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Academic literature on the topic 'Transistores de efeito de campo MOS'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 1 February 2022

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Journal articles on the topic "Transistores de efeito de campo MOS"

1

Guevara, Esteban, José Tinajero, Mauro Guevara, and Mildred Cajas. "Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs." Revista Perspectivas 2, no. 1 (2020): 33–37. http://dx.doi.org/10.47187/perspectivas.vol2iss1.pp33-37.2020.

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Abstract:
Actualmente los transistores de efecto de campo fabricados en carbono de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los superiores beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia banda prohibida presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos, el objetivo de este artículo es determinar el grado de defectuosidad al interno de la estructura MOS, mediante la técnica de caracterización
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2

Onmori, Roberto K., Luiz Henrique C. Mattoso, and Roberto M. Faria. "Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina)." Polímeros 8, no. 1 (1998): 38–45. http://dx.doi.org/10.1590/s0104-14281998000100006.

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Abstract:
RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta Vg, mas operou mesmo em Vg=0. A corrente de dreno I D aumentou significativamente sob iluminação na região da radiação visível e infravermelho próximo, mostrando o caráter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado n
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Jesus, Guilherme Luiz de, Nairam Félix de Barros, Ivo Ribeiro da Silva, et al. "Doses e fontes de nitrogênio na produtividade do eucalipto e nas frações da matéria orgânica em solo da região do cerrado de Minas Gerais." Revista Brasileira de Ciência do Solo 36, no. 1 (2012): 201–14. http://dx.doi.org/10.1590/s0100-06832012000100021.

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Abstract:
Apesar da grande quantidade de N acumulada em plantações de eucalipto de alta produtividade, o aumento em volume do tronco em resposta à aplicação de N não tem sido expressivo nem consistente. O objetivo deste trabalho foi verificar o efeito de doses e fontes de N sobre o crescimento e o acúmulo de N em plantas de eucalipto, na serapilheira, além do impacto nas frações da matéria orgânica do solo (MOS). O experimento foi instalado em campo, no município de Itamarandiba-MG, em blocos ao acaso com três repetições, consistindo da aplicação em cobertura de doses (0, 60, 120 e 240 kg ha-1) e fontes
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Melo, Luiz Gustavo de Lima, Erlen Keila Candido e. Silva, José Ribamar Muniz Campos Neto, Severina Rodrigues de Oliveira Lins, Antônia Alice Costa Rodrigues, and Sônia Maria Alves de Oliveira. "Indutores de resistência abióticos no controle da fusariose do abacaxi." Pesquisa Agropecuária Brasileira 51, no. 10 (2016): 1703–9. http://dx.doi.org/10.1590/s0100-204x2016001000001.

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Abstract:
Resumo: O objetivo deste trabalho foi avaliar o efeito de indutores de resistência abióticos no controle da fusariose (Fusarium guttiforme) do abacaxizeiro na fase pré-colheita, em área de ocorrência natural da doença, e verificar se promoveram alterações físico-químicas e bioquímicas nos frutos. Os produtos testados foram fosfito de potássio, fosfito de cálcio, fosfito de cobre, Agro-Mos, silicato de cálcio, Biopirol e Bion pulverizados em campo, nas dosagens recomendadas pelos fabricantes. Fosfito de potássio, Biopirol e fosfito de cobre foram os mais eficientes na redução da incidência da f
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Ferreira, Polliana Silva Franco, and Nilvanira Donizete Tebaldi. "Métodos de inoculação de Xanthomonas campestris pv. passiflorae em maracujazeiro e biofertilizantes na inibição do crescimento bacteriano in vitro." Summa Phytopathologica 45, no. 2 (2019): 207–9. http://dx.doi.org/10.1590/0100-5405/185793.

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Abstract:
RESUMO A mancha bacteriana do maracujazeiro (Passiflora spp.) causada por Xanthomonas campestris pv. passiflorae é uma das principais doenças que afeta a cultura. Para a obtenção de variedades resistentes à bactéria, vários métodos de inoculação devem ser testados. O objetivo do trabalho foi avaliar diferentes métodos de inoculação de Xanthomonas campestris pv. passiflorae em plantas de maracujá, para a obtenção de genótipos resistentes à bactéria e avaliar o efeito inibitório de biofertilizantes no crescimento bacteriano in vitro. Sete genótipos de maracujá foram inoculados com uma suspensão
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Rosa, Carla Machado da, Rosa Maria Vargas Castilhos, Eloy Antonio Pauletto, Clenio Nailto Pillon, and Otávio dos Anjos Leal. "Conteúdo de carbono orgânico em planossolo háplico sob sistemas de manejo do arroz irrigado." Revista Brasileira de Ciência do Solo 35, no. 5 (2011): 1769–76. http://dx.doi.org/10.1590/s0100-06832011000500031.

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Abstract:
Nos solos de várzea da região Sul do Rio Grande do Sul, onde um milhão de hectares são cultivados com arroz irrigado por alagamento em diferentes sistemas de manejo, a influência da condição de má drenagem e alternância entre ciclos de oxidação e redução sobre o conteúdo de C orgânico do solo (COS) é pouco conhecida. Este estudo foi realizado em um experimento de longa duração (21 anos), localizado no município do Capão do Leão, RS, com o objetivo de avaliar o efeito de sistemas de manejo do arroz irrigado sobre os estoques de COS e das frações físicas da matéria orgânica em um Planossolo Hápl
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Dos Santos Silva Silva, William Max. "Caracterização elétrica de um Sensor de pH usando um Transistor de Efeito de Campo com Gate-Estendido." Anais dos Seminários de Iniciação Científica, no. 22 (February 4, 2019). http://dx.doi.org/10.13102/semic.v0i22.4085.

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Abstract:
Devido as aplicações dos biossensores para o desenvolvimento dos mais variados segmentos como processamento de alimentos, farmácia, medicina entre outros, e com o avanço exponencial da microeletrônica, a cada dia esses sensores vêm se tornando mais baratos e compactos, possibilitando medidas confiáveis em tempo real tão seguras quanto as dos aparelhos empregados em laboratórios de análise. (Sugimoto L. 2003)Sensores são dispositivos capazes de mensurar ou quantificar uma grandeza – luminosidade, pressão, pH – a partir de um sinal físico ou químico. São compostos também por um transdutor, o qua
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Dissertations / Theses on the topic "Transistores de efeito de campo MOS"

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Klimach, Hamilton. "Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS." Florianópolis, SC, 2008. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/91474.

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Abstract:
Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica<br>Made available in DSpace on 2012-10-23T23:18:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 251255.pdf: 2674400 bytes, checksum: 6117efc022d122e5de42d39f63754994 (MD5)<br>Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de '80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o us
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Jimenez, Grados Hugo Ricardo. "Contribuição no estudo do transmissor MOS split drain como sensor de campo magnetico." [s.n.], 1999. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/262040.

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Abstract:
Orientador: Carlos A. dos Reis Filho<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-07-25T01:29:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JimenezGrados_HugoRicardo_M.pdf: 6853818 bytes, checksum: 62615fbbddc4edfbbb2597b948dd2738 (MD5) Previous issue date: 1999<br>Resumo: : Este trabalho visa a familiarização com o dispositivo MOS- Split Drain através da construção de diferentes configurações geométricas, seguindo as regras da tecnologia CMOS - 0,8 Jl1Tlda AMS (Austria Mikrosysteme International), e de
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Couto, Andre Luis do. "Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate." [s.n.], 2005. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260078.

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Abstract:
Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-07T11:14:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Couto_AndreLuisdo_M.pdf: 2940356 bytes, checksum: 959908541a3bc46b7b7035eb035de186 (MD5) Previous issue date: 2005<br>Resumo: A integração de memórias e circuitos analógicos em um mesmo die oferece diversas vantagens: redução de espaço nas placas, maior confiabilidade, menor custo. Para tanto, prescindir-se de tecnologia específica à confecção de memórias e util
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Siebel, Osmar Franca. "Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI." Florianópolis, SC, 2007. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89819.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.<br>Made available in DSpace on 2012-10-23T03:04:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 240180.pdf: 1418776 bytes, checksum: 2b4bd2ea7efed74b9ba724cc2374cdbb (MD5)<br>Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que re
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D'Oliveira, L. M. "Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS/." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2015. http://sofia.fei.edu.br:8080/pergamumweb/vinculos/00000d/00000df9.pdf.

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Cunha, Ana Isabela Araujo. "Um modelo fisico explicito para o transistor MOS canal longo." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 1993. https://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/157805.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico<br>Made available in DSpace on 2016-01-08T18:17:22Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1993<br>Neste trabalho apresentamos um modelo analítico explícito do transistor MOS canal longo, válido em todas as regiões de operação (inversão fraca, moderada e forte). A fim de se chegar a uma adequada previsão do comportamento do dispositivo, suas propriedades físicas foram cuidadosamente observadas. A corrente de dreno, as cargas totais e os parâmetros de pequenos sinais para operação quasi-estática são
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Gouveia, Filho Oscar da Costa. "Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /." Florianópolis, SC, 1999. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/80550.

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Abstract:
Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.<br>Made available in DSpace on 2012-10-18T15:56:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-09T02:26:17Z : No. of bitstreams: 1 147226.pdf: 19168271 bytes, checksum: a5fa88152eb3fba56f271c59bef34e82 (MD5)
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Moreira, C. V. "Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS/." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2018. https://doi.org/10.31414/EE.2018.D.130230.

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Cavarsan, Fabio Aparecido. "Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS." [s.n.], 2005. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259289.

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Orientador: Jose Alexandre Diniz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-08T23:44:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cavarsan_FabioAparecido_M.pdf: 1844366 bytes, checksum: d8325d817635ac4ad6cb932db6b5ebb6 (MD5) Previous issue date: 2005<br>Mestrado<br>Microeletronica e Optoeletronica<br>Mestre em Engenharia Elétrica
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Hey, Helio Leães. "Estudo e realização de um conversor direto de frequencia a mosfet de potencia." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 1987. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75384.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnologico.<br>Made available in DSpace on 2012-10-16T00:49:04Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T15:46:53Z : No. of bitstreams: 1 82001.pdf: 9834792 bytes, checksum: 4e10202b991b1d1f506ce90c04353fd4 (MD5)
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Books on the topic "Transistores de efeito de campo MOS"

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González, Mónica Liliana. Dispositivos electrónicos. Editorial de la Universidad Nacional de La Plata (EDULP), 2015. http://dx.doi.org/10.35537/10915/49424.

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Abstract:
Este texto presenta los fundamentos de los Dispositivos Electrónicos básicos, principio físico de funcionamiento y aplicación en circuitos simples. El Capítulo 1 trata al Diodo, dispositivo semiconductor básico, no lineal, sus características y limitaciones de funcionamiento y el estudio de modelos eléctricos equivalentes lineales que permitan utilizar técnicas de análisis de circuitos en circuitos simples. El Capítulo 2 trata al Transistor Bipolar de Unión. Extendiendo el conocimiento logrado en el estudio del Diodo se interpreta el funcionamiento físico de este dispositivo más complejo. Adem
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Book chapters on the topic "Transistores de efeito de campo MOS"

1

Amorim, Cleber Alexandre de, Kate Cristina Blanco, Ivani Meneses Costa, and Adenilson José Chiquito. "BIOSENSORES À BASE DE ÓXIDOS METÁLICOS TRANSPARENTES: TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FETS) E NANOFIOS." In Meio Ambiente, Sustentabilidade e Agroecologia 4. Atena Editora, 2019. http://dx.doi.org/10.22533/at.ed.30919160421.

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