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  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
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  4. Book chapters
  5. Conference papers

Academic literature on the topic 'Siliciures'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 8 June 2024

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Journal articles on the topic "Siliciures"

1

Malhouroux-Gaffet, N., and E. Gaffet. "Elaboration par mécanosynthèse indirecte de siliciures." Revue de Métallurgie 90, no. 9 (September 1993): 1202. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199390091202.

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2

Méot-Meyer, M., G. Venturini, B. Malaman, E. Mc Rae, and B. Roques. "Magnetisme et conductivite des siliciures Y2Mn3Si5 et Lu2Mn3Si5." Materials Research Bulletin 20, no. 9 (September 1985): 1009–14. http://dx.doi.org/10.1016/0025-5408(85)90198-9.

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3

Rado, C., S. Kalogeropoulou, and N. Eustathopoulos. "Mouillabilité et réactivité entre les siliciures de nickel ou de fer et SiC." Revue de Métallurgie 91, no. 9 (September 1994): 1347. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199491091347.

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4

Kazamer, Norbert, Stephania Kossman, István Baranyi, Didier Chicot, Viorel-Aurel Serban, Zoltán Rajnai, and Mircea Voda. "Effet de l’addition de TiB2 sur les propriétés mécaniques et tribologiques de revêtements NiCrBSi déposés par projection thermique." Matériaux & Techniques 106, no. 2 (2018): 202. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2018026.

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Abstract:
L’influence de TiB2 dans des revêtements à base nickel est étudiée du point de vue microstructurale (identification des phases et mesure de la porosité), mécanique (dureté et module d’élasticité par indentation instrumentée) et du comportement mécanique (résistance au frottement par usure pion/disque). Dans les deux revêtements à 2,5 et 10 % de TiB2, on note la présence de siliciures, carbures et borures mais uniquement la présence d’oxyde de titane pour la teneur à 10 %. La porosité est plus élevée (6 %) lorsque la teneur en TiB2 est plus petite, elle est de 1,2 % pour l’autre revêtement. Après une discussion sur l’effet de taille et l’influence de la porosité sur la mesure des propriétés par indentation, la dureté est trouvée sensiblement la même dans les deux cas, autour de 3 GPa, alors que le module d’élasticité semble plus élevé (175 GPa au lieu de 150 GPa) pour la teneur la plus élevée en TiB2. Enfin, le coefficient de frottement est plus grand dans la zone de transition ou de rodage avant d’atteindre la même valeur moyenne de 0,6 dans le régime stationnaire.
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5

Navas Moscoso, Hernán Alberto, Wilson Henry Vaca Ortega, Juan Gilberto Paredes Salinas, Fabián Rodrigo Morales Fiallos, and Diego Fernando Núñez Núñez. "ANÁLISIS CUANTITATIVO DE LOS ELEMENTOS ALEANTES PRINCIPALES PRECIPITADOS EN BILLETS DE ALUMINIO DE ALEACIÓN 6063 EN EQUIPO DE FUNDICIÓN DE COLADA CONTINUA HORIZONTAL PARA EL PROCESO DE EXTRUSIÓN." Ingenius, no. 17 (December 29, 2016): 42. http://dx.doi.org/10.17163/ings.n17.2017.06.

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Abstract:
<p>La escasez de estudios <em>in situ</em> sobre procesos de colada continua horizontal en aleaciones de aluminio, impulsa la necesidad de investigar la influencia de temperatura, velocidad y materia prima en <em>billets</em> de aluminio homogenizados AA6063. Aplicando ensayos de espectrometría, permiten cuantificar el porcentaje en peso de aleantes principales magnesio y silicio. Estos elementos al precipitar forman siliciuro de magnesio (Mg<sub>2</sub>Si) durante el proceso de homogenizado. Para este estudio se produjo <em>billets</em> de aleación normal y experimental, demostrando una relación inversa entre los niveles de siliciuro de magnesio y dureza Brinell; así también la influencia de bajos niveles de porcentaje en peso de Mg<sub>2</sub>Si en la reducción de la resistencia a la tracción en el material.</p>
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6

Zybill, Christian. "Die Koordinationschemie des niedervalenten Siliciums." Nachrichten aus Chemie, Technik und Laboratorium 37, no. 3 (March 1989): 248–54. http://dx.doi.org/10.1002/nadc.19890370306.

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7

Hurtado Salinas, Daniel, Angel Bustamante Domínguez, Lizbet León Felix, Luis De los Santos Valladares, and Yutaka Majima. "Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente." Revista de Investigación de Física 13, no. 01 (July 15, 2010): 1–7. http://dx.doi.org/10.15381/rif.v13i01.8849.

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Abstract:
En este trabajo se estudia la morfología y cristalización de la superficie de películas delgadas de Cu (expuestos al medio ambiente) sobre sustratos de SiO2/Si. Las muestras fueron sometidas a tratamientos térmicos mediante el uso de un horno tubular, en un rango de temperaturas comprendidas entre 250ºC y 1000ºC durante 3 horas para luego ser enfriadas a razón de 1.4ºC/min. La cristalización de las muestras luego de los tratamientos térmicos fueron caracterizadas mediante difracción de Rayos X (DRX), mientras que la morfología de la superficie se analizo usando Microscopia Electrónica de Barrido (MEB). Los resultados obtenidos fueron analizados y encontramos que la temperatura de recocido mas optima que mejor la dirección (111) en la pelicula de cobre y que permite conocer la dinámica de los átomos de la superficie del sistema Cu/SiO2 con respecto a la temperatura, está comprendida en el rango de 400 y 500ºC. Durante todo el proceso de recocido las superficies de las muestras se oxidan y notamos la presencia de siliciuros de cobre
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8

Huppmann, F., St Rudolph, R. Herbst-Irmer, and A. Meller. "Reaktionen subvalenter Verbindungen des Siliciums mit Stickstoffheterocyclen." Zeitschrift f�r anorganische und allgemeine Chemie 621, no. 11 (November 1995): 1893–902. http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19956211111.

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9

Charbonnel, M., and C. Belin. "Synthèse et structure d'un nouveau siliciure: octasiliciure de lithium et d'heptapotassium." Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications 41, no. 10 (October 15, 1985): 1398–400. http://dx.doi.org/10.1107/s0108270185007922.

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10

Huppmann, Frank, Mathias Noltemeyer, and Anton Meller. "Reaktionen subvalenter Verbindungen des Siliciums mit alkylierten Aromaten." Journal of Organometallic Chemistry 483, no. 1-2 (December 1994): 217–28. http://dx.doi.org/10.1016/0022-328x(94)87167-1.

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Dissertations / Theses on the topic "Siliciures"

1

Thomas, Olivier. "Contribution à l'étude des siliciures pour la microélectronique." Grenoble INPG, 1986. http://www.theses.fr/1986INPG0069.

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Abstract:
Elaboration de monocristaux de TaSi2, MoSi2, WSi2. Mesures de conductivité, magnétoconductivité; détermination de la surface de Fermi de MoSi2 par effet de Haas van Alphen. L'interaction du phosphore avec WSi2 a été étudiée par la métallurgie des poudres
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2

Wang, Xian-Zhong. "Relations entre propriétés structurales et supraconductrices de nouveaux siliciures et germaniures ternaires : MTSi, MTGe, MₓSi₂₋ₓ et MTSi₃ (M = Ti, Zr, Hf, terres rares, Th et T = Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt)." Bordeaux 1, 1986. http://www.theses.fr/1987BOR10513.

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3

Bakli, Mouloud. "Etude de l'origine de la diffusion latérale et réalisation d'un procédé salicide WSI2." Grenoble 1, 1991. http://www.theses.fr/1991GRE10002.

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Abstract:
Dans la technologie salicide (formation auto-alignee d'un siliciure sur la grille, la source et le drain d'un transistor mos), s'orientant vers des dimensions inferieures au micron, la demande en nouveaux materiaux et en comprehension des mecanismes de diffusion laterale succite encore beaucoup de questions et d'alternatives. Sur la base d'un ensemble d'experiences, nous avons explique l'origine de la diffusion laterale des siliciures dans la technologie salicide. Celle-ci est due a une diffusion rapide de silicium en surface du metal des les premieres phases de la reaction m-si. Et, c'est cette comprehension meme qui nous a permis de mettre au point et de proposer plusieurs moyens de controle de la diffusion laterale. La plus elegante de ces methodes est sans doute celle de l'encapsulation par une couche de tin formee thermiquement sur du w. L'exploitation de ce procede nous a permis de mettre au point, et cela pour la premiere fois, un salicide wsi2, non seulement des dispositifs electriques fonctionnels mais surtout des circuits 4k sram fonctionnels a des rendements de 70%! nous avons egalement etudie la formation de jonctions fines de 0,1 m avec l'idee d'une implantation dans le siliciure, combinee a un salicide wsi2. Nous avons obtenu d'excellentes jonctions p#+/n fonctionnelles pour un dopage au bore. Pour l'arsenic, il semble plus difficile de former les jonctions a travers wsi2
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4

Ali, Lyad. "Etude des propriétés de siliciures semiconducteurs en couches minces." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10142.

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Abstract:
Nous nous sommes interesses a l'elaboration et a l'etude de films minces de siliciures de fer ou de rhenium semiconducteurs sur un substrat de silicium monocristallin. Un certain nombre de caracterisations physico-chimiques, structurales et optiques ont ete effectuees pour s'assurer de la qualite, de la composition et de la nature semiconductrice des echantillons. Au moyen de mesures photoelectriques, nous avons etudie des phenomenes de photo-emission interne dans des heterojonctions siliciure-silicium. Cette etude a permis d'analyser les mecanismes de transport mis en jeu et de proposer des diagrammes de bandes pour quelques heterojonctions siliciure-silicium. Nous avons essaye d'optimiser les conditions d'elaboration de facon a diminuer le dopage residuel et a augmenter la mobilite des porteurs. Nous avons obtenu des siliciures en couches minces sur silicium dont les caracteristiques sont a la hauteur de celles des meilleurs monocristaux, eux-memes assez rares et generalement de dimensions millimetriques
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5

Vernière, Anne. "Etude de siliciures ternaires : élaboration, propriétés structurales et magnétiques." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10213.

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Abstract:
La partie principale de cette these est consacree a l'etude du compose a fermions lourds uir#2si#2. L'elaboration de monocristaux de grande purete chimique en a ete une etape importante. L'etude et la mise au point d'un nouveau four de tirage czochralski a chauffage tri-arcs sont decrites. Cet appareillage, entierement concu en technique ultravide, a permis la synthese de monocristaux dont les caracteristiques sont meilleures que celles publiees, jusqu'a ce jour. La recherche de nouveaux intermetalliques ternaires proches, dans le diagramme d'equilibre, des composes a fermions lourds de formule generale 1-2-2 est egalement abordee. Trois nouvelles familles de composes ont ete ainsi mises en evidence: m#2t#3x, m#6t#1#6x#7 et m#4t#1#3x#9 (avec m = terre rare ou uranium, t = element de transition et x = silicium ou germanium). Leurs proprietes cristallographiques et physiques ont ete etudiees. Les composes des deux premieres familles sont paramagnetiques de type pauli. Ceux de la troisieme sont, en revanche, tous ordonnes, avec des comportements magnetiques varies. En particulier, nos mesures revelent que u#4ir#1#3si#9 et u#4ir#1#3ge#9 sont deux nouveaux fermions lourds presentant trois transitions magnetiques. Les etudes realisees au cours de ce travail sur uir#2si#2 confirment toute la complexite de ce compose a fermions lourds. Les caracterisations structurales de nos monocristaux ont mis en evidence, pour la premiere fois, l'existence de substitutions d'iridium, par du silicium, sur les deux sites cristallographiques de l'iridium. Les sites de silicium ne sont pas affectes par ce melange, ce qui n'avait jamais ete soupconne. L'influence du recuit et de la stoechiometrie sur les proprietes de uir#2si#2 est egalement presentee. Les etudes par diffraction des neutrons ont montre que uir#2si#2 est antiferromagnetique de type i, que la densite d'aimantation est isotrope et presque uniquement portee par l'uranium et qu'il existe une contribution positive supplementaire attribuable aux electrons de conduction
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6

Gottlieb, Ulrich. "Quelques propriétés physiques intrinsèques des siliciures métalliques et semiconducteurs." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0008.

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Abstract:
Dans la premiere partie nous decrivons la mise au point d'une experience de mesures de transport a basses temperatures. Nous avons construit un dispositif experimental qui permet de piloter la rotation de l'echantillon a basse temperature sous fort champ magnetique a partir de l'exterieur du cryostat. La deuxieme partie de la these est consacree a l'etude systematique des siliciures isostructuraux et isoelectroniques vsi#2, nbsi#2 et tasi#2. Les echantillons sont monocristallins. Les trois composes sont metalliques et leur resistivite a haute temperature est anisotrope. Des mesures de magnetoresistance nous ont permis d'explorer la surface de fermi de nbsi#2. Des mesures de chaleur specifique a tres basse temperature revelent que la densite d'etats electronique au niveau de fermi est deux fois plus elevee pour vsi#2 que pour les deux autres siliciures. Les temperatures de debye des trois composes varient en fonction de m##1#/#2 (m: masse molaire) indiquant que les forces interatomiques sont identiques. Nbsi#2 et tasi#2 sont supraconducteurs en dessous respectivement 130 mk et 353 mk. Des mesures de susceptibilite montrent que vsi#2 est paramagnetique, nbsi#2 et tasi#2 sont diamagnetiques. Les spectres de phonons obtenus par des mesures de spectroscopie de pointes sont en bon accord avec les temperatures de debye obtenues par les autres methodes. Des etudes sur les proprietes de transport des siliciures semiconducteurs crsi#2, resi#1#,#7#5 et ru#2si#3 sont decrites dans le troisieme chapitre. La preparation de monocristaux de ces materiaux est plus difficile que celle des siliciures metalliques. La resistivite des trois composes est anisotrope. Ru#2si#3 et resi#1#,#7#5 se comportent comme des semiconducteurs dopes en regime extrinseque. Crsi#2 montre plutot le comportement d'un mauvais metal. La magnetoresistance de ru#2si#3 a basse temperature peut s'interpreter dans un modele de localisation faible ou les interactions electron-electron sont dominantes
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7

Lemang, Mathilde. "Enjeux de siliciuration pour des technologies avancées de la microélectronique : étude de l'interaction entre les siliciures de NiPt et le phosphore." Thesis, Aix-Marseille, 2018. http://www.theses.fr/2018AIXM0469/document.

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Abstract:
Dans le but d’intégrer des technologies CMOS avec des cellules mémoires, une seule étape de siliciuration de tous les contacts permettrait de diminuer les couts et de faciliter l’intégration. La formation de siliciure simultanément au niveau des sources, drains et grilles avec du NiPt(10 at.%) est nécessaire pour la technologie FD-SOI parce que cette dernière induit des spécifications exigeantes en ce qui concerne la siliciuration. En effet, le siliciure formé avec le procédé Salicide se doit d’être très fin et stable pour contenir le phénomène de diffusion anormale du Ni qui pourrait être à l’origine de fuites de la jonction. De plus, la réduction des dimensions des cellules mémoires nécessite l’incorporation de dopants d’une manière alternative à l’implantation ionique. L’introduction de dopage au phosphore de manière in-situ pendant le dépôt de silicium nécessite la compréhension de l’interaction du siliciure et des dopants. Dans cette étude, différents types de dopage sont étudiés dans des substrats mono et poly-cristallins afin de correspondre aux multiples types de silicium qui sont présents dans les technologies et qui nécessitent une siliciuration. La redistribution du phosphore entraînée par la formation du siliciure est étudiée et discutée à l’aide de caractérisations par sonde atomique tomographique et spectrométrie de masse à ionisation secondaire à temps de vol. De plus, la réaction à l’état solide est étudiée à l’aide de diffraction par rayons-X afin de comprendre l’impact des dopants sur la séquence de phases. Finalement, la redistribution des dopants observée expérimentalement est étayée par des simulations basées sur un modèle par éléments finis
For the purpose of co-integrating the CMOS technology with memory cells, a unique step of silicidation of all the contacts would decrease costs and ease the integration. The simultaneous silicide formation on the source, drain and gate contacts with NiPt(10 at.%) is required for the FD-SOI technology because the latter induces challenging specifications for the silicidation. As a matter of fact, the silicide formed with the Salicide process must be very thin and stable to contain the NiSi piping phenomenon that could lead to junction leakage. Meanwhile, new integration roads and the reduction of the dimensions of the memory cells arise the need of other ways of dopant incorporation as a substitute to ionic implantation. The introduction of phosphorus by in-situ doping during the deposition of silicon requires the understanding of the interaction of silicide and dopants with this configuration. In this study the metallization of phosphorus doped Si is presented. Different doping types are investigated with mono and poly-crystalline substrates in order to match the various silicon layers needing a silicidation and present in the technologies. The phosphorus redistribution occurring during silicide formation is studied and discussed thanks to Atom Probe Tomography and Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry analyses. Moreover, the solid-state reaction is studied thanks to X-Ray diffraction to understand the dopants’ impact on the phase sequence. Finally, the dopant redistribution is analyzed thanks to modeling
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8

KARMED, HOCINE. "Elaboration et caracterisation de couches minces de siliciures de tungstene." Nantes, 1989. http://www.theses.fr/1989NANT2023.

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Abstract:
Les siliciures de tungstene en couches minces sont utilises comme materiau de grille et d'interconnexion dans les circuits integres. Des couches minces elaborees par pulverisation cathodique d'une cible wsi#2 ont un rapport atomique si: w egal a 1,1. Pour tenter d'atteindre la stchiometrie wsi#2, nous avons elabore des couches minces de differentes facons: par pulverisation de la cible wsi#2 en presence d'un gaz reactif: le silane, par pulverisation simple d'une cible wsi#2#,#7, par pulverisation alternee de 2 cibles elementaires de w et de si. Le plus grand rapport atomique si: w est obtenu pour des couches minces elaborees a partir de la cible wsi#2#,#7. Ce rapport vaut 1,7. Ces memes couches minces presentent la plus faible resistivite (50 micro-ohm-cm), apres recuit. Des couches minces elaborees a partir de la cible wsi#2#,#7, mais sur des substrats chauds (100 a 500 degres-celsius) ont une resistivite elevee (500-600 micro-ohm-cm), avant recuit. Dans une deuxieme partie, nous avons etudie les impuretes dans les couches minces par differentes methodes d'analyse (aes, xps, sims). L'etude de la repartition de l'oxygene dans les couches minces deposees sur des substrats chauds permet de conclure a l'existence d'un processus de diffusion de l'oxygene dans ces couches dependant de la temperature de chauffage des substrats
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9

Blanquet, Elisabeth. "Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique." Grenoble INPG, 1990. http://www.theses.fr/1990INPG0003.

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Abstract:
Les disiliciures de metaux refractaires sont d'excellents candidats a une utilisation comme materiaux d'interconnexions et de contact en technologie silicium a tres haut niveau d'integration. Dans le cadre des recherches de procedes pour elaborer des couches minces de ces materiaux, nous nous sommes interesses a la technique de depot chimique en phase vapeur (cvd). Cette etude a porte essentiellement sur les disiliciures de tantale, tasi#2 et de tungstene, wsi#2. Une analyse thermodynamique prealable des systemes chimiques ta-si-h-o-cl et w-si-h-o-cl- ou f a permis de determiner les valeurs des parametres experimentaux (temperature de depot, pression totale, pressions partielles initiales des gaz actifs) theoriquement favorables a la formation des disiliciures. A partir de ces resultats, un reacteur cvd, a murs froids, fonctionnant a pression atmospherique a ete concu. L'originalite de celui-ci reside dans l'elaboration et le transport du precurseur metallique (chlorure de ta et w) qui s'effectuent dans la chambre de chloruration in situ. Des depots de siliciures de tantale et de tungstene ont ete realises. La confrontation des resultats thermodynamiques et experimentaux revele un accord tres satisfaisant entre previsions et experiences
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10

Saintenoy, Stéphanie. "Structures atomiques et électroniques de volume et de surface de couches très minces de siliciures d'erbium épitaxiées sur Si(111)." Mulhouse, 1995. http://www.theses.fr/1995MULH0414.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude des siliciures d'erbium ErSi1, 7 épitaxiés sur Si(111), obtenus par coévaporation des espèces Er et Si (technologie MBE) sur substrats maintenus à température ambiante, suivies de recuits entre 450°C et 850°C. L'analyse in situ conjugue essentiellement la diffraction des électrons lents (DEL) et la photoémission UV angulaire haute résolution (ARUPS). La surstructure 3x3R30- observée en DEL est attribuée à un arrangement ordonné de lacunes de silicium dans la couche qui contribuent fortement à susciter l'intérêt fondamental porté par ce système. Le suivi des spectres UPS sous l'effet de différents paramètres physiques nous ont permis d'identifier les différentes structures électroniques enrichissant la bande de valence de ErSi1,7 était constituée d'une couche bouclée de silicium de type Si(111) idéale. La structure de bandes de surface expérimentale exclut l'hypothèse d'un réseau ordonné de lacunes en surface, ce qui est confirmé par les courbes de dispersion théoriques (méthode de Huckel) et l'analyse d'images haute résolution obtenues en STM. Un raisonnement en théorie des groupes appliqué à un état de surface particulier, nous a permis, par comparaison avec les effets de polarisation constatés en photoémission de préciser la position (suggérée par l'analyse des images STM) des atomes de surface par rapport aux lacunes du volume
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Books on the topic "Siliciures"

1

(Editor), Karen Maex, and Marc Van Rossum (Editor), eds. Properties of Metal Silicides (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1995.

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2

Biomedical Applications Of Mesoporous Ceramics Drug Delivery Smart Materials And Bone Tissue Engineering. CRC Press, 2012.

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Book chapters on the topic "Siliciures"

1

"siliciuret, n." In Oxford English Dictionary. 3rd ed. Oxford University Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1093/oed/9997695789.

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2

"2. Reaktionsprinzipien des Siliciums." In Silicium- und Nanotechnologie für Lacksysteme, 13–16. Vincentz Network, 2021. http://dx.doi.org/10.1515/9783748604983-003.

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Conference papers on the topic "Siliciures"

1

Thomas, O. "Les siliciures de métaux de transition en microélectronique : propriétés mécaniques et contraintes induites au cours de la formation en phase solide." In PlastOx 2007 - Mécanismes et Mécanique des Interactions Plasticité - Environnement. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2009. http://dx.doi.org/10.1051/ptox/2009020.

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