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Dissertations / Theses on the topic 'Substrate contribution'
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Fesser, Stephanie Marion. "Contribution of RNA binding proteins to substrate specificity in small RNA biogenesis." Diss., Ludwig-Maximilians-Universität München, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-173105.
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Ismail, Alhzzoury Ahmad. "Contribution à la modélisation des structures SIW et SINRD pour application micro-ondes et télécommunication." Phd thesis, Toulouse, INPT, 2013. http://oatao.univ-toulouse.fr/9701/1/ismail_alhzzoury.pdf.
Full textAbstract:
Les développements technologiques en télécommunication et microondes tendent depuis plusieurs années vers la miniaturisation des circuits, une réduction des coûts, des masses et des pertes dans ces dispositifs. Les circuits SIW (Substrate Integrated Waveguide) s’inscrivent tout à fait dans cette mouvance et font à l’heure actuelle l’objet de nombreux sujets de recherche avec des applications directes dans l’industrie. Les circuits SINRD (Substrate Integrated Non Radiative Dielectric) utilisent eux les propriétés du substrat usiné (insertion de trous) pour la propagation du signal et des fonctions de l’électronique peuvent également être développées avec cette technologie. La conception de ces circuits passe généralement par des outils peu performants car non dédiés. Dans ce travail de thèse, une méthode numérique dédiée à ces circuits est développée. Elle est validée par comparaison à d’autres méthodes numériques et des mesures. Elle présente des temps de calcul très faibles. De nouveaux dispositifs pour des applications en télécommunications spatiales bas coûts et faibles pertes peuvent ainsi être développés grâce à elle.
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Moshayedi, Pouria. "Contribution of substrate stiffness to the development of foreign body reaction in the brain." Thesis, University of Cambridge, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.609900.
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Ismail, Alhzzoury Ahmad. "Contribution à la modélisation des structures SIW et SINRD pour application micro-ondes et télécommunications." Phd thesis, Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00871985.
Full textAbstract:
Les développements technologiques en télécommunication et microondes tendent depuis plusieurs années vers la miniaturisation des circuits, une réduction des coûts, des masses et des pertes dans ces dispositifs. Les circuits SIW (Substrate Integrated Waveguide) s'inscrivent tout à fait dans cette mouvance et font à l'heure actuelle l'objet de nombreux sujets de recherche avec des applications directes dans l'industrie. Les circuits SINRD (Substrate Integrated Non Radiative Dielectric), utilisent eux les propriétés du substrat usiné (insertion de trous) pour la propagation du signal et des fonctions de l'électronique peuvent également être développées avec cette technologie. La conception de ces circuits passe généralement par des outils peu performants car non dédiés. Dans ce travail de thèse, une méthode numérique dédiée à ces circuits est développée. Elle est validée par comparaison à d'autres méthodes numériques et des mesures. Elle présente des temps de calcul très faibles. De nouveaux dispositifs pour des applications en télécommunications spatiales bas coût et faibles pertes peuvent ainsi être développés grâce à elle.
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GOUTSOU, PERRAKI VASSILIKI. "Contribution a l'etude des cellules solaires epitaxiees sur si metallurgique." Paris 7, 1988. http://www.theses.fr/1988PA077138.
Full textAbstract:
Des photopiles p**(+)pn**(+) ont ete fabriquees par depot epitaxique d'une couche mince de si ultrapur sur un substrat sommairement purifie (umg) p**(+), puis formation de la couche n**(+), des contacts metalliques et de la couche antireflet par serigraphie. Mesures de la longueur de diffusion ln (methode lbic) et de la reponse spectrale des cellules
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Fesser, Stephanie Marion [Verfasser], and Klaus [Akademischer Betreuer] Förstemann. "Contribution of RNA binding proteins to substrate specificity in small RNA biogenesis / Stephanie Marion Fesser. Betreuer: Klaus Förstemann." München : Universitätsbibliothek der Ludwig-Maximilians-Universität, 2013. http://d-nb.info/1055907793/34.
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MacAdams, Jacqueline. "Substrate contribution to endogenous glucose production, insulin resistance and protein metablism in non-small cell lung cancer cachexia." Thesis, McGill University, 2011. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=104777.
Full textAbstract:
The loss of muscle mass and adipose tissue in cancer cachexia may be linked to increased rates of gluconeogenesis (GNG) and altered whole-body protein metabolism. This study measured the fractional contributions (%) of glycogen, glycerol and phophoenolpyruvate (PEP) to endogenous glucose production (EGP) using oral 2H2O in non-small cell lung cancer (NSCLC) patients and matched healthy control subjects. Additionally, 13C-leucine and 3H3-glucose tracers were used to measure whole-body protein turnover and glucose kinetics respectively during the fasting state and during a hyperinsulinemic euglycemic clamp. The rate of EGP and the fractional substrate contributions were not different between the NSCLC and control groups following a 17-hour fast. The majority of EGP came from equal contributions of PEP and glycogen, whereas glycerol contributed < 10%. NSCLC patients were insulin resistant; their lesser clamp glucose uptake was not correlated to GNG flux, but rates of protein oxidation were, indicating less protein retention.La perte de tissus musculaire et adipeux associée à la cachexie du cancer pourrait être reliée à des taux accrus de néoglucogénèse (GNG) et de turnover des protéines corporelles. Cette étude a mesuré la contribution fractionnelle (%) du glycogène, du glycérol et du phosphoénolpyruvate (PEP) à la production endogène de glucose (EGP), à l'aide du 2H2O oral chez des patients avec cancer du poumon (NSCLC) et des sujets témoins appariés. De plus, les cinétiques de protéines et de glucose ont été quantifiées à l'aide des traceurs 13C-leucine et 3H3-glucose, à jeun et durant un clamp hyperinsulinique, euglycémique. Les taux d'EGP et les contributions fractionnelles des substrats n'étaient pas différents entres les groupes NSCLC et témoins suite à un jeûne de 17 heures. Le PEP et le glycogène ont contribué également et majoritairement au EGP; le glycérol contribuant pour < 10%. Les patients avec NSCLC étaient résistants à l'insuline. Leur taux inférieurs de captation du glucose n'étaient pas corrélés avec le flux néoglucogénique, mais celui-ci était positivement relié aux taux d'oxydation des protéines, indiquant une moindre rétention.
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Vallur, Aarthy C. "Kinetic analysis of the contribution of base flipping to the substrate specificity and catalytic activity of human alkyladenine dna glycosylase." [Gainesville, Fla.] : University of Florida, 2004. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/UFE0008300.
Full textAbstract:
Thesis (Ph.D.)--University of Florida, 2004.Typescript. Title from title page of source document. Document formatted into pages; contains 135 pages. Includes Vita. Includes bibliographical references.
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Sankharé, Mohamed Alioune. "Contribution au développement de systèmes électroniques organiques sur support souple : intégration de modèle pour la conception de circuits." Thesis, Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4335/document.
Full textAbstract:
Cette thèse a pour objectif de contribuer à la caractérisation et à la modélisation des transistors organiques en couches minces ou OTFTs (Organic Thin Film Transistors). Elle s’est déroulée en partenariat avec le CEA-LITEN qui dispose d'une technologie imprimée ayant démontré sa fonctionnalité à plusieurs reprises. Le but de ce travail est d'abord de comprendre le fonctionnement des transistors organiques afin de déterminer l'impact des paramètres technologiques sur les caractéristiques électriques. Ceci est fait en utilisant une approche par simulation grâce aux paramètres extraits à partir de la mesure. La dépendance en géométrie et en température des paramètres du transistor est observée et étudiée afin de proposer un modèle valide prenant en compte ces variations. Le modèle doit être intégrable dans les flots de conception classiques de la microélectronique (Cadence, Eldo, ADS, etc…). Des modèles de dispersion sont présentés et par la suite utilisés pour la simulation et la réalisation de circuits analogiques organiquesThis thesis focuses on a contribution of organic thin film transistors (OTFTs) characterization and modeling. It takes place in partnership with CEA-LITEN, which has a printed technology. This technology has demonstrated its functionality repeatedly. The goal is to first understand in depth the functioning of the organic transistors to determine the impact of technological parameters on electrical characteristics. This is done using a simulation approach using the parameters extracted from the measurements. The geometry and temperature dependences of the transistor parameters are observed and studied in order to provide a valid model for a wide range of geometry and temperature. The proposed model should respect the following constraints: an integrability in conventional design tools (Cadence, Eldo, ADS, etc...) and must also include a dispersion model. This model is subsequently used to produce blocks of analog circuits
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Hourdequin, Hélène. "Contribution à la conception et mise en oeuvre de structures de packaging pour la montée en tension des modules de puissance : contraintes sur les isolants." Thesis, Toulouse 3, 2018. http://www.theses.fr/2018TOU30357.
Full textAbstract:
L'électronique de puissance est à l'orée d'une importante évolution avec l'introduction dans les systèmes de nouveaux composants de puissance à semi-conducteur 'grand gap'. En effet, l'évolution de la filière technologique à base de carbure de silicium (SiC) permet le développement de puces de tailles plus petites, capables de fonctionner à plus haute fréquence de commutation, et de supporter des tensions supérieures aux tensions actuelles, restreintes depuis plusieurs dizaines d'années par les propriétés physiques du silicium. L'introduction de ces composants impose par conséquent d'adapter leur environnement pour prendre en compte ces nouvelles performances. D'un point de vue électrique, les contraintes imposées aux matériaux isolants deviennent proches de leurs limites admissibles, notamment dans les configurations de packaging des modules de puissance actuellement utilisées. L'objectif de cette thèse est de proposer une solution originale permettant d'intégrer les composants de tenue en tension 15 kV, actuellement en phase de développement, dans une structure telle que le module de puissance. Après avoir étudié différentes solutions de packaging, l'étude s'est notamment focalisée sur une zone particulière, appelée zone de point triple située à l'intersection entre le substrat isolant, la métallisation et l'encapsulation. Nous proposons, à partir de simulations par la méthode des éléments finis, une nouvelle géométrie du substrat céramique métallisé capable de réduire l'intensité du champ électrique au point triple. La modification de la structure consiste en la création d'une gorge dans le substrat au bord de la métallisation. Cette nouvelle structure optimisée a montré en simulation une réduction remarquable de l'intensité du champ électrique au point triple du fait d'une meilleure répartition des équipotentielles. Après une revue des différentes techniques de réalisation, l'usinage par ultrasons a été retenu, ce mode d'usinage est particulièrement efficace pour des matériaux durs et cassants telles que les céramiques et permet d'obtenir un profil de gravure présentant notamment un excellent alignement du bord du métal avec celui de la céramique. Les résultats expérimentaux sur des échantillons tests ont permis de procéder à des essais montrant des résultats intéressants et encourageants en terme de décharges partielles et de tenue en rigidité électrique.[...]The power electronics is at the beginning of a major evolution by the introduction of new power components semiconductor 'wide bandgap' in the systems. Indeed, the evolution of silicon carbide (SIC) technology allows to develop small chips, which can operate at a higher switching frequency, and support higher voltages than current one, limited during several decades by the physical properties of silicon. Therefore, the introduction of these components must be adapted to their environment in order to take into account these new performances. From an electrical point of view, the stresses imposed on insulating materials are close to their limits, particularly in the packaging configurations currently used in the power modules. The aim of this thesis is to propose an original solution allowing to integrate the 15 KV components currently in development phase, in a structure such as power module. After studying some packaging solutions, the study focused on a particular area, called the triple point between the metallization, the substrate and the encapsulation materials. We propose, from simulations by the finite element method analysis, a new geometry for the metallized ceramic substrate able to reduce the electric field intensity at the triple point. The structure modification consists in the creation of a gap in the substrate at the edge of the metallization. This new geometric structure has shown by simulation a significant reduction of the electric field intensity at the triple point thanks to a better spreading of the equipotential lines. After reviewing several technical manufacturing, ultrasonic machining was selected, this process is particularly efficient for hard and brittle materials such as ceramics and provides an etching profile with an excellent alignment to the edge of the metallization with the ceramic. Experimental results based on samples tests made it possible to carry out tests showing interesting and encouraging results in terms of partial discharges and resistance to dielectric strength. Thanks to the simulation under FEM analysis and after first experimental results, the new geometric structure for the metallized ceramic substrate proposed for the high voltage power modules, seems to be a technologically integrable solution for the optimization of the packaging for the purpose of the voltage rise in module. Moreover, the interest of the proposed solution compared with other published strategies, such as the use of innovative encapsulation materials was discussed, as well as the advantage offered of being able to combine the strengths of two types of approaches
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Szczepanowska, Hanna M. "Living systems on heterogeneous cellular substrate : contribution to a better understanding of dynamic interfaces of fungal pigmentation and paper in biodeterioration of cultural heritage." Thesis, Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2012. http://www.theses.fr/2012ECDL0031/document.
Full textAbstract:
La bio-détérioration des documents culturels compte parmi les types de détériorations les plus complexes que sont amenés à subir ces objets; et ce, parce qu’elle implique des organismes vivants ainsi que la conjonction de nombreux facteurs. Il existe différentes formes de biodétérioration; les taches de substrat (support?) engendrées par des champignons pigmentés en sont un exemple. Une multitude d’actions se développent aux “interfaces” entre le substrat (support?) et les champignons, depuis le premier contact avec les spores, en passant par la prolifération fongique, jusqu’aux interactions avec l’environnement. L’analyse multi-échelle et multisensorielle de l’interface entre les moisissures pigmentées noires et le support papier est le sujet de ces thèses. Deux types de pigmentations fongiques noires ont fait l’objet d’une analyse; la première apparaissait spontanément sur les œuvres d’art , la deuxième résultait d’une pigmentation déclenchée en biosimulation, sur des papiers connus, dans un environnement maitrisé. Les caractéristiques des papiers telles que le relief et la structure de la surface, la morphologie des champignons, les processus de dépôt de la biomasse pigmentée, ainsi que la prolifération fongique, ont fait l’objet de multiples examens, tant en termes d’instruments que de méthodes :microscopie à lumière transmise, microscopie électronique à balayage (MEB) dans une chambre à pression variable, microscopie confocale à balayage laser, profilomètre confocal à lumière blanche, microtomographie aux rayons L’objectif ultime étant de développer une stratégie de préservation des objets du patrimoine culturel bio-détériorés, le choix des instruments et des méthodes d’analyse était dicté par un souci pratique qui limitait l’échantilllonage des éléments analysés. Ce travail constitue une première tentative afin de mieux comprendre les forces en présence au niveau des “interfaces”, dans le cas des taches sur le papier dues aux champignonsBiodeterioration of cultural materials is one of the most complex types of deteriorations that cultural materials are subjected to mainly, because it involves living organisms and synergy of many factors. There are different forms of biodeterioration, stains of substrate caused by pigmented fungi is one of them. Multitude of events occurs at interfaces between substrate and fungi, from the moment of spores’ first contact with surfaces, next fugal growth and their responses to the environment. Multiscale and multisensory analysis of interfaces between black pigmented fungi and paper substrate was the subject of these theses. Two types of black fungal pigmentations were analyzed; one that occurred on the original artworks the other one was induced in biosymulation on known papers in controlled environment. Paper characteristics, such as surface topography and structure, morphology of fungi and patterns of their pigmented bio-mass deposition as well as fungal growth were examined with an array of analytical instruments and methods: transmitted light microscopy, scanning electron microscopy in variable pressure, confocal laser scanning microscopy, white light confocal profilometer and X-ray microtomography. The ultimate goal was to develop a preservation strategy for biodeteriorated cultural heritage material; therefore the choice of the analytical methods and instruments was dictated by real-life protocols that limit sampling of cultural materials. This works is the first attempt towards a better understanding of interfacial forces in fungal stains on paper
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Lorber, Bernard. "Contribution a l'etude du systeme aspartyl-trna synthetase-trna**(asp) chez la levure saccharomyces cerevisiae." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1987. http://www.theses.fr/1987STR13049.
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Lohou, David. "Contribution à la caractérisation fonctionnelle de protéines de contrôle de la sécrétion d'effecteurs de type III chez la bactérie phytopathogène Ralstonia solanacearum : chaperonnes et protéine à domaine T3S4." Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/4336/.
Full textAbstract:
La bactérie phytopathogène Ralstonia solanacearum est l'agent responsable du flétrissement bactérien sur plus de 200 espèces végétales, dont des espèces agronomiques, faisant de cette bactériose une des plus importantes dans le monde. Le pouvoir pathogène de la bactérie repose en grande partie sur sa capacité à injecter des protéines, appelées effecteurs de type III (ET3s), via le système de sécrétion de type III (SST3). La dernière décennie a été notamment marquée par la découverte chez les bactéries pathogènes de nombreuses protéines impliquées dans le contrôle du processus de sécrétion de type III. Chez R. Solanacearum, ces mécanismes de contrôle de la sécrétion restent méconnus, contrairement aux mécanismes de régulation transcriptionnelle. Au cours de ces travaux, nous nous sommes attachés à caractériser les fonctions des protéines HpaB (RSp0853), HpaD (RSp0848) et FliT-like (RSc2897) pour lesquelles plusieurs éléments suggèrent un potentiel rôle comme chaperonnes de type III (CT3s), ainsi que de la protéine HpaP (RSp0862) qui présente un domaine T3S4 (Type III Secretion Substrate Specificity Switch). Nous avons pu mettre en évidence la capacité de certaines CT3s à interagir entre elles et, pour HpaB et HpaD, à interagir avec de nombreux ET3s. De plus, les trois CT3s putatives semblent impliquées dans le pouvoir pathogène de R. Solanacearum, HpaB s'avérant même indispensable à la virulence de la bactérie. D'autre part, nos travaux mettent en exergue l'importance de la protéine HpaP pour le pouvoir pathogène de la bactérie et son implication dans le contrôle de la sécrétion de substrats du SST3. Les résultats suggèrent notamment que HpaP promeut la sécrétion de l'ET3 PopP1 en interagissant physiquement avec ce dernier. Finalement, la caractérisation de séquences conservées du domaine T3S4 révèle l'importance de cette région pour la fonction de la protéine HpaP. L'ensemble de ces travaux suggère l'implication de plusieurs protéines de R. Solanacearum dans le contrôle du processus de sécrétion de type III et souligne la diversité des mécanismes mis en jeu impliquant les protéines de type T3S4 chez les bactéries pathogènesThe plant pathogenic bacterium Ralstonia solanacearum is the causative agent of the bacterial wilt on more than 200 plant species, including agronomic species, making it one of the most important bacterial disease in the world. The pathogenicity of the bacteria is largely based on its ability to inject proteins, called type III effectors (T3Es) via the type III secretion system (T3SS). The last decade has been particularly marked by the discovery of many proteins involved in the control of the type III secretion process in pathogenic bacteria. In R. Solanacearum , these control mechanisms remain unknown , unlike the transcriptional regulatory mechanisms. In this work, we focused on the functional characterization of the proteins HpaB (Rsp0853), HpaD (RSp0848) and FliT-like (RSc2897) for which several elements suggest a potential role as type III chaperones (T3Cs). We also focused on the HpaP protein (Rsp0862) which harbors a T3S4 domain (Type III Secretion Substrate Specificity Switch). We showed the ability of some CT3s to interact with each other and, concerning HpaB and HpaD, to interact with many T3Es. In addition, the three putative T3Cs seem to be involved in the pathogenicity of R. Solanacearum, HpaB being even strictly required for bacterial virulence. Furthermore, our work highlights the importance of HpaP in pathogenicity and its involvement in the control of the secretion of T3SS substrates. The results suggest in particular that HpaP promotes the secretion of the T3E PopP1 by physically interacting with the latter. Finally, the characterization of conserved sequences in the T3S4 domain reveals the importance of this region for the function of the HpaP protein. On the whole, this work suggests the involvement of several proteins of R. Solanacearum in the control of the type III secretion process and highlights the diversity of mechanisms in which T3S4 proteins are involved in pathogenic bacteria
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SUN, LEI. "SUBSTRATE SPECIFIC CONTRIBUTIONS OF THE PROTEIN SUBUNIT OF E.COLI RNASE P TO SUBSTRATE RECOGNITION AND CATALYSIS." Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2008. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1188406954.
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Benamara, Mourad. "Contribution à l'étude des interfaces de soudure directe dans le silicium." Toulouse 3, 1996. http://www.theses.fr/1996TOU30135.
Full textAbstract:
Afin de repondre de la faisabilite d'une filiere technologique de circuits integres de puissance basee sur la soudure directe sur silicium, des etudes preliminaires sont entreprises et montrent clairement que l'interface si/si n'est pas electriquement neutre. Apres avoir mis au point une procedure experimentale pour realiser des interfaces si/si de facon reproductible, nous avons etudie l'interface de soudure d'un point de vue physique et electrique. La microscopie electronique en transmission montre que la structure de ces interfaces est ainsi constituee de deux reseaux de dislocations qui permettent de rattraper exactement la desorientation relative des deux cristaux. Le premier bidimensionnel est constitue de dislocations de type purement vis organisees en reseau carre et permet de rattraper la composante de torsion (jusqu'a 15) entre les deux plaquettes. Le second est un reseau de dislocations a 60 qui compense une faible composante de flexion. Les profils de densite de porteurs au niveau de l'interface (mesures par spreading resistance) demontre que l'interface si/si est le siege de charges positives dont la densite est etroitement liee a la densite de defauts presents a l'interface. Les origines physiques possibles de ces charges sont discutees et sont les dislocations de desorientation, les precipites (pp) de silice (etats donneur a l'interface pp/matrice silicium) dont la densite croit avec la desorientation, et des clusters sio#x de type donneur ou double-donneur dont la cinetique de formation est favorisee par la presence du carbone. Par ailleurs, les mesures de courant ebic (electron beam induced current) demontrent que l'utilisation de plaquettes fz permet de reduire considerablement l'activite recombinante de ces interfaces. D'une facon generale, ce travail demontre que l'optimisation des proprietes electriques de ces interfaces requiert l'utilisation de plaquettes fz et passe par le controle de leur desorientation lors de l'assemblage
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Gorfu, Paulos. "Untersuchung von Dünnschichtsystemen mittels Elektronenstrahl-Mikroanalyse." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2009. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1237375992053-95064.
Full textAbstract:
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erweiterung der für dicke Proben schon mit Erfolg eingesetzten Werkstoffanalytischen Methode Elektronenstrahl-Mikroanalyse (ESMA) mittels Peak/Untergrund-Verhältnissen auf die Analyse von dünnen Schichten (unter 1 μm) zur qualitative und quantitativen Elementanalyse sowie zur Ermittlung von Schichtdicken. Weiterhin wird auf der Basis von einer ESMA-Methode für zwei dünne Schichten auf einem Substrat wird ein Modell zur Ermittlung des Phasenwachstumskoeffizienten für eine intermetallische Phase die sich bei der Diffusion zwischen einer dünnen Schicht und einem Substrat bildet, mittels ESMA-Messungen bei gleichzeitiger Erwärmung der Probe dargestelltThe paper deals with the application of the materials analysis method EPMA by peak-to-background ratios, which is currently being used for the analysis of thick samples successfully, to thin layers (less than 1 μm) for the quantitative element analysis as well as for thickness prediction. In addition a model has been established on the Basis of an EPMA method for two films on a substrate for deriving the phase growth coefficient of an inter-metallic phase which grows during the diffusion between a thin layer and a substrate from EPMA measurements while simultaneously heating the sample
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LEFORT, GERVAIS. "Contribution a l'etude d'une antenne electrooptique : analyse des antennes imprimees sur substrats anisotropes." Nantes, 1997. http://www.theses.fr/1997NANT2096.
Full textAbstract:
Ce travail de these s'inscrit dans le cadre d'un projet de realisation d'un nouveau concept d'antenne imprimee receptrice electrooptique. Le systeme d'alimentation optique de cette antenne est base sur le principe des modulateurs electrooptiques sur niobate de lithium (linbo3). Deux points essentiels sont abordes dans ce memoire : l'analyse des antennes imprimees sur substrats de type anisotrope, ainsi que l'etude de l'interaction entre une onde optique et un signal microonde dans le guide optique diffuse dans le substrat de l'antenne electrooptique. De ce fait, un logiciel de simulation d'une antenne de forme rectangulaire imprimee sur deux couches de substrat anisotrope biaxe a ete developpe. L'analyse theorique utilisee est une combinaison de la formulation integrale du champ electrique, de la technique des fonctions de green dans le domaine spectral et de la methode des moments. Des simulations d'antennes imprimees sont dans un premier temps effectuees afin de mettre en evidence l'influence de l'anisotropie biaxiale des substrats sur les caracteristiques de ces antennes. D'autres simulations permettent ensuite d'evaluer les performances et le comportement d'une antenne imprimee sur linbo3. Des mesures experimentales accompagnent et valident ces resultats theoriques. Concernant le traitement de l'antenne imprimee electrooptique, une analyse theorique est egalement developpee. Elle permet de determiner la distribution theorique du champ electrique microonde interne au substrat de l'antenne et d'etudier l'influence des parametres geometriques de l'antenne sur cette distribution. Ainsi, une configuration optimale permettant d'obtenir la meilleure interaction entre l'onde optique et ce champ microonde est deduite.
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Boulas, Christophe. "Contribution à l'étude des propriétés isolantes de monocouches d'alkyltrichlorosilanes auto-assemblées sur substrat de silicium." Lille 1, 1996. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1996/50376-1996-420.pdf.
Full textAbstract:
Le but de ce travail est d'étudier les propriétés isolantes de monocouches d'alkyltrichlorosilanes auto-assemblées sur un substrat de silicium. Nous avons tout d'abord greffé des monocouches d'alkyltrichlorosilanes (dodécyltrichlorosilane, hexadécyltrichlorosilane, octadécyltrichlorosilane) sur un substrat de silicium. La qualité structurale des monocouches est contrôlée par la température du bain de réaction. Pour nos mesures électriques, nous avons complété la structure métal-isolant-semiconducteur en déposant une contre-électrode en métal (al ;au ;ti ;pt). Nous avons montré que la conductivité à l'origine est indépendante de la longueur de la monocouche et proche de la conductivité du polyéthylène massif. Nous démontrons que les énergies de barrières aux interfaces métal-isolant-semiconducteur sont très importantes (4. 5ev) pour supprimer tout effet tunnel à bas champ électrique, même à travers des films aussi minces que 1. 9 nm. A plus haut champ électrique, l'augmentation du courant peut être modélisée par un courant de type tunnel assisté par le champ. Par la mise en oeuvre d'une technique de photoconductivité, la bande interdite des monocouches de dodécyltrichlorosilane, hexadécyltrichlorosilane, octadécyltrichlorosilane a été estimée à 10,1ev, 9,8ev et 9,3ev respectivement. Nous avons étudié la corrélation entre les propriétés électroniques et la qualité structurale des monocouches et nous avons montré que la bande interdite des monocouches diminuait en même temps que la qualité structurale, ce qui entraîne une augmentation des courants de fuites au travers de la monocouche. Nous avons donc montré qu'une monocouche, même extrêmement mince (de l'ordre de 2 nm) peut constituer un film isolant de très bonne qualité électrique pourvu que l'on parvienne à contrôler son architecture à l'échelle moléculaire. Ces résultats peuvent avoir des applications dans les composants ultimes de la microélectronique et en électronique moléculaire
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Duplessis-Hayez, Magali. "Contribution à la caractérisation et modélisation RF d’interconnexions 3D – les vias traversants – appliquées au système en boîtier." Caen, 2010. http://www.theses.fr/2010CAEN2036.
Full textAbstract:
Ce manuscrit présente les travaux effectués sur une technologie émergente d’interconnexion 3D, les vias traversants, caractérisés et modélisés sur une bande de fréquences 100 MHz – 50 GHz. L’aspect double face des vias traversants oblige en particulier à repenser les méthodes de caractérisation et les structures de test radiofréquences traditionnellement utilisées pour les mesures de fils soudés ou de composants passifs planaires. Une fois quantifié, le comportement en fréquences d’un via traversant doit être traduit à l’aide d’un modèle prédictif défini à partir d’éléments localisés et indépendamment de la fréquence afin de pouvoir tenir compte des parasites amenés par les vias traversants lors de la conception d’un circuit intégré. La fonction première des vias traversants en tant qu’interconnexion a été étendue à l’intégration des inductances en définissant une nouvelle architecture de solénoïde 3D à base de vias traversants, afin de répondre d’une part aux faibles facteurs de qualité en basse fréquence des inductances planaires monolithiques en CMOS/BiCMOS et d’autre part aux surfaces importantes occupées par les inductances 3D réalisées dans des substrats multicouches (LTCC, laminé)This document presents works done on a 3D emergent interconnection technology, the through silicon vias, characterized and modeled on a wide frequency band 100 MHz – 50 GHz. Dual-sided aspect of the through silicon vias requires in particular to modify characterization methods and traditional radiofrequency test structures used for measurements of bonding wires and passive planar components. Once quantified, the frequency behavior of a through silicon via have to be translated with the help of a predictive model defined from localized elements and regardless of the frequency in order to take into account parasitics led by the through silicon vias in the design of an integrated circuit. The first function of the through silicon vias has been extended to the inductors integration by defining a new architecture of 3D solenoid, firstly to propose an alternative to CMOS/BiCMOS monolithic inductors with low quality factor in low-frequency and on the other hand to the large surface occupied by 3D inductors in multilayer substrates (LTCC, laminated)
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Fantassi, Said. "Contribution à l'étude de l'impact de particules projetées par plasma sur un substrat froid." Limoges, 1993. http://www.theses.fr/1993LIMO0228.
Full textAbstract:
Les proprietes d'un depot realise par projection plasma dependent en grande partie de la facon dont les particules s'ecrasent et se solidifient sur le substrat a revetir. Les cinetiques d'etalement du materiau fondu et la vitesse de trempe (100 k/us) dependent d'une part des parametres a l'impact (vitesse, temperature, taille) et d'autre part des parametres du substrat (nature, etat de surface, rugosite, temperature). Elles conditionnent la forme et l'epaisseur des lamelles obtenues et les points de contact entre les lamelles et le substrat et entre les lamelles elles-memes. Pour avoir une meilleure comprehension des phenomenes controlant l'ecrasement et le refroidissement des particules sur un substrat ou les couches prealablement deposees, nous avons developpe un dispositif constitue de deux pyrometres rapides (temps de reponse 100 ns). Le premier pyrometre est focalise a 2 mm en amont du substrat et le second sur le substrat. Ce dispositif denomme pasm: (pulse analysis for splat monitoring) permet de determiner pour une particule sa vitesse, sa temperature et sa taille avant impact et de suivre l'evolution de sa temperature pendant son etalement et son refroidissement. Nous presentons des resultats obtenus avec des particules de zircone de granulometrie 22+45 um projetees sur des substrats en acier ou en verre. A partir de ces resultats experimentaux, nous avons etabli une correlation permettant de predire le degre d'etalement des grains en fonction du nombre de reynolds defini a partir des parametres des particules a l'impact. Cette correlation est voisine de celle etablie numeriquement par yoshida et al.
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Gorfu, Paulos. "Untersuchung von Dünnschichtsystemen mittels Elektronenstrahl-Mikroanalyse." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 1991. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A23789.
Full textAbstract:
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erweiterung der für dicke Proben schon mit Erfolg eingesetzten Werkstoffanalytischen Methode Elektronenstrahl-Mikroanalyse (ESMA) mittels Peak/Untergrund-Verhältnissen auf die Analyse von dünnen Schichten (unter 1 μm) zur qualitative und quantitativen Elementanalyse sowie zur Ermittlung von Schichtdicken. Weiterhin wird auf der Basis von einer ESMA-Methode für zwei dünne Schichten auf einem Substrat wird ein Modell zur Ermittlung des Phasenwachstumskoeffizienten für eine intermetallische Phase die sich bei der Diffusion zwischen einer dünnen Schicht und einem Substrat bildet, mittels ESMA-Messungen bei gleichzeitiger Erwärmung der Probe dargestellt.The paper deals with the application of the materials analysis method EPMA by peak-to-background ratios, which is currently being used for the analysis of thick samples successfully, to thin layers (less than 1 μm) for the quantitative element analysis as well as for thickness prediction. In addition a model has been established on the Basis of an EPMA method for two films on a substrate for deriving the phase growth coefficient of an inter-metallic phase which grows during the diffusion between a thin layer and a substrate from EPMA measurements while simultaneously heating the sample.
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Emonot, Jérôme. "Contribution à l'étude du contact dynamique entre une nappe de liquide et un substrat solide." Lyon 1, 1994. http://www.theses.fr/1994LYO10232.
Full textAbstract:
Une operation d'enduction concerne le revetement en continu d'une surface solide par un liquide et se retrouve dans de nombreux secteurs de l'industrie (papier, plastique, textile non tisse, emballage, magnetique, photographie). L'interet porte par les scientifiques sur le sujet n'est pas nouveau mais force est de constater que le savoir faire technologique a jusqu'a present devance la comprehension physique pour le developpement des nombreux outils d'enduction existants. Celle-ci se heurte a deux problemes majeurs: la presence de surfaces libres et le contact du liquide avec la surface du substrat solide. Le probleme des surfaces libres a ete resolu recemment dans la plupart des configurations a l'aide de methodes numeriques evoluees. L'intersection de l'interface liquide-air par la surface solide, au moment du contact avec le substrat, demeure, quant a elle, un probleme incompletement resolu. Il releve a la fois de la physique microscopique de l'etalement de goutte et de la mecanique des fluides macroscopique. D'un point de vue de mecanicien, l'analyse de l'ecoulement du liquide au voisinage du contact avec le substrat se heurte a deux difficultes: la singularite de la ligne triple (valeur infinie du taux de cisaillement au contact) et l'indetermination sur la valeur reelle de l'angle de contact dynamique. L'enduction a haute vitesse a revele un nouveau phenomene qui perturbe la phase de contact: l'entrainement d'air. En se placant resolument dans une situation ou une lame d'air est entrainee sous le film liquide, le contact n'est alors qu'apparent et un modele complet d'ecoulement d'air est propose. Ce modele conduit a la prediction de l'epaisseur de la lame d'air susceptible d'etre entrainee, en fonction des differents parametres du procede. Nous montrons alors comment la prise en compte de cette lame d'air permet de s'affranchir du probleme de la ligne triple et de l'angle de contact dynamique. Nous appliquons ensuite le modele au cas de la fabrication de films plastique. Un prototype d'aide au contact, concu sur la base des calculs, permet de verifier experimentalement la validite des simulations. Enfin, l'influence sur le refroidissement du film par la surface solide, de la lame d'air piegee au contact, est evaluee dans le cas particulier du cast-film
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Matar-Perret, Roula. "Substrats, alchimie et révélations : les propositions architecturales de Gordon Matta-Clark." Rennes 2, 2008. http://www.theses.fr/2008REN20026.
Full textAbstract:
Gordon Matta-Clark, figure importante de l’art américain des années soixante-dix, est surtout connu pour ses découpes architecturales spectaculaires. Mais il a également produit un corpus d’œuvres d’une grande diversité : des expérimentations alchimiques sur la matière, de nombreux dessins, des performances ou des visions construites photographiques. Ces travaux sont ici analysés pour mettre à jour leurs multiples références architecturales. Sous leurs formes variées, ils recèlent autant de propositions sur de nouvelles modalités spatiales qui resituent Gordon Matta-Clark dans son champ de formation initiale, l’architectureGordon Matta-Clark, an important figure of the American Art of the seventies, is mostly known for his spectacular building cuts. But he also produced a corpus of works, of great diversity : alchemical experimentations on matter, a profusion of drawings, performances or photographic constructed visions. These works are analysed in order to reveal all their architectural references. In their various forms lie hidden as much propositions on new spatial modalities that place Gordon Matta-Clark within his initial field of education, architecture
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Garcia, Alain. "Contribution à l'étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de substrats simox." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0057.
Full textAbstract:
Le simox (separation by implanted oxygen) est un materiau soi qui presente de fortes potentialites dans le domaine de la micro-electronique. Utilise dans les annees 80 pour des applications militaires et spatiale, il est actuellement le principal candidat pour les applications civiles: cmos faible consommation. Apres une etude detaillee des defauts presents dans le materiau, la premiere partie de ce travail a ete consacree a la mise au point de procedures de caracterisation fiables des defauts cristallins. Ces methodes (revelation chimique et topographie x) sont adaptees a caracterisation de faibles densites de defauts (dislocations et fautes d'empilement). Par l'etude des conditions d'elaboration de substrats simox, nous avons mis en evidence que les dislocations sont generees, au premier ordre, au cours de l'implantation ionique. L'examen du materiau, avant recuit, nous a permis de proposer deux mecanismes possibles pour la formation des dislocations: le premier mecanisme est lie a la formation de boucles de glissement. Le deuxieme mecanisme est lie a la formation de boucles prismatiques. Au cours de ce travail, nous avons egalement investigue de nouveaux domaines d'etude ou l'epaisseur de la couche de silicium superficielle est a superieure a 1 m. Ce materiau est obtenu par epitaxie. Nous avons abouti a la mise au point d'un procede de fabrication permettant de reduire de facon significative, de l'ordre d'un facteur dix (10#4cm#-#2), la densite de dislocations du materiau simox epais
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Jaya, Nomalie Naomi. "SUBSTRATE BINDING SITE FLEXIBILITY OF SMALL HEAT SHOCK PROTEINS AND FACTORS CONTRIBUTING TO EFFICIENT CHAPERONE ACTIVITY." Diss., The University of Arizona, 2009. http://hdl.handle.net/10150/193550.
Full textAbstract:
sHSPs maintain partially denaturing substrates in a soluble sHSP-substrate complex. The heterogeneous interaction between sHSPs and substrate within the complex has prevented a detailed study of the mechanism of sHSP substrate protection. Here, purified sHSPs and heat sensitive substrates were used to investigate the mechanism of sHSP chaperone action. Results presented provide new insights into how sHSPs recognize substrates, the architecture of the sHSP-substrate complex and factors contributing to chaperone efficiency.Direct evidence defining the role of the sHSP N-terminal arm and alpha crystallin domain in sHSP-substrate interactions is limited. A photoactivatable probe was site- specifically incorporated into PsHsp18.1, and cross-linking to substrate in sHSP-substrate complexes was quantified. The structurally flexible N-terminal arm of PsHsp18.1 makes strong contacts with both substrates tested, however differences in interaction were seen in the conserved alpha crystallin domain. Regions on the sHSP showing the strongest cross-links to substrates are buried within the dodecamer, supporting the model that the sHSP oligomer undergoes rearrangement or dissociation prior to substrate interactions.The arrangement of sHSPs and substrates whithin the complex is poorly defined. Limited proteolysis and chemical modification was combined with mass spectrometry to probe the sHSP-substrate complex using multiple sHSPs and substrates. This analysis reveals that a similar partially-denatured form of substrate is protected in the complex irrespective of sHSP identity. Further, sHSP in the complex is protected from proteolysis for a longer time compared to free sHSP. These data suggest that sHSPs and substrate are distributed both internally and on the periphery of the sHSP-substrate complex.Exact properties of the sHSP N-terminal arm contributing to protection are poorly defined. A molecular dynamics (MD) study was designed to test the hypothesis that the N-terminal arm could assume multiple conformations that can readily interact with denaturing substrates. Preliminary data suggest that at increased temperatures amino acids in the N-terminal arm form specific clusters which could act as substrate interaction sites. MD simulations, mutagenesis and altering the kinetics of substrate aggregation suggest that the conformational space occupied by the N-terminal arm at increased temperatures, along with flexibility and rate of substrate aggregation contribute to differences in chaperone efficiency.
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Parbaile, Emilien. "Contribution à l'optimisation des techniques de dépôts sous vide de cellules solaires organiques." Limoges, 2009. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/e6a50ed2-0fc2-4a6e-abd4-d838a9507b10/blobholder:0/2009LIMO4061.pdf.
Full textAbstract:
Les cellules organiques sont légères et particulièrement résistantes aux chocs (couche active et substrat en plastique). Elles conviendraient à des environnements difficiles tel que l’environnement militaire. De plus, la conformabilité de ces cellules permettrait de les intégrer à des téléphones portables et à d’autres appareils portables nécessitant de fortes autonomies. Les travaux de cette thèse ont consistés à étudier différentes structures de cellules, à améliorer la reproductibilité, à réaliser des cellules avec des matériaux purifiés et à réaliser des cellules sur des substrats souples notamment. La réalisation de cellules sur de tels substrats a permis de montrer que le passage d’un substrat rigide à un substrat souple ne modifie que faiblement les performances. Les cellules réalisées et caractérisées ont été principalement des cellules à base de CuPc et de C60. Les techniques de dépôt utilisées ont été la technique de dépôt par centrifugation et la technique de dépôt par évaporation thermique sous vide. En outre, des mesures de rendements quantiques externes (IPCE en anglais) ont permis de mettre en évidence que ceux-ci dépendent de la puissance lumineuse incidente. D’autres mesures d’IPCE ont permis d’estimer la durée de phosphorescence du C60 et de déterminer la mobilité des charges dans la CuPc. Le simulateur solaire a fait l’objet d’une étude de radiométrie qui avait pour but de pouvoir comparer les rendements des cellules avec ceux d’autres laboratoires. Une des méthodes mise en place permet d’approcher au maximum la norme d’éclairement AM1. 5G avec le simulateurOrganic solar cells are low weight and particularly resistant to shocks (active layer and substrate in plastic). They are suitable for harsh environments such as military environment. Furthermore, conformability of these cells would permit to integrate them in mobile phones and other portable devices requiring high autonomies. The works of this thesis consisted to study different cell structures, improve reproducibility, realize cells with purified materials and make cells on flexible substrates in particular. The realization of cells on such substrates showed that the transition from a rigid substrate to a flexible substrate modifies only slightly the performance. The cells produced and characterized were mainly cells based on CuPc and C60. The deposition techniques used were spin coating and thermal vacuum sublimation. In addition, measurements of incident photon to current conversion efficiency (IPCE) showed that they depend on the incident light power. Other IPCE measurements permitted to estimate the phosphorescence time of C60 and determine the charge mobility in the CuPc. A radiometry study on the solar simulator was led in order to allow compare cell efficiencies with those of other laboratories. A method established permits to approach as close as possible the standard of illumination AM1. 5G with the simulator
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Djuric, Bojan. "Contribution à l'interconnexion de composants actifs intégrés dans des substrats laminés : apport des interfaces micro ou nano-structurées." Thesis, Toulouse 3, 2020. http://www.theses.fr/2020TOU30070.
Full textAbstract:
Les convertisseurs de puissance occupent une place importante dans l'ingénierie des systèmes électriques. Les puissances nominales augmentent et les convertisseurs statiques doivent répondre à ces besoins notamment en termes de compacité. Cette amélioration s'explique notamment par l'utilisation de dispositifs semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) à base de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN) qui autorisent des fréquences de découpage et une température de fonctionnement nettement plus élevées. Cependant, les temps de commutation plus courts qui en découlent ne sont exploitables que si les éléments parasites du boîtier sont réduits au minimum afin de profiter pleinement de ces nouveaux composants.Les éléments parasites, inductances en particulier, sont source de pertes qui réduisent l'efficacité et la fiabilité du convertisseur, et ce en générant du bruit par IEM (Interférences électromagnétiques). Les améliorations à apporter sont fondamentalement difficiles à obtenir avec les boîtiers d'aujourd'hui utilisant la technologie de câblage filaire comme interconnexion des composants actifs. Dans certaines applications, les dispositifs WBG peuvent fonctionner à des températures plus élevées que les composants en silicium (Si). La température maximale de jonction (Tj) des composants en SiC peut être supérieure à 200°C, alors que celle des interrupteurs en Si est d'environ 125°C. Les assemblages doivent pouvoir supporter des températures plus élevées et résister aux régimes transitoires de température qui en découlent. La technologie des PCB a l'avantage d'être un processus peu coûteux et bien maitrisé offrant la possibilité de produire des dispositifs à grande échelle, d'utiliser un pas fin, du cuivre épais pour le transport de la chaleur et du courant, des structures multicouches répétables, etc. L'intégration de puces de puissance dans les PCB a récemment suscité un grand intérêt. Plusieurs types d'interconnexion ont été proposés, sachant que l'un des plus grands avantages de la technologie d'enfouissement PCB des interrupteurs de puissance est la réduction des inductances parasites à un niveau proche du minimum théorique. La tendance est d'interconnecter les composants par micro-vias laser. Cependant, la conductivité thermique du diélectrique utilisé est inférieure à 1 W.m-1.K-1 pour le matériau polyimide, tel que le kapton, contre 170 W.m-1.K-1 pour le nitrure d'aluminium (AlN) des substrats céramique (DBC). À cela s'ajoutent des limites en termes de densité imposée par le procédé de fabrication, ce qui entraîne des limitations de courant et de flux thermique. Les commutations des composants actifs du convertisseur sont une source de variations de température du système. Un gradient de température est présent le long des interconnexions qui, combiné aux différents coefficients de dilatation thermique de chaque matériau, peut conduire à la fissure de l'interface micro- vias/puce et donc à la défaillance dans le temps. Ces mises en défaut des interconnexions attribuées aux contraintes cycliques appliquées affectent fortement la fiabilité du convertisseur. La solution proposée et développée au cours de ces travaux combine des technologies avancées des circuits imprimés et une solution d'interconnexion innovante " non rigide ", basée sur le dépôt électrolytique d'interfaces macro et nano structurées, suivi d'une thermocompression. L'ensemble peut ainsi constituer un bloc élémentaire pour la conception de convertisseurs de puissance avec un haut niveau d'intégration et de fiabilité grâce à une interconnexion entièrement en cuivre, espérée flexible, permettant un refroidissement double face. Les nano-fils utilisés comme interface thermique et électrique de la puce sont également espérés résistants aux contraintes cycliquesThe power converters hold a central position in electrical engineering. The power ratings are increasing and the converters have to meet these needs in compact systems. For example, the current power density of commercialized power converters of 2 kW for photovoltaic application is around 1 kW.l-1, whereas in the "Little Box Challenge" organized by Google and IEEE reached 12 kW.l-1. This improvement is mainly explained by using wide band-gap (WBG) semiconductor devices based on silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) materials that permit significantly higher switching frequencies. However, the associated shorter switching times are only possible when all stray elements in the package are minimized in order to take all the benefit of these new components. The parasitic elements, and the package stray inductances in particular, are source of losses which reduce the efficiency and also cause less reliable operation and EMI noise. This is fundamentally difficult to achieve with the popular packages using wire-bonded interconnections. In some application, the WBG devices are expected to be able to work at higher temperature than silicon (Si) components. The junction temperature (Tj) of SiC components can be higher than 200°C in comparison of Si switches around 125°C. The package must endure high temperature and resist the ensuing large temperature transitions as well. The PCB technology has the advantage of being a cost efficient and well-established process. There is a possibility of massive parallel manufacturing, fine pitch, thick copper for heat and current transport, repeatable multilayer structures, etc. The embedding of power dies in PCB recently has solicited great interest. There are several kinds of proposed interconnections. The greatest advantage of the technology for power device packaging is the strip-line approach of distributing current, bringing down the stray inductance close to the theoretical minimum. The trend in PCB-embedding technology is to interconnect the components by using laser micro-vias. The thermal conductivity of the PCB core is less than 1 W.m-1.K-1 for the polyimide material such a kapton against 170 W.m-1.K-1 for aluminum nitride (AlN) for direct bonded copper (DBC) substrate. The micro-via approach suffers from the manufacturing limits imposed on their density, resulting in current and heat flux limitations. This variation of the conveyed power through the converter is a source of temperature variations in the power assembly. Temperature gradient is present along the interconnections which, combined with different thermal expansion coefficient of each material, leads to crack at micro-via/die interface and delaminates over time. These interconnection defects are affecting strongly the reliability of the converter, attributed to the applied cyclical stresses. The proposed solution combines advanced PCB technologies and " not rigid " innovative interconnection, based on electrolytic deposition of macro and nano structured interfaces, followed by thermo-compression. The assembly may thus be an elementary block for the design of power converters with high level of integration and reliability by means of a full copper and flexible interconnection allowing double-sided cooling. It is expected that the nano wires used as thermal and electrical die interface will be also more resistant to cyclical stresses
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Bakri, Zohra. "Contribution à l'étude du séchage par rayonnement infrarouge d'un film de peinture sur un substrat plat en verre." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611544t.
Full text
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Bakri, Zohra. "Contribution a l'etude du sechage par rayonnement infrarouge d'un film de peinture sur un substrat plat en verre." Paris, ENMP, 1988. http://www.theses.fr/1988ENMP0081.
Full textAbstract:
On determine la composition, la densite, les proprietes thermodynamiques (pression de saturation en fonction de la temperature, coefficient de diffusion, chaleur latente de vaporisation) et les proprietes radiatives de la peinture (spectre d'absorption, spectre de reflexion diffuse, coefficient d'emissivite globale). On etablit une correlation donnant la quantite de solvant a evaporer en fonction de la temperature du substrat. Par ailleurs, l'evolution des profils experimentaux de temperature a ete obtenue par resolution numerique des equations de transfert de chaleur, sous l'hypothese que, pour ce produit quasi homogene, la puissance d'evaporation est infime. Enfin, dans une approche simplifiee, on propose une equation permettant de decrire les profils de perte de masse en fonction de la temperature du substrat
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Hmina, Nabil. "Contribution a la caracterisation thermique couche submicronique-substrat : etude experimentale de la resistance d'interface et de l'effusivite subsurfacique." Nantes, 1994. http://www.theses.fr/1994NANT2114.
Full textAbstract:
L'homogeneite et l'adhesion d'un depot ne peuvent etre assurees simultanement sans la maitrise de phenomenes complexes dans lesquels les mecanismes de croissance sont etroitement lies aux proprietes physiques et chimiques de la surface. La determination experimentale de la resistance thermique d'interface peut contribuer a la caracterisation de l'interface en mettant en lumiere certains aspects de ce couplage. A cette echelle, elle caracterise la presence d'impuretes, de contaminants ou de decollements. Cette etude presente une methode originale de determination experimentale de la resistance thermique d'interface qui s'interpose entre un depot metallique de quelques centaines de nanometres et un substrat dielectrique. Simultanement, on determine l'effusivite du substrat dans une profondeur de quelques um. La mesure consiste a analyser les premiers instants du refroidissement du depot consecutif a l'echauffement produit par une impulsion laser. L'evolution de la temperature est obtenue en mesurant la variation de la resistance electrique du depot. Des resistances d'interface aussi petites que 10#-#8 k. M#2/w peuvent etre decelees si l'analyse s'effectue avant les deux premieres microsecondes. La methodologie adoptee dans la detection resulte d'un compromis entre une bonne restitution du signal et l'elimination des effets indesirables. Le bon choix reside dans une detection a large bande passante suivie d'un traitement numerique du signal. Nous decrivons le principe de la methode, le dispositif experimental et le systeme de conditionnement qui lui est associe. Nous presentons ensuite le modele theorique puis l'analyse de sensibilite. Nous donnons les resultats experimentaux obtenus sur des interfaces cuivre-verre et cuivre-alumine ayant subi differents traitements physico-chimiques. Les resistances d'interface estimees sont de l'ordre de 10#-#7 k. M#2/w avec une incertitude d'environ 30%
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Puig, Thierry. "Contribution à l'étude de la formation d'alliages composites de surface par fusion laser d'un substrat Ni₇₀ Cr₃₀ prégraphite." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112042.
Full text
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Casanova, Morales Nathalie. "Contribution to the understanding of red blood cell invasion by Plasmodium Falciparum : study of parasites motility on rigid substrates." Thesis, Montpellier 2, 2012. http://www.theses.fr/2012MON20088/document.
Full textAbstract:
Le paludisme est causé par un parasite appelé Plasmodium falciparum, transmis lors de la piqûre d'un moustique. Au stade sanguin, ce parasite unicellulaire, de forme ovoïde, envahit les globules rouges, s'y multiplie avant d'être libéré pour une nouvelle invasion à la fin d'un cycle de 48 heures. Ce travail de thèse porte sur le mouvement du parasite au cours du processus d'invasion. L'étape préalable à la pénétration du parasite dans sa cellule hôte est le mouvement de réorientation permettant de mettre en contact son complexe apical avec la membrane de la cellule hôte. Afin de comprendre comment le parasite génère les mouvements nécessaires à cette réorientation sans l'aide de flagelle, de cil ou de déformation, notre approche est d'observer et de décrire le mouvement des parasites sur un substrat rigide, au travers d'une analyse détaillée des trajectoires du parasite. Nous observons que le parasite explore tous les degrés de liberté qui lui sont accessibles compte tenu de son attachement au substrat: translation et rotation dans le plan et réorientation de sa partie apicale. Nous avons identifié trois types de mouvement: confiné, dirigé et circulaire. Nous caractérisons ces trajectoires et mouvements en utilisant une analyse de corrélation et en discutant les mécanismes possibles à l'origine de ces trajectoires particulières. Enfin, nous examinons le rôle des constituants du cytosquelette sur le mouvement du parasite, en affectant spécifiquement les filaments d'actine et les microtubules. Les conséquences de la polymérisation de ces structures sur le mouvement du parasites sont discutéesMalaria is caused by a parasite called Plasmodium falciparum, transmitted via mosquito's bites. At the blood stage, these unicellular ovoidal parasites invade red blood cells (RBCs), multiply and are released at the end of a 48h cycle, ready for new invasions. This work is focused on the motion of the parasite during the invasion process. To penetrate into the host cell, the parasite reorient its apical part towards the RBC membrane. For this purpose, the parasite generates different movements that allow him to find the correct position to form a specific junction to invade the cell. To understand how the parasite is able to move and reorient without the aid of cilia, flagella or deformations, we performed a detailed analysis of the parasite trajectories and orientation on rigid substrate. We observe that the substrate-attached parasite explores all degrees of freedom with in-plane rotation, translation and flipping. Three types of motion have been identified: confined, directed circular . We characterize these trajectories and motions using correlation analysis and we discuss the possible mechanisms that could explain these peculiar trajectories. Finally, to determine the role of the cytoskeleton components in the parasite motion, specific structures such as the actin filaments and the microtubules have been specifically affected. We will describe and discuss the consequences of depolymerizing or stabilizing these structures
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Teyssandier, Charles. "Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites." Limoges, 2008. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/2b4e5b8a-1794-4270-b002-13d46f51d3c2/blobholder:0/2008LIMO4004.pdf.
Full textAbstract:
Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d’une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte industriel. Dans le domaine des télécommunications, la génération de fortes puissances va entraîner un échauffement du transistor, il est donc important de prendre en compte les effets thermiques lors de la conception des circuits. Plusieurs méthodes sont étudiées pour déterminer la résistance thermique, à partir de cette étude deux modèles thermiques ont été mis au point : le premier est constitué de cellules RC et le deuxième est un modèle distribué extrait à partir de simulations physiques thermiques 3D. Comme les effets de pièges, les phénomènes d’avalanche font partie des effets parasites présents dans les PHEMTs AsGa. Analyser leur comportement permet de limiter la zone d’utilisation de ces composants. Nous nous sommes attardés à étudier et modéliser l’avalanche due à l’ionisation par impact. La comparaison mesures/modèles des cycles de charges et des mesures de paramètres [Y] pulsées nous ont permis de déterminer une fréquence de coupure pour le phénomène d’ionisation par impactThe main objective of this work is the accurate modeling of UMS PHEMTs transistors process. Our model is based on extensive characterizations and can be easily integrated into nonlinear simulators that make it possible to use it in an industrial context. For telecommunication applications such as power amplifier, dissipated high power often leads to the increase of the internal of device temperature and hence to device performance degradation. The Design of MMICs based on GaAs PHEMTs process requires transistor models which take into account thermal effects. In this study, several methods are investigated to determinate thermal resistance and two thermal models are developed: the first consists of RC cells and the second is a distributed model extracted from 3D thermal simulations. As trap effects, breakdown phenomena are a part of dispersive effects in microwave transistors. Their behavior analysis gives limits of these components. We have specially studied impact ionization modeling. Measurements and simulations of load cycles and pulsed Y-parameters have been compared to determinate a cutoff frequency for impact ionization phenomenon
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Benghalia, Abdelmadjid. "Contribution à la modélisation bidimensionnelle de lignes micro-coplanaires sur substrat semiconducteur : application au transistor à effet de champ." Toulouse, INPT, 1989. http://www.theses.fr/1989INPT040H.
Full textAbstract:
Cet ouvrage concerne l'etude et la modelisation des structures a ondes lentes en lignes micro-coplanaires deposees en contact schottky sur substrat semiconducteur, ainsi que l'etude en statique et en dynamique des transistors a effet de champ utilises en microondes. L'originalite de l'approche theorique reside dans l'obtention d'une fonction de green par la technique de transformation conforme qui tient compte de la forme exacte de la structure physique. Cette fonction est utilisee pour inverser l'operateur laplacien conduisant a la resolution de l'equation de poisson et l'equation integrale resultante est traitee numeriquement par la methode des moments. La resolution de systemes d'equations permet de calculer avec precision et dans une approche bidimensionnelle, le profil de la zone depeuplee et la distribution de charges sur le conducteur. Ceci permet d'etablir le schema equivalent d'une unite de longueur de la structure et de caracteriser la propagation des ondes lentes en mode quasi tem le long de la ligne coplanaire. Son application aux transistors a effet de champ en microondes a permis de caracteriser ces dispositifs en statique et en dynamique en tenant compte de la propagation d'une onde lente le long de la grille du transistor
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Saussine, Jean-Daniel. "Contribution à l'étude des circuits de technologie silicium sur saphir sous irradiation transitoire." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20107.
Full textAbstract:
Les rayonnements ionisants intenses generent des paires electron-trou sur les dispositifs de technologie silicium sur isolant. Sous l'action d'un champ electrique, ces porteurs libres peuvent etre a l'origine d'un mauvais fonctionnement d'un circuit integre. Nous abordons ici, l'etude de structures et de composants de technologie silicium sur saphir. Il est generalement admis que, sous impulsion, la composante principale du photocourant d'un transistor mos sur un substrat saphir, provient du saphir. Nous presentons les methodes experimentales utilisees ainsi que les moyens de simulation mis en uvre afin de caracteriser le comportement de structures et transistors mos sur saphir sous irradiation transitoire. Nous mettons en evidence, au niveau des transistors, les differentes sources de photocourant et leur predominance suivant les geometries employees. A partir de ces resultats experimentaux et de simulation, nous definissons des regles de durcissement applicables aux circuits de technologie cmos sur saphir
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Borel, Franck. "Contributions à l'étude des interactions entre les ARNtser et la séryl-ARNt synthétase d'Escherichia coli et de Saccharomyces cerevisiae." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10142.
Full textAbstract:
Ce travail est consacre a l'etude des mecanismes responsables de la reconnaissance entre la seryl-arnt synthetase d'escherichia coli et son substrat macromoleculaire, l'arnt#s#e#r. La premiere etape de ces travaux a consiste a surexprimer l'arnt#s#e#r#2 et l'arnt#s#e#r ambre suppresseur d'e. Coli. Pour cela, les genes synthetiques des deux arnt#s#e#r ont ete construits par assemblage de sept oligonucleotides chevauchants. L'utilisation d'un plasmide dont le nombre de copies est regule par la temperature permet d'obtenir des cellules bacteriennes contenant un taux d'arnt#s#e#r vingt fois superieur a celui present dans des cellules depourvues de plasmide. Grace a cette surexpression, un protocole de purification comportant deux etapes chromatographiques a pu etre developpe. Les arnt purifies ont ensuite ete utilises pour determiner la contribution du domaine n-terminal de la seryl-arnt synthetase d'e. Coli, a l'efficacite et a la specificite de la reaction d'aminoacylation. Les resultats obtenus, montrent que le domaine n-terminal depourvu de role catalytique lors de la reaction d'activation de l'acide amine, est indispensable, d'une part, au maintien d'une efficacite de catalyse elevee lors du transfert de l'acide amine active sur l'arnt et, d'autre part, a la specificite de reconnaissance des arnt#s#e#r. Parallelement, la mesure des constantes de dissociation de l'arnt#s#e#r#2, revele que la fixation de deux molecules d'arnt sur la seryl-arnt synthetase est regit par un mecanisme de type cooperatif. La derniere partie de ce travail montre que la seryl-arnt synthetase de saccharomyces cerevisiae ne peut etre surexprimee chez e. Coli. Le contexte bacterien ne permettant pas a la seryl-arnt synthetase de s. Cerevisiae d'acquerir une structure tridimensionnelle homogene. Les etudes menees, en parallele sur la seryl-arnt synthetase de s. Cerevisiae surexprimee dans son contexte naturel, revelent une repartition de cette enzyme en deux populations distinctes, et une mobilite electrophoretique, sur sds-page, plus elevee que celle obtenue pour l'enzyme surexprimee chez e. Coli
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Montarone, Maryse. "Contribution à l'étude d'un matériau de synthèse en vue de son utilisation éventuelle comme substrat de culture ou engrais retard." Nice, 1985. http://www.theses.fr/1985NICE4058.
Full textAbstract:
Le travail qui fait l'objet du présent mémoire a été motivé par la possibilité offerte par l'industrie de fournir des matières synthétiques dont il est possible de maîtriser à la fois : la composition minérale à l'exception de l'azote, la solubilité, le conditionnement. De telles possibilités permettaient d'envisager l'utilisation de ces matériaux soit comme engrais retard en association avec un milieu pauvre, soit comme substrats de culture. C'est dans ce double objectif que la conception du matériel a été discutée et les études réalisées. Après un bref rappel de quelques notions d'agronomie qui ont servi de base à l'élaboration du matériau, nous présenterons successivement : la méthodologie générale mise en œuvre, les résultats obtenus sur le comportement des matériaux appréciés par voie chimique et par voie biologique.
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Alaeldine, Ali. "Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés." Phd thesis, INSA de Rennes, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00355945.
Full textAbstract:
De nos jours, le développement rapide des systèmes électroniques complexes multiplie les sources de perturbations électromagnétiques, auxquelles un nombre de circuits actuels deviennent de plus en plus susceptibles. Il devient donc indispensable de prédire les comportements des circuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu'elles soient conduites ou rayonnées. Cette thèse propose donc une méthodologie de simulation de l'immunité conduite et rayonnée des circuits intégrés dans leur environnement. Les travaux ont été menés sur un circuit intégré multi-coeur précédemment utilisé pour l'étude des techniques de réduction des émissions parasites. Celui-ci a permis, en sus de la méthodologie déjà citée, d'identifier quelques règles de conception en vue d'une meilleure immunité électromagnétique. Le premier chapitre est consacré à l'étude des origines des perturbations électromagnétiques et de leurs influences sur le comportement des circuits intégrés, ainsi que des méthodes de mesure de la susceptibilité en modes conduit et rayonné, en harmonique et en transitoire. Les chapitres 2 et 3 présentent des modèles électriques complets pour la simulation de l'immunité en mode conduit d'un circuit intégré, respectivement en harmonique (DPI - Direct Power Injection) et en transitoire (VF-TLP - Very Fast Transmission Line Pulsing). Les pertes en puissance ainsi que le substrat du circuit intégré ont également été modélisés. Dans le chapitre 4, un modèle de simulation d'injection en champ proche (en mode rayonné) est introduit et validé par des mesures de susceptibilité effectuées sur des circuits en boîtier avec et sans couvercle. Enfin, l'utilisation de diverses techniques de réduction de l'émission parasite des circuits intégrés pour la diminution conjointe de leur susceptibilité en modes conduit et rayonné est étudiée et discutée dans le chapitre 5. Les perspectives de cette thèse couvrent la prédiction avant fonderie de l'immunité des circuits intégrés aux agressions externes ainsi que la fourniture de leurs modèles pour la simulation d'immunité au niveau carte et au niveau système.
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Benchenaa, Imane. "Contribution des caractérisations photocatalytiques et de l’analyse de surface pour l’application de propriétés photocatalytiques en surface de substrats organiques (textiles et papiers)." Thesis, Lyon 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LYO10068/document.
Full textAbstract:
Ce travail de thèse s'est inscrit dans le cadre d'un projet collaboratif à finalité industrielle ayant pour but de développer des matériaux composites à propriétés photocatalytiques (à base de nanoparticules de TiO2) obtenus par voie sol-gel pour une application sur substrats organiques (textiles et papiers) : intégration de nanoparticules de TiO2 dans une matrice sol-gel hybride (organique-inorganique) et dispersion de nanoparticules de TiO2 dans des microparticules de silice mésoporeuses. La contribution originale du travail de thèse a consisté à développer des caractérisations par analyse de surface (SEM, XPS et ToF-SIMS) et corréler ces résultats à ceux des tests photocatalytiques (suivi de la dégradation d'un polluant modèle (acide formique) en solution aqueuse sous irradiation UV). En complémentarité avec la question des différents niveaux de porosité des matrices utilisées, les techniques SEM, XPS et ToF-SIMS ont permis de définir différents critères tels que la disponibilité du photocatalyseur (TiO2) en extrême surface mais aussi la modification de la matrice autour du TiO2. Ces critères ont contribué à mieux comprendre les différences de propriétés photocatalytiques des différents matériaux composites déposés en surface des substrats organiquesThis thesis work is part of a collaborative project with an industrial purpose aiming at the development of composite materials with photocatalytic properties (composed of TiO2 nanoparticles) obtained by sol-gel process for application on organic substrates (textiles and paper): integration of TiO2 nanoparticles into a sol-gel hybrid (organic-inorganic) matrix and dispersion of TiO2 nanoparticles in mesoporous silica microparticles. The original contribution of this work was to develop characterization by surface analysis techniques (SEM, XPS and ToF-SIMS) and correlate these results to those from the photocatalytic tests (following the degradation of a model pollutant (formic acid) in aqueous solution under UV irradiation). Complementarily to the issue of matrices porosity, surface analysis techniques (SEM, XPS and ToF –SIMS) allowed to define criteria such as availability of photocatalyst (TiO2) at the outermost surface but also the modification of the matrix around the TiO2. These criteria were used to better understand the differences in photocatalytic properties of various composite materials deposited on the surface of organic substrates
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Fatih, Mustapha. "Contribution à la connaissance du chemin réactionnel des Glycéraldéhyde-3-phosphate déshydrogénases phosphorylantes : structures cristallines de complexes ternaires (enzyme mutée + cofacteur + substrat)." Nancy 1, 2000. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/SCD_T_2000_0074_FATIH.pdf.
Full textAbstract:
Ces travaux concernent l'étude cristallographique de complexes ternaires de la Glycéraldéhyde-3-phosphate déshydrogénase phosphorylante de B. Stearothermophilus. Cette enzyme catalyse la phosphorylation oxydative du Glycéraldéhyde-3-phosphate en présence d'un cofacteur, le NAD, et de phosphate inorganique. Pour fixer les groupements phosphates de ces deux substrats, l'enzyme possède deux sites de reconnaissance anionique, dénommés respectivement Pi et Ps. Cependant, la façon dont ces deux sites contribuent à la fixation des deux groupements phosphate reste encore soumise à controverse et différents modèles ont été proposés. Afin de tester la validité des ces modèles, il semblait essentiel de pouvoir disposer d'évidences structurales directes. Deux mutants ont été étudiés : le mutant C149A, inactif et le mutant C149S, très faiblement actif. Des cristaux de ces deux mutants ont été obtenus dans des conditions originales, exemptes de tout anion. Ces nouvelles conditions de cristallisation ont conduit à de nouveaux empilements cristallins. L'analyse des structures des complexes binaires met en évidence des sites Pi libres de tout anion. Par contre, les sites Ps sont occupés par un anion sulfate issu probablement de la purification. Ceci montre que le site Ps a une meilleure affinité que le site Pi vis-à-vis des anions. Ce résultat a été confirmé par l'analyse des acides aminés impliqués dans la formation des sites Pi et Ps et par le fait que le potentiel électrostatique local est plus important au niveau du site Ps qu'au niveau site Pi. Les complexes ternaires que nous avons obtenus constituent la première structure tridimensionnelle d'une GAPDH en complexe avec son substrat physiologique. L'analyse de ces complexes a permis d'apporter des informations quant aux interactions enzyme-substrat. Nous montrons sans ambigüité que dans les deux complexes obtenus, le groupement phosphate du G3P est localisé dans le site Ps. De même, les facteurs moléculaires responsables de la stéréosélectivité vis-à-vis du D-G3P ont pu être élucidés. Cependant, le débat reste ouvert concernant, d'une part, la contribution de la boucle 205-210 à la catalyse et d'autre part, la conséquence de la formation de la liaison covalente entre l'enzyme et le substrat sur le positionnement des intermédiaires réactionnels dans le site actif.
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Moreau, Anne. "Contribution au contrôle de la culture de Brevibacterium linens en réacteur Batch, modélisation et optimisation des cinétiques de croissance sur substrat mixte." Toulouse, INPT, 2000. http://www.theses.fr/2000INPT001G.
Full textAbstract:
Le métabolisme de Brevibacterium linens (ferment de l'industrie laitière) est loin d'être maîtrisé, et rien ne garantit l'application de conditions optimales sur le réacteur Batch de culture. Nous nous proposons donc de modéliser et simuler la croissance de la bactérie afin de concevoir le système de contrôle de cette culture dans le cadre de notre objectif, piloter la vitesse de croissance. La première phase des travaux consiste en l'acquisition de connaissances sur un pilote de laboratoire. Les expériences sont réalisées selon un plan à quatre axes (concentrations initiales des substrats, température, pH, O2 (O exponant 2)). L'utilisation des substrats mixtes (acide lactique et acides aminés) ainsi que l'analyse de la qualité des données représentent deux points forts de la première partie de ces travaux. En ce qui concerne la qualité des données, les mesures erronées sont détectées puis corrigées ou éliminées par filtrage sur des bilans atomiques (réconciliation des données). La reproductibilité des expériences ainsi que le principe de conservation des éléments ayant été vérifiés, le pilote a ainsi pu être validé. La deuxième phase est la capitalisation des connaissances dans un modéle dynamique de réacteur biologique. Une approche stoechio-cinétique du métabolisme a été adoptée. Après conception du schéma réactionnel (vision macroscopique de la croissance), son adéquation à la connaissance expérimentale est testée par analyse factorielle des données réconciliées. Cette méthode permet, par résolution d'un problème d'optimisation sous contraintes, de déterminer les réactions actives, sur quelle période de temps, et de calculer des coefficients stoechiométriques qui corrèlent les données tout en équilibrant les bilans sur les éléments. Enfin, l'étude des cinétiques de consommation suivant les concentrations relatives en substrats et les axes T, pH, O2 (O exponant 2) est réalisée, et un modèle est proposé, dont les différents paramètres ont été éstimés.
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Vidal, Stéphane. "Dégradation enzymatique du rhamnogalacturonane II : contribution à la caractérisation structurale du substrat et aux traitements des jus de fruits et des vins." Grenoble 1, 1999. http://www.theses.fr/1999GRE10143.
Full textAbstract:
Le rhamnogalacturonane ii ou rg-ii est un polysaccharide pectique complexe qui joue un role essentiel dans la regulation de la cohesion et de la taille des pores au sein de la paroi primaire. Sa resistance aux activites enzymatiques mises en uvre dans le domaine de la transformation des fruits et des legumes a ete mise en evidence et l'abondance de cette molecule dans les jus de fruits et les vins a ete demontree. La purification de rg-ii a ete realisee a partir du vin rouge ; ce qui a permis des avancees importantes tant dans le domaine de sa caracterisation structurale que pour l'evaluation de l'influence de sa presence dans les produits finis. Une souche de penicillium daleae a ete isolee a partir d'un echantillon de sol forestier pour sa capacite a degrader le rg-ii. Apres avoir fixe les conditions de culture de ce champignon filamenteux, les enzymes de degradation du rg-ii ont ete fractionnees. Une fraction proteique substantiellement pure degradant le rg-ii a ete obtenue et la proteine majoritaire, possedant une masse molaire apparente de 110 kda a ete sequencee. Cette enzyme, de sequence inconnue dans les bases de donnees, et possedant des caracteristiques de glycohydrolases, a ete clonee chez aspergillus niger. L'utilisation de la fraction proteique purifiee a egalement permis la production de fragment de rg-ii, dont la caracterisation structurale, par analyse rmn 1d et 2d, nous a permis de preciser l'organisation generale de cette molecule complexe.
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Brunel, Laurent. "Contribution à l'assurance fiabilité de filières HEMTs à base de GaN sur substrat SiC : caractérisation électrique approfondie et modélisaton des effets parasites." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0080/document.
Full textAbstract:
Ces travaux s'inscrivent dans le cadre de la qualification des technologies GaN de UMS et plus particulièrement celle de la technologie GH25, et a pour objectif d’apporter un soutien direct au développement des technologies UMS à base de GaN. Le premier chapitre traite des généralités sur les HEMTs AlGaN/GaN. Le deuxième chapitre est consacré à la description des technologies GH50 et GH25 de UMS. Les éléments passifs de la technologie GH25 ont été caractérisés électriquement et thermiquement, puis des mesures de claquage utilisant une technique d’injection de courant de drain ont été mises en oeuvre sur des HEMTs de la technologie GH50 afin d’évaluer l'aire de sécurité de fonctionnement. Le troisième chapitre est dédié à l'étude des effets parasites rencontrés sur les deux technologies GH50 et GH25.Chacun des effets parasites est décrit puis caractérisé de façon approfondie. Le dernier chapitre se concentre sur l'étude de la fiabilité de la technologie GH25. Après avoir présenté les différentes variantes technologiques, les résultats des tests de vieillissement accéléré mis en oeuvre à UMS sont analysés afin d'évaluer leur impact sur la fiabilité de la technologieGH25 et d’identifier les mécanismes de dégradation et les effets parasitesThis work is incorporated within the framework of the qualification of UMS GaNtechnologies and more particularly of the GH25 technology, and aims to support thedevelopment of UMS GaN based technologies. The first part of this report deals withAlGaN/GaN HEMT generality. The second part is dedicated to the description of the UMStechnologies GH50 and GH25. Passive components of GH25 technology have beencharacterized through electrical and thermal measurement, and then breakdown measurementsusing a drain current injection technique have been carried out on GH50 HEMT in order toevaluate the safe operating area of these devices. The third part is dedicated to the study of theparasitic effects observed on the two technologies GH50 and GH25. Each of these parasiticeffects is described and fully characterized. The last part of this work focuses on the study ofthe GH25 technology. Technological variations are first introduced, and then results ofaccelerated aging test carried out at UMS are analyzed to evaluate their impact on thereliability of the GH25 technology and to identify wear out mechanism and parasitic effects
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Robin, Martin. "Contribution à l'étude de l'adhérence des structures du type couche sur substrat par modes de Rayleigh générés et détectés par sources laser." Thesis, Valenciennes, 2019. http://www.theses.fr/2019VALE0015/document.
Full textAbstract:
La caractérisation non destructive de l’adhérence des structures du type couche sur substrat est un enjeu industriel et académique important. Ce type d’échantillon est en effet utilisé pour de nombreuses applications et sa durée de vie dépend en grande partie de la qualité d’adhérence des films au substrat. Celle-ci modifie sensiblement le comportement dispersif des ondes acoustiques de surface se propageant dans de ce type de structure. Pour générer et détecter ces ondes, un dispositif Ultrasons-Laser a été privilégié. Dans un premier temps, nous avons cherché à contourner les difficultés d’interprétation rencontrées habituellement dans le contrôle de l’adhérence par ondes acoustiques de surface. Les variations d’épaisseur de la couche peuvent en effet avoir une influence sur la dispersion des ondes comparable à celle due à l’adhérence. Pour ce faire, des films polymères dont l’épaisseur est quasi-constante sont employés et apposés sur un substrat en aluminium. Ces films possèdent en plus la propriété d’être transparents. Cela permet de focaliser l’impulsion laser générant les ondes acoustiques à travers le film, directement à la surface du substrat et de placer ainsi la source acoustique à l’interface film-substrat. L’influence de la position de la source sur le comportement dispersif des ondes acoustiques de surface et par conséquent sur le contrôle de la qualité d’adhérence est alors étudiée expérimentalement ainsi qu’au travers de simulations par éléments finis. Finalement, une caractérisation de l’adhérence de différents échantillons est effectuée grâce aux courbes de dispersion obtenues à l’aide de la méthode Matrix-Pencil appliquée aux résultats expérimentaux. En utilisant un algorithme d’inversion, les raideurs d’interface caractéristiques de l’adhérence des échantillons analysés sont estiméesThe non-destructive characterization of the adhesion of layer-on-substrate structures is an important issue in industrial and academic domains. This type of sample is indeed used for many applications and its lifetime depends mainly on the adhesion of the film to the substrate. This one changes significantly the dispersive behavior of the surface acoustic waves. To generate and detect these waves, a Laser-Ultrasonics setup has been used. First, we are looking to bypass the interpretation difficulties usually encountered in the control of adhesion by surface acoustic waves. Indeed, the layer thickness variations influence the dispersion of the waves in a similar way to the adhesion. Consequently, the polymer films used have a quasi-constant thickness and they are deposited directly on an aluminum substrate. In addition, these films are also transparent. It allows us to generate directly the acoustic waves on the substrate surface, at the interface between the film and the substrate, by focusing the laser pulse through the film. In this way, the influence of the source location on the dispersive behavior of the surface acoustic waves and thus on the adhesion quality control may be studied experimentally and by using finite element simulations. Finally, a characterization of the adhesion of several samples is performed using the dispersion curves obtained applying the Matrix-Pencil method to the experimental results. An inversion algorithm allows us to estimate the interfacial stiffnesses corresponding to the adhesion of the samples
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Drexler, Michael. "Population Biology, Ecology, and Ecosystem Contributions of the Eastern Oyster (Crassostrea virginica) from Natural and Artificial Habitats in Tampa Bay, Florida." Scholar Commons, 2011. http://scholarcommons.usf.edu/etd/3081.
Full textAbstract:
The objective of this project was to document the status of oysters, Crassostrea virginica, from non-reef habitats throughout Tampa Bay, Florida, and assess the ecosystem contributions of those populations relative to reef-dwelling oysters. The aspects of oyster ecology studied here include condition, prevalence and intensity of disease (Perkinsus marinus - dermo), reproductive activity (including stage, fecundity, and juvenile recruitment), adult oyster density, and the faunal community associated with the oysters.
The predominant source of variation was seasonal, with lesser contributions among sites, and in most cases, little or no effect of the habitat type. Oysters populations from each habitat recruit juvenile oysters, produce mature individuals, and contribute viable gametes at the same magnitude with similar seasonality. The associated faunal communities were also largely similar between habitats at any given site. Measures of oyster density, combined with estimates of the total available habitat, suggest that natural oyster reefs may represent only a small portion of the total oyster community in Tampa Bay, while oysters associated with mangrove habitats and seawalls are probably the most abundant in the bay. Additional mapping and quantification of these habitats would help to define their bay-wide ecosystem-services value. Restoration projects, though small in size relative to other habitats, do provide alternative and additional habitat with comparable value to other oyster-bearing habitats.
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Denis, Marie-Sandrine. "Contribution à l'étude des matériaux à Bande Interdite Photonique : Application dans le domaine des antennes imprimées." Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0057.
Full textAbstract:
Les matériaux à Bande Interdite Photonique (composés d'arrangements périodiques de la constante diélectrique) présentent d'intéressantes propriétés de réflexion dans une large bande de fréquence. L'introduction de défauts (rupture de la périodicité) au sein de tels matériaux conduit à l'apparition de pics de transmission à l'intérieur de la bande interdite. De telles structures peuvent être utilisées comme filtres fréquentiel ou angulaire. Ce mémoire décrit les méthodes de simulation utilisées pour la caractérisation de matériaux à BIP. Puis une étude théorique et expérimentale d'un BIP bidimensionnel diélectrique est effectuée. Les résultats expérimentaux, en parfaite concordance avec les résultats de simulation, permettent de valider les codes de calcul. Différentes applications dans le domaines des antennes imprimées sont ensuite données : 1) Antennes à réflecteur : un matériau BIP, placé sous un dipôle électrique, joue un rôle de plan réflecteur. 2) Antennes imprimées sur substrats BIP : la mise en place de matériau BIP comme substrat d'antennes permet de diminuer le rayonnement à 90°. 3)Antennes imprimées possédant un radôme BIP : la perturbation du rayonnement d'une antenne sous un radôme BIP est mise en évidence. Une antenne fort gain est obtenue en insérant un gap d'air entre l'élément rayonnant et le radôme
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Vandevoorde, Loïc. "Contribution à la caractérisation des revêtements par inversion des courbes V (z)." Valenciennes, 2006. http://ged.univ-valenciennes.fr/nuxeo/site/esupversions/5ee970e0-5094-4d66-96f7-0a013a8e5e24.
Full textAbstract:
L'objectif de cette étude est de caractériser à l'aide de la méthode V(z) des revêtements en bronze d'aluminium Cu9. 5Al1Fe déposés à la torche plasma sur un substrat en acier bas carbone. La courbe V(z) est obtenue à partir du relevé de la tension électrique aux bornes d'un transducteur focalisé en fonction du déplacement (z), perpendiculairement à la surface de l'échantillon analysé. Le traitement d'inversion de la courbe V(z) permet d'obtenir le coefficient de réflexion R(Ө,f) de l'échantillon. La position des minima de R(Ө,f) peut être relié aux constantes élastiques ou à l'adhérence du revêtement. Dans le cas d'une couche déposée sur substrat, le calcul R(Ө,f) s'effectue à partir de la méthode récursive de Thomson-Haskell qui permet d'introduire différents niveaux d'adhérence entre les 2 milieux successifs, grâce à 2 constantes de raideur KL et KT de minimisation égale au carré de la différence entre le coefficient de réflexion mesuré et celui paramétré par les constantes élastiques ou les valeurs de KL et KT , l'optimisation est ensuite réalisée à partir de la méthode du simplexe. Les résultats expérimentaux ont permis de valider la méthode pour la détermination des constantes Cij de ces revêtements. Pour les échantillons présentant un défaut d'adhérence, les valeurs KL et KT trouvées sont de l'ordre de 1013 à 1014 Pa. M-1, alors qu'elles sont supéreures à 1015 Pa. M-1 pour les échantillons sains. Le classement des différents niveaux d'adhérence est comparé à la rugosité de la surface du substrat avant dépôt, et à la charge critique de fissuration à l'interface déterminée par indentation interfacialeThe study aims at characterizing the adhesion of plasma coatings using acoustic microscopy. The samples are Cu9. 5Al1Fe aluminium bronze air plasma spray coated low carbon steel plates. The experimental V(z) signal corresponds to the output voltage of the focalised transucer as a function of the distance between the surface of the sample and the focus. The inversion process operated on the V(z) signal gives the reflectance coefficient R(Ө,f) of the studied sample. The location of the R(Ө,f) minima is dependant on the elastic constants Cij and on the quality of the adhesion. For coated specimen, R can be evaluated by numerical computation, using the recursive method of Thomson Haskell which considers the continuity of both strains ans stresses. In the model developed by Achenbach it is considered that the lack of interfacial adhesion introduces a displacement gap at the interface tha can be related to the stress fiels correponding to the propagating waves thanks to the stiffness coefficients KL and KT. This leads to defining a deviation function which is a sum of quadratic terms corresponding to the difference between the measured R-coefficient and the simulated one versus the elastic constants or KL and KT. The optimization is performed using the simplex method. The results show that the V(z) metho enables to determine the elastic coefficients of the coating. In the case of samples with different adhesin levels, the values of stiffness constants are between 1013 and 1014 Pa. M-1. In the case of good adhesion levels, the values of stiffness constants are higher than 1015 Pa. M-1. The results obtained by acoustic microscopy are consistent with results obtained by destructive methods such as interfacial indentation and with substrate roughness measurements performed before coating
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Monerie-Moulin, Francis. "Contribution à l'étude des flux thermiques imposés en projection plasma au substrat et au dépot et à leur influence sur les propriétés du dépot." Limoges, 1993. http://www.theses.fr/1993LIMO0246.
Full textAbstract:
Le but de cette etude est d'etudier les flux thermiques imposes a un substrat en cours de projection plasma. Elle comprend une presentation sommaire des differents dispositifs de mesure disponible au laboratoire. Le chapitre 2 est consacre a l'etude du flux thermique transmis par le jet de plasma a une cible plane, refroidie et perpendiculaire au jet. Des lois d'evolutions en fonction de differents parametres de projection ont ete tracees, des mesures de flux ayant ete faites pour plus de 130 conditions experimentales differentes. Le chapitre 3 traite du flux transmis au substrat par les particules projetees. Le calcul de ce dernier flux se fait en suivant l'evolution de parametres caracteristiques (position, temperature, etat de fusion. . . ) tout au long de la trajectoire des particules injectees. Le chapitre 4 est consacre au developpement d'un modele simplifie permettant de suivre l'evolution de temperature de l'ensemble depot substrat en cours de projection. Enfin le chapitre 5 est consacre a l'optimisation des parametres de projection afin d'obtenir des revetements d'alumine durs et adherents sur des substrats en fonte, en alliage de titane ou en alumine frittes
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Zéanh, Adrien. "Contribution à l'amélioration de la fiabilité des modules IGBT utilisés en environnement aéronautique." Phd thesis, Toulouse, INPT, 2009. http://oatao.univ-toulouse.fr/11959/1/zeanh.pdf.
Full textAbstract:
L’augmentation de la puissance électrique consommée à bord des avions a récemment conduit à introduire des convertisseurs électroniques de puissance à base d'interrupteurs à IGBT dans de nombreuses applications aéronautiques. L'utilisation de ces interrupteurs diffère de leurs emplois traditionnels dans les domaines du ferroviaire ou de l'automobile. En effet, les sollicitations environnementales ainsi que les cycles de commandes électriques sont différents de ceux rencontrés jusqu’alors, ce qui amène à remettre en cause les résultats actuels au sujet de la durée de vie et de la fiabilité de ces interrupteurs. Face à ces interrogations, les sociétés THALES et Hispano-Suiza se sont associées au sein du programme de l’avion plus électrique MODERNE (MODular ElectRical NEtwork) initié par Airbus, en vue de développer des solutions à haut niveau de fiabilité pour des applications aéronautiques sévères. C’est dans ce contexte que prennent place les présents travaux, dont les objectifs sont dans un premier temps de proposer de nouvelles architectures de modules susceptibles de présenter de meilleures performances d’intégration, et dans un second temps d’en étudier la fiabilité. Pour répondre à ces questions, un état de l'art des technologies utilisables a été mené. La confrontation de ses technologies aux contraintes et recommandations aéronautiques a conduit au choix de deux approches d'assemblage, proposées avec un jeu de matériaux sélectionnés pour leurs propriétés physiques et en conformité avec les réglementations sur l’utilisation de matériaux polluants. À l'issue d'une analyse de défaillances, différents développements ont été conduits afin de modéliser et caractériser le comportement thermique, mécanique puis à défaillance des modules. Des modèles Éléments Finis de structures représentatives des solutions proposées ont alors été mis au point et exploités pour l'élaboration de règles de conception, sur la base de plans d'expériences couplés à de la simulation numériques. Les informations générées ont servi à la conception de trois prototypes destinés à des applications différentes. Les performances de ces prototypes ont été évaluées, notamment leurs fiabilités obtenues par des calculs mécano-fiabilistes ayant permis l'optimisation de la conception des différents modules.
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Sheta, Abdel Fattah. "Contribution à l'étude de la miniaturisation des émetteurs récepteurs pour les communications mobiles : étude des potentialités de la technologie microruban sur substrat à haute permittivité." Brest, 1996. http://www.theses.fr/1996BRES2005.
Full textAbstract:
La presente these traite des problemes associes a la conception d'un emetteur recepteur miniaturise pour des applications aux communications mobiles par satellites. Ce type de communication devrait permettre a chacun de communiquer avec n'importe quelle autre personne dotee d'un emetteur recepteur a partir de n'importe quel point de globe vers n'importe quel autre point. Pour que l'on puisse un jour esperer utiliser de tels systemes, il est necessaire de miniaturiser les emetteurs recepteurs. Cette miniaturisation pose des problemes delicats instamment pour la conception des filtres et des amplificateurs de puissance dont les performances globales determinent l'autonomie de l'emetteur recepteur. C'est donc principalement sur ces deux fonctions que nous avons fait porter notre attention. Pour realiser ces deux objectifs, la technologie microruban sur substrat a tres forte permittivite relative a ete choisie. Une premiere caracterisation de cette technologie par l'approche dans le domaine spectral (sda) a ete entreprise et validee par des resultats experimentaux. De plus, une etude des filtres et des multiplexeurs, utilisant des structures sir (stepped impedance resonator) a ete developpee. Nous sommes parvenus a une conception satisfaisant les performances desirees, en utilisant un substrat de permittivite relative de 89 avec une epaisseur de 2 mm. Une bonne concordance entre predictions theoriques et mesures a ete constatee. Enfin, la synthese d'amplificateurs de puissance est presentee en vue de reduire l'encombrement, d'obtenir le meilleur compromis entre rendement et linearite. A cet egard, un amplificateur de puissance compact a ete realise sur substrat ceramique de permittivite relative de 40 et avec une epaisseur de 0. 635 mm. La puissance de sortie est de 1. 25 watt avec un rendement en puissance ajoutee superieur a 60%