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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'SOA optique intégrée Puits quantiques'

Author: Grafiati
Published: 7 July 2024
Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "SOA optique intégrée Puits quantiques"

1

Yu, Shuqi. "Semiconductor optical amplifiers for future telecom system." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2024. http://www.theses.fr/2024IPPAS006.

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Abstract:
L'augmentation continue de la demande de transmission de données contraint les réseaux optiques à évoluer et à améliorer leur capacité de transmission. Comme l'efficacité spectrale des fibres optiques semble avoir atteint sa limite, l'une des meilleures solutions consiste à étendre la largeur de bande spectrale des systèmes optiques. Compte tenu de la demande de systèmes d'amplification optique à large bande passante, nous avons décidé de mener des recherches sur les amplificateurs optiques à semiconducteurs (SOA) car ils offrent un gain personnalisé et une expansion flexible de la bande passa
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2

Rouifed, Mohamed Saïd. "Modulateurs à base de puits quantiques Ge/SiGe pour la photonique sur silicium." Thesis, Paris 11, 2014. http://www.theses.fr/2014PA112178/document.

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Abstract:
La photonique silicium est un domaine de recherche en pleine expansion depuis quelques années. Elle est envisagée comme une solution prometteuse pour le remplacement des interconnexions électriques par des liens optiques. A terme, l’intégration de l’optique et de l’électronique sur les mêmes puces doit permettre une augmentation des performances des circuits intégrés, et ainsi proposer des composants à hautes performances et à bas coût. Dans ce contexte, les travaux menés durant ma thèse ont porté plus spécifiquement sur l’étude de la modulation optique autour de la bande interdite directe et
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3

Vakarin, Vladyslav. "Composants optoélectroniques à base d'alliages SiGe riches en Ge pour le proche et moyen infrarouge." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS473/document.

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Abstract:
Aujourd’hui les interconnections optiques ont devancé les interconnections électriques à longue, moyenne et courte distance dans le domaine des télécommunications. La photonique silicium a connu un tel développement que même les interconnections inter et intra puces deviennent progressivement à dominante optique. En revanche, la multiplication des terminaux d’accès et l’augmentation constante du volume de données échangées imposent l’apparition de nouveaux composants avec une consommation énergétique encore plus faible. Dans ce contexte, les composants optoélectroniques à faible consommation à
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4

Lamponi, Marco. "Lasers inp sur circuits silicium pour applications en telecommunications." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00769402.

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Abstract:
La photonique du silicium a connu un développent massif pendant les dix derniers années. Presque toutes les briques technologiques de base ont été réalisées et ont démontrées des performances remarquables. Cependant, le manque d'une source laser intégrée en silicium a conduit les chercheurs à développer de composants basés sur l'intégration entre le silicium et les matériaux III-V.Dans cette thèse je décris la conception, la fabrication et la caractérisation des lasers hybrides III-V sur silicium basés sur cette intégration. Je propose un coupleur adiabatique qui permet de transférer intégrale
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5

Bernard, Alice. "Towards an electrically-injected optical parametric oscillator." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2018. http://www.theses.fr/2018USPCC104/document.

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Abstract:
Le travail présenté dans cette thèse porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de sources prévues pour fonctionner à la fois comme diode laser et comme oscillateur paramétrique optique. Ces lasers sont conçus pour émettre sur un mode d’ordre supérieur afin de permettre une conversion de fréquence paramétrique avec les modes fondamentaux du guide à la fréquence moitié. La diode laser et l’OPO partagent la même cavité optique ; pour assurer l’accord de phase et corriger les écarts à la structure nominale induits lors de l’élaboration par épitaxie, la largeur de ruban est util
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6

Chaisakul, Papichaya. "Ge/SiGe quantum well devices for light modulation, detection, and emission." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00764154.

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Abstract:
This PhD thesis is devoted to study electro-optic properties of Gemanium/Silicon-Germanium (Ge/SiGe) multiple quantum wells (MQWs) for light modulation, detection, and emission on Si platform. It reports the first development of high speed, low energy Ge/SiGe electro-absorption modulator in a waveguide configuration based on the quantum-confined Stark effect (QCSE), demonstrates the first Ge/SiGe photodiode with high speed performance compatible with 40 Gb/s data transmission, and realizes the first Ge/SiGe light emitting diode based on Ge direct gap transition at room temperature. Extensive D
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