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Dissertations / Theses on the topic 'Transistor'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 25 July 2025

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1

Pratapgarhwala, Mustansir M. "Characterization of Transistor Matching in Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2005. http://hdl.handle.net/1853/7536.

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Abstract:

Transistor mismatch is a crucial design issue in high precision analog circuits, and is investigated here for the first time in SiGe HBTs. The goal of this work is to study the effects of mismatch under extreme conditions including radiation, high temperature, and low temperature. One portion of this work reports collector current mismatch data as a function of emitter geometry both before and after 63 MeV proton exposure for first-generation SiGe HBTs with a peak cut-off frequency of 60 GHz. However, minimal changes in device-to-device mismatch after radiation exposure were experienced. An

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2

Cerutti, Robin. "Transistors à grilles multiples adaptés à la conception." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0174.

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Abstract:

"En technologie MOS sur silicium, les transistors de type "double grille" (DG) sont considérés comme les meilleurs candidats pour les nœuds technologiques 32 et 22 nm de ITRS. Avec l'apparition de différentes architectures (FINFET, TriGate, Planar DG,. . . ) il est important de concevoir une intégration simple et compatible avec les requêtes circuit. Ce travail de thèse prend en compte les intéractions entre la conception et la technologie afin de définir des technologies tridimensionelles basées sur le module SON ("Silicon On Nothing"). De nouveaux transistors ont été inventés et développés e

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3

Hanna, Jennifer. "Movement transistor." This title; PDF viewer required. Home page for entire collection, 2006. http://archives.udmercy.edu:8080/dspace/handle/10429/9.

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4

Razafindrakoto, Mirijason Richard. "Modèle hydrodynamique de transistor MOSFET et méthodes numériques, pour l'émission et la détection d'onde électromagnétique THz." Thesis, Montpellier, 2017. http://www.theses.fr/2017MONTS035/document.

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Abstract:

Du fait de ses propriétés intéressantes, le domaine de fréquence térahertz (THz) du spectre électromagnétique peut avoir de nombreuses applications technologiques, de l'imagerie à la spectroscopie en passant par les télécommunications. Toutefois, les contraintes technologiques empêchant l'émission et la détection efficaces de ces ondes par des systèmes conventionnels ont valu à cette partie du spectre électromagnétique le nom de gap THz. Au cours des deux dernières décennies, plusieurs solutions novatrices sont apparues. Parmi elles, l'utilisation de transistors à effet de champ s'est imposée

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5

Huang, Yong. "InAlGaAs/InP light emitting transistors and transistor lasers operating near 1.55 μm". Diss., Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/37298.

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Abstract:

Light emitting transistors (LETs) and transistor lasers (TLs) are newly-emerging optoelectronic devices capable of emitting spontaneous or stimulated light while performing transistor actions. This dissertation describes the design, growth, and performances of long wavelength LETs and TLs based on InAlGaAs/InP material system. First, the doping behaviors of zinc (Zn) and carbon (C) in InAlGaAs layers for p-type doping were investigated. Using both dopants, the N-InP/p-In0.52(AlxGa1-x)0.48As/N-In0.52Al0.48As LETs with InGaAs quantum wells (QWs) in the base demonstrate both light emission and

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6

Zhang, Dawei. "Insulator channel transistor /." May be available electronically:, 2008. http://proquest.umi.com/login?COPT=REJTPTU1MTUmSU5UPTAmVkVSPTI=&clientId=12498.

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7

Li, Jian Ming. "Evaluation des possibilités fréquentielles des transistors bipolaires de puissance haute tension." Grenoble INPG, 1989. http://www.theses.fr/1989INPG0049.

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Abstract:

Cette étude vise les possibilités d'utilisation des T. B. P. H. T. Dans les convertisseurs à résonance à des fréquences de quelques centaines de kHz et des puissances de quelques dizaines de kw. Pour atteindre cet objectif, une modélisation analytique uni-dimensionnelle du semi-conducteur est proposée: elle permet d'obtenir les caractéristiques de la commande de base aux fréquences correspondantes et d'analyser les performances fréquentielles des circuits de base aux fréquences correspondantes et d'analyser les performances fréquentielles des circuits de base classiques. Les synthèses de comma

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8

Deshpande, Veeresh. "Intégration de transistor mono-électronique et transistor à atome unique sur CMOS." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00844406.

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Abstract:

La réduction (" scaling ") continue des dimensions des transistors MOSFET nous a conduits à l'ère de la nanoélectronique. Le transistor à effet de champ multi-grilles (MultiGate FET, MuGFET) avec l'architecture "nanofil canal" est considéré comme un candidat possible pour le scaling des MOSFET jusqu'à la fin de la roadmap. Parallèlement au scaling des CMOS classiques ou scaling suivant la loi de Moore, de nombreuses propositions de nouveaux dispositifs, exploitant des phénomènes nanométriques, ont été faites. Ainsi, le transistor monoélectronique (SET), utilisant le phénomène de "blocage de Co

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9

Lamontagne, Maurice. "Development of a statistical model for NPN bipolar transistor mismatch." Link to electronic thesis, 2007. http://www.wpi.edu/Pubs/ETD/Available/etd-053007-105648/.

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Cho, Hanho. "Optically Powered Logic Transistor." Diss., CLICK HERE for online access, 2008. http://contentdm.lib.byu.edu/ETD/image/etd2525.pdf.

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11

Nguyen, Van Hoang. "Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence." Thesis, Montpellier 2, 2012. http://www.theses.fr/2012MON20084/document.

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Abstract:

Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds: Fabrication submicronique et étude à haute fréquenceL'objectif de cette thèse est le développement de la technologie d'un transistor à électrons chauds constitué d'une hétérostructure quantique InAs/AlSb et exploitant un transport électronique résonant ultrarapide, le QHET (Quantum Hot Electron Transistor). Ce travail a permis l'étude approfondie de ses propriétés et performances à haute fréquence. L'étude aborde tous les aspects, de la conception, la croissance épitaxiale, la technologie de fabrication à la caractérisation statique et dynamique. C

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Gay, Roméric. "Développement de composants analogiques embarqués dans des microcontrôleurs destinés à l'Internet des Objets (loT)." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0218.

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Abstract:

L’objectif de ces travaux de thèse a été d'améliorer les performances, le coût et la surface de silicium occupés par un microcontrôleur fabriqué sur la base d’une technologie mémoire embarquée CMOS (eNVM) 40 nm. Ces améliorations ont été réalisées grâce au développement de nouvelles architectures de transistors adaptées au besoin du marché de l’IoT. Dans une première partie, le contexte dans lequel s’inscrit cette thèse est exposé par la présentation des limites technologiques et économiques de technologie CMOS. Dans une deuxième partie, le procédé de fabrication eNVM ainsi que l’architecture

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Akarvardar, Kerem. "Transistor SOI à quatre grilles : caractérisation, modélisation et applications." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0102.

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Abstract:

"Dans ce travail, nous présentons une étude approfondie du transistor SOI à quatre grilles, le G4-FET. Le G4-FET dispose de quatre grilles indépendantes qui maximisent la fonctionnalité en combinant les effets MaS et JFET simultanément, dans une même région du semiconducteur (le "body"). Notre analyse repose sur la distinction entre les modes de conduction surfacique et volumique du G4-FET et comporte trois parties: caractérisation, modélisation et applications. Dans la première partie, nous introduisons les caractéristiques statiques, les mesures de bruit basse fréquence, d'irradiation et de

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Deshpande, Veeresh. "Scaling Beyond Moore: Single Electron Transistor and Single Atom Transistor Integration on CMOS." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00813508.

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Abstract:

La r eduction (\scaling") continue des dimensions des transistors MOS- FET nous a conduits a l' ere de la nano electronique. Le transistor a ef- fet de champ multi-grilles (MultiGate FET, MuGFET) avec l'architecture \nano l canal" est consid er e comme un candidat possible pour le scaling des MOSFET jusqu' a la n de la roadmap. Parall element au scaling des CMOS classiques ou scaling suivant la loi de Moore, de nombreuses propo- sitions de nouveaux dispositifs, exploitant des ph enom enes nanom etriques, ont et e faites. Ainsi, le transistor mono electronique (SET), utilisant le ph enom ene de

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Diouf, Cheikh. "Caractérisation électrique des transistors d’architecture innovante pour les longueurs de grilles décananométriques." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT082/document.

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Abstract:

La taille du transistor MOS ne cesse de diminuer pour des questions de performance et de rentabilité de fabrication. Les procédés de fabrication évoluent, l'architecture se complexifie et les méthodologies d'extraction de paramètres électriques doivent être adaptées. C'est ainsi que dans un premier temps, les effets d'un recuit haute pression sous atmosphère hydrogène (HPH2) ou deutérium (HPD2) sur le transistor MOS sont étudiés en détail dans cette thèse. La comparaison des performances apportées en termes de transport électronique et de dégradations engendrées en fiabilité a permis de montre

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Chen, Qiang. "Scaling limits and opportunities of double-gate MOSFETS." Diss., Georgia Institute of Technology, 2003. http://hdl.handle.net/1853/15011.

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Aurangabadkar, Nilesh Kirti Kumar. "Simulations of analog circuit building blocks based on radiation and temperature-tolerant SIC JFET Technologies." Master's thesis, Mississippi State : Mississippi State University, 2003. http://library.msstate.edu/etd/show.asp?etd=etd-05162003-114102.

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Borz, Mario. "Transistor elettrochimici organici per biosensoristica." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2016. http://amslaurea.unibo.it/10440/.

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Abstract:

I transistor elettrochimici a base organica (OECT) hanno attratto sempre maggior interesse e sono oggetto di molti studi dagli anni '70 no ai nostri giorni. Questo lavoro di tesi ha come oggetto la realizzazione e la caratterizzazione di OECT a base di poli(3,4-etilen-diossi-tiofene) complessato con l'acido stirensolfonico (PSS). Questi dispositivi sono stati costruiti utilizzando solamente semiconduttori organici come materiali conduttivi ovvero senza l'uso di metalli, quindi risultano essere biocompatibili, economici e di semplice realizzazione. Questo tipo di sensori presenta un elevata sen

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König, Daniel. "Nano-mechanischer Einzel-Elektronen-Transistor." Diss., lmu, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-88213.

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20

Kaschura, Felix. "The Organic Permeable Base Transistor:." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2017. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-229432.

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Abstract:

Organic transistors are a core component for basically all relevant types of fully organic circuits and consumer electronics. The Organic Permeable Base Transistor (OPBT) is a transistor with a sandwich geometry like in Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) and has a vertical current transport. Therefore, it combines simple fabrication with high performance due its short transit paths and has a fairly good chance of being used in new organic electronics applications that have to fall back to silicon transistors up to now. A detailed understanding of the operation mechanism that allows a target

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21

Dennis, Cindi Leigh. "A silicon-based spin transistor." Thesis, University of Oxford, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.401171.

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Antoniou, M. A. "SuperJunction insulated gate bipolar transistor." Thesis, University of Cambridge, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.596130.

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Abstract:

The main achievement of this work is that we show that by intelligently coupling the ideas and designs from various power semiconductor devices, that do not combine under conventional approaches, we can lower the turn-off losses by a factor of 5 (or more) when compared to state-of-the-art medium-high voltage power devices, while maintaining a similarly low on-state voltage drop. In this work we propose an optimised SuperJunction IGBT. The impact of varying the net doping of the n and p drift layer pillars was investigated and the device was optimised to deliver the best trade-off between the o

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Johnson, Simon. "Field effect transistor type sensors." Thesis, Cardiff University, 1989. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.259174.

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24

McQuaid, Seamus A. "The high electron mobility transistor." Thesis, University of Manchester, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.293300.

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Kergoat, Loïc. "Organic transistor-Based DNA sensors." Paris 7, 2010. http://www.theses.fr/2010PA077220.

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Abstract:

Ce travail de thèse consiste en l'utilisation de transistors organiques comme biocapteurs à ADN ne nécessitant ni marquage ni ajout de réactifs. La première approche concernait l'utilisation d'OECT. Malgré l'utilisation de deux méthodes de fonctionnalisation, aucune modification de la réponse du transistor n'a été enregistrée. La deuxième approche fut d'utiliser la configuration EGOFET. Le P3HT et le rubrène furent étudiés en utilisant de l'eau comme électrolyte. Les deux matériaux ont montré une réponse typique d’un canal de type-p fonctionnant en accumulation et cela à une très faible tensio

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Rowlandson, Michael Barry Carleton University Dissertation Engineering Electrical. "A true polysilicon emitter transistor." Ottawa, 1988.

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Khelifi, Wafa. "Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences." Thesis, Limoges, 2018. http://www.theses.fr/2018LIMO0100/document.

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Abstract:

Ce document traite de la caractérisation et la modélisation des transistors multi-ports. Une caractérisation des transistors pHEMT à base de l'AsGa est réalisée. Une importance particulière est donné aux méthodes de caractérisation RF sous pointes. En effet, une étude sur les méthodes d’épluchage est réalisée. Ensuite, après avoir relevé un défaut dans la méthode choisie (à savoir la méthode Pad-Open-Short), une solution est proposée concernant les standards non idéaux. Finalement, des modèles non linéaires 3 et 4 ports sont développés, ils ont pour objectifs de réduire le temps, des phases de

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28

Overton, William Ernest. "Digital Circuit-Level Emulation of Transistor-Based Guitar Distortion Effects." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2006. http://hdl.handle.net/1853/10566.

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Abstract:

The objective of this thesis was to model the Fuzz Face , a transistor-based guitar distortion effect, digitally at the circuit level, and explore how changes in the discrete analog components change the digital model. The circuit was first simulated using SPICE simulation software. Typically outputs and how they changed based on transistor gains were documented. A test circuit was then constructed in lab to determine true transistor gains. An analog Fuzz Face circuit was then constructed, and physical parameters were recorded. A digital model was then created using MATLAB. Capacitive filterin

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29

Morvan, Marjorie. "Etude des transistors à effet de champ organiques : réalisation d'OFETs ambipolaires et étude des mécanismes d'injection dans les OFETs verticaux." Thesis, Toulouse 3, 2020. http://www.theses.fr/2020TOU30175.

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Abstract:

L'utilisation de Transistors à Effet de Champ Organiques (OFETs) est de plus en plus attractive grâce à la possibilité de production de composants plus légers, fabriqués à un moindre coût et sur des substrats flexibles. Le fait de pouvoir coupler une fonction émission de lumière à une fonction transistor rend son utilisation d'autant plus intéressante. C'est le cas des applications d'affichage, où les pixels sont réalisés par une technologie de matrice active à diodes électroluminescentes organiques (AMOLED). Le fait d'avoir un OFET électroluminescent permet de combiner un OFET avec une diode

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Tachi, Kiichi. "Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00721968.

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Abstract:

Il a été démontré que la structure gate-all-around en nanofils de silicium peut radicalement supprimer les effets de canaux courts. De plus, l'introduction d'espaceurs internes entre ces nanofils peut permettre de contrôler la tension de seuil, à l'aide d'une deuxième grille de contrôle. Ces technologies permettent d'obtenir une consommation électrique extrêmement faible. Dans cette thèse, pour obtenir des opérations à haute vitesse (pour augmenter le courant de drain), la technique de réduction de la résistance source/drain sera débattue. Les propriétés de transport électronique des NWs empil

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Borot, Gaël. "Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0155.

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Abstract:

Durant cette thèse, nous nous sommes intéressés au développement de films Si et d'alliages SiGe, réalisés par dépôt chimique en phase vapeur et fortement dopés in situ. Ces dépôts visent principalement les applications bipolaires de génération avancée et plus précisément à la brique Emetteur. Notre but à été de réaliser des films minces, de l'ordre de 500 Â, et fortement dopés, au-delà de 1 x 1019 cm-3 ; et cela tout en conservant de bonnes propriétés cristalline et électriques. Nous nous somme intéressés aux dépôts de Si dopés de type n en étudiant les effets des dopants sur les propriétés de

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Xu, Ziyan Niu Guofu. "Low temperature modeling of I-V characteristics and RF small signal parameters of SiGe HBTs." Auburn, Ala., 2009. http://hdl.handle.net/10415/1925.

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Langrez, Dominique. "Transistors à effet de champ bigrilles : nouvelle méthode de caractérisation et étude expérimentale des potentialités en ondes millimétriques." Lille 1, 1996. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1996/50376-1996-162.pdf.

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Abstract:

La conception de circuits hyperfrequences requiert une modelisation complete des composants actifs utilises, afin d'optimiser les performances du dispositif envisage. Pour ce faire, il est necessaire de developper des techniques specifiques de caracterisation qui conduisent a l'obtention d'un schema equivalent destine a etre implante au sein d'un simulateur electrique. Ce memoire decrit toute une methodologie de caracterisation mise au point et appliquee pour les transistors a effet de champ de type bigrille, dans le but de concevoir un melangeur millimetrique fonctionnant a 60 ghz. Compte-ten

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Nogueira, Gabriel Leonardo. "Preparação e caracterização de um transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical /." Bauru, 2016. http://hdl.handle.net/11449/144580.

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Abstract:

Orientador: Neri Alves<br>Banca: Ivo Alexandre Hummelgen<br>Banca: Clarissa de Almeida Olivati<br>Resumo: O transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical (VOFET) possibilita contornar as principais limitações de um transistor orgânico de efeito de campo (OFET) convencional. Nesta estrutura, as camadas são empilhadas verticalmente, de modo que os eletrodos de fonte e dreno são separados pela camada semicondutora e o comprimento do canal definido pela espessura do filme semicondutor. Para o VOFET proposto, utilizou-se Al e Al2O3 (obtido por anodização) como eletrodo e dielétric

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Hu, Binhui. "Single electron transistor in pure silicon." College Park, Md.: University of Maryland, 2009. http://hdl.handle.net/1903/9638.

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Abstract:

Thesis (Ph.D.) -- University of Maryland, College Park, 2009.<br>Thesis research directed by: Dept. of Electrical and Computer Engineering. Title from t.p. of PDF. Includes bibliographical references. Published by UMI Dissertation Services, Ann Arbor, Mich. Also available in paper.

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Ingebrandt, Sven. "Characterisation of the cell transistor coupling." [S.l. : s.n.], 2001. http://ArchiMeD.uni-mainz.de/pub/2001/0069/diss.pdf.

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Gradinaru, Diana. "High-voltage RF silicon bipolar transistor." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape11/PQDD_0001/MQ45631.pdf.

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Wang, Yujun 1968 March 4. "Delay modeling of CMOS transistor chains." Thesis, McGill University, 2001. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=33999.

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Abstract:

Due to the continual development of the CMOS IC technology, there is a corresponding strong demand for faster and more accurate methods to compute the delay, which is a critical parameter in CAD tools for timing analysis. Several delay models have been developed for the basic CMOS inverter circuit. These models have also been used in some approaches to the analysis of delay in general CMOS gates. This involves the reduction of the gate to an equivalent inverter. Most gates consist of series and/or parallel combinations of MOSFET transistors. The greatest challenge in the reduction process is p

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Hsu, C. W. "Advanced insulated gate bipolar transistor technologies." Thesis, University of Cambridge, 2010. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.604680.

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Abstract:

The thesis aims at investigating the state-of-the-art The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) technologies and exploring novel device concepts based on the IGBT core in order to enhance device performance and functionality. First, a novel double gate IGBT (DG-IGBT) is demonstrated by numerical simulations and experimental verifications. The new device features a low-grain pnp transistor and an embedded thyristor to enhance the carrier concentration near the emitter side and thus improves the on-state performance. Second, a new IGBT structure featuring N+ islands in the buffer layer to con

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Rudnicki, Kamil. "MOSFET transistor fabrication on AFM tip." Thesis, University of Glasgow, 2014. http://theses.gla.ac.uk/5398/.

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Abstract:

The project is concerned with the development of methods for the fabrication of magnetic sensor devices on Atomic Force Microscopy (AFM) probes and their characterization. The devices use the principle of the Hall effect (based on the Lorentz force) to sense the magnetic properties of a magnetized specimen. In the past Hall bar sensors have been fabricated using semimetals such as Bismuth, or using 2-d electron gas material based on heterojunctions in III-V material. The former probes are limited by low sensitivity. The latter are limited by the difficulty encountered when trying to integrate

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LIMBOURG, ISABELLE. "Modelisation du vieillissement du transistor mos." Reims, 1996. http://www.theses.fr/1996REIMS006.

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Abstract:

L'analyse du vieillissement des transistors nmos du a une injection de porteurs chauds est un probleme important, car on sait maintenant que les defauts electriquement actifs crees par ce type de degradation sont la cause d'une diminution de la fiabilite des dispositifs vlsi. Dans ce contexte, l'objectif de ce travail de these est de modeliser et de caracteriser les effets du vieillissement par injection de porteurs chauds sur le comportement electrique du transistor nmos. Pour cela, on a developpe un modele analytique unidimensionnel dans lequel le canal est divise en cellules et qui peut pre

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Koppenhöfer, Dieter [Verfasser], and Markus [Akademischer Betreuer] Hoth. "Transistor-Transferfunktionsmessungen mittels ionensensitiven Feldeffekt-Transistoren zur Ermittlung der Zellviabilität als neue Möglichkeit des pharmakologischen Hochdurchsatzscreenings : Transistor-Transfer function measurements using ionensensitive field-effect transistors to analyze cell viability as a novel tool for pharmacological high throughput screening / Dieter Koppenhöfer ; Betreuer: Markus Hoth." Saarbrücken : Saarländische Universitäts- und Landesbibliothek, 2018. http://d-nb.info/1160513996/34.

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Lindner, Thomas. "Organische Feldeffekt-Transistoren: Modellierung und Simulation." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1116323078792-49660.

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Abstract:

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Simulation und Modellierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFETs). Mittels numerischer Simulationen wurden detaillierte Untersuchungen zu mehreren Problemstellungen durchgeführt. So wurde der Einfluss einer exponentiellen Verteilung von Trapzuständen, entsprechend dem sogenannten a-Si- oder TFT-Modell, auf die Transistorkennlinien untersucht. Dieses Modell dient der Beschreibung von Dünnschicht-Transistoren mit amorphen Silizium als aktiver Schicht und wird teils auch für organische Transistoren als zutreffend angesehen. Dieser Sachverhalt wird

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Lindner, Thomas. "Organische Feldeffekt-Transistoren: Modellierung und Simulation." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2004. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A24492.

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Abstract:

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Simulation und Modellierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFETs). Mittels numerischer Simulationen wurden detaillierte Untersuchungen zu mehreren Problemstellungen durchgeführt. So wurde der Einfluss einer exponentiellen Verteilung von Trapzuständen, entsprechend dem sogenannten a-Si- oder TFT-Modell, auf die Transistorkennlinien untersucht. Dieses Modell dient der Beschreibung von Dünnschicht-Transistoren mit amorphen Silizium als aktiver Schicht und wird teils auch für organische Transistoren als zutreffend angesehen. Dieser Sachverhalt wird

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Lee, Yi-Che. "Development of III-nitride transistors: heterojunction bipolar transistors and field-effect transistors." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53472.

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Abstract:

The fabrication processes development for on III-nitride (III-N) heterojunction bipolar transistors (HBTs), heterojunction field-effect transistors (HFETs) and metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) were performed. D.c, microwave and quasi-static I-V and C-V measurements were carried out to characterize the fabricated III-N transistors and diodes. The GaN/InGaN direct-growth HBTs (DG-HBTs) grown on free-standing GaN (FS-GaN) substrates demonstrated a high current gain (hfe) > 110, high current density (JC) > 141 kA/cm2, and high power density (Pdc) > 3 MW/cm2. The fir

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Vautrin, Christopher. "Electronic spin precession in all solid state magnetic tunnel transistor." Thesis, Université de Lorraine, 2017. http://www.theses.fr/2017LORR0075/document.

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Abstract:

Ce travail porte sur la précession du spin d’électrons chauds polarisés en spin. Celle-ci est induite par le champ d’échange d’une couche mince ferromagnétique dans une structure multicouche. La précession du spin électronique a déjà été mesurée dans des matériaux ferromagnétiques mais uniquement pour des électrons qui possèdent une énergie supérieure à 4eV au-dessus du niveau de Fermi. L’objectif premier de cette thèse est de mesurer la précession du spin de l’électron pour des faibles énergies, comprises entre 0.7eV et 2eV au-dessus du niveau de Fermi. Pour ce faire, un transistor tunnel mag

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Schwierz, Frank Liou Juin J. "Modern microwave transistors : theory, design and performance /." Hoboken, NJ : Wiley-Interscience, 2003. http://www.loc.gov/catdir/toc/wiley023/2002027230.html.

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Nadar, Salman. "Tansistors à effet de champ à base de GaAs et de GaN pour l'imagerie THz." Thesis, Montpellier 2, 2010. http://www.theses.fr/2010MON20174.

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Abstract:

Les dernières années montrent des nombreuses applications de la spectroscopie Teraheretz (THz) dans le domaine de sécurité postale, contrôle de la qualité, médecine et biologie. Après les premières expériences de l'imagerie avec un seul élément / détecteur, l'étape suivante est l'utilisation de matrices de détecteurs. Par conséquent, la nécessité de détecteurs THz sensibles, très rapides, opérant à température ambiante et intégrable facilement en matrice est devenue crucial. Les transistors à effet de champ semblaient être les candidats les plus appropriés pour la construction du première matr

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Raulin, Jean-Yves. "Transistor à effet de champ à forte transconductance : emploi de GainAs/InP." Paris 11, 1986. http://www.theses.fr/1986PA112363.

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Abstract:

Les circuits optoélectroniques employés pour les communications par fibres optiques sont constitués d’un laser à semi-conducteur et de son système de commande dont la cellule élémentaire est le transistor à effet de champ. Un effort considérable a été consacré avec succès à l’étude des lasers sur substrat en Phosphure d’Indium (leur longueur d’onde d’émission correspond au minimum d’absorption des fibres optiques). Les exigences d’une intégration monolithique supposent la réalisation d’un transistor à effet de champ sur ce même substrat. Parmi les matériaux de même paramètre cristallin que l’I

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Grémion, Emile. "Transistor balistique quantique et HEMT bas-bruit pour la cryoélectronique inférieure à 4. 2 K." Paris 11, 2008. http://www.theses.fr/2008PA112017.

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Abstract:

Pour augmenter la résolution globale des détecteurs à très basse température, aujourd'hui couramment utilisés dans de nombreux champs de la physique des particules et de l'univers, les expériences à venir ne pourront faire l'économie du développement d'une cryo-électronique performante, à la fois moins bruyante et plus proche du détecteur. Dans ce contexte, ce travail s'intéresse aux possibilités offertes par les gaz d'électrons bidimensionnels (2DEG) GaAlAs/GaAs à travers l'étude expérimentale de deux composants distincts : les QPC (Quantum Point Contact) et les HEMT (High Electron Mobility T

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