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Journal articles on the topic 'Semiconductores'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 28 July 2024

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1

Garcias-Morales, Cesar, Susana Lucia Estrada Flores, Ricardo Sebastián Mirón Velázquez, Catalina M. Pérez Berumen, and Fabiola Noemí De la Cruz Duran. "Una introducción a la Electrónica Orgánica." Educación Química 33, no. 2 (April 18, 2022): 3. http://dx.doi.org/10.22201/fq.18708404e.2022.2.79879.

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Abstract:
<p>En este documento se da a conocer la importancia de los semiconductores orgánicos en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, se abordan algunos conceptos fundamentales acerca de la estructura molecular los cuales deben ser considerados en el diseño de la molécula semiconductora. Se resaltan, ventajas y desventajas de los semiconductores orgánicos frente a los semiconductores inorgánicos. Para comprender la relación estructura-propiedades de este tipo de moléculas se presentan los conceptos básicos acerca de la electrónica orgánica, la importancia de la ingeniería del band gap (Eg); así como el funcionamiento, características fisicoquímicas, propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de celdas solares orgánicas (OPVs y DSSC), Diodos Orgánicos Emisores de Luz (OLEDs) y Transistores Orgánicos de Efecto de Campo (OFETs).</p>
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2

Ramírez Ortega, David, Diana Clemencia Guerrero Araque, Próspero Acevedo Peña, and Rodolfo Zanella-Specia. "Producción fotocatalítica de hidrógeno empleando semiconductores modificados con nanopartículas metálicas." Mundo Nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología 17, no. 33 (April 12, 2024): 1e—27e. http://dx.doi.org/10.22201/ceiich.24485691e.2024.33.69825.

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Abstract:
Este trabajo de revisión se centra en la producción fotocatalítica de hidrógeno empleando agentes de sacrificio y semiconductores modificados con nanopartículas metálicas. Mientras que el uso de agentes de sacrificio reduce la energía requerida para la producción de hidrógeno y elimina los huecos fotogenerados, la modificación superficial de los semiconductores con nanopartículas metálicas cambia el flujo de los portadores de carga fotoinducidos, disminuyendo la recombinación de los pares electrón-hueco y aumentando la cantidad de sitios activos catalíticos para la reducción. Además, se describe el impacto de las técnicas electroquímicas y fotoelectroquímicas en la caracterización de los fotocatalizadores, la interfase semiconductor/electrolito y la modificación que tiene el nivel de Fermi cuando se ponen en contacto estos componentes. Dichas determinaciones electroquímicas brindan información sobre el diagrama de bandas (posiciones de banda de valencia y/o de conducción), estados energéticos del semiconductor, interacción del fotocatalizador con los co-catalizadores, separación de las especies electrón-hueco, aprovechamiento de la iluminación y resistencia a la transferencia de carga. La relación de la actividad fotocatalítica de los semiconductores y su caracterización electroquímica permite comprender los procesos de transferencia de carga involucrados en dicha reacción.
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3

Sandoval-Plata, Emilio Iván, Ricardo Ballinas-Indili, Cecilio Álvarez-Toledano, and María Elena Sánchez-Vergara. "Dopaje de semiconductor orgánico basado en ftalocianina de silicio." Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI 11, Especial4 (November 30, 2023): 55–61. http://dx.doi.org/10.29057/icbi.v11iespecial4.11368.

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Abstract:
Tradicionalmente, los compuestos orgánicos han sido considerados aislantes eléctricos. Sin embargo, el estudio de los semiconductores orgánicos ha llevado al desarrollo de alternativas al silicio semiconductor, basadas en moléculas π-conjugadas tales como las ftalocianinas. En el presente estudio, se llevó a cabo un dopaje químico sobre el dicloruro de ftalocianina de silicio (SiPcCl2), con un ácido dieninoico con sustituyente bromuro, Br-1 (BrDAc). El semiconductor orgánico dopado fue sublimado al alto vacío y depositado sobre diferentes sustratos, para llevar a cabo una caracterización estructural, óptica, y eléctrica como película delgada. Para la caracterización estructural se realizó espectroscopía infrarroja, y se evaluaron parámetros ópticos como la transmitancia y absorbancia, obtenidos mediante espectroscopía ultravioleta-visible. A partir de estos resultados se determinaron por medio del modelo de Tauc, las brechas energéticas. Finalmente, se fabricaron dispositivos eléctricos simples: ITO/SiPcCl2-BrDAc/Ag que fueron caracterizados eléctricamente, para determinar el comportamiento cuando la película semiconductora SiPcCl2-BrDAc forma parte de un dispositivo simple.
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4

Vargas-Perea, Heiner Alexander, Robinson Rocha-Gonzalez, Mónica Andrea Botero-Londoño, Alexander Sepúlveda-Sepúlveda, and Clara Lilia Calderón Triana. "Herramienta de software para determinar constantes ópticas en celdas solares tipo película delgada." DYNA 85, no. 206 (July 1, 2018): 321–28. http://dx.doi.org/10.15446/dyna.v85n206.70003.

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Abstract:
En este trabajo se desarrolló una herramienta de software que permite determinar las propiedades ópticas de materiales semiconductores, esta herramienta es de utilidad para investigadores que trabajan en la caracterización de películas delgadas semiconductoras. El software calcula las constantes ópticas: índice de refracción (n), coeficiente de absorción (α) y brecha de energía prohibida (Gap), además del espesor aproximado de la película; con el programa desarrollado se calcularon las constantes ópticas de películas delgadas de ZnS, SnS:Bi y SnS2:Bi, que son usadas como capas buffer y absorbentes en celdas solares, en este trabajo se presentan los resultados obtenidos con una película de SnS2:Bi. El software fue creado en el lenguaje de programación Python dentro de una interfaz sencilla inglés-español y para desarrollarlo se tuvo en cuenta el método propuesto por Swanepoel, el cual toma como base el espectro de transmitancia experimental del material semiconductor.
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5

Garrido Lastra, María Isabel, and Stefanía Tapia Marchina. "Escenarios educativos y laborales para la relocalización de la industria de semiconductores en México. Un análisis regional desde la perspectiva de género." Revista de Economía, Facultad de Economía, Universidad Autónoma de Yucatán 41, no. 102 (March 19, 2024): 6–30. http://dx.doi.org/10.33937/reveco.2024.385.

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Abstract:
Este artículo examina desde la perspectiva de género y el desarrollo regional los posibles impactos en el mercado laboral de la industria de semiconductores en México inducidos por la política de relocalización de la misma, dada la crisis global de suministro de semiconductores. Considera las actuales brechas educativas y laborales entre mujeres y hombres, así como las disparidades regionales entre la demanda de trabajo especializado en la industria manufacturera y la oferta educativa. Para ello, se contrastan las tendencias actuales en el personal empleado en los sectores económicos orientados a los semiconductores con la matrícula y titulación en campos de formación especializados entre mujeres y hombres, así como entre las regiones del país. Se observa que, aunque la política busca mejorar la industria de semiconductores, crear empleos y promover el crecimiento económico, tiene el potencial de reforzar las disparidades de género y entre regiones. Por lo tanto, se enfatiza la necesidad de considerar estas desigualdades en el diseño y evaluación de la política industrial de México.
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6

Gard, Faramarz Sahra. "Desarrollo de Hardware y Software de un Sistema de Espectroscopia de Reflectancia Difusa (DRS) para Medir la Temperatura del Sustrato Semiconductor in-situ." Revista Tecnología y Ciencia, no. 41 (August 3, 2021): 118–34. http://dx.doi.org/10.33414/rtyc.41.118-134.2021.

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Abstract:
Se desarrolla un sistema de espectroscopia de reflectancia difusa (DRS) para medir la temperatura de materiales semiconductores en vacío ultra alto cámara. DRS es un método óptico para monitorear la temperatura de materiales semiconductores con la temperatura dependiente band gap. El sistema está calibrado y probado para sustratos de n-GaAs y GaAs. En la comunicación actual, se informa sobre el desarrollo de hardware, software y la calibración del sistema.
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7

Pérez París, Arturo. "Breve presentación de los semiconductores." Vivat Academia, no. 38 (September 15, 2002): 1. http://dx.doi.org/10.15178/va.2002.38.1-42.

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8

García Carmona, Antonio. "Construcción de significados de física de semiconductores en educación secundaria: fundamentos y resultados de una investigación." Revista Brasileira de Ensino de Física 28, no. 4 (2006): 507–19. http://dx.doi.org/10.1590/s1806-11172006000400013.

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Abstract:
En este trabajo, exponemos la necesidad de emprender investigaciones didácticas orientadas a integrar las nociones básicas de física de semiconductores en el currículo de ciencias de Educación Secundaria. Ello tiene como objetivo servir de complemento y apoyo al estudio de la electrónica en el área de tecnología. En este sentido, presentamos los resultados de un estudio sobre las concepciones y dificultades de aprendizaje de alumnos de 3º de ESO (14-15 años), acerca del comportamiento de los semiconductores.
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9

Yaringaño, Roxani, and Rodolfo Sonco. "Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V." Revista de Investigación de Física 24, no. 3 (December 7, 2021): 31–38. http://dx.doi.org/10.15381/rif.v24i3.21418.

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Abstract:
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semiconductor sin dopar, es necesario la caracterización de los efectos que producen las impurezas eléctricamente activas en las muestras dopadas. En este trabajo se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor binario antimoniuro de galio dopado con vanadio (GaSb:V) por medio de un Microscopio de Fuerza Atómica. El barrido de su superficie se realizó en el modo tapping para obtener imágenes de la topografía y de los perfiles topográficos de la muestra, mientras las propiedades electrónicas se determinaron a través de las curvas I vs V conseguidas mediante el modo contacto.
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Mercado, Alejandro Mercado, Manuel Martínez Facio, Fernando Favila Flores, and Ana García Moya. "Historia Y Evolución De La Industria De Semiconductores Y La Integración De México En El Sector." European Scientific Journal, ESJ 12, no. 18 (June 29, 2016): 65. http://dx.doi.org/10.19044/esj.2016.v12n18p65.

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Abstract:
Semiconductors and their applications, represent one of the technological revolutions with greatest impact on society, generating Industrial changes, new companies, jobs, professional careers and development of new products that have given a twist in the way of life of people around the world. This has produced an industrial war between developed countries, which dispute the first place in terms of production, import and export of semiconductors. The semiconductors industry has given way to agreements and alliances between countries; allowing México to participate on the import, export and the formation of research and development in the industry. The present research, have as an objective to review theoretically the historical evolution of the semiconductor industry and the incorporation of México in the sector.
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González Fernández, José Vulfrano, Ramón Díaz de León-Zapata, Efrén Flores-García, and Jorge Ortega-Gallegos. "Pozos Cuánticos de AlGaAs/GaAs/AlGaAs Crecidos por MBE: Análisis Estructural y de Composición." Tecnología, Ciencia y Estudios Organizacionales 2, no. 3 (June 30, 2019): 23–36. http://dx.doi.org/10.56913/teceo.2.3.23-36.

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Abstract:
En este trabajo se presentan estudios de composición química y de control de crecimiento de pozos cuánticos semiconductores basados en semiconductores III-V (AlGaAs/GaAs/AlGaAs, utilizando una composición del Al de 33 %) y fabricados en un sistema de epitaxia por haces moleculares. Se utilizó la técnica de difracción de electrones reflejados de alta energía (in-situ) para la caracterización por composición química, así como la técnica de espectroscopía por fotoluminiscencia (ex-situ) a baja temperatura para el análisis de los niveles de energía de tres diferentes pozos cuánticos no-acoplados. Se obtuvo una buena correlación entre el monitoreo superficial y la caracterización espectroscópica de la muestra estudiada.
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Lavor, Otavio Paulino, and Maria do Socorro Ferreira Ramos. "Enseñanza de semiconductores en tiempos de pandemia: experimentando una secuencia didáctica interactiva." Magazine de las Ciencias: Revista de Investigación e Innovación 6, no. 1 (January 4, 2021): 67–75. http://dx.doi.org/10.33262/rmc.v6i1.922.

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Abstract:
En tiempos de aislamiento social debido a la pandemia, la enseñanza y el aprendizaje han sido un desafío aún mayor y la educación remota ha sido una posibilidad utilizada por varias instituciones, sin embargo, la preparación para esta modalidad puede ser cuestionada. En este sentido, las estrategias deben ser pensadas y en este trabajo, se experimenta la secuencia didáctica interactiva en las clases de semiconductores. Los estudiantes informaron sus conocimientos previos y, a través de tecnologías sincrónicas, los grupos mejoraron sus respuestas hasta que tuvieron un concepto formal de semiconductor. Los resultados muestran una apropiación apropiada del conocimiento y los comentarios y percepciones muestran que la secuencia didáctica interactiva se puede aplicar en la educación remota para superar los desafíos de la enseñanza y el aprendizaje en tiempos de aislamiento social.
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Velásquez Figueroa, Yineth Paola. "Análisis sistemático de una metodología para escalado de reactores fotoquímicos heterogéneos basado en métodos matemáticos." Revista Ing-Nova 2, no. 1 (January 15, 2023): 43–52. http://dx.doi.org/10.32997/rin-2023-4262.

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Abstract:
Se presenta un análisis sistemático para una metodología de escalamiento de reactores fotocatalíticos heterogéneos basada en modelos matemáticos. Se disgregó y explicó de manera detallada las etapas para el adecuado modelado matemático, simulación y cambio de escala de reactores fotoquímicos que usan semiconductores y radiación solar natural para su operación. Se encontró que los fundamentos de esta estructura se soportan en cuatro componentes fundamentales de los procesos de fotodegradación heterogénea: el sistema reactivo, el semiconductor, la fuente de radiación, y la geometría o tipo de reactor, tanto para su formulación como para la solución. El acoplamiento lógico de estos elementos garantiza una adecuada estructuración de ecuaciones para transferir datos de escala laboratorio a aplicaciones de planta piloto e incluso comerciales.
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Carrillo Castillo, Amanda, María de la Luz Mota González, Rubén Guzmán Saucedo, and Santos Jesús Castillo. "Síntesis y Caracterización de Nanopartículas de NiS Mediante Procedimiento de Química Suave." Latin American Journal of Applied Engineering 4, no. 1 (December 31, 2021): 1–6. http://dx.doi.org/10.69681/lajae.v4i1.21.

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Abstract:
En la presente investigación se reporta la síntesis y caracterización de nanopartículas (Nps) semiconductoras de sulfuro de níquel (NiS) en solución con características semiconductoras, el efecto de utilizar glicina como agente complejante a diferente concentración fue estudiado. Las nanopartículas sintetizadas en solución fueron envejecidas 24 horas antes de su caracterización. De esta manera fue posible definir su composición, propiedades ópticas, distribución y morfología. Las nanopartículas de NiS presentaron forma esférica con tamaño aproximado de 80 nm, esto mediante microscopía electrónica de barrido (MEB). La estructura cristalina determinada fue ortorrómbica. Las nanopartículas en solución fueron caracterizadas eléctricamente con mediciones de conductancia, obteniendo valores de entre 431 y 765 uS, donde conforme la concentración de glicina incrementa la conductancia disminuye. La energía de banda prohibida calculada de las nanopartículas fue entre 2.7-2.9 eV, el cual, es menor a baja concentración del agente complejante. Las nanopartículas obtenidas en esta investigación mediante el procedimiento propuesto ofrecen una alternativa de desarrollar materiales activos por procedimientos de bajo costo para su aplicación en dispositivos semiconductores.
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García López, Manuel, P. Ponce, Luis A. Soriano, A. Molina, and Jaime J. Rodriguez. "Mejora de la Vida Útil en los Módulos de Electrónica de Potencia de un BLDCM Mediante la Optimización de un Control Difuso." Revista Iberoamericana de Automática e Informática industrial 16, no. 1 (December 13, 2018): 66. http://dx.doi.org/10.4995/riai.2018.9078.

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Abstract:
<p>El tiempo de vida útil en los elementos de electrónica de potencia en accionamientos eléctricos para motores de corriente directa sin escobillas BLDCM (por sus siglas en inglés Brushless Direct Current Motor), pueden verse afectados debido a las pérdidas por conmutación y conducción que aparecen durante su operación. Estas pérdidas normalmente no se considerarán en el diseño del controlador, por lo que su vida útil disminuye drásticamente o genera fallas prematuramente. El presente trabajo propone la optimización de un controlador difuso mediante el algoritmo PSO (por sus siglas en inglés Particle Swarm Optimization), este diseño considera la temperatura en los semiconductores y la velocidad mecánica del BLDCM, lo que permite incrementar la vida útil de los semiconductores utilizados en los módulos de electrónica de potencia, al mismo tiempo que alcanza la velocidad de referencia asignada. Finalmente, los resultados del controlador difuso optimizado (Difuso-PSO) propuesto se comparan con un controlador proporcional, derivativo e integral (PID) convencional, y un controlador difuso convencional. Estos resultados muestran ser superiores en comparación a los controladores convencionales, ya que incrementan el tiempo de vida de los semiconductores y alcanzan las velocidades de referencia establecidas. Adicionalmente, se emplea la co-simulación como una herramienta que permite diseñar, implementar y validar los resultados de manera confiable. En esta co-simulación la electrónica de potencia, el BLDCM y el controlador propuesto fueron diseñados en MultisimTM y LabVIEWTM de National Instrument (NI).</p>
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Ocampo Hidalgo, Juan Jesús, Iván Vázquez Álvarez, Javier Alducín Castillo, and Jesus Ezequiel Molinar Solís. "Los semiconductores, el control automáticoLos semiconductores, el control automático y el procesamiento de señales en los automóviles actuales y el procesamiento de señales en los automóviles a." Azcatl, Revista de divulgación en ciencias, ingeniería e innovación 1, no. 1 (December 1, 2023): 24–28. http://dx.doi.org/10.24275/azc2023b005.

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Valera Palacios, Aníbal, and Edward Ramos. "Elaboración y caracterización física de películas delgadas de diamante." TECNIA 17, no. 1 (June 1, 2007): 79–85. http://dx.doi.org/10.21754/tecnia.v17i1.386.

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Abstract:
Este proyecto considera la elboración de películas delgadas de diamante a partir del método plasmático (glow discharge inducido) desarrollado en el Laboratorio de Óptica y Semiconductores. La correspondiente caracterización óptica y eléctrica de los materiales elaborados.
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Matallana Pacheco, Francisco. "El nuevo mundo polinodal de los microchips: el rol clave de la multinacional taiwanesa TSMC y su incidencia en el sistema Estadonación moderno." Política Internacional, no. 133 (August 15, 2023): 81–104. http://dx.doi.org/10.61249/pi.vi133.64.

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Abstract:
La creciente disputa geopolítica entre China y Estados Unidos por el control estratégico de los semiconductores o microchips de lógica avanzada en el mundo gira en torno a un actor no estatal, la empresa multinacional taiwanesa Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), el principal fabricante de esta tecnología clave para los Estados. En el artículo se analiza i) el creciente rol de la empresa multinacional como actor no estatal en la historia, ii) su incidencia en el ámbito polinodal entre los Estados, iii) sus efectos al interior de estos y iv) su impacto en el Perú y América Latina. Se concluye que TSMC es el principal nodo de poder tecnológico que transforma las relaciones internacionales entre los Estados, sus agendas domésticas y la naturaleza de las redes polinodales que cambian el sistema Estado-nación.
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Jiménez Pérez, Abimael. "Semiconductores. ¿qué son y por qué son importantes?" Cuadernos Fronterizos, no. 59 (2023): 22–24. http://dx.doi.org/10.20983/cuadfront.2023.59.6.

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Abstract:
Se presenta una definición simple de los materiales semiconductores y su impacto en la sociedad desde sus inicios. También se enfatiza su importancia en la nueva situación global favorable en México y la región norte del país. Así como la necesidad de generar talento humano en esta área tan importante de la ingeniería electrónica y afines.
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Collins, Pablo Agustín. "RESÚMENES DE TESIS: DOCTORADO EN FÍSICA." FABICIB 23 (May 11, 2020): 106–8. http://dx.doi.org/10.14409/fabicib.v23i0.9183.

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Abstract:
Estudio del llenado capilar en estructuras nano-porosas mediante técnicas interferométricasLuisa Guadalupe Cencha - lgcencha@gmail.comDirector: Dr. Raul UrteagaCo-Director: Dr. Claudio L. A. BerliLugar de realización: Grupo de Semiconductores Nanoestructurados, Instituto de Física del Litoral (UNL-CONICET)Fecha de defensa: 19 de diciembre de 2018
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Filippin, F. A., and H. J. Fasoli. "PHOTOPHYSICAL AND PHOTOCHEMICAL SYSTEMS WITH SEMICONDUCTORS FOR THE CONVERSION OF SOLAR ENERGY. A REVIEW." Anales AFA 32, no. 1 (April 15, 2021): 22–31. http://dx.doi.org/10.31527/analesafa.2021.32.1.22.

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Abstract:
Electrochemical energy sources are an alternative to replace technology based on the burning of fossil fuels. In an elec-trochemical system the potential drop spreads over a very narrow region at an interphase, creating high electric fields.So, there are good technological reasons to study semiconductor / electrolyte interphases. Currently, one of the ways touse renewable resources is through photovoltaic technology that directly converts solar radiation into electrical energy.This technology is manufactured from semiconductors, generally silicon, following an extremely careful and expensivemanufacturing procedure. An option for photovoltaic devices is photoelectrochemical cells.These cells are made bythe contact of a semiconductor electrode with a solution, which can be easily prepared and offers the possibility oflow-cost manufacturing. Understanding how these devices work requires knowledge of the characteristics of semicon-ductors and how these materials behave in contact with an electrolytic solution and under illumination by sunlight. Thepresent work describes, through an updated review, the principles and applications of semiconductor electrodes as themain components in a photoelectrochemical solar cell (PEC), to carry out chemical reactions of technological interest.In addition, the elements that are required for the improvement in the performance and construction of the PEC are discussed.
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Iliana Martínez Gómez, Clara, and Luis Abraham Sánchez Gaspariano. "La primer gran crisis de semiconductores del siglo XXI." RD-ICUAP, no. 24 (2022): 37–44. http://dx.doi.org/10.32399/icuap.rdic.2448-5829.2022.24.1076.

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Wang, Wei-Kang, Wen-Min Lu, Irene Wei Kiong Ting, and Yu-Hsuan Chen. "Social Networks and Dynamic Firm Performance: Evidence from the Taiwanese Semiconductor Industry." Revista de Contabilidad 24, no. 1 (January 1, 2021): 62–74. http://dx.doi.org/10.6018/rcsar.374161.

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Abstract:
Redes sociales y rendimiento dinámico de la empresa: Evidencia de la industria de semiconductores de Taiwán. Este estudio examina la relación entre la interconexión del consejo directivo y el rendimiento de la empresa. Utilizando datos de la industria de semiconductores de Taiwán de 2013 a 2015, este estudio utiliza la centralidad, los agujeros de la estructura y el número de interconexiones entre consejos directivos como proxies de la interconexión de los consejos directivos. Este estudio también evalúa el rendimiento de la empresa a largo plazo mediante un modelo de análisis envolvente de datos dinámicos. donde se concluye que la interconexión de los directivos mejora la eficiencia dinámica. Utilizando un análisis de la red social de los directivos, también identificamos las cinco mejores empresas con mejor interconexión del consejo directivo en términos de centralidad, agujeros estructurales, y el número de directores interconectados. En general, este trabajo es novedoso en la vinculación de la interconexión de los directivos con la eficiencia dinámica. El estudio enriquece la literatura contable existente sobre el papel de los directivos para influir en el rendimiento de la empresa y evaluar éste desde una perspectiva de eficiencia multidimensional. This study examines the relationship between board interlock and firm performance. Using the Taiwanese semiconductor industry’s dataset from 2013 to 2015, this study uses centrality, structure holes, and the number of interlocking boards as proxies of board interlock. This study also evaluates firm performance over a long-term period through a dynamic data envelopment analysis model. which concluded that board interlock improves dynamic efficiency. Using a directors’ social network analysis, we also identified the top five companies with the best board interlock in terms of centrality, structural holes, and the number of interlocking directors. Overall, this paper is novel in linking board interlock to dynamic efficiency. The study enriches the extant accounting literature regarding the role of directors in influencing firm performance and evaluate firm performance from a multidimensional efficiency perspective.
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Arboleda Avilés, Daniel Gonzalo. "Deducción de la ecuación de la densidad de corriente en un semiconductor homogéneo no degenerado, en función del tiempo de relajación para Te los electrones." Revista Anales 1, no. 375 (June 25, 2018): 61–72. http://dx.doi.org/10.29166/anales.v1i375.1587.

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Abstract:
Cuando se estudian los coe cientes cinéticos de los semiconductores, se observa que, en la mayoría de la bibliografía especializada en el tema, no existe un modelo matemático que represente a la densidad de corriente en función del tiempo de relajación para los electrones. Se han publicado varios papers, con datos obtenidos experimentalmente, pero no existe un desarrollo teórico al respecto.
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Pérez-Rodríguez, A., B. Garrido, C. Bonafos, M. López, O. González-Varona, J. R. Morante, J. Montserrat, R. Rodríguez, and J. A. García-Lorente. "Síntesis por implantación iónica de nanocristales semiconductores para dispositivos en tecnología de Si." Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 39, no. 4 (August 30, 2000): 458–62. http://dx.doi.org/10.3989/cyv.2000.v39.i4.798.

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Hernández-Méndez, Joaquín André, and María Elena Sánchez-Vergara. "Fabricación y caracterización de semiconductores poliméricos basados en Ftalocianina Verde." Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI 11, Especial4 (November 30, 2023): 30–35. http://dx.doi.org/10.29057/icbi.v11iespecial4.11364.

Full text
Abstract:
En el presente estudio se fabricaron películas compuestas semiconductoras orgánicas, basadas en polimetilmetacrilato (PMMA) como matriz, y ftalocianina de cobre verde (CuPc Green) como refuerzo. Las películas fueron depositadas por la técnica de inyección directa, empleando sustratos de vidrio Corning, obleas de silicio-n y vidrio recubierto con óxido de indio y estaño (ITO). La morfología y propiedades mecánicas de las películas, se estudiaron por microscopía de fuerza atómica (MFA). Posteriormente, las películas compuestas PMMA-CuPc Green, fueron analizadas en su comportamiento óptico por espectroscopia Ultravioleta-visible (UV-vis), con el fin de obtener el porcentaje de Transmitancia, la Absorbancia y, con estos parámetros, el coeficiente de absorción, la energía del fotón y, por consecuencia, la banda prohibida óptica. Finalmente, se fabricaron dispositivos simples de una capa, y se evaluó su comportamiento eléctrico, utilizando el método colineal de cuatro puntas. Además, los dispositivos se sometieron a diferentes condiciones de radiación, para determinar la posible aplicación de las películas semiconductoras PMMA-CuPc Green, en dispositivos optoelectrónicos.
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Caballero, Arturo, Perla Elizondo, Idalia Gómez, Susana López-Cortina, and Thelma Serrano. "Síntesis de polímeros semiconductores derivados de tiofeno por condensación aldólica." Quimica Hoy 7, no. 3 (September 30, 2017): 4. http://dx.doi.org/10.29105/qh7.3-110.

Full text
Abstract:
Los monómeros tiofen-2,5-dicarboxaldehido y 3-hexiltiofen-2,5-dicarboxaldehído fueron sintetizados a partir de los precursores tiofeno y 3-hexiltiofeno mediante la reacción Vilsmeier-Haack. Dos polímeros con propiedades de semiconductor tipo P, el Poli-T y el Poli-HT, fueron sintetizados vía condensación aldólica partiendo de los monómeros referidos. La espectroscopía infrarroja de transformada de Fourier y la resonancia magnética nuclear de protón fueron usadas para confirmar la obtención del monómero y sólo la primera para caracterizar al polímero. La espectroscopía UV-Vis mostró que el Poli-HT absorbe a mayores longitudes de onda que el Poli-T y que ambos materiales son candidatos prometedores para su uso en la conversión de energía.
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Diago-Cisneros, Leovildo, and Susana Arias-Laso. "Dispersión simultánea de huecos en una barrera simple." Nova Scientia 5, no. 10 (May 1, 2013): 1. http://dx.doi.org/10.21640/ns.v5i10.143.

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Abstract:
Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesados/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III-V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, se incluyó la interacción con un campo eléctrico externo paralelo a la dirección de propagación – perpendicular a las intercaras – y se estudiaron las las magnitudes relevantes del transporte cuántico de huecos – transmisión, conductancia y tiempo de fase. Este formalismo nos permitió considerar simultáneamente todos los canales propagantes. Para el sistema de la barrera simple, se estudió la dependencia de la conductancia con el campo aplicado a través de los diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in-plane momentum κT afecta los resultados, lo cuál nos brinda una idea de cómo el acoplamiento entre bandas influencia la transmisión con un voltaje aplicado. Adicionalmente, fijando diferentes valores de la mezcla interbanda, se hizo un breve estudio del tiempo de transmisión de la fase como función del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitósamente comparados con algunos comportamientos obtenidos previamente en el tunelaje de huecos a través de heteroestructuras semiconductoras usando diferentes aproximaciones.
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Segovia, Francis Armando. "Aplicación de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad." Revista Tecnura 17, no. 37 (September 18, 2013): 33. http://dx.doi.org/10.14483/udistrital.jour.tecnura.2013.3.a03.

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Abstract:
La investigación presentada en este artículo está orientada hacia el área de matería condensada en el campo de la física de semiconductores. En esta investigación se utilizan los principios básicos de la mecánica cuántica, en especial el de la aproximación de masa efectiva.El objetivo de este artículo es determinar las energías del estado fundamental, así como las energías de transición electrón-hueco cuando una heteroestructura semiconductora de GaAs-Ga1-xAlxAs está inmersa en una barrera de Ga1-yAlyAs, por la aplicación de una presión hidrostática. La metodología que se propone en el presente trabajo es solucionar analíticamente la ecuación diferencial de segundo orden de Schrodinger. Las soluciones encontradas permiten determinar las funciones propias de la ecuación diferencial y además las energias de transicion en el estado fundamental mediante la aplicación de la presión hidrostática. Los principales resultados fueron encontrados mediante el uso del software Mathematica 5.0, mostrando que en el regimen de confinamiento fuerte, para pequeños anchos del pozo de potencial de la heteroestructura semiconductora, el potencial de confinamiento con la presion es menor para la función de los portadores de carga (electrón-hueco). Sin embargo, se muestra que en el regimen de confinamiento débil los efectos de la presión hidrostática sobre las alturas de la barrera son más significativos, y las energías de los portadores disminuyen.
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Torres-Luengo, M., H. M. Martínez, J. Torres, and L. D. López-Carreño. "Modelo analítico para el transporte electrónico en películas delgadas semiconductoras." Ingeniería y Ciencia 9, no. 18 (November 2013): 153–70. http://dx.doi.org/10.17230/ingciecia.9.18.9.

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Abstract:
Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades eléctricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales están formados por material semiconductor, el grano en sí, el cual está rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad estructural del cristal dando origen a estados electrónicos localizados en el interior de la brecha de energía prohibida. La existencia de estos estados favorece el atrapamiento de carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de energía. Este doblamiento se caracteriza por un potencial de barrera y una zona de carga espacial, las cuales gobiernan el transporte electrónico a través de la frontera de grano. El modelo utiliza las teorías de difusión y deriva de portadores, de emisión termoiónica e incluye además, la teoría de tunelamiento cuántico de portadores a través de la barrera de potencial. Dado que la estructura de las películas delgadas de trióxido de Molibdeno (MoO3) obtenidas por atomización pirolítica es de tipo granular y de tamaño nanométrico, el modelo analítico explica el comportamiento de la característica Corriente - Voltaje (I-V) de las películas.
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Ariza Calderón, Hernando. "FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN ÓPTICA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRÓNICA." Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales 27, no. 104 (October 11, 2023): 357–68. http://dx.doi.org/10.18257/raccefyn.27(104).2003.2076.

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Abstract:
En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.
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León Vega, Cirilo Gabino, Mohamed Badaoui, and Luis Alejandro Iturri Hinojosa. "Análisis de desempeño de conmutadores de microondas tipo serie-paralelo y TEE de diferentes materiales semiconductores para comunicaciones Satelitales." Nova Scientia 7, no. 13 (November 19, 2014): 190. http://dx.doi.org/10.21640/ns.v7i13.96.

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Abstract:
Se presenta un análisis de desempeño de conmutadores de microondas compuestos, de una entrada y una salida (SPST), diseñados con diodos p-i-n tipo masa con diferentes tipos de materiales semiconductores para las bandas de frecuencia Ku y Ka. Las dos configuraciones de conmutadores compuestos más comunes son aquellos con diodos p-i-n ubicados en diseños serie-paralelo y serie-paralelo-serie (TEE) y aquí son analizados utilizando materiales semiconductores de Si, GaAs, GaN-WZ, GaN-ZB, GaSb, InP y SiC. Se presenta la metodología utilizada en los cálculos de resistencia serie y capacitancia de unión en los diodos p-i-n con el propósito de calcular los parámetros de desempeño propios de cada dispositivo conmutador. Estos parámetros son pérdida de inserción y aislamiento. Los conmutadores de tipo serie-paralelo, exceptuando el conmutador basado en diodo p-i-n de SiC-6 H, exhiben pérdidas de inserción menores a 0.2 dB y aislamiento hasta 41dB a la frecuencia de operación de 12 GHz. El conmutador diodo p-i-n tipo TEE con base en GaN-ZB tiene la mejor respuesta de pérdida de inserción menor a 0.23 dB y aislamiento hasta 52 dB, a las frecuencias de operación de 12 GHz y 30 GHz. El conmutador compuesto con base en diodo p-i-n de GaSb alcanza el mejor desempeño a la frecuencia de 12 GHz. Los conmutadores de microondas con configuración TEE tienen respuestas satisfactorias para la frecuencia de 30 GHz.
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Ferreira, Plácido T. "Requerimientos de Energía en los Procesos de Fabricación a Nanoescala." Lámpsakos, no. 4 (July 15, 2010): 36. http://dx.doi.org/10.21501/21454086.802.

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Abstract:
En este artículo se describen las principales tecnologías de fabricación a nanoescala, y se examinan cualitativamente los requerimientos, que tienen con respecto a la demanda de energía, sus procesos fundamentales. Estos requerimientos se relacionan con los procesos aplicados en la fabricación de semiconductores; también se describen las falencias en la comprensión de estos procesos para la producción a nanoescala, cuya comunidad investigadora los identifica como objetivos a corto plazo. Por último, se propone un marco para el análisis sistemático del uso de energía en los procesos de fabricación a nanoescala.
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Grande-Sánchez, Simón, Rosa A. Vázquez-García, José M. Sausedo-Solorio, José R. Villagómez-Ibarra, Arián Espinoza-Roa, and Oscar Javier Hernández-Ortiz. "Síntesis de ácido carmínicio metilado: Estudio teórico por DFT y estudio de sus propiedades ópticas para su potencial aplicación en dispositivos optoelectrónicos." Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI 9, Especial2 (December 12, 2021): 245–49. http://dx.doi.org/10.29057/icbi.v9iespecial2.8017.

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Abstract:
El descubrimiento del efecto fotoeléctrico, ha motivado a científicos al desarrollo de nuevas teorías en estudios de materiales semiconductores con propiedades ópticas específicas para aplicaciones en dispositivos solares base perovskita. Los colorantes orgánicos se consideran un área de interés al ser materiales naturales que presentan buenas propiedades de absorción de la luz, estabilidad térmica y propiedades de fluorescencia. La molécula de ácido carmínico metilado (ACF), representa una alternativa viable para la capa de portadores o huecos en un dispositivo solar base perovskita. Se ha puesto especial interés en el estudio de las propiedades de un compuesto derivado de la molécula de ácido carmínico (AC), que fue logrado a través de una metilación del AC obtenido de Dactylopius coccus. El compuesto fue caracterizado químicamente mediante espectroscopía de FT-IR, el estudio de las propiedades ópticas se realizó a través de UV-vis en solución y película. Para obtener los valores de los orbitales fronterizos de ACF (HOMO, LUMO) se obtienen los potenciales de oxidación y reducción en el inicio, esto se define como el potencial en el que inicia la inyección de huecos o electrones al orbital HOMO y LUMO. Los resultados muestran un incremento de las propiedades de absorción y emisión en comparación con AC. El cálculo del bandgap teórico, experimental de 3.1 eV y 3.0 eV respectivamente muestra un decremento para ACF y se encuentra dentro del rango reportado para semiconductores orgánicos. Los estudios teóricos mediante DFT indican que el material tiene un alto potencial para ser empleado en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos.
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Rodríguez, J. E. "LOS ÓXIDOS CERÁMICOS COMO MATERIALES TERMOELÉCTRICOS." Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales 31, no. 121 (November 28, 2023): 545–55. http://dx.doi.org/10.18257/raccefyn.31(121).2007.2209.

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Abstract:
Actualmente existe un creciente interés en la investigación de materiales termoeléctricos, generado por las nuevas posibilidades de diseño, preparación y caracterización que ofrece hoy la ciencia de materiales y por la necesidad de encontrar materiales que permitan la fabricación de refrigeradores y generadores eléctricos de estado sólido eficientes y ambientalmente amigables. La eficiencia de un material termoeléctrico es una función de su figura de mérito (ZT= S2T/pK, donde S es el coeficiente Seebeck, p la resistividad eléctrica y Kla conductividad térmica). El objetivo central de las investigacio­nes en materiales termoeléctricos es desarrollar compuestos con altos valores de ZT. En este sentido, algunas investigaciones están enfocadas hacia la reducción de la conductividad térmica, mientras que otras lo están hacia el incremento del factor de potencia (PF = S2/ p). Los óxidos cerámicos se encuen­tran entre los materiales promisorios como termoelementos dada su estabilidad química y sus interesan­tes propiedades eléctricas y térmicas. Aquí se muestran los resultados de varios estudios los cuales están enfocados hacia la determinación de las propiedades termoeléctricas de los compuestos de YBa2Cu307_0 (YBCO ), La 2-x_xSrCuO 4+ 0(LSCO) y La_1-xSr ,.CoO 3 ( LSCoO ). Los mejores valores obtenidos para el factor de potencia (PF=l8µWIK2cm) y la figura de mérito (ZT=0,5) pueden compararse con los exhibidos por los materiales semiconductores, convencionalmente utilizados hoy en la elaboración de dispositivos termoeléctricos. Esto permite considerar estos óxidos como materiales termoeléctricos promisorios, los cuales podrían funcionar a temperatura ambiente y bajo ella, rango de temperatura en el cual los semiconductores convencionales presentan serias dificultades en su desempeño.
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Ordóñez Navea, Víctor Hugo. "Competencias Investigativas Dirigidas a los Profesores de Ingeniería Eléctrica, desde un Modelo de Energía Alternativa." Revista Scientific 2, no. 5 (August 5, 2017): 283–303. http://dx.doi.org/10.29394/scientific.issn.2542-2987.2017.2.5.15.283-303.

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Abstract:
El propósito del presente trabajo fue plantear competencias investigativas dirigidas a los profesores de ingeniería eléctrica, desde un modelo de energía alternativa y para la explicación del semiconductor en el Programa Nacional de Formación en Electricidad. Algunos autores entre ellos Vidal (2016), Atencio (2014) y Camilo (2012). Señalan posturas tecnológicas de aplicación con los dispositivos electrónicos semiconductores, de esta forma se presenta una fase diagnóstica, apoyada en esta investigación de campo tipo descriptiva sobre: a). Como identificar las necesidades de las energías alternativas, y b). Las competencias investigativas en las energías alternativas del investigador desde un modelo de celda solar, para impulsar e innovar praxis académica e inventiva tecnológica. Así mismo se aplicó una encuesta a un grupo de 15 docentes en el Programa Nacional de Formación en electricidad para diagnosticar la carencia de investigaciones en el campo de las energías alternativas. El procedimiento de análisis de datos se llevó a cabo mediante la estadística descriptiva. Posteriormente se presentan en las conclusiones la necesidad de generar estrategias para estimular y proponer la exploración de energías alternativas al desarrollo de competencias investigativas dirigidas a los profesores de ingeniería eléctrica, desde un modelo de energía alternativa e impulsar la investigación en energías renovables.
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Soto Perdomo, Juan Sebastián, and Emiro Segundo Arrieta Jiménez. "Efectos de la presión hidrostática sobre los modos defectivos en un cristal fotónico bidimensional semiconductor con geometría hexagonal." BISTUA REVISTA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS BASICAS 18, no. 1 (July 10, 2021): 21–26. http://dx.doi.org/10.24054/01204211.v1.n1.2020.208.

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Abstract:
Las propiedades ópticas de las estructuras caracterizadas mediante una función dieléctrica periódica como los cristales fotónicos (CFs), ha despertado interés por sus aplicaciones en diversos campos de la óptica y la optoelectrónica. Cuando la periodicidad de los CFs se rompe por la inserción de defectos, permite el confinamiento de modos de luz. En esta contribución, utilizando el método de expansión en ondas planas para el modo de polarización transversal magnética y el Software computacional MATLAB, se estudia el efecto de la presión hidrostática sobre la estructura de bandas en un cristal fotónico bidimensional (CF-2D) con red hexagonal, compuesto por agujeros de aire en un fondo de material semiconductor defosfuro de galio (GaP), que se caracteriza por tener el índice de refracción más alto entre los semiconductores binarios y su rango de transmisión se utiliza en aplicaciones de luz visible e infrarrojo cercano. Inicialmente, se estudia la relación de dispersión del cristal fotónico regular (sin defecto) y se analiza la zona de Banda Fotónica Prohibida (BFP); posteriormente seaumenta la presión hidrostática, generando que la estructura de banda fotónica presente un desplazamiento a regiones de alta frecuencia. Posteriormente, utilizando la técnica de la supercelda se considera un defecto puntual dentro de la estructura, que reemplaza un agujero de aire por material semiconductor, que genera estados permitidos o modos de defecto en el interior del bandgap fotónico. Al aumentar la presión hidrostática se observa que el ancho del bandgap fotónico permanece inalterado y los modos de defecto presentan un desplazamiento a valores de altas frecuencias.
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Soto Perdomo, Juan Sebastián, and Emiro Segundo Arrieta Jiménez. "Efectos de la presión hidrostática sobre los modos defectivos en un cristal fotónico bidimensional semiconductor con geometría hexagonal." BISTUA REVISTA DE LA FACULTAD DE CIENCIAS BASICAS 18, no. 1 (July 10, 2021): 21–26. http://dx.doi.org/10.24054/bistua.v18i1.208.

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Abstract:
Las propiedades ópticas de las estructuras caracterizadas mediante una función dieléctrica periódica como los cristales fotónicos (CFs), ha despertado interés por sus aplicaciones en diversos campos de la óptica y la optoelectrónica. Cuando la periodicidad de los CFs se rompe por la inserción de defectos, permite el confinamiento de modos de luz. En esta contribución, utilizando el método de expansión en ondas planas para el modo de polarización transversal magnética y el Software computacional MATLAB, se estudia el efecto de la presión hidrostática sobre la estructura de bandas en un cristal fotónico bidimensional (CF-2D) con red hexagonal, compuesto por agujeros de aire en un fondo de material semiconductor defosfuro de galio (GaP), que se caracteriza por tener el índice de refracción más alto entre los semiconductores binarios y su rango de transmisión se utiliza en aplicaciones de luz visible e infrarrojo cercano. Inicialmente, se estudia la relación de dispersión del cristal fotónico regular (sin defecto) y se analiza la zona de Banda Fotónica Prohibida (BFP); posteriormente seaumenta la presión hidrostática, generando que la estructura de banda fotónica presente un desplazamiento a regiones de alta frecuencia. Posteriormente, utilizando la técnica de la supercelda se considera un defecto puntual dentro de la estructura, que reemplaza un agujero de aire por material semiconductor, que genera estados permitidos o modos de defecto en el interior del bandgap fotónico. Al aumentar la presión hidrostática se observa que el ancho del bandgap fotónico permanece inalterado y los modos de defecto presentan un desplazamiento a valores de altas frecuencias.
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Ramajo, Leandro A., Edgar Villegas, and Rodrigo Parra. "Métodos de medición de espesores de películas delgadas basadas en óxidos semiconductores." Revista Mexicana de Física 64, no. 4 (June 28, 2018): 364. http://dx.doi.org/10.31349/revmexfis.64.364.

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Abstract:
Transparent films based on Ti, Sn and Zn oxides are of great importance in electronic devices such as sensors, solar cells and conductive films, then the characterization techniques are highly relevant. The aim of this work is to identify the advantages and disadvantages of direct methods, such as profilometry, and indirect methods such as ellipsometry and spectrophotometry used to quantify film thickness. In this work, films were deposited by spray-pyrolysis on glass substrates at 425±C. Thicknesses varied between 150 and 300 nm. Thicknesses calculated by means of spectrophotometry and ellipsometry, led to differences below 10% and 20 %, respectively, with respect to the value measuredby profilometry.
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Rojas Tuya, Santiago. "Las crisis y sus repercusiones en la ingeniería electrónica: La historia jamás contada." Perfiles de Ingeniería 13, no. 13 (June 8, 2018): 59–82. http://dx.doi.org/10.31381/perfiles_ingenieria.v13i13.1464.

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Abstract:
El presente artículo describe las repercusiones de las crisis internacionales: la de los semiconductores, la de la economía global, la burbuja de tercera generación móvil (3G), la burbuja inmobiliaria, y otras, más bien nacionales, como la nacionalización de las empresas extranjeras, la hiperinflación, la privatización, el “Fujishock” y la creación de universidades-empresa (Ley de Promoción de la inversión en la Educación). Todo ello, en su conjunto, generó la disminución de estudiantes matriculados en la carrera de Ingeniería Electrónica, el déficit de Ingenieros Electrónicos, y un nuevo escenario de cambio y propuestas de mejora en la calidad educativa.
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Orellana Uguña, Carlos Mauricio, Luis González Morales, and Karla Verdugo. "Diseño de un cargador rápido de baterías para vehículos eléctricos enchufables en el punto de conexión común de la red de distribución de energía eléctrica." Elektron 6, no. 2 (December 15, 2022): 77–85. http://dx.doi.org/10.37537/rev.elektron.6.2.161.2022.

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Abstract:
Este artículo presenta aspectos técnicos relacionados con el diseño de estaciones de carga rápida de vehículos eléctricos livianos menores a 1,5 toneladas, pertenecientes al nivel 3 y modo de carga 4 en corriente continua según la norma EN 61851, en el marco del estándar IEEE ST 2030.1.1-2020, IEEE Std 1547-2018 e IEC 61000- 3-4 . En relación con el diseño de la estación de carga este artículo abarca únicamente lo relacionado al manejo de la energía “sistema de conversión de energía”, que incluye los dispositivos de procesamiento de energía (semiconductores, filtros de línea, elementos pasivos).
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De la Rosa-Fox, N., M. Piñero, R. Litrán, and L. Esquivias. "Comportamiento óptico no-lineal de nanocristales semiconductores de CdS en una matriz de gel de sílice." Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 39, no. 3 (June 30, 2000): 255–58. http://dx.doi.org/10.3989/cyv.2000.v39.i3.836.

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Fooladvand, Hamed, Karim Abbasian, and Hamed Baghban. "Multiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOS." Revista Ingeniería UC 27, no. 3 (December 30, 2020): 294–303. http://dx.doi.org/10.54139/revinguc.v27i3.149.

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Abstract:
En los últimos años, según muchos estudios, el transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET)mostró un alto rendimiento en muchos circuitos lógicos debido a sus propiedades y en comparación con otros homólogos desilicio. Sin embargo, garantizar estos beneficios sigue siendo un desafío para la aplicación de circuitos integrados a nanoescala.Debido a sus excelentes características eléctricas y mecánicas, CNTFET es uno de los sustitutos más prometedores de latecnología de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Aunque estas característicasson adecuadas para implementar en varios circuitos digitales prácticos, los circuitos basados en CNTFET resolverán enormesproblemas de fabricación debido a su tamaño. En este artículo, mostramos que se podría obtener una simplificación importantemediante el diseño de circuitos integrados basados en CNTFET a través de una configuración lógica de transistor de paso tipoCMOS en el uso de transistores de efecto de campo, en lugar de la configuración tradicional de semiconductores de óxidode metal complementario (CMOS). La configuración PTL similar a CMOS crea una simplificación notable del diseño delcircuito basado en CNTFET, una mayor velocidad del circuito y una gran reducción en el consumo de energía. Hay muchosproblemas que se enfrentan al integrar un alto nivel de muchos transistores, como el efecto de canal corto, la disipaciónde potencia, el escalado de los transistores, etc. Para superar estos problemas, los Nanotubos de Carbono (CNT) tienenaplicaciones prometedoras en el campo de la electrónica. Los resultados de la simulación presentados y el consumo de energíaen comparación con los diseños CMOS convencionales. La comparación de resultados probó que el diseño basado en CNTFETes capaz de ahorrar energía de manera eficiente y un rendimiento de alta velocidad.
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Centeno-Bordones, Guillermo. "Fotocatálisis: Tecnología sustentable para tratar materia orgánica natural (NOM) y desinfección del agua potable." Agroecología Global. Revista Electrónica de Ciencias del Agro y Mar 4, no. 7 (July 1, 2022): 68. http://dx.doi.org/10.35381/a.g.v4i7.1870.

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Abstract:
En esta revisión se hace una breve descripción de los Procesos Avanzados de Oxidación (PAO) de tipo fotoquímico, dirigido principalmente a los procesos fotocatalíticos heterogéneos de semiconductores especialmente el dióxido de titanio. Se expone la importancia y las condiciones experimentales de los sistemas de tratamiento de agua para consumo humano bajo esta tecnología. También, se hace referencia a la aplicación de la fotocatálisis para el tratamiento de materia orgánica natural y desinfección del agua de lluvia, que permitirán enfrentar los desafíos que tienen algunos países con respecto de los abastecimientos de agua potable. Igualmente se expone la importancia e inconvenientes que tiene la desinfección de aguas utilizando fotocatálisis con radiación solar.
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Luna, Luis Antonio Flores, Jhovani García Jaime, and Carlos Alberto Baltazar Vilchis. "ESTUDIO COMPARATIVO DE LA ASIGNATURA “DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES” APLICADA A PROGRAMAS DE POSGRADO EN MÉXICO." REVISTA FOCO 17, no. 6 (June 19, 2024): e5403. http://dx.doi.org/10.54751/revistafoco.v17n6-082.

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Abstract:
Este estudio compara la enseñanza de la asignatura "Dispositivos Semiconductores" en programas de posgrado en México, centrándose en la Maestría de Ciencias de la Computación de la Universidad Autónoma del Estado de México y otros programas similares. Se analizan diversos aspectos, como la estructura del programa, la distribución de horas teóricas y prácticas, el contenido temático y la bibliografía propuesta. Los resultados revelan similitudes significativas en la estructura curricular, el enfoque pedagógico y los temas abordados entre los programas estudiados. Se destaca la importancia de estos hallazgos para la mejora contínua de la formación académica en Ingeniería y Ciencias de la Computación en el contexto nacional.
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Castañeda, Lina M., Daniel Augusto Borrás Jiménez, Sara N. Herrera, Lina M. Moreno, and Dora Carmona. "Deposición electroforética de TiO2 sobre acero inoxidable 316 y su evaluación como fotoánodo para la decoloración fotoelectrocatalítica del colorante azoico RR239 bajo luz UV." Ciencia, Ingenierías y Aplicaciones 5, no. 2 (December 20, 2022): 39–62. http://dx.doi.org/10.22206/cyap.2022.v5i2.pp39-62.

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Abstract:
Se realizó la deposición electroforética (EPD) de los semiconductores TiO2_Aeroxide®P25 y TiO2_Comercial sobre acero inoxidable para la fabricación de fotoánodos con potencial uso en la decoloración fotoelectrocatalítica del colorante azoico Rojo_Reactivo_239 (RR239). Se estudió la influencia de los parámetros de la EPD sobre la homogeneidad e integridad de los depósitos. Asimismo, se analizó el efecto de la composición de las fases fotocatalíticas y el ancho de la banda prohibida óptica de los semiconductores en el rendimiento de la decoloración. Las condiciones de fabricación de los electrodos se establecieron en una primera etapa experimental variando el modo de aplicación del voltaje (pulsado y no pulsado) a 10 V y un tiempo de deposición de 30 s. Posteriormente, se varió la temperatura del tratamiento térmico (250 y 350 °C) necesario para la estabilización del depósito. Definido el modo de aplicación del voltaje y la temperatura del tratamiento térmico, se realizó una segunda etapa para establecer el tiempo de la EPD en un rango entre 10 y 60 s. Cuando el voltaje se aplicó por pulsos, los depósitos resultaron más uniformes y homogéneos. El uso de TiO2_Aeroxide®P25 y TiO2_Comercial permitió alcanzar porcentajes de decoloración superiores al 80 % cuando la EPD se ejecutó a 1,1 V durante 1 h irradiando el ánodo con luz UV (λ.= 365 nm). Las condiciones de la EPD y la temperatura del tratamiento térmico mostraron un efecto apreciable sobre las características físicas de los depósitos y su eficacia como fotoánodos para la decoloración de RR239. Se lograron las condiciones adecuadas para la fabricación de los fotoánodos, siendo el TiO2_Comercial una alternativa de reemplazo del TiO2_Aeroxide®P25 en aplicaciones fotoelectrocatalíticas para la decoloración de RR239 bajo las condiciones evaluadas debido a su rendimiento comparable y bajo costo.
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Estrada Moreno, Carolina, Cesia Guarneros Aguilar, Mauricio Pacio Castillo, and Felipe Caballero Briones. "Síntesis por el método Pechini y caracterización estructural, óptica y termoeléctrica de CuAlO2." Superficies y Vacío 30, no. 3 (November 26, 2017): 40–45. http://dx.doi.org/10.47566/2017_syv30_1-030040.

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Abstract:
El aluminato de cobre (CuAlO2) es un material termoeléctrico semiconductor tipo-p, que cristaliza en fase delafosita a temperatura de 1100 °C. En este trabajo se sintetizaron dos muestras por el método Pechini y se calcinaron por dos procedimientos diferentes para determinar el efecto de la historia térmica en la formación de las fases y en las propiedades termoeléctricas. La muestra M1 se calcinó a 1100 °C después de un tratamiento térmico a 550 °C y la muestra M2 se calcinó a 1100 °C sin tratamiento térmico previo. La estructura cristalina de los materiales obtenidos se analizó por difracción de rayos X y el ancho de banda prohibida se obtuvo por el método de Kubelka-Munk a partir de los espectros de reflectancia difusa en el ultravioleta-visible. En la muestra M1 se tiene una mezcla de fases, espinela y delafosita y en la M2 se observa una mezcla de Al2O3 y delafosita. Se midió la conductividad eléctrica, la densidad de portadores y la movilidad de la muestra M2 por efecto Hall a temperatura ambiente, así como la conductividad eléctrica y el coeficiente Seebeck en un intervalo de temperaturas de 100 °C a 800 °C, confirmándose que las dos muestras son semiconductores tipo-p y que la conductividad ocurre por polarones pequeños. Se demuestra que las rampas de temperatura y pre tratamiento térmico tienen un efecto en la formación de fases secundarias, lo que afecta directamente las propiedades termoeléctricas del material.
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Carter Jr., Shelby H., William W. Cooper, George Kozmetsky, Kingshuk K. Sinha, and Dee Bruce Sun. "GESTION Y POLITICA INDUSTRIAL EN SECTORES DE ALTA TECNOLOGÍA: El Caso de los Semiconductores." Cuadernos de difusión, no. 2 (September 30, 1992): 9–26. http://dx.doi.org/10.46631/jefas.1992.n2.01.

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Abstract:
This case analyzes what elements could entail in the United Stated industrial policy, giving a special emphasis on permanent changing modern high-tech industries environment. At the same time, it is sought to demonstrate that the correct orientation should be aimed to the intensive research and closely related to technological developments. It is argued that change and a flexible response are the necessary ingredients of an industrial policy aimed to meet the requirements of this industry. It specifically focuses on semiconductor companies to illustrate what sector like this could entail for public policy. This sector faces in complex ways a situation of continuous change and interaction through all the stages and processes from products. The behavior of this industry leads to misinterpretations and can lead to apply wrong policies.
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Sánchez Rangel, Hortensia Susana, Anilú Flores Regalado, Delfino Francisco Becerra Robles, Héctor Alfredo Sánchez Sánchez, and Alfredo Valles Chávez. "PELÍCULAS DELGADAS DE SULFUROS SEMICONDUCTORES APLICADAS EN ALMACENAMIENTO Y CONVERSIÓN DE ENERGÍA: REVISIÓN BIBLIOGRÁFICA." Revista NeyArt 2, no. 1 (February 29, 2024): 40–52. http://dx.doi.org/10.61273/neyart.v2i1.43.

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Abstract:
En la actualidad, se ha generado un gran interés por desarrollar métodos alternativos para obtener y almacenar energía, lo que conlleva mejorar o diseñar métodos amigables con el ambiente, de bajo costo y no toxicidad. El objetivo del presente trabajo es mostrar una revisión bibliográfica sobre las distintas técnicas de síntesis y obtención de materiales nanoestructurados y películas delgadas, así como analizar los materiales óptimos para aplicar en almacenamiento y conversión de energía. Como resultado de esta revisión se enlistan algunos de los métodos más utilizados para la síntesis de películas delgadas y nanoestructuras, así mismo se exponen los materiales que en la actualidad se sintetizan para su aplicación en almacenamiento y conversión de energía.
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Tamayo Ávila, Idalberto, Ivanna Guamán Tumaille, Yandi Fernández Ochoa, and Nilo Ortega Soliz. "Comparación de la formación de carga eléctrica en aislamientos de XLPE con antioxidantes sólido y líquido mediante la técnica TSDC." Enfoque UTE 5, no. 4 (December 19, 2014): 89–98. http://dx.doi.org/10.29019/enfoqueute.v5n4.49.

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Abstract:
(Recibido: 2014/10/29 - Aceptado: 2014/12/17)En este trabajo se comparó la presencia de carga eléctrica en dos aislamientos de polietileno reticulado (XLPE) de cables de media tensión mediante la técnica de las Corrientes de Despolarización Estimuladas Térmicamente (TSDC). A uno de los aislamientos se le añadió antioxidante en estado sólido y al otro en estado líquido. Hemos comprobado mediante el análisis de las medidas TSDC que el uso de antioxidante líquido es mejor puesto que el sólido crea defectos que actúan como centros de atrapamiento de la carga de espacio. En estos centros se acumula la carga ionizada en el aislante por la influencia combinada de la temperatura y el campo eléctrico además de la carga inyectada desde los electrodos semiconductores por el efecto de campos elevados.
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