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Academic literature on the topic 'Silicium – Oxydation'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 7 February 2022

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Journal articles on the topic "Silicium – Oxydation"

1

Roy, D., and B. Lamontagne. "Oxydation catalytique du silicium : l'obtention de couches d'oxydes uniformes." Le Journal de Physique IV 07, no. C6 (1997): C6–127—C6–135. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1997611.

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2

Pilorget, L., J. L. Chartier, and R. Le Bihan. "Oxydation du silicium par bombardement électronique. Influence de la pollution par le carbone." Revue de Physique Appliquée 20, no. 3 (1985): 151–55. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01985002003015100.

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3

Lemiti, M., S. Audisio, C. Mai, and B. Balland. "Evolution de la taille des grains du silicium polycristallin pendant des traitements thermiques ou oxydation." Revue de Physique Appliquée 24, no. 2 (1989): 133–41. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01989002402013300.

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Dissertations / Theses on the topic "Silicium – Oxydation"

1

Yon, Jean-Jacques. "Oxydation du silicium poreux application à la réalisation de structures silicium sur isolant /." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376018971.

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2

Yon, Jean-Jacques. "Oxydation du silicium poreux : application à la réalisation de structures silicium sur isolant." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10028.

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Abstract:
Des structures silicium sur isolant (soi) peuvent etre obtenues a partir de silicium poreux a condition de controler l'oxydation thermique du materiau. Ce memoire est consacre a l'etude de l'oxydation du silicium poreux. Ce travail a permis de fixer les conditions experimentales conduisant a la formation reproductible de couches de silicium poreux homogenes. L'etude detaillee de l'oxydation de ce materiau a permis de degager un mecanisme phenomenologique qui rend compte de la transformation du silicium poreux en oxyde aux proprietes identiques a celles de la silice classique. Le mecanisme proc
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3

Camelin, Christian. "Oxydation du silicium monocristallin sous haute pression d'oxygène sec." Bordeaux 1, 1985. http://www.theses.fr/1985BOR10583.

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Abstract:
L'oxydation du silicium monocristallin est une etape importante de la technologie m. O. S. (metal-oxide-semiconductor). Les temperatures (!000c) et les durees d'oxydation relativement elevees creent des defauts structuraux notamment prejudiciables a toute miniaturisation. Afin de palier a cet inconvenient, l'utilisation de pressions d'oxygene elevees, du fait de l'accroissement de la reactivite, s'averait une voie interessante pour abaisser la temperature. Des etudes d'oxydation ont ete menees en oxygene sec dans un domaine inexplore (14p000 bar) (600t80c). Sur la base du modele de deal et gro
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4

Tételin, Claude. "Oxydation basse température assistée par plasma des alliages silicium-germanium." Lille 1, 1996. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1996/50376-1996-147.pdf.

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Abstract:
Deux aspects fondamentaux de l'oxydation basse température assistée par plasma d'oxygène des alliages silicium germanium ont été étudies: la nature chimique de l'oxyde et les cinétiques d'oxydations de ces alliages. La nature de l'oxyde forme varie en fonction du temps d'oxydation. Dans un premier temps, l'oxyde forme est du dioxyde de silicium (sio#2) et le germanium s'accumule a l'interface oxyde/substrat. Nous avons montre, que cette accumulation se fait sous la forme d'une couche de germanium pur. Dans un deuxième temps, le germanium s'incorpore au dioxyde de silicium sous forme d'agrégats
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5

Georges, Annick. "Oxydation sèche des réfractaires : Alumine, graphite, SiC." Nancy 1, 1986. http://www.theses.fr/1986NAN10352.

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Abstract:
Caractérisation physico-chimique des réfractaires à base d'alumine, de graphite et de carbure de silicium. Aspects cinétiques et morphologiques de leur oxydation par les gaz (O::(2),CO::(2),CO/CO::(2)). Étude cinétique de l'oxydation du silicium et du carbure de silicium
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6

Bensalah, Yassine. "Etude des faces vicinales du silicium (100) et de leur oxydation." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611775n.

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7

Vadon, Mathieu. "Extraction de bore par oxydation du silicium liquide pour applications photovoltaïques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAI067/document.

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Abstract:
L'extraction du bore du silicium liquide est une étape d'une chaîne de procédés de purification de silicium de qualité suffisante pour les applications photovoltaïques. Cette thèse étudie en priorité le procédé dit "gaz froid" qui consiste en l'injection d'un mélange de gaz Ar-H2-H2O sur du silicium liquide chauffé électromagnétiquement. Une deuxième méthode similaire ("procédé plasma") où on injecte un plasma thermique issu d'un mélange Ar-H2-O2 a également été étudiée. Un modèle est nécessaire afin d'optimiser le procédé pour économiser de l'énergie.Les trois objectifs du modèle sont la préd
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8

Bsiesy, Ahmad. "Contribution à l'étude du silicium poreux : mécanismes de formation, oxydation anodique, photo- et électroluminescence." Grenoble 1, 1991. http://www.theses.fr/1991GRE10017.

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Abstract:
Les mecanismes de transformation du silicium poreux en silice par voie anodique ont ete etudies. Les caracteristiques electrochimiques correspondantes, et la composition chimique des couches poreuses oxydees anodiquement ont ete analysees. Les resultats obtenus montrent qu'en mode intentiostatique et pour des faibles courants d'oxydation les colonnes de silicium poreux se trouvent en depletion et l'echange des trous n'est donc possible qu'au fond des pores ou l'oxydation aura principalement lieu. Pour des courants plus forts, les colonnes de silicium poreux sont dans un etat de depletion moins
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9

Populaire, Charles. "Propriétés physiques du silicium poreux : traitements et applications aux microsystèmes." Lyon, INSA, 2005. http://www.theses.fr/2005ISAL0018.

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Abstract:
Les propriétés singulières du silucium poreux sont propices à la réalisation de micro-dispositifs thermiques et électromagnétiques. Des couches entièrement poreuses, épaisses de 400 µm et homogènes ont été réalisées. L'étude des propriétés thermiques a permis la détermination des paramètres morphologiques et chimique à même de minimiser la conductivité thermique. Un régime d'oxydation ultramince a été mis en évidence pour les températures d'oxydation inférieures à 700°C. L'analyse des effets des traitements thermiques oxydants nous a conduit à la mise au point d'une méthode originale de caract
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10

Boye, Youssouf. "Réalisation de cellules solaires intégrées par oxydation localisée d'un substrat de silicium fritté poreux." Thesis, Orléans, 2016. http://www.theses.fr/2016ORLE2083/document.

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Abstract:
Les travaux de recherche menés dans cette thèse s’inscrivent dans le cadre de la réalisation de la technologie cellule solaire intégrée (i-Cell), qui est une technologie innovante de fabrication de cellules solaires à hauts rendements de conversion et à bas coût de production. L’i-Cell consiste en la réalisation de plusieurs cellules élémentaires ou sous-cellules, en feuilles minces de silicium cristallin purifié, qui sont connectées en série sur un substrat de Si fritté bas coût. La technologie i-Cell permet en effet la réduction du coût de la plaquette grâce à la faible épaisseur des feuille
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