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Academic literature on the topic 'Structure. Proprietes mecaniques et thermiques'
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Journal articles on the topic "Structure. Proprietes mecaniques et thermiques"
1
Madani, Saad El, S. ELHAMZI, A. IBNLFASSI, L. ZERROUK, O. BEN LENDA, J. KATTEN, Y. AIT YASSINE, and L. BOUIRDEN. "MODELISATION DE L'INFLUENCE DU TRAITEMENT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES MECANIQUES DES ALLIAGES ALUMINIUM-CUIVRE (Al-Cu)." JOURNAL OF ADVANCES IN PHYSICS 10, no. 2 (August 30, 2015): 2753–61. http://dx.doi.org/10.24297/jap.v10i2.1334.
Full textAbstract:
In order to master and improve the quality and properties of the final products, the major industrial challenge lies in the possibility of controlling the morphology, size of microstructures that reside within the molded pieces, as well as their defects; this is the fundamental reason according to which we are more and more interested in mastering the growth and germination of such alloys, as well as the developing structures, at the time of solidification process. The modeling reveals as a valuable aid in the mastery of the formation of such heterogeneousness: segregation cells that are incompatible with industrial requirements.  The whole work focuses upon the modeling of the segregation phenomenon of the four hypoeutectic alloys, Al1%Cu, Al2%Cu, Al3%Cu et Al4%Cu, as well as the copper effect upon certain mechanical properties of aluminum. Usually, the microstructure and mechanical behavior of such alloys as Al-Cu are directly influenced by some parameters such as composition, cooling velocity and homogenization process.
Dissertations / Theses on the topic "Structure. Proprietes mecaniques et thermiques"
1
Zhang, Qiang. "Identification modale et parametrique de structures mecaniques auto-adjointes et non auto-adjointes." Besançon, 1987. http://www.theses.fr/1987BESA2001.
Full textAbstract:
On propose plusieurs methodes de transformation des modes propres complexes identifiees en donnees plus commodes pour les applications ulterieures. Puis, on etudie les identifications modale et parametrique des structures non auto-adjointes. On propose plusieurs methodes permettant d'acceder aux vecteurs propres de gauche a partir d'un nombre tres limite d'essais. Enfin, on propose une procedure de recalage parametrique de modeles analytiques
2
Chabaud-Villard, Catherine. "Etude des mécanismes de l'ablation laser et réalisation de couches et multicouches supraconductrices." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10085.
Full textAbstract:
Nous avons realise au cours de ce travail de these un montage experimental d'elaboration de couches minces par ablation laser. Cette experience nous a tout d'abord permis de mener une etude des mecanismes de l'interaction laser-matiere. L'objectif de cette premiere partie de notre travail a ete de maitriser les aspects de morphologie de surface et de transfert de matiere caracterisant notre procede de depot par ablation laser. Nous avons ensuite aborde l'elaboration de couches minces supraconductrices, en nous interessant particulierement aux mecanismes de croissance de films d'ybco. A l'issue de ce travail d'optimisation des proprietes de nos couches minces, nous avons obtenu des caracteristiques supraconductrices et structurales nous ouvrant la voie de l'elaboration d'empilements multicouches. Nous avons mene une premiere etude sur des structures ybco/lsco, qui a souleve d'interessants problemes d'hetero-epitaxie des couches minces. Ces resultats mettent en evidence l'interet de la methode d'elaboration par ablation laser dans la maitrise de la croissance de couches minces
3
Gheeraert, Etienne. "Défauts de structure et impuretés dans les couches minces de diamant élaborées par dépôt chimique en phase vapeur." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10030.
Full textAbstract:
Nous avons optimise la qualite du diamant en fonction des conditions de preparation, et etudie la nature et la concentration de ses defauts electroniques residuels, pour la realisation, a long terme, de dispositifs electroniques avec du diamant en couches minces. Les couches (polycristallines) sont deposees sur si par cvd assiste par filament chaud (hfcvd) a 750c, et plasma micro-ondes (mpcvd) entre 620 et 880c. En hfcvd, du w (10#1#6 at-cm#2) est incorpore, et il existe une couche interfaciale (30 a 250 a) de sic. En mpcvd, il y a une incorporation faible de si, et une epaisseur equivalente de sic de 10 a 150 a quand le substrat de si est en aval du plasma. La largeur a mi-hauteur de la raie raman du diamant qui repere la qualite des couches est plus faible (meilleure) que les couches mpcvd, avec un minimum a 2 cm#-#1. Les defauts des couches mpcvd sont etudies par rpe et cathodoluminescence. Par rpe, il apparait des signaux a g=2. 0027 avec des largeurs autour de 4 et 10 gauss, attribuees a des liaisons libres de c en interaction et isolees, respectivement, avec une concentration minimum de 3 10#1#6 cm#-#3. Des bandes larges autour de 1. 8 et 2. 8 ev et des pics etroits a 1. 68, 1. 96, 2. 2, 2. 33, 2. 41, 2. 47, 2. 57, 2. 98 et 3. 09 ev, attribuees respectivement a des defauts etendus et ponctuels apparaissent en cathodoluminescence. Des resultats preliminaires montrent que l'incorporation de b ameliore la qualite des couches
4
Colonna, Stefano. "Etude par absorption X de super-réseaux supraconducteurs et couches minces métalliques." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1999. http://www.theses.fr/1999GRE10118.
Full textAbstract:
Dans ce travail nous avons analyse des super-reseaux d'oxydes complexes. Ces nouveaux materiaux presentent un considerable interet tant technologique, lie a la possibilite de controler les caracteristiques structurelles du materiau, que du point de vue de la physique des supraconducteurs a haute temperature de transition. Notamment l'etude implique des structures type infinite layer, (cacuo 2, srcuo 2) et des super-reseaux (bacuo 2) 2/(cacuo 2) n (n=2,3,4) et (bacuo 2) 2/(srcuo 2) 2. Les structures contenant du ca sont tres interessantes etant des supraconducteurs avec des temperatures de transition qui peuvent atteindre 80k a 90k. L'etude conduite au moyen de la spectroscopie d'absorption x a permis d'analyser la structure locale autour des atomes de cuivre, en fournissant des renseignements tres utiles sur le bloc charge reservoir qui dope le plans d'oxyde de cuivre (cuo 2) censes etre responsables de la supraconduction. Parallelement a l'activite experimentale sur les super-reseaux, une chambre a vide dediee aux mesures d'exafs de surface a ete installee et mise au point. Des etudes d'interfaces entre metaux de transition et mgo sont en cours de deroulement. Ce type d'interface presente un nombre considerable d'applications technologiques. En particulier trois differentes interfaces sont le sujet de ces etudes pd/mgo(100), cu/mgo(100) et ag/mgo(100). Des mesures preliminaires de test, faites pendant la mise au point de ce systeme a vide, ont ete presentees.
5
Ben, Dhia Hachmi. "Etude mathematique et approximation par une methode d'elements finis discontinus d'un probleme de hencky." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066035.
Full textAbstract:
On s'interesse dans ce travail a des problemes poses en mecanique des structures elastoplastiques. Les deux premiers chapitres sont consacres a l'etude theorique du probleme variationnel pose par un solide regi par la loi de comportement de hencky et sollicite par un chargement engendrant un etat de contraintes planes. En s'inspirant des techniques developpees par r. Temam, on etablit essentiellement un resultat d'existence pour ce probleme dans l'espace des fonctions integrables dont les deformations sont des mesures bornees. Les chapitres trois a sept forment l'ossature de ce travail et sont consacres a l'analyse numerique du probleme et a la mise en oeuvre d'une methode d'elements finis discontinus. Dans le cadre de l'analyse numerique du probleme, on renforce les resultats de convergence et d'estimations d'erreurs obtenus par d'autres auteurs. Dans le domaine de la mise en oeuvre numerique de la methode, on propose une regularisation des fonctionnelles considerees dont on montre, et l'efficacite et la superiorite sur les techniques couramment utilisees. Les fonctionnelles etant non-quadratiques (non linearite rheologique), on resout les problemes discrets par un algorithme quasi-newton, de type bfgs. La difficulte liee a l'initialisation de cet algorithme est surmontee par l'introduction d'un probleme quasi-elastique. On montre alors theoriquement puis numeriquement que le probleme quasi-elastique est un excellent preconditionneur pour le probleme elastoplastique et on illustre notamment la superiorite de cette demarche, qualifiee dans le texte par "prediction-correction", sur les techniques de lagrangien. On decrit enfin une methode de couplage visant a diminuer le "cout calcul" des elements finis discontinus. L'ensemble de ce travail est eclaire par divers tests en plasticite et en mecanique de la rupture
6
Loubradou, Marc. "Etude des déformations autour des défauts cristallins à l'échelle atomique : dislocations, interfaces facettées." Grenoble INPG, 1990. http://www.theses.fr/1990INPG0155.
Full textAbstract:
L'observation des structures atomiques des defauts dans les cristaux en microscopie electronique a transmission a haute resolution permet de tester l'applicabilite de la theorie de l'elasticite pour decrire l'etat de deformation a l'echelle de la maille cristalline. Un programme de calcul a ete concu pour construire les positions atomiques de n'importe quel cristal deforme par un large ensemble de defauts cristallins: 1) dislocations de matrice (al#2cu, superalliages a base nickel); 2) defauts periodiques appartenant aux structures interfaciales (joints de grains dans l'or, interface (gaas/gasb); 3) marches interfaciales. Pour traiter ces cas correctement, un nouveau concept appele dislocation de somigliana a ete utilise. Son application a ete satisfaisante pour cosi#2/si, ni#3al/ni#3nb et cfc/do#1#9. De plus, l'interpretation de certains defauts cristallins, observes a l'echelle atomique, montre les limites des theories actuelles, en particulier celle basee sur les reseaux de site en coincidence
7
Hadj, Mohammed el. "Applications des methodes multi-grilles aux calculs des structures elastique et visco-plastique." Paris, ENMP, 1987. http://www.theses.fr/1987ENMP0047.
Full textAbstract:
Les methodes multi-grilles sont destinees a reduire le cout de resolution des systemes lineaires (temps de calcul et stockage) en particulier sur de petits calculateurs. L'application de la methode des elements finis pour l'etude des structures et la mise en forme de materiaux conduit a de tels systemes. Dans le premier chapitre de notre travail, nous presentons en premier lieu les principes generaux d'approximation par elements finis et les methodes de resolution. Ceci nous permet ensuite, de decrire dans le second chapitre, le principe algorithmique d'une methode deux-grilles et la generalisation aux methodes multi-grilles. Nous terminons ce chapitre par une etude bibliographique de ces methodes. Dans le troisieme chapitre, nous analysons plusieurs algorithmes de resolution pour le cas de l'elasticite lineaire en deux et trois dimensions, puis nous presentons un algorithme efficace qui conduit a des resultats tres interessants du point de vue cout de resolution. Dans le dernier chapitre de cette these, nous presentons l'application de ces methodes aux problemes visco-plastiques en formulation vitesse et pression utilisant la methode du lagrangien augmente
8
Putaux, Jean-Luc. "Evolution structurale du joint de grains [sigma] = 9 (122) déformé, dans le silicium : étude par microscopie électronique à haute résolution." Grenoble 1, 1991. http://www.theses.fr/1991GRE10134.
Full textAbstract:
Des bicristaux de silicium, contenant initialement le joint de flexion symetrique sigma 9 ont ete deformes macroscopiquement, en traction ou en compression, a differentes temperatures. L'interface a ete caracterisee apres deformation par microscopie electronique a haute resolution. Les observations ont permis de clarifier, a l'echelle atomique, le mecanisme des interactions entre les dislocations de matrice et le joint de grains. Elles ont montre que l'evolution structurale du joint etait controlee par l'absorption et la decomposition des dislocations dissociees ainsi que le mouvement (par glissement et par montee) et les reactions des residus dans l'interface. Les resultats mettent en evidence la migration du joint, par deplacement de residus associes a une marche, ainsi que la variation de son angle de flexion. Son contenu en defauts est d'autant plus relaxe que la temperature de deformation (agissant directement sur la diffusion) est elevee, favorisant ainsi la repartition periodique des defauts, le facettage et la formation de nouveaux joints de coincidence. Plusieurs structures nouvelles, tetracoordonnees, ont ete modelisees au moyen d'un nombre limite de motifs atomiques, appeles unites structurales, et simulees par calculs numeriques. Des regles gouvernant le melange de ces unites ont ete enoncees
9
Brault, de Bournonville Marie-Bénédicte. "Cristallochimie et proprietes des fluoroniobates iv alcalins." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066041.
Full textAbstract:
La premiere partie comporte la synthese et l'etude structurale des fluorures ternaires nbf::(4), mf avec m = li,na,k,rb,cs pour des rapports moleculaires 5-4, 1-2 et 1-3. Les composes m::(2)nbf::(6) presentent trois varietes cristallines (hexagonale, quadratique, hexagonale). Les composes mnnb::(1,25)f::(6) sont tous isotypes des phases mnbf::(6) correspondantes et peuvent donc etre decrits a partir d'une surstructure de type reo::(3) avec cations interstitiels. La seconde partie concerne l'etude des proprietes physicochimiques des nouveaux composes synthetises : mesure des susceptibilites magnetiques et des moments effectifs, comparaison avec les valeurs calculees
10
Cherief, Nassima. "Etude structurale et physicochimique de l'interface Fe/Si." Grenoble 1, 1989. http://www.theses.fr/1989GRE10123.
Full textAbstract:
Nous avons explore les conditions de formation du siliciure semiconducteur fesi#2-beta, a partir des films minces de fer (d 40 a) deposes, sous ultravide, sur les trois differentes faces du silicium: si(111), si(100) et si(100) vicinale. Les techniques de caracterisation in-situ (a. E. S. , x. P. S. , u. P. S. , l. E. F. D. ) auxquelles sont associees les techniques ex-situ qui sont la microscopie electronique a transmission et les mesures electriques (resistivite et effet hall), ont montre que le fesi#2 est obtenu a partir d'une temperature de recuit de 500#oc. Le film est stable jusqu'a 650#oc, temperature au-dela de laquelle il se rompt en ilots. La qualite cristalline des films obtenus depend beaucoup de l'orientation du substrat utilise. Sur la face si(111) tout le film est epitaxie. Sur la face si(100) aucune epitaxie n'a ete obtenue, et sur la face si(100) vicinale une epitaxie partielle a ete observee. Le caractere semiconducteur des films formes a ete verifie par le comportement de leur resistivite en fonction de la temperature. Ils presentent cependant un dopage p fort eleve (10#1#8 cm##3)