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Academic literature on the topic 'Surfaces (physique) – Propriétés électroniques'
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Journal articles on the topic "Surfaces (physique) – Propriétés électroniques"
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BOUTALEB, F., N. BOUTALEB, B. BAHLAOUAN, and S. EL ANTRI. "Valorisation du stérile d’exploitation des phosphates au Maroc dans la fabrication de carreaux céramiques." Techniques Sciences Méthodes, no. 3 (March 20, 2020): 37–43. http://dx.doi.org/10.36904/tsm/202003037.
Full textAbstract:
L’objectif de ce travail est d’étudier une voie de valorisation du stérile d’exploitation des phosphates comme matière première alternative dans l’industrie céramique. Cinq formulations sont étudiées pour produire par pressage à sec des carreaux céramiques. Ces formulations sont réalisées en mélangeant le stérile avec des argiles locales abondantes selon des pourcentages qui varient de 0 à 100 %. Les carreaux céramiques produits sont caractérisés par leurs propriétés physiques (absorption d’eau, retrait de cuisson), mécaniques (résistance à la flexion) et de surface (observation en microscopie électronique à balayage). Les résultats de cette étude montrent que l’intégration du stérile des mines de phosphates permet d’améliorer les propriétés mécaniques des carreaux céramiques. Une utilisation industrielle de ce déchet minier entre 20 et 50 % dans des formules à base d’argile pourrait donc être envisageable pour concevoir des produits de faïence, conformes aux exigences mécaniques et techniques applicables. Cette voie de valorisation permet de gérer les grandes quantités des rejets miniers et donc leur impact environnemental ainsi que de préserver les ressources naturelles non renouvelables.
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San-Miguel, Alfonso, and Jean-Louis Sauvajol. "Une femme de science exceptionnelle : Mildred S. Dresselhaus." Reflets de la physique, no. 61 (March 2019): 36–39. http://dx.doi.org/10.1051/refdp/201961036.
Full textAbstract:
Première femme à avoir accédé au rang de professeur titulaire au Massachussetts Institute of Technology (MIT), Mildred Spiewak Dresselhaus, ou simplement Millie pour la plupart de ses collègues, est l’exemple d’un engagement passionnel et infatigable pour la science en général, la physique en particulier, et pour la reconnaissance de la place des femmes en science. Sa disparition le 20 février 2017 à l’âge de 86 ans, en pleine activité scientifique, a très profondément marqué les communautés de chercheurs engagés dans les nanosciences. Ses contributions à la compréhension du couplage entre propriétés électroniques, vibrationnelles et structurales, dans les différentes formes de carbone sont au centre du développement des nanomatériaux carbonés et de leurs applications.
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Douarche, Carine, Virginie Bailleux, Catherine Even, Jean-Marc Allain, Christophe Regeard, and Éric Raspaud. "La mécanique des biofilms à la surface de liquides." Reflets de la physique, no. 56 (January 2018): 20–24. http://dx.doi.org/10.1051/refdp/201856020.
Full textAbstract:
Les micro-organismes peuvent coloniser les surfaces environnantes et s’organiser en un film de plusieurs centaines de microns d’épaisseur, appelé « biofilm ». Ils sécrètent une matrice extracellulaire polymérique qui assure une véritable cohésion et protection physique de la colonie, avec des effets qui peuvent être aussi bien bénéfiques que mortels pour son environnement. Nous nous sommes intéressés aux forces mécaniques structurant cette matière vivante solide et contribuant à maintenir son intégrité. Nous avons travaillé sur des biofilms de bactéries flottant à la surface d’un liquide. Nous montrons que ces systèmes ont des propriétés mécaniques originales et remarquables, du fait de leur capacité à croître et proliférer.
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Robert, André, and André G. Roy. "La modélisation fractale et la variabilité spatiale des phénomènes naturels." Géographie physique et Quaternaire 47, no. 1 (November 23, 2007): 3–19. http://dx.doi.org/10.7202/032928ar.
Full textAbstract:
RÉSUMÉLe modèle fractal a suscité beaucoup d'intérêt récemment en sciences naturelles. Cette théorie de Benoit Mandelbrot s'avère particulièrement pertinente en géographie, puisque le modèle fractal traite de la variabilité spatiale des phénomènes naturels, de l'échelle d'observation de ces phénomènes et des propriétés géométriques résultantes. La première partie de cette revue consiste en une description du modèle fractal et des méthodes qui peuvent être utilisées pour estimer la dimension de Hausdorff et de l'intérêt immédiat des fractales en sciences naturelles. La deuxième partie traite, de façon générale, de l'application des fractales à la variabilité spatiale de divers phénomènes (pédologie, réseaux hydrographiques, turbulence, etc.). Une imbrication de différents niveaux de variation est généralement observée et un des intérêts du modèle provient de la variation de la dimension fractionnaire avec l'étendue d'échelles considérée. La troisième partie est consacrée à l'analyse des surfaces topographiques, de la microéchelle (quelques millimètres) à l'échelle des bassins-versants. Différents types d'utilisation du modèle fractal pour l'analyse des surfaces topographiques sont présentés. Plus particulièrement, il s'agit de l'utilisation des surfaces fractales comme surface initiale pour l'étude des processus géomorphologiques, de même que l'utilisation de la dimension fractionnaire pour caractériser la rugosité des surfaces topographiques (pour des études hydrauliques ou hydrologiques). Cette revue se termine en considérant brièvement les conséquences en géographie physique et en géomorphologie des découvertes récentes de la théorie du chaos. L'outil fractal est privilégié dans l'étude du comportement des systèmes dynamiques.
Dissertations / Theses on the topic "Surfaces (physique) – Propriétés électroniques"
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Catrou, Pierre. "Formation de l'interface Fe/SrTiO₃(001) : propriétés électroniques et structurales." Thesis, Rennes 1, 2018. http://www.theses.fr/2018REN1S056/document.
Full textAbstract:
Les oxydes de métaux de transition sont d'un grand intérêt en raison du large éventail de propriétés qu'ils présentent. Ils ont potentiellement de nombreuses applications technologiques dans le domaine de l'électronique, reposant en partie sur le développement de dispositifs pour la technologie de l'information nécessitant de les contacter avec des métaux. Ce travail de thèse, basé principalement sur l'utilisation de la spectroscopie de photoémission, porte sur une étude détaillée de l'interface Fe/SrTiO₃ réalisée à température ambiante, dans laquelle nous nous sommes intéressés en particulier aux propriétés structurales et électroniques. Nous montrons que le fer est épitaxié, que sa croissance est en îlots et que les films couvrent entièrement le substrat pour le dépôt de quelques monocouches atomiques. Nous mettons en évidence une réaction du métal avec le substrat lors de la formation de l'interface qui se manifeste par la présence de titane réduit à l'interface. Nous associons cette réduction du titane à la présence de lacunes d'oxygène à l'interface Fe/SrTiO₃. Alors que la hauteur de barrière Schottky attendue pour une jonction abrupte Fe/SrTiO₃(001) est d'environ 1 eV pour les électrons, nous montrons que la présence des lacunes d'oxygène à l'interface abaisse la hauteur de barrière Schottky à environ 0,05 eV. La création de lacunes d'oxygène lors du dépôt de fractions de monocouche de fer sur le SrTiO₃ conduit aussi à une métallisation de la surface du semi-conducteur. Ce mécanisme est relié à la création d'états donneurs chargés positivement associés aux lacunes d'oxygène pendant le dépôt. Pour déterminer le profil de bande dans le substrat nous avons résolu l'équation de Poisson à une dimension dans une approche de la théorie de la fonctionnelle de la densité modifiée, en tenant compte de la couche d'accumulation d'électrons. Confrontant ces calculs avec nos résultats de photoémission nous trouvons que le potentiel de surface présente des inhomogénéités spatiales parallèlement à la surfaceTransition metal oxides are of great interest because of the wide range of properties they exhibit. They have potentially many technological applications in the field of electronics, especially based on the development of devices for information technology requiring contacting these oxides with metals. This thesis work, mainly based on photoemission spectroscopy, is a detailed study of the Fe/SrTiO₃ interface grown at room temperature in which we focus in particular on structural and electronic properties. We show that iron has an epitaxial growth with an island morphology and that films completely cover the substrate for the deposition of few atomic monolayers. We demonstrate that the metal reacts with the substrate during the formation of the interface which results in the presence of reduced titanium at the interface. We associate this reduction of titanium with the presence of oxygen vacancies at the Fe/SrTiO₃ interface. While the expected Schottky barrier height for a Fe/SrTiO₃(001) abrupt junction is about 1 eV for electrons, we show that the presence of oxygen vacancies at the interface lowers this Schottky barrier height to about 0.05 eV. The creation of oxygen vacancies during the deposition of fractions of iron monolayer on SrTiO₃ also leads to the metallization of the semiconductor surface. This mechanism is related to the creation of positively charged donor states associated with oxygen vacancies during deposition. To determine the band profile in the substrate, we solved the one-dimensional Poisson equation in a modified approach of the density functional theory taking into account the electron accumulation layer. By comparing these calculations with our photoemission results, we find that the surface potential has spatial inhomogeneities parallel to the surface
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Varchon, François. "Propriétés électroniques et structurales du graphène sur carbure de silicium." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00371946.
Full textAbstract:
Le graphène est un plan unique d'atomes de carbone formant une structure en nid d'abeilles. Dans le cas idéal, le graphène possède des propriétés physiques étonnantes, comme une structure électronique en " cône de Dirac ". Depuis 2004, il est connu qu'on peut obtenir ce matériau bidimensionnel à partir de la graphitisation du carbure de silicium (SiC). Sur la base de calculs ab initio et d'expériences de microscopie à effet tunnel (STM), nous avons entrepris de sonder les propriétés électroniques et structurales du graphène sur SiC et de déterminer en quoi elles sont similaires ou au contraire différentes du graphène idéal. Ce manuscrit commence par une introduction générale sur la thématique du graphène et se poursuit par une description des deux méthodes utilisées durant ce travail. Il vient ensuite l'exposé de nos résultats obtenus pour le graphène sur la face terminée Si et celle terminée C des polytypes hexagonaux du SiC. Nous avons montré notamment que le premier plan de carbone généré sur la face terminée Si se comporte comme un plan tampon, lequel permet aux autres plans qui le recouvrent d'avoir une structure électronique de type monoplan/multiplan de graphène. D'autres aspects liés à la nature complexe de l'interface comme la présence d'états localisés ou l'existence d'une forte structuration du plan tampon sont également discutés. Pour une surface terminée C suffisamment graphitisée, nos travaux révèlent l'existence d'un désordre rotationnel entre les plans de graphène successifs qui se manifeste sous forme de Moiré sur les images STM. Nous montrons par des calculs ab initio qu'une simple rotation permet de découpler électroniquement les plans de graphène.
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Sapet, Christophe. "Modélisation par la méthode LCAO empirique de la structure électronique : les surfaces propres ou oxydées du cuivre." Châtenay-Malabry, Ecole centrale de Paris, 2003. http://www.theses.fr/2003ECAP0889.
Full textAbstract:
Les trois surfaces de plus bas indices de Miller du Cuivre ainsi que la reconstruction de la surface (110) suite à l'adsorption d'oxygène atomique ont été étudiées dans cette thèse. Il a fallu pour cela développer les outils nécessaires d'une part à la modélisation de la structure des bandes d'énergie de ces surfaces et d'autre part à l'ajustement des bandes calculées sur des données expérimentales obtenues par photo-émission directe et inverse. Cela a été réalisé en combinant la méthode LCAO empirique d'interpolation de calculs de bandes d'énergie des solides et un programme de minimisation de fonctions à plusieurs paramètres. Dans la première étape, qui a consisté à modéliser un cristal massif ainsi que les principales surfaces propres, nous avons inclus dans le processus d'ajustement des données expérimentales issues de mesures sur la surface (110), ce qui nous a permis d'obtenir un seul ensemble de paramètres décrivant les interactions des atomes dans le Cuivre massif et applicable aux études des surfaces. Cet ensemble de paramètres a donné une structure de bandes du volume et des surfaces en accord très poussé avec les données expérimentales, ce qui n'existait pas jusqu'à présent dans la littérature. Nous avons ensuite établi un deuxième ensemble de paramètres afin de prendre en compte les interactions d'atomes d'oxygène avec un substrat de Cuivre, ce dernier étant décrit par les paramètres précédemment obtenus. Nous avons ainsi pu modéliser la structure des bandes de la surface (110) oxydée dans ses plus fins détails, et notamment la dispersion et la symétrie des états anti-liants de l'oxygène, ce qui n'avait jamais été réalisé auparavant ni dans le cadre d'une modélisation LCAO, ni dans le cadre de calculs ab-initio. Les applications de ces calculs sont multiples, et tous les travaux menés pour étudier le cristal de Cuivre et ses principales surfaces peuvent être reconduits pour d'autres métaux de transition.
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Hallaoui, Abdelaziz. "Propriétés électroniques et optiques des superréseaux (311) et des fils quantiques (110) à base de semiconducteurs." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20078.
Full textAbstract:
Mon travail presente les proprietes optiques et electroniques des fils quantiques (110) et des superreseaux (311). Premierement, j'etudie la densite de probabilite du premier niveau de conduction, du premier et du deuxieme niveau de valence de six echantillons de fils quantiques (quatre fils quantiques orientes: z648, z671, z682 et z694 et deux fils quantiques desorientes: z698 et z699). La comparaison avec les resultats experimentaux (confinement des niveaux d'energies) est satisfaisante. Deuxiemement, j'etudie les proprietes electroniques des superreseaux gaas/alas (311) a l'interieur de la zone de brillouin en utilisant les parametres tight binding de l'hamiltonien. La nature et la localisation du bas de la bande de conduction pour ces structures de faible symetrie est etudiee et leur origine est aussi etudie en fonction du nombre de couches. La transition du gap direct vers le gap indirect a lieu pour l = 3 nm qui est egale a l'epaisseur pour laquelle le croisement des etats -x a lieu dans les superreseaux (100). Troisiemement, je decris l'anisotropie dans le plan (311) des transitions optiques et l'intensite relative depend du nombre de couches et de la nature des etats qui contribuent a la transition. La comparaison avec les resultats experimentaux est aussi satisfaisante
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Lollmun, Dave B. B. "Etude des propriétés électroniques et structurales du système Er/Si(111)." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10102.
Full textAbstract:
L'objet de cette these est d'etudier les proprietes physico-chimiques du siliciure d'erbium ersi#1#. #7 epitaxie et de son interface avec le si(111) par des techniques d'analyses de surface (xps, ups, aes et del). Les films ont ete elabores par evaporation sous ultra-vide. La methode de co-evaporation (1 er:1. 7 si) est la mieux adaptee: elle a donne des couches de siliciure planes et sans trous. La qualite cristalline du siliciure a ete verifiee principalement en del et sa morphologie examinee en meb. Les proprietes electroniques des couches de ersi#1#. #7(0001) ont ete explorees en detail. Le transfert de charge entre er et si est negligeable et la liaison chimique est de type metallique. La bande de valence est formee de l'hybridation si 3p-er 5d. Sa densite d'etats a ete mesuree en xps monochromatisee et en ups sur une couche polycristalline, et completee par l'auger si lvv. La comparaison avec les calculs theoriques a montre le role determinant des lacunes de si dans la structure electronique. Les relations de dispersion e(k#) et e(k#) ont ete etablies par ups angulaire au lepes et au lure respectivement. La dispersion est tres forte dans le plan de la surface et faible dans la direction perpendiculaire. Des etats ou resonances de surface ont ete detectes. L'interface er/si(111), fabriquee a temperature ambiante, est tres reactive avec la formation d'un melange de meme composition que le siliciure. Sur ce dernier croit une couche metallique d'er avec du si dissout, indiquant la forte mobilite des atomes de si dans l'er. L'interface ersi#1#. #/7si(111) formee a 600c est tres particuliere. En-dessous d'une couverture 0. 7 mc, le siliciure est sous forme d'un metal bidimensionnel. Au-dessus, le mode de croissance est plus complexe et la bande de valence se rapproche tres rapidement de celle du siliciure epais
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Benkacem, Mustapha. "Étude des propriétés électroniques des diodes Schottky GaP(110) n/Al ou Ag en relation avec celles de la surface et de l'interface : effet d'une couche intercalaire d'antimoine et du recuit." Montpellier 2, 1987. http://www.theses.fr/1987MON20254.
Full textAbstract:
Etude du contact schottky gap(110) /ag ou al et recherche des correlations entre la hauteur de barriere des diodes et les proprietes electriques et physicochimiques de la surface avant depot metallique
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Cornet, Charles. "propriétés électroniques, optiques et dynamiques de boites quantiques auto-organisées et couplées sur substrat InP." Phd thesis, INSA de Rennes, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00132644.
Full textAbstract:
Ce manuscrit de thèse porte sur l'étude et la compréhension des boites quantiques InAs sur substrat InP, travail mené en collaboration avec l'université technique (TU) de Berlin en Allemagne, et l'université catholique (KU) de Leuven en Belgique, dans le cadre du réseau d'excellence européen SANDIE.Le chapitre 0 est une introduction détaillée à la physique des boites quantiques. Cette partie mets en évidence les motivations et les enjeux scientifiques liés à l'étude des boites quantiques, et en particulier dans le système InAs/InP. Les principes de fabrication des boites quantiques par épitaxie par jet moléculaire sont également détaillés.
Le chapitre 1 présente une étude théorique des boites quantiques sur substrat InP. Ces boites sont tout d'abord étudiées à l'aide d'une méthode de calcul de type k•p à huit bandes. L'influence de la composition de la boite quantique (InAs ou InAsSb), ainsi que celle de l'orientation du substrat ((311)B ou (100)) sur les propriétés optiques des ces boites est ainsi analysée. Des solutions sont ainsi proposées pour l'utilisation de telles boites quantiques comme sources laser pour les applications télécom (1.5 µm), ou encore pour la détection de gaz, ou les transmissions en espace libre (entre 2 et 5 µm).
Dans le chapitre 2, les boites quantiques sont étudiées expérimentalement. De nombreuses techniques de spectroscopie ont été utilisées (photoluminescence, magnéto-photoluminescence, spectroscopie d'absorption) afin de déterminer les constantes fondamentales de nos boites quantiques. Ainsi, le coefficient d'absorption, le rayon de Bohr de l'exciton, sa masse effective et son énergie de liaison sont mesurés dans le système InAs/InP, ainsi que les écarts énergétiques entre les états fondamentaux et excités de boites quantiques. Il est ainsi démontré expérimentalement que l'utilisation d'un alliage quaternaire InGaAsP est plus adapté pour les applications laser que l'alliage binaire InP.
Le couplage latéral de boites quantiques est étudié à la fois expérimentalement et théoriquement dans le chapitre 3. Lorsque l'alliage quaternaire InGaAsP est utilisé avec des conditions de croissance optimisées, une très haute densité de boites quantiques peut être obtenue, avec une bonne organisation de ces boites dans le plan de croissance. Une nouvelle méthode de calcul dans l'espace réciproque a été développée afin de simuler un tel super-réseau de boites quantiques. Ces calculs prédisent qu'il peut exister un couplage latéral entre ces boites quantiques pour de si fortes densités. Des expériences de magnéto-photoluminescence, de photoluminescence et d'électroluminescence sont utilisées afin de mettre en évidence ce couplage latéral. L'influence de ce couplage sur la redistribution des porteurs de charge dans les composants laser est discutée. Il est montré qu'un régime de couplage judicieusement choisi permet d'améliorer les performances des lasers à boite quantique.
Finalement, des expériences pompe-sonde sur les boites quantiques InAs/InP sont présentées dans le chapitre 4. Les temps de vie radiatifs des niveaux d'énergie de boites quantiques sont mesurées. Une interprétation de ces mesures est donnée en terme de durée de vie de l'exciton et du biexciton dans nos boites quantiques, et les conséquences de ces mesures sur le comportement dynamique des composants lasers à base de boites quantiques sont discutées.
Des conclusions et des perspectives à ce travail de thèse sont enfin présentées, ainsi que la bibliographie utilisée comme support et point de départ de ce travail de thèse.
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Jaouen, Thomas. "Isolant dans la limite ultra-mince : propriétés électroniques et barrières tunnel de MgO." Phd thesis, Université Rennes 1, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00772602.
Full textAbstract:
Présentes dans de nombreux dispositifs comme les jonctions tunnel magnétiques ou les systèmes cluster/oxyde utilisés en catalyse hétérogène, les interfaces métal/oxyde présentent des propriétés spécifiques venant du raccordement entre deux matériaux de structure atomique et surtout de structure électronique très différentes. Ce projet de recherche repose sur l'étude, par diverses techniques de spectroscopies de photoémission, de la géométrie et de la structure électronique aux interfaces MgO/Ag(001) pour des épaisseurs d'oxyde subnanométriques. Nous avons, tout d'abord, montré que la valeur de la hauteur de la barrière Schottky (SBH) à l'interface pouvait être décrite grâce au modèle de Schottky-Mott et d'un effet de polarisation induit par le MgO. Ensuite, une attention particulière a été portée sur la capacité à contrôler la hauteur de barrière Schottky à l'interface MgO/métal en modifiant les conditions de préparation/traitement de la couche d'oxyde. Enfin, l'étude par diffraction de photoélectrons de films minces de MgO dans un régime de très faible épaisseur a révélé des propriétés originales de l'interface MgO/métal quant aux propriétés de relaxation électronique, permettant ainsi d'obtenir une résolution couche par couche de l'interface MgO/Ag(001). Cette résolution expérimentale, confrontée à des calculs basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), a été utilisée pour démontrer la possibilité d'intercaler des atomes de Mg à l'interface MgO/Ag(001). La variation de travail de sortie du système induite par la présence de ces impuretés est corrélée à la modification des effets de polarisation induits par le MgO.
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Amara, Dehman. "Assemblage structural collé alumine-acier 304L : propriétés superficielles des substrats et adhérence." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT005G.
Full textAbstract:
On évalue l'adhérence d'un assemblage céramique (alumine)/métal (acier inoxydable 304L) collé à l'aide d'un adhésif structural époxyde (Araldite AV119). La résistance de l'assemblage collé est mesurée par des tests de rupture : tests de cisaillement et d'arrachement. Pour améliorer l'adhésion de la colle sur les substrats metallique et en céramique, Différents traitements de surface (mécanique, chimique et thermique) sont mis en oeuvre. La caractérisation topographique et physico-chimique des surfaces collées est effectuée par différents moyens: rugosimetrie tridimensionnelle, test de la goutte sessile pour la mesure de l'énergie libre de surface, ESCA pour l'analyse chimique des éléments de surface et la microscopie électronique à balayage. Selon le traitement de surface utilisé. On examine l'influence des différents paramètres de surface tels que les coefficiants de rugosité et la morphologie de surface, L'énergie superficilelle et la nature chimique de la surface sur l'adhérence de l'assemblage. Ainsi, on développe des relations entre les paramètres de rugosité et la contrainte à la rupture de l'assemblage lorsque les surfaces présentent une même morphologie. Celle-ci^participe fortement dans les phénomènes de mouillage de la surface par l'adhésif et dans la rupture (dans le cas du cisaillement) des liaisons interfaciales adhésif/substrats. La caractérisation mécanique des deux interfaces révèle que la liaison adhésif-métal est la plus faible, La rupture de l'assemblage colle céramique/métal se produit alors à travers celle-ci.
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Ichas, Valerie. "Étude sous pression des propriétés électroniques et magnétiques de composés de neptunium : NpGa3 et les monopnictures de Np : Net réalisation d'un réfrigérateur d'3He pour la mesure de la résistance électrique en dessous de 1,5K." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10041.
Full textAbstract:
La resistance electrique des monopnictures de neptunium npas, npsb, npbi (structure nacl) et de npga#3 (structure aucu#3) a ete mesuree sous haute pression jusqu'a 25gpa et a basse temperature jusqu'a 1. 5k. Dans les monopnictures de np, la mise en ordre antiferromagnetique triple k (3k) produit une forte augmentation de la resistivite a pression ambiante. De plus, dans npsb et npbi, la resistivite montre un comportement semi-conducteur a basse temperature. Sous pression et dans les trois composes, la temperature d'ordre t#o#r#d diminue et la resistance chute discontinuement a basse temperature. La signature de l'ordre 3k est supprimee dans npas et npsb. L'anomalie kondo de la resistance disparait sous pression. La chute de resistance sous pression est interpretee par une modification de la surface de fermi qui coincide probablement avec la suppression de la phase 3k. Nous suggerons que la diminution de t#o#r#d est due a un changement de la surface de fermi en plus d'une legere delocalisation des electrons 5f. Dans npga#3, t#o#r#d augmente de 65k a 1bar jusqu'a 194k a 25gpa. L'anomalie kondo en resistivite est supprimee au dessus de 4gpa. Nos resultats suggerent que deux phases magnetiques sont presentes sous pression. Le comportement sous pression du moment ordonne et de la temperature d'ordre indique une faible delocalisation des electrons 5f. L'augmentation de la temperature d'ordre est expliquee par le renforcement des interactions d'echange indirectes entre ions magnetiques. Parallelement, nous avons developpe un prototype d'un refrigerateur #3he avec pompe a absorbtion par des charbons actifs. Il est destine a mesurer la resistance electrique de composes d'actinides en dessous de 1. 5k et sous haute pression. Le prototype permet d'atteindre des temperatures minimales de 650mk dans les conditions de mesures sous pression et 330mk dans les conditions de mesures a 1bar. Nous avons mesure avec succes la resistance electrique de np#4ru#7ge#6 jusqu'a 350mk et a pression ambiante
Books on the topic "Surfaces (physique) – Propriétés électroniques"
1
1931-, Comsa George, ed. Scattering of thermal energy atoms for disordered surfaces. Berlin: Springer-Verlag, 1989.
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3
Solymar, L. Solutions manual for Lectures on the electrical properties of materials. Oxford: Oxford University Press, 1993.
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5
Crépieux, Adeline. Introduction à la physique de la matière condensée - Propriétés électroniques: Propriétés électroniques. DUNOD, 2019.
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6
1941-, MacDonald R. J., Taglauer E, and Wandelt K. 1944-, eds. Surface science: Principles and current applications. Berlin: Springer, 1996.
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7
(Editor), R. J. Macdonald, E. C. Taglauer (Editor), and K. R. Wandelt (Editor), eds. Surface Science: Principles and Current Applications. Springer-Verlag Telos, 1996.
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8
Solutions Manual for Lectures on the Electrical Properties of Materials. 5th ed. Oxford University Press, USA, 1994.
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