Academic literature on the topic 'Si(001)-2x1'
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Journal articles on the topic "Si(001)-2x1"
Hasegawa, Shigehiko, Yoshio Minakuchi, and Hisao Nakashima. "Initial stages of Ge growth on Si(001) (2x1) surfaces." Superlattices and Microstructures 12, no. 1 (January 1992): 97–100. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(92)90229-x.
Full textKanasaki, J., K. Katoh, Y. Imanishi, and K. Tanimura. "Electronic bond rupture of Si-Dimers on Si(001)-(2x1) induced by pulsed laser excitation." Applied Physics A 79, no. 4-6 (September 2004): 865–68. http://dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2608-z.
Full textBatra, Inder P. "Density functional study of the electronic properties of the Si (001)2x1-potassium surface." Journal de Chimie Physique 86 (1989): 689–702. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1989860689.
Full textHASEGAWA, Y., T. HASHIZUME, I. KAMIYA, T. IDE, I. SUMITA, S. HYODO, T. SAKURAI, H. TOCHIHARA, M. KUBOTA, and Y. MURATA. "SCANNING TUNNELING MICROSCOPY STUDY OF ALKALI METAL ADSORPTION ON THE Si (001) 2x1 SURFACE." Le Journal de Physique Colloques 50, no. C8 (November 1989): C8–229—C8–234. http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1989839.
Full textBorensztein, Y., N. Witkowski, and S. Royer. "Isotropic and anisotropic optical reflectances of clean and hydrogen-covered Si(001)2x1 surfaces." physica status solidi (c), no. 8 (December 2003): 2966–70. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303830.
Full textMiki, K., H. Liu, and J. H. G. Owen. "Mn Silicide Nanowires on the Si(001)-2x1 Surface Having Anisotropic Strain Fields with Bi Nanolines." ECS Transactions 50, no. 6 (March 15, 2013): 17–23. http://dx.doi.org/10.1149/05006.0017ecst.
Full textYamanaka, A., H. Ohse, and K. Yagi. "Rem Study of Current Effect on the Structure of Clean Si(111) Surface." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, no. 1 (August 12, 1990): 306–7. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100180288.
Full textDissertations / Theses on the topic "Si(001)-2x1"
FERRET, DOMINIQUE. "Developpement d'une experience d'ondes stationnaires en rayonnement synchrotron : application a l'etude de as/si(001) 2x1." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066133.
Full textRANGAN, Sylvie. "Réactivité des nitriles sur la surface Si(001)-2x1, étudiée par spectroscopies de photoémission, d'absorption X et microscopie tunnel." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010268.
Full textRangan, Sylvie. "Réactivité des nitriles sur la surface Si(001)-2x1, étudiée par spectroscopie de photoémission, d'absorption X, et microscopie tunnel." Paris 6, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010268.
Full textMathieu, Claire. "Approche intégrée "spectroscopies électroniques et calculs ab-initio d'états de cœur excités" des modes d'adsorption de l'ammoniac et de diamines sur la surface Si(001)-2x1." Paris 6, 2009. http://www.theses.fr/2009PA066287.
Full textLee, Michael Vernon. "Development of Chemomechanical Functionalization and Nanografting on Silicon Surfaces." BYU ScholarsArchive, 2007. https://scholarsarchive.byu.edu/etd/1435.
Full textLu, Chih-Yuan, and 盧之苑. "Photoemission study of MgB2 on the Si(001)-2x1 surface." Thesis, 2002. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/31333475815441051242.
Full text國立清華大學
材料科學工程學系
90
Abstract In this thesis, we have utilized synchrotron-radiation photoemission spectroscopy to investigate the adsorption of MgB2 molecules on the Si(001)-2×1 surface. We found that while the MgB2 molecule land on the silicon surface, the MgB2 molecule begins to decompose. It results in the fact that the magnesium and boron atoms are bonded to each of the surface dimer atoms respectively. Furthermore, we discovered the packing method and pressure effect do have an influence on the formation and growth of MgB2 film on the interface.
yeh, jing-ming, and 葉志銘. "Observation of Si(001)-(2x1) dimer structure by kikuchi electron holograpy." Thesis, 1997. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/45686484621543379391.
Full textTien, Li-Chia, and 田禮嘉. "Initial growth stages of CaF2 on the Si(001)-2x1 surface." Thesis, 2001. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/41202830357974556119.
Full textCheng, Chiu-Ping, and 鄭秋平. "Synchroton Radiation Photoemission Study on Effects of Adsorbates on Clean Si(001)2x1 Surface." Thesis, 1997. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/81865761287884351440.
Full textEisenhut, Frank. "STM investigation of model systems for atomic and molecular scale electronics." 2019. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A34885.
Full textIn dieser Arbeit untersuche ich Modellsysteme für planare atomare und molekulare Elektronik auf Oberflächen. Die Systeme auf der Nanoskala werden experimentell durch die Kombination aus Rastertunnelmikroskopie (RTM) und atomarer sowie molekularer Manipulation untersucht. Moleküle werden durch die oberflächenchemische Synthese generiert und atomare Drähte auf ausgewählten Oberflächen hergestellt. Polyzyklisch aromatische Kohlenwasserstoff (PAK) Moleküle spielen bei dieser Arbeit eine Schlüsselrolle, da sie die passiven und aktiven Elemente auf molekularem Maßstab darstellen können. Im ersten Teil dieser Arbeit untersuche ich verschiedene PAK´s auf der Au(111)-Oberfläche. Die Präkursoren bilden dabei supramolekulare Anordnungen und ich nutze die Oberflächensynthese, um die gewünschten molekulare Produkte zu erhalten. Im Speziellen habe ich Bisanthen-Moleküle über eine Zyklodehydrogenationsreaktion und das nicht-alternierende PAK Diindenopyren erzeugt. Dieses entsteht nach einer thermisch-induzierten Debromierung gefolgt von selektivem Ringschluss, sodass ein fünfgliedriger Ring gebildet wird. Eine interessante Oberfläche für zukünftige Anwendungen ist das passivierte Silizium Si(001)-(2x1):H. Ich habe diese Oberfläche erfolgreich präpariert und das Substrat charakterisiert. Die Oberfläche hat eine Bandlücke und Moleküle sind elektronisch von dem halbleitenden Substrat durch die Passivierungsschicht entkoppelt. Desweiteren haben atomare Defekte dieser Oberfläche, sogenannte Dangling-Bond´s (DB’s), definierte elektronische Zustände innerhalb der Bandlücke. Ich habe DB´s kontrolliert durch Spannungspulse mithilfe der Spitze des RTM erzeugt und stelle so atomare Drähte mit DB Defekten her. Der dritte Teil dieser Arbeit befasst sich mit der Untersuchung molekularer Strukturen auf Si(001)-(2x1):H. Die Erzeugung von Hexacen auf passivierten Silizium durch eine oberflächenunterstützte Reduktion wird gezeigt. Dieses Ergebnis ist eine neue Strategie für die Herstellung von PAK´s nach der Deoxygenierung und eröffnet neue Wege um funktionelle Moleküle auf diesem Substrat zu entwerfen. Zweitens zeige ich, dass Acetylbiphenyl (ABP) Moleküle eindimensionale Ketten auf dieser Oberfläche bilden. Diese interagieren über ihre Phenylringe, welche als leitender Kanal gesehen werden können. Zudem kann ein einzelnes ABP Molekül wie ein Schalter genutzt werden, da es reversibel einzelne DB´s durch Wasserstoffübertragung passivieren und depassivieren kann. Im letzten Teil dieser Arbeit wird das neue Tieftemperatur Vier-Sonden RTM, welches sich in CEMES-CNRS in Toulouse befindet, getestet. Diese Maschine ist für die Herstellung und Untersuchung von Geräten im molekularem Maßstab konstruiert worden. Zu diesem Zweck ist eine atomare Präzision für die verschiedenen Spitzen zur gleichen Zeit erforderlich und eine hohe Stabilität des Rastersondenmikroskops muss gewährleistet sein. Ich führe ein Manipulationsversuch an Molekülen durch, um die notwendige submolekulare Präzision zu testen. Dafür werden supramolekulare Anordnungen von ABP-Molekülen auf Au(111) abgebildet und die Strukturen mit jeder der vier Spitzen im lateralen Manipulationsmodus und durch Spannungpulse bewegt. Damit habe ich die Stabilität des Systems getestet und konnte zeigen, dass alle Spitzen des Systems unabhängig voneinander parallel arbeiten.:1 Introduction 2 Fundamentals of scanning tunneling microscopy 2.1 The working principle 2.2 Scanning tunneling spectroscopy 2.3 Manipulation modes 2.4 Modeling 3 Experimental setup, materials and methods 3.1 The scanning tunneling microscope 3.2 The Au(111) surface 3.3 Further experimental details 4 On-surface synthesis of molecules 4.1 Introduction 4.2 Generation of a periacene 4.3 Investigating a non-alternant PAH 4.4 Conclusion 5 The passivated silicon surface 5.1 Introduction 5.2 Preparation of passivated silicon 5.3 Characterization of Si(001)-(2x1):H 5.4 Tip-induced formation of dangling bonds 5.5 Conclusion 6 Organic molecules on passivated silicon 6.1 Introduction 6.2 Hexacene generated on passivated silicon 6.3 Acetylbiphenyl on passivated silicon 6.4 Conclusion 7 Testing a low temperature four-probe STM 7.1 Introduction 7.2 The four-probe STM 7.3 Performance test of the four-probe STM on Au(111) 7.4 Manipulation of ABP assemblies 7.5 Conclusion 8 Summary and outlook 9 Appendix 9.1 Dibromo-dimethyl-naphtalene on Au(111) 9.2 Epiminotetracene on Au(111) Bibliography Curriculum vitae Scientific contributions Acknowledgement Statement of authorship
Book chapters on the topic "Si(001)-2x1"
Michel, Enrique G., Maria C. Asensio, and Rodolfo Miranda. "Present Understanding of a Model Metal/Semiconductor Junction: K/Si(001)2x1." In NATO ASI Series, 381–95. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0795-2_25.
Full textKawai, Hiroyo, Francisco Ample, Christian Joachim, and Mark Saeys. "Dangling-Bond Logic: Designing Boolean Logic Gates on a Si(001)-(2x1):H Surface." In Architecture and Design of Molecule Logic Gates and Atom Circuits, 149–62. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-33137-4_12.
Full textAmple, Francisco, Hiroyo Kawai, Kian Soon Yong, Mark Saeys, Kuan Eng Johnson Goh, and Christian Joachim. "Dangling-Bond Wire Circuits on a Si(001)-(2x1):H Surface with Their Contacting Nanopads." In Architecture and Design of Molecule Logic Gates and Atom Circuits, 163–74. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-33137-4_13.
Full textConference papers on the topic "Si(001)-2x1"
Kanasaki, Jun'ichi, and Katsumi Tanimura. "Laser-induced electronic desorption and structural changes on Si(001)-(2x1)." In High-Power Lasers and Applications, edited by Kouichi Murakami, David B. Geohegan, and Frank Traeger. SPIE, 2002. http://dx.doi.org/10.1117/12.459736.
Full textTAKAYANAGI, Kunio, Tomonobu NAKAYAMA, and Yasumasa TANISHIRO. "Semiconductor Surface Studied by TEM: Si (001) 2x1 Reconstructed Surface and Heterogrowth of Ge." In 1988 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1988. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1988.s-ii-1.
Full textHarada, Yoshinao, Masaaki Niwa, Takaharu Nagatomi, and Ryuichi Shimizu. "Initial Stage of Oxidation of Si(001)-2x1 Surface Studied by X-Ray Photoelectron Spectroscopy." In 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1998. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1998.a-4-6.
Full textReports on the topic "Si(001)-2x1"
Qian, Y., and M. J. Bedzyk. Structure and ad-atom thermal vibrational amplitude for the Ga/Si(001) 2x1 surface. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), October 1994. http://dx.doi.org/10.2172/459394.
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