un dispositivo a otro, al aplicarles una diferencia de potencial. Los contactos pueden ser: Schottky, aquellos que conducen carga en un sentido a baja resistencia y en el otro sentido ofrecen más alta resistencia, u óhmicos, los cuales ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente en ambos sentidos.
Es de interés obtener contactos óhmicos a partir de contactos Schottky por medio de tratamientos térmicos. Los contactos Schottky resultaron al evaporar aluminio sobre muestras de silicio de distintos dopajes, los cuales se fabricaron por Deposición Física de Vapor. Para analizar el proceso de formación de contacto óhmico en las muestras, estas se caracterizaron electrónicamente por medio de las curvas densidad de corriente vs. voltaje (J-V ), antes y después de los tratamientos térmicos, para las temperaturas de 500_C, 550_C y 600_C cada una por 10 min.
Los contactos Schottky obtenidos en las muestras de silicio tipo p, con un tratamiento térmico a 500_C, se comportaron como contacto óhmico. Para los siguientes tratamientos térmicos (550_C y 600_C), la resistencia de contacto aumenta, debido a que en la interfaz silicio-aluminio se forma una región cargada p+, la cual frenará la conducción por emisión térmica. Se observa también que, a mayor dopaje en las muestras, la resistencia de contacto es menor, ya que el transporte por tunelaje a través de la barrera comienza a dominar.
Los contactos Schottky obtenidos en las muestras de silicio tipo n, con un tratamiento térmico a 500_C, mejora la conducción en las muestras de bajo dopaje, mientras que en la de alto dopaje la resistencia aumenta. Esto debido a la capa p+ que se forma en la interfaz del silicio-aluminio y, con los siguientes tratamientos térmicos (550_C y 600_C), la región p+ crece. Las resistencias de contacto aumentan en la muestra de bajo dopaje, en las de medio dopaje desaparece la barrera Schottky, y en la muestra de alto dopaje la región de carga espacial sufre una inversión, formándose un contacto Schottky de silicio tipo p.Semiconductor electronic devices are connected to other external terminals by means of metal contacts. These form interconnections of devices within the integrated circuits. Through these contacts is where the flow of charge carriers enters and leaves from one device to another, by the potential difference that is applied. Contacts could be: Schottky, those that conduct charge in one direction and in the other offer resistance, or ohmic contact, which offer low resistance to the current ow in both directions. It is of interest to obtain ohmic contacts, from Schottky contacts through annealing. Schottky contacts were obtained by the evaporation of aluminum on different dopal silicon samples, which were made by Physical Vapor Deposition. To analyze the ohmic contact formation process in the samples, these were characterized electronically by means of the current density vs. voltage curves (J-V ), before and after annealing, at temperatures of 500_C , 550_C y 600_C for 10 minutes each Schottky contacts obtained in the p-type silicon samples, with annealing at 500_C, behaved as ohmic contact. For the following annealing temperatures (550_C y 600_C) the contact resistance increases, because a p+ region is formed at the silicon-aluminum interface, which could slow the conduction by thermal emission. It is also observed that, at higher doping concentration in the samples, the contact resistance decreases, since the tunneling transport through the barrier begins to dominate. Schottky contacts obtained in the n-type silicon samples, with annealing at 500_C, improve the conduction in the samples with low doping concentration, while in the the samples with of high doping concentration, the resistance increases. This is because a p+ layer is formed at the silicon-alumininum interface, and with the following annealing temperatures (550_C y 600_C), the p+ region continues growing. The contact resistances increase in the low doping concentration, in the medium doping concentration sample, the Schottky barrier disappears, and in the high doping concentration sample the space charge region changes to an inversion, it will now form a Schottky p-type silicon contact.
Tesis
10
Santis, Larraín Lucas. "Estimación de voltajes óptimos para polarización de cuerpo en circuitos CMOS." Tesis, Universidad de Chile, 2015. http://repositorio.uchile.cl/handle/2250/137061.
Full textAbstract:
Ingeniero Civil EléctricoLa industria de semiconductores es un mercado en crecimiento constante y altamente competitivo. Por otra parte, el diseño de circuitos integrados requiere gran cantidad de recursos: mano de obra especializada e infraestructura computacional de alta capacidad. Por esto es importante el desarrollo de herramientas que asistan al diseñador para hacer un uso eficiente de los recursos disponibles. En el presente trabajo se propone un modelo simplificado del desempeño y comportamiento de circuitos integrados de gran escala, que permita estimar parámetros de diseño óptimos de forma precoz y eficaz. En particular, se aborda el problema de la estimación del voltaje de polarización de cuerpo óptimo para diseños basados en tecnología CMOS, utilizando la métrica del producto energía-retardo como indicador del desempeño del circuito. El modelo propuesto describe el comportamiento de un circuito complejo como una suma de compuertas lógicas que lo componen. Aplicándolo es posible estimar un voltaje óptimo para un diseño de gran escala analizando solamente el comportamiento de una sola compuerta. Para esto se considera que el comportamiento de las distintas compuertas es proporcional al de un inversor lógico de la tecnología correspondiente, para lo que se postula un modelo de regresión lineal. Se utilizan herramientas de simulación especializadas para la obtención de los datos necesarios para evaluar los criterios de aceptación de las distintas hipótesis requeridas para la derivación del modelo propuesto. Se analiza también la eficacia de dicho modelo en la estimación del voltaje de polarización de cuerpo óptimo en un diseño de pruebas. Analizando los datos obtenidos, se observa que no todas las hipótesis requeridas para la derivación del modelo evalúan positivamente el respectivo criterio de aceptación. Sin embargo, el modelo propuesto consigue una reducción de un 6% en el producto energía-retardo comparando con la referencia. Se concluye que el la metodología planteada puede ser de gran utilidad para estimar y predecir el desempeño de un circuito integrado en etapas iniciales del proceso de diseño. El modelo puede ser aplicado para estimar voltajes óptimos de polarización de cuerpo, y existe la posibilidad de que sea aplicable en la estimación de otros parámetros tales como voltaje de alimentación y frecuencia de reloj. Durante la evaluación de las hipótesis planteadas se identifican aquellos aspectos de la metodología propuesta donde los resultados difieren de lo esperado, para los que se sugiere realizar un análisis más profundo que permita mejorar la precisión del modelo propuesto.
Books on the topic "Semiconductores"
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Franco, Malerba. The semiconductor business: The economics of rapid growth and decline. Madison, Wis: University of Wisconsin Press, 1985.
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López, Enrique G. León. Principios fundamentales de los dispositivos de semiconductores. Mexico: Limusa, 1996.
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J, Bauer Anton, ed. Silicon carbide and related materials 2009: Selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, Nurnberg, Germany, October 11-16, 2009. Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications, 2010.
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Velasco, Jaime González. Fotolectroquímica de semiconductores: Su aplicación a la conversión y almacenamiento de energía solar. Barcelona: Reverté, 2010.
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Vavilov, V. S., and N. A. Ukhin. Radiation Effects in Semiconductors and Semiconductor Devices. Boston, MA: Springer US, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-9069-5.
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Shah, Jagdeep. Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03299-2.
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Juha, Kostamovaara, and Vainshtein Sergey, eds. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. Singapore: World Scientific, 2005.
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9
Vavilov, V. S. Radiation Effects in Semiconductors and Semiconductor Devices. Boston, MA: Springer US, 1995.
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Shah, J. Ultrafast spectroscopy of semiconductors and semiconductor nanostructures. Berlin: Springer, 1996.
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Quay, Rüdiger. "Semiconductors and Semiconductor Devices and Circuits." In Fundamentals of RF and Microwave Techniques and Technologies, 551–745. Cham: Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-94100-0_7.
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3
Taudt, Christopher. "Introduction and Motivation." In Development and Characterization of a Dispersion-Encoded Method for Low-Coherence Interferometry, 1–3. Wiesbaden: Springer Fachmedien Wiesbaden, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-658-35926-3_1.
Full textAbstract:
AbstractThe electronics industry with all its branches such as semiconductors, organic-electronics and the photovoltaics industry, is continuously growing in terms of its economic as well as its technological influence, [1]. This trend is fostered by the ongoing integration of various electronic functionalities in fields such as energy generation & distribution, transport & mobility as well as in consumer goods. Over three decades, electronic and semiconductor products as well as processes were driven by Moores law, [2].
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Kerner, B. S., and V. V. Osipov. "Hot Spots in Semiconductors and Semiconductor Structures." In Autosolitons, 106–9. Dordrecht: Springer Netherlands, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-017-0825-8_8.
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Allgaier, R. S. "Metal-Semiconductor Transitions in Doped IV-VI Semiconductors." In Localization and Metal-Insulator Transitions, 25–37. Boston, MA: Springer US, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-2517-8_3.
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Shah, Jagdeep. "Introduction." In Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, 1–26. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03770-6_1.
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Shah, Jagdeep. "Coherent Spectroscopy of Semiconductors." In Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, 27–131. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03770-6_2.
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8
Shah, Jagdeep. "Initial Relaxation of Photoexcited Carriers." In Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, 133–60. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03770-6_3.
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Shah, Jagdeep. "Cooling of Hot Carriers." In Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, 161–92. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03770-6_4.
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Shah, Jagdeep. "Phonon Dynamics." In Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, 193–224. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03770-6_5.
Full textConference papers on the topic "Semiconductores"
1
Guerrero Guerrero, Andrés Felipe, Lucero de Fátima Delgado Torres, and Édgar Hernando Criollo Velásquez. "Aprendizaje de sistemas de conversión de energía a partir del desarrollo experimental mediante el software LTSPICE XVII." In Nuevas realidades para la educación en ingeniería: currículo, tecnología, medio ambiente y desarrollo. Asociación Colombiana de Facultades de Ingeniería - ACOFI, 2022. http://dx.doi.org/10.26507/paper.2602.
Full textAbstract:
Este artículo presenta el desarrollo de prácticas de laboratorio en un curso de Electrónica de Potencia del programa de Ingeniería Electrónica de la Universidad de Cundinamarca, apoyadas en la herramienta de simulación freeware LTspice XVII. Esta experiencia se desarrolla como una alternativa para solventar las necesidades evidentes de desarrollo experimental en el área de interés. El docente traza una ruta segura de aprendizaje y el estudiante en su proceso encontrará las respuestas a diferentes cuestionamientos planteados en situaciones problémicas de la vida real. En las sesiones de laboratorio se evaluó el desempeño de dispositivos semiconductores de potencia utilizados en topologías de conversión de energía eléctrica, en un caso típico de aplicación industrial: regulación de velocidad de motores de corriente alterna (AC) o corriente continua (DC). Los estudiantes superaron un reto adicional que consiste en el acoplamiento de etapas eléctricas y el desarrollo de circuitos equivalentes al sistema mecánico de los motores. Durante la ejecución de esta experiencia se evidenció un progreso significativo tanto en aspectos técnicos como argumentativos por parte del estudiante.
2
Sanabria Totaitive, Camilo, Hubert Piquet, Rafael Fernando Diez Medina, and David Magin Flórez Rubio. "ANÁLISIS DE LA FUENTE CUADRADA BIPOLAR DE ALTO VOLTAJE USADA EN SISTEMAS DE DESCARGA DE BARRERA DIELÉCTRICA." In Mujeres en ingeniería: empoderamiento, liderazgo y compromiso. Asociacion Colombiana de Facultades de Ingeniería - ACOFI, 2021. http://dx.doi.org/10.26507/ponencia.2035.
Full textAbstract:
Este trabajo presenta el análisis de una fuente de voltaje bipolar cuadrada compuesta por un puente completo y un transformador elevador, utilizada ampliamente como suministro para sistemas de descarga de barrera dieléctrica (DBD) en la generación de plasma no térmico. Primero se expone un esquema eléctrico de la fuente que incluye el comportamiento capacitivo de las descargas y elementos parásitos del transformador, para explicar el funcionamiento. Como resultado del modelo propuesto, se encontró que la inductancia de fugas del transformador tiene un rol importante para explicar el comportamiento de las formas de onda de voltaje y corriente de la DBD. Utilizando la teoría clásica de circuitos eléctricos y el plano de fase (usado más comúnmente en el análisis de convertidores resonantes), se obtuvieron ecuaciones para características importantes en el diseño de las fuentes de alimentación para plasma, como la potencia promedio suministrada a la DBD, el voltaje pico máximo y la duración de la descarga, en función no solo del voltaje de entrada y la frecuencia de conmutación, sino también de los algunos elementos parásitos del transformador y los parámetros del modelo eléctrico del reactor donde se produzca la DBD. El análisis y las ecuaciones desarrolladas son una nueva contribución útil para los diseñadores de fuentes de alimentación de sistemas de plasma no térmico, que permiten evitar el sobredimensionamiento en los semiconductores y del transformador que incrementan los costos de fabricación. Finalmente se compara el modelo y las ecuaciones con algunos resultados experimentales usando una lámpara Excimer como reactor para la DBD.
3
Hu, B. B., J. T. Darrow, N. M. Froberg, X. C. Zhang, and D. H. Auston. "Generation of ultrafast electromagnetic radiation." In OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.fn1.
Full textAbstract:
A large variety of semiconductor samples have been used to generate highly directional, optically steerable, and diffraction-limited ultrafast electromagnetic radiation. Samples have been selected from III-V, II-VI, and group IV semiconductors, including single-crystal, polycrystalline, and amorphous structures. We have compared the optically induced radiated fields from different semiconductor surfaces (interfaces), including an air/semiconductor interface, a metal/semiconductor interface, a p-n junction (solar cell), and a strain-induced piezoelectric layer. In addition, we report the temperature dependence of optically induced electromagnetic pulses. When the surface depletion width was tuned to cross the optical absorption length by varying the sample temperature, a dramatic change of the radiation waveform from the narrow-bandgap semiconductors was observed. We also observed a three-fold rotation symmetry of the radiation from (111)-oriented samples. Finally, we describe the conversion efficiency of optically induced electromagnetic radiation from these samples.
4
Zany, D. V., Y. O. Shi, F. F. So, S. R. Forrest, and W. H. Steier. "Crystalline organic semiconductor thin-film optical waveguides." In OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.fd1.
Full textAbstract:
Recently, crystalline organic semiconductors have been of interest because of their excellent electronic and optical properties. One crystalline organic semiconductor, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA), is of particular importance owing to its usefulness in optoelectronic integrated circuits based on PTCDA-inorganic semiconductor heterojunction structures.
5
Anfinrud, P. A., T. P. Causgrove, and W. S. Struve. "Optical Pump-Probe Spectroscopy of Dyes on Surfaces: Ground-State Recovery of Rhodamine 640 on ZnO and Fused Quartz." In International Conference on Ultrafast Phenomena. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1986. http://dx.doi.org/10.1364/up.1986.we4.
Full textAbstract:
In recent years, time-resolved fluorescence spectroscopy has been investigated for dyes adsorbed onto fused quartz [1] and semiconductors [2,3]. On quartz, the monomer fluorescence dynamics are nonexponential and tend to dominated by excitation trapping by dye aggregates; the phenomenological lifetime measured in the limit of low coverage is often comparable to the fluorescence lifetime observed in solution [1]. On ultraviolet-bandgap semiconductors like TiO2, much more rapid fluorescence decay is typically found [2,3], even at low coverage. The channel responsible for this accelerated decay on semiconductors is widely believed to be electron injection into the semiconductor space-charge region. However, the photocurrent efficiencies of liquid-junction solar cells with dye-coated single-crystal semiconductor photoelectrodes are generally small, and the possibility exists that dye electronic excitation may instead decay rapidly and nonradiatively into semiconductor modes [3]. To differentiate between these decay mechanisms, we have done optical pump-probe measurements of ground-state recovery dynamics of rhodamine 640 adsorbed on fused quartz and on ZnO at submonolayer coverages.
6
Vina, Luis, Miquel Garriga, and Manuel Cardona. "Spectral ellipsometry of semiconductors and semiconductor structures." In Semi - DL tentative, edited by Fred H. Pollak, Manuel Cardona, and David E. Aspnes. SPIE, 1990. http://dx.doi.org/10.1117/12.20842.
Full text
7
Kawaguchi, Y., T. Ohno, A. Ohki, and T. Matsuoka. "ZnCdSe/ZnSe MQW Laser on Tilted GaAs Substrate." In Compact Blue-Green Lasers. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/cbgl.1994.cthe.3.
Full text
8
Menendez, Jose. "Resonance Raman scattering in semiconductors and semiconductor microstructures." In Semi - DL tentative, edited by Fred H. Pollak, Manuel Cardona, and David E. Aspnes. SPIE, 1990. http://dx.doi.org/10.1117/12.20855.
Full text
9
Dekorsy, T., A. M. T. Kim, H. Kurz, and K. Köhler. "Coupled Bloch-Phonon Oscillations in Superlattices." In International Conference on Ultrafast Phenomena. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/up.1996.wc.1.
Full textAbstract:
One of the most relevant phenomena determining the electronic and optoelectronic properties of semiconductors and semiconductor heterostructures is the interaction between charged carriers and lattice vibrations. Especially electron-LO-phonon interaction provides the dominant relaxation and scattering mechanism in polar compound semiconductors. A special class of material, the semiconductor superlattices, recently gained great attention due to the verification of the early prediction of Esaki and Tsu [1] to generate continuously tunable THz radiation from Bloch oscillation [2], where the Bloch oscillation frequency is solely determined by eFd/h (F is an applied electric field and d the superlattice period). Here we report on the first observation of Bloch oscillations in GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattices with frequencies tuned in resonance with the LO phonon resonance of GaAs at 8.8 THz. These experiments give direct insight into the nature of electron-phonon interaction in semiconductors. In contrast to the assumption that electronic coherence is rapidly destroyed by electron-phonon interaction, we show that the electronic coherence retains and can be transferred to the lattice vibration due to the formation of coupled Bloch-phonon modes.
10
Kondo, Takashi, Kaoru Morita, and Ryoichi Ito. "Second-Order Nonlinear Optical Properties of Wide-Bandgap Semiconductors." In Nonlinear Optics: Materials, Fundamentals and Applications. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/nlo.1996.nthe.23.
Full textAbstract:
There have been growing interest in III-V semiconductors as promising nonlinear optical materials for frequency conversion devices. These devices are based on quasi-phase-matching that is achieved by spatially modulating large quadratic optical nonlinearities of semiconductors [1–5]. In order to exploit the large nonlinearities of semiconductor epitaxial films, we have developed two methods to determine the nonlinear optical coefficients of thin films by reflected second-harmonic measurements [6,7], In this paper, we will present nonlinear optical properties of wide-bandgap semiconductors, A1P, ion-implanted GaP and SiC, characterized by the reflected second-harmonic techniques.
Reports on the topic "Semiconductores"
1
Filippo, Agustín, Carlos Guaipatín, Lucas Navarro, and Federico Wyss. México y la cadena de valor de los semiconductores: oportunidades de cara al nuevo escenario global. Banco Interamericano de Desarrollo, June 2022. http://dx.doi.org/10.18235/0004276.
Full textAbstract:
Los semiconductores, chips, o circuitos integrados, son insumos clave para la producción del más amplio y variado espectro de actividades sociales y productivas. Debido a la pandemia, y a las vulnerabilidades propias de esta cadena de valor -que fueron analizadas en un estudio previo, la economía global enfrenta una crisis de abastecimiento de semiconductores impulsada por un quiebre estructural hacia una mayor demanda de productos digitales. Esto derivó en cuantiosos anuncios de inversión de las empresas líderes del sector, junto con fuertes estímulos de los gobiernos, para expandir su capacidad de producción. El nuevo escenario global de la cadena global de valor (CGV) de semiconductores en los próximos años, donde Estados Unidos ganará mayor peso, abre la pregunta sobre cuáles son las oportunidades y desafíos que se plantean para México. El presente estudio identifica un conjunto de dimensiones clave, como el talento, la innovación, la base de proveedudría, la infraestructura y la facilitación del comercio, para desarrollar la CGV de semiconductores en México en donde la acción de la política pública puede ser determinante. El trabajo se estructura en tres secciones además de la presente: la Sección 2 describe la CGV de semiconductores y la crisis de abastecimiento que la afecta; la Sección 3 se enfoca en el sector de semiconductores en México y, finalmente, en la Sección 4 se presentan las conclusiones y recomendaciones de política.
2
Filippo, Agustín, Carlos Guaipatín, Lucas Navarro, and Federico Wyss. Cadena de valor de semiconductores: estructura y perspectivas de cara al nuevo escenario global. Banco Interamericano de Desarrollo, June 2022. http://dx.doi.org/10.18235/0004277.
Full textAbstract:
Factores externos están causando disrupciones en la cadena de suministros de semiconductores a nivel global, comprometiendo la competitividad de sectores intensivos en tecnología. Como respuesta, las empresas están analizando la relocalización de sus eslabones y los gobiernos están anunciando mecanismos de incentivos para atraer inversiones. La cadena de semiconductores está compuesta de segmentos que demandan distintos niveles de disponibilidad e inversión en capital, ID y talento. México tiene oportunidades para insertarse de mejor manera en la cadena global de valor de semiconductores. Este documento presenta una descripción de la cadena global de valor de los semiconductores, los problemas de abastecimiento que enfrenta y las respuestas de política de los países de la cadena, para contribuir a entender su complejidad y contar con antecedentes sobre los eslabones en donde existe una oportunidad de desarrollo para las empresas mexicanas.
3
Hunt, Will, Saif Khan, and Dahlia Peterson. China’s Progress in Semiconductor Manufacturing Equipment. Center for Security and Emerging Technology, March 2021. http://dx.doi.org/10.51593/20190018.
Full textAbstract:
To reduce its dependence on the United States and its allies for semiconductors, China is building domestic semiconductor manufacturing facilities by importing U.S., Japanese, and Dutch semiconductor manufacturing equipment. In the longer term, it also hopes to indigenize this equipment to replace imports. U.S. and allied policy responses to China’s efforts will significantly affect its prospects for success in this challenging task.
4
Khan, Saif M. U.S. Semiconductor Exports to China: Current Policies and Trends. Center for Security and Emerging Technology, October 2020. http://dx.doi.org/10.51593/20200039.
Full textAbstract:
The United States has long used export controls to prevent the proliferation of advanced semiconductors and the inputs necessary to produce them. With Beijing building up its own chipmaking industry, the United States has begun tightening restrictions on exports of semiconductor manufacturing equipment to China. This brief provides an overview of U.S. semiconductor export control policies and analyzes the impacts of those policies on U.S.-China trade.
5
Khan, Saif M., Alexander Mann, and Dahlia Peterson. The Semiconductor Supply Chain: Assessing National Competitiveness. Center for Security and Emerging Technology, January 2021. http://dx.doi.org/10.51593/20190016.
Full textAbstract:
Semiconductors are a key component in fueling scientific progress, promoting economic advancement, and ensuring national security. This issue brief summarizes each component of the semiconductor supply chain and where the United States and its allies possess the greatest leverage. A related policy brief, “Securing Semiconductor Supply Chains,” recommends policy actions to ensure the United States maintains this leverage and uses it to promote the beneficial use of emerging technologies, such as artificial intelligence.
6
Lazonick, William, and Matt Hopkins. Why the CHIPS Are Down: Stock Buybacks and Subsidies in the U.S. Semiconductor Industry. Institute for New Economic Thinking Working Paper Series, September 2021. http://dx.doi.org/10.36687/inetwp165.
Full textAbstract:
The Semiconductor Industry Association (SIA) is promoting the Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors (CHIPS) for America Act, introduced in Congress in June 2020. An SIA press release describes the bill as “bipartisan legislation that would invest tens of billions of dollars in semiconductor manufacturing incentives and research initiatives over the next 5-10 years to strengthen and sustain American leadership in chip technology, which is essential to our country’s economy and national security.” On June 8, 2021, the Senate approved $52 billion for the CHIPS for America Act, dedicated to supporting the U.S. semiconductor industry over the next decade. As of this writing, the Act awaits approval in the House of Representatives. This paper highlights a curious paradox: Most of the SIA corporate members now lobbying for the CHIPS for America Act have squandered past support that the U.S. semiconductor industry has received from the U.S. government for decades by using their corporate cash to do buybacks to boost their own companies’ stock prices. Among the SIA corporate signatories of the letter to President Biden, the five largest stock repurchasers—Intel, IBM, Qualcomm, Texas Instruments, and Broadcom—did a combined $249 billion in buybacks over the decade 2011-2020, equal to 71 percent of their profits and almost five times the subsidies over the next decade for which the SIA is lobbying. In addition, among the members of the Semiconductors in America Coalition (SIAC), formed specifically in May 2021 to lobby Congress for the passage of the CHIPS for America Act, are Apple, Microsoft, Cisco, and Google. These firms spent a combined $633 billion on buybacks during 2011-2020. That is about 12 times the government subsidies provided under the CHIPS for America Act to support semiconductor fabrication in the United States in the upcoming decade. If the Congress wants to achieve the legislation’s stated purpose of promoting major new investments in semiconductors, it needs to deal with this paradox. It could, for example, require the SIA and SIAC to extract pledges from its member corporations that they will cease doing stock buybacks as open-market repurchases over the next ten years. Such regulation could be a first step in rescinding Securities and Exchange Commission Rule 10b-18, which has since 1982 been a major cause of extreme income inequality and loss of global industrial competitiveness in the United States.
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Crawford, M. H., W. W. Chow, A. F. Wright, S. R. Lee, E. D. Jones, J. Han, and R. J. Shul. Wide-Bandgap Compound Semiconductors to Enable Novel Semiconductor Devices. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), April 1999. http://dx.doi.org/10.2172/5901.
Full text
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Morales Granados, Miguel Alfonso, and José Mauricio Neuta Peña. Desarrollo tecnológica para la construcción de un prototipo a escala laboratorio de un calibrador de bloque seco didáctico para termometría. Escuela Tecnológica Instituto Técnico Central, 2018. http://dx.doi.org/10.55411/2023.31.
Full textAbstract:
Existen en la Escuela Tecnológica Instituto Técnico Central varios equipos para medir la trazabilidad de instrumentos industriales, en particular para termómetros se cuenta con dos dispositivos de bloque seco, estos para calentar se utilizan resistencias calefactoras y para enfriar uno cuenta con un sistema enfriado por agua y otro por aire. en ambos casos el enfriamiento es ineficiente, por tanto se quiere implementar un sistema de transferencia calorífica más eficiente, este desarrollo tecnológico busca por medio de celdas Peltier que son placas fabricadas en materiales semiconductores y permiten al ser energizadas eléctricamente realizar procesos de enfriamiento. Las celdas Peltier se usan Actualmente en el control de temperatura de procesadores para Computadores siendo más eficientes en consumo energético que los sistemas ventilados. La metodología como desarrollo tecnológico de implementación se realizará en varias fases: caracterización. pruebas, diseño y construcción. Los resultados esperados son el lograr un dispositivo de bloque seco para la calibración de termómetros por dilatación a bajo costo, eficiente energéticamente y que no consuma agua potable. El problema radica en que los equipos de termometría de la institución no cumplen adecuadamente los parámetros de trazabilidad de instrumentos industriales, con el agravante que se consume cantidades considerables de agua potable. Existen equipos industriales de alta precisión, pero su costo es muy elevado, cerca de 15 millones de pesos cada uno. La importancia del proyecto es que se busca implementar como un desarrollo tecnológico un equipo de carácter didáctico a bajo costo, seguro. eficiente y amigable con el medio ambiente.
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Woods, Debbie, and Devyani Gajjar. Supply of semiconductor chips. Parliamentary Office of Science and Technology, May 2024. http://dx.doi.org/10.58248/pn721.
Full textAbstract:
This POSTnote outlines applications of semiconductor chips. It gives an overview of the supply chain, the UK's semiconductor industry, vulnerabilities to the supply chain and policy considerations for improving supply chain resilience.
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Hunt, Will, and Remco Zwetsloot. The Chipmakers: U.S. Strengths and Priorities for the High-End Semiconductor Workforce. Center for Security and Emerging Technology, September 2020. http://dx.doi.org/10.51593/20190035.
Full textAbstract:
Technical leadership in the semiconductor industry has been a cornerstone of U.S. military and economic power for decades, but continued competitiveness is not guaranteed. This issue brief exploring the composition of the workforce bolstering U.S. leadership in the semiconductor industry concludes that immigration restrictions are directly at odds with U.S. efforts to secure its supply chains.