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Dissertations / Theses on the topic 'Transistores de efeito de campo MOS'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 1 February 2022

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Klimach, Hamilton. "Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS." Florianópolis, SC, 2008. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/91474.

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Abstract:
Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica<br>Made available in DSpace on 2012-10-23T23:18:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 251255.pdf: 2674400 bytes, checksum: 6117efc022d122e5de42d39f63754994 (MD5)<br>Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de '80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o us
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Jimenez, Grados Hugo Ricardo. "Contribuição no estudo do transmissor MOS split drain como sensor de campo magnetico." [s.n.], 1999. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/262040.

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Abstract:
Orientador: Carlos A. dos Reis Filho<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-07-25T01:29:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JimenezGrados_HugoRicardo_M.pdf: 6853818 bytes, checksum: 62615fbbddc4edfbbb2597b948dd2738 (MD5) Previous issue date: 1999<br>Resumo: : Este trabalho visa a familiarização com o dispositivo MOS- Split Drain através da construção de diferentes configurações geométricas, seguindo as regras da tecnologia CMOS - 0,8 Jl1Tlda AMS (Austria Mikrosysteme International), e de
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Couto, Andre Luis do. "Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate." [s.n.], 2005. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260078.

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Abstract:
Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-07T11:14:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Couto_AndreLuisdo_M.pdf: 2940356 bytes, checksum: 959908541a3bc46b7b7035eb035de186 (MD5) Previous issue date: 2005<br>Resumo: A integração de memórias e circuitos analógicos em um mesmo die oferece diversas vantagens: redução de espaço nas placas, maior confiabilidade, menor custo. Para tanto, prescindir-se de tecnologia específica à confecção de memórias e util
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Siebel, Osmar Franca. "Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI." Florianópolis, SC, 2007. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89819.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.<br>Made available in DSpace on 2012-10-23T03:04:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 240180.pdf: 1418776 bytes, checksum: 2b4bd2ea7efed74b9ba724cc2374cdbb (MD5)<br>Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que re
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D'Oliveira, L. M. "Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS/." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2015. http://sofia.fei.edu.br:8080/pergamumweb/vinculos/00000d/00000df9.pdf.

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Cunha, Ana Isabela Araujo. "Um modelo fisico explicito para o transistor MOS canal longo." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 1993. https://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/157805.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico<br>Made available in DSpace on 2016-01-08T18:17:22Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1993<br>Neste trabalho apresentamos um modelo analítico explícito do transistor MOS canal longo, válido em todas as regiões de operação (inversão fraca, moderada e forte). A fim de se chegar a uma adequada previsão do comportamento do dispositivo, suas propriedades físicas foram cuidadosamente observadas. A corrente de dreno, as cargas totais e os parâmetros de pequenos sinais para operação quasi-estática são
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Gouveia, Filho Oscar da Costa. "Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /." Florianópolis, SC, 1999. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/80550.

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Abstract:
Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.<br>Made available in DSpace on 2012-10-18T15:56:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-09T02:26:17Z : No. of bitstreams: 1 147226.pdf: 19168271 bytes, checksum: a5fa88152eb3fba56f271c59bef34e82 (MD5)
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Moreira, C. V. "Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS/." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2018. https://doi.org/10.31414/EE.2018.D.130230.

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Cavarsan, Fabio Aparecido. "Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS." [s.n.], 2005. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259289.

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Abstract:
Orientador: Jose Alexandre Diniz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-08T23:44:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cavarsan_FabioAparecido_M.pdf: 1844366 bytes, checksum: d8325d817635ac4ad6cb932db6b5ebb6 (MD5) Previous issue date: 2005<br>Mestrado<br>Microeletronica e Optoeletronica<br>Mestre em Engenharia Elétrica
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Hey, Helio Leães. "Estudo e realização de um conversor direto de frequencia a mosfet de potencia." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 1987. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75384.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnologico.<br>Made available in DSpace on 2012-10-16T00:49:04Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T15:46:53Z : No. of bitstreams: 1 82001.pdf: 9834792 bytes, checksum: 4e10202b991b1d1f506ce90c04353fd4 (MD5)
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Martino, Márcio Dalla Valle. "Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo." Universidade de São Paulo, 2012. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/.

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Abstract:
Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicação teórica, simulação numérica e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico de inclinação de sublimiar da tecnologia CMOS convencional de 60 mV/década sob temperatura ambiente. A
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Martino, Marcio Dalla Valle. "Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos." Universidade de São Paulo, 2017. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/.

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Abstract:
Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia em blocos de circuitos fundamentais, atuando como alternativa para permitir o contínuo escalamento de dispositivos. A motivação para o uso de transistores com corrente principal resultante do tunelamento de banda para banda consiste na proposta de superar o limite físico de inclinação de sublimiar da tecnologia CMOS convenc
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Lira, Pedro Henrique Pereira. "Análise de modelos de transporte eletrônico em transistores orgânicos de efeito de campo." reponame:Repositório Institucional da UnB, 2016. http://repositorio.unb.br/handle/10482/20895.

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Abstract:
Dissertação (mestrado)–Universidade de Brasília, Universidade UnB de Planaltina, Programa de Pós-Graduação em Ciência de Materiais, 2016.<br>Submitted by Fernanda Percia França (fernandafranca@bce.unb.br) on 2016-07-08T12:04:02Z No. of bitstreams: 1 2016_PedroHenriquePereiraLira.pdf: 4515253 bytes, checksum: 1c80f0524d222660070cb7cc5baaa227 (MD5)<br>Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-07-08T20:54:25Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_PedroHenriquePereiraLira.pdf: 4515253 bytes, checksum: 1c80f0524d222660070cb7cc5baaa227 (MD5)<br>Made available in DSpa
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Kisner, Alexandre 1982. "Preparação de transistores de efeito de campo nanoestruturados na análise de processos neuroquímicos." [s.n.], 2012. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/248395.

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Abstract:
Orientador: Lauro Tatsuo Kubota<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Química<br>Made available in DSpace on 2018-11-01T13:48:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kisner_Alexandre_D.pdf: 7108475 bytes, checksum: c8b021ab9cbe477b1fe0b4f1abf6fd48 (MD5) Previous issue date: 2012<br>Resumo: Transistores de efeito de campo (FETs) modificados com nanoeletrodos de Au representam uma excelente ferramenta para o estudo eletrofisiológico de células, uma vez que as características da dimensionalidade destes últimos são comparáveis às espécies celulares a serem detectadas e me
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Vieira, Nirton Cristi Silva. "Sensores e biossensores baseados em transistores de efeito de campo utilizando filmes automontados nanoestruturados." Universidade de São Paulo, 2011. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-10022012-151657/.

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Abstract:
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ao tradicional transistor de efeito de campo seletivo a íons (ISFET). A grande vantagem desse dispositivo se refere ao seu fácil processamento, ou seja, se restringe somente a manipulação do eletrodo de porta, evitando processos convencionais de microeletrônica. Neste sentido, sensores iônicos e biossensores podem ser facilmente implementados combinando materiais de reconhecimento químico e/ou biológico. Por sua vez, a técnica de fabricação de filmes finos camada por camada (layer-by-layer, LbL)
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Sivieri, Victor De Bodt. "Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/.

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Abstract:
Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do tra
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Nogueira, Gabriel Leonardo. "Preparação e caracterização de um transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical /." Bauru, 2016. http://hdl.handle.net/11449/144580.

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Abstract:
Orientador: Neri Alves<br>Banca: Ivo Alexandre Hummelgen<br>Banca: Clarissa de Almeida Olivati<br>Resumo: O transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical (VOFET) possibilita contornar as principais limitações de um transistor orgânico de efeito de campo (OFET) convencional. Nesta estrutura, as camadas são empilhadas verticalmente, de modo que os eletrodos de fonte e dreno são separados pela camada semicondutora e o comprimento do canal definido pela espessura do filme semicondutor. Para o VOFET proposto, utilizou-se Al e Al2O3 (obtido por anodização) como eletrodo e dielétric
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Seidel, Keli Fabiana. "Análise do transporte de portadores de carga em transistores de efeito de campo em arquitetura planar e desenvolvimento de transistores em arquitetura vertical." reponame:Repositório Institucional da UFPR, 2013. http://hdl.handle.net/1884/26799.

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Abstract:
Resumo: Nesta tese são apresentados dois trabalhos distintos. O primeiro, está relacionada ao trabalho experimental, no qual desenvolvemos (a) transistores híbridos em arquitetura vertical com base nanoestruturada por litografia de esferas e também, (b) transistores de efeito de campo em arquitetura vertical. O transistor (a) é baseado em dois trabalhos desenvolvidos no Grupo de Dispositivos Optoeletrônicos Orgânicos - UFPR, cujas técnicas e arquitetura são utilizadas para desenvolver um transistor de base-permeável com furos na grade metálica que pos- suam tamanho controlado. A segunda classe
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Machado, Wagner Souza. "Memórias orgânicas baseadas em esferas de carbono e transistores de efeito de campo orgânicos e baixa tensão de operação." reponame:Repositório Institucional da UFPR, 2011. http://hdl.handle.net/1884/26415.

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Abstract:
Resumo: Nos ultimos 20 anos, o grande interesse na construcao de dispositivos eletronicos organicos tem proporcionado um rapido avanco na obtencao de dispositivos optoeletronicos flexiveis, de baixo impacto ambiental e baixo custo, utilizando filmes de semicondutores organicos. Atualmente, diversas aplicacoes de semicondutores organicos utilizados na construcao de dispositivos podem ser citadas, tais como: diodos emissores de luz organicos, transistores de efeito de campo organicos (Organic Field Effect Transistor . OFET), celulas fotovoltaicas organicas, sensores quimicos, memorias organicas,
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Sousa, Thiago Alonso Stephan Lacerda de. "Transistores de efeito de campo baseados em grafeno crescido por CVD como uma plataforma para biossensores." Universidade Federal de Minas Gerais, 2014. http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9N5J6C.

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Abstract:
Graphene can be applied in the detection of substances ranging from gas to complex biomolecules such as DNA. Although graphene sensors are highly sensitive, it does not imply that they are also selective. The selectivity problem can be solved by modifying the material surface by functionalization. This work aims at the fabrication of devices that can be mass produced using commercial CVD grown graphene. We developed the transfer of graphene films to Si/SiO2 substrates, we fabricated field effect transistor (FET) devices by photolithography using direct laser writing and performed characterizat
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Felicio, Alexandre Gorni. "Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica." [s.n.], 2003. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259173.

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Abstract:
Orientador: Jose Alexandre Diniz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-03T16:19:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Felicio_AlexandreGorni_M.pdf: 3627115 bytes, checksum: 94d240c3e9bde7ece4a7aaa2e987b0a9 (MD5) Previous issue date: 2003<br>Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em substrato de silício com posterior oxidação t
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Silva, Filho Adenir da. "Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle." [s.n.], 2002. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278498.

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Abstract:
Orientador: Newton Cesário Frateshi<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-08-03T16:46:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SilvaFilho_Adenirda_M.pdf: 1925778 bytes, checksum: 336f196d105321277c7dd16f2ec3c630 (MD5) Previous issue date: 2002<br>Resumo: Este trabalho de tese apresenta estudos investigativos e resultados experimentais sobre o funcionamento e fabricação de moduladores ópticos baseados em laseres de três terminais integrados com transistores de controle. O objetivo é demonstrar que os regimes
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Bordallo, Caio Cesar Mendes. "Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas." Universidade de São Paulo, 2017. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/.

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Abstract:
Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa co
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Grisales, Catalina Aguirre. "Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2013. http://hdl.handle.net/10183/96480.

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Abstract:
Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os transistores FG. Para isto foi procurado e implementado um modelo de simulação elétrica do transistor FG em condições de leitura (análise DC), baseado no cálculo quantitativo da tensão na porta flutuante em função das tensões nos terminais do transistor, no valor de carga armazenado na porta flutuante e nos coeficientes de acoplamento capacitivo que apresentam este tipo de dis
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Van, Etten Eliana Antunes Maciel Aquino. "Fabricação de transistor orgânico de efeito de campo sobre substrato plástico flexível." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2017. http://hdl.handle.net/10183/181811.

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Abstract:
elementares da eletrônica orgânica, vêm sendo desenvolvidos e integrados para realização de dispositivos eletrônicos de baixo custo, alto volume e flexíveis. Nesta tese foi proposta uma tecnologia para a construção de OFETs sobre substrato flexível e a caracterização destes dispositivos foi feita. Transistores com diferentes comprimentos de canal (L= 5, 10, 20 e 40 μm) foram construídos e avaliados. As características e configuração do poli (álcool vinílico) (PVA) como dielétrico de porta foram definidas através da otimização da reticulação, grau de hidrólise e peso molecular. O PVA utilizado
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Martins, Juliana Alves. "Aplicação e caracterização de poucas camadas de dissulfeto de molibidênio na produção de transistores de efeito de campo." Universidade Federal de Minas Gerais, 2012. http://hdl.handle.net/1843/MPDZ-8YSJLJ.

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Abstract:
In this work we investigate the fabrication of electronic devices based on a few layers of Molybdenum Disulfide (MoS2). To achieve this goal we have performed a study that involved the preparation and deposition of the crystal on the silicon substrate (covered with a layer of silicon oxide), its identification and characterization, and the final production of field effect transistors. The identification of the number of layers of MoS2 was performed mainly using four different techniques, namely: optical microscopy, atomic force microscopy (AFM), Raman and photoluminescence spectroscopy. After
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Moreira, Juliano de Quadro. "Misturador CMOS de 2,4GHz para conversão a baixas frequências operando em inversão moderada." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 2012. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/92975.

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Abstract:
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2009<br>Made available in DSpace on 2012-10-24T14:45:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 276389.pdf: 886187 bytes, checksum: 464d1a6be1da513afcbe1a97506772f7 (MD5)<br>O objetivo deste trabalho é desenvolver um misturador ativo para conversão de um sinal de RF de 2,4GHz em um sinal de frequência intermediária 750kHz. A topologia escolhida foi a do misturador ativo de balanceamento simples uma vez que apresenta uma arquitetura simples, alto ganho de co
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Assalti, R. "Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual/." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2015. http://sofia.fei.edu.br:8080/pergamumweb/vinculos/000038/0000387f.pdf.

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César, Rodrigo Reigota 1989. "Desenvolvimento de transistor de efeito de campo sensível a íon (ISFET) para detecção de chumbo." [s.n.], 2014. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259224.

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Abstract:
Orientadores: Jacobus Willibordus Swart, Angélica Denardi de Barros<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-26T06:34:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cesar_RodrigoReigota_M.pdf: 3932101 bytes, checksum: b4dd2542176f2f405f73883dd504a69a (MD5) Previous issue date: 2014<br>Resumo: Com a escassez de água potável e com a sua contaminação frequente, a monitoração da mesma tornou-se importante. Dentre os muitos contaminantes, temos o chumbo (Pb). Este no passado foi muito utilizado em encan
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Costa, F. J. "Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)/." São Bernardo do Campo, 2018. https://doi.org/10.31414/EE.2018.D.130099.

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Manera, Leandro Tiago 1977. "Determinação de regras de projeto e de parametros de simulação de um processo nMOS para fabricação de circuitos integrados." [s.n.], 2002. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259706.

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Abstract:
Orientador: Peter Jurgen Tatsch<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-03T21:34:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Manera_LeandroTiago_M.pdf: 1877187 bytes, checksum: a0545f28b99f4d215578ff2ba56d909f (MD5) Previous issue date: 2002<br>Mestrado
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Jimenez, Grados Hugo Ricardo. "Desenvolvimento de um processo CMOS (2um) : fabricação do chip teste CMOS, celulas APS e chips didaticos." [s.n.], 2003. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260265.

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Abstract:
Orientador: Ioshiaki Doi<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-03T20:58:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JimenezGrados_HugoRicardo_D.pdf: 19028215 bytes, checksum: 2279791c51db013e931f9677d694fccb (MD5) Previous issue date: 2003<br>Doutorado
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Nypwipwy, Vithor Bernardo. "Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica." reponame:Repositório Institucional da UFPR, 2014. http://hdl.handle.net/1884/35089.

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Abstract:
Resumo: Esta dissertação que tem como objetivo fundamental a extração de parâmetros e a modelagem de transistores de efeito de campo é basicamente dividida em duas partes. A primeira parte propõe um modelo matemático de interpolação através do método dos mínimos quadrados iterativo, com objetivo de extrair parâmetros lineares de transistores MESFETs e HEMTs a partir de tabelas de parâmetros de espalhamento, fornecidos pelo fabricante dos dispositivos. Com os valores dos elementos do circuito de pequenos sinais extraídos, são calculados parâmetros de espalhamento e os resultados são posteriorme
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Maciel, Alexandre de Castro. "Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos." Universidade de São Paulo, 2012. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/.

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Abstract:
A eletrônica digital desempenha papel essencial no desenvolvimento e manutenção dos padrões de vida em prática hoje no mundo. A peça fundamental para a criação desta era tecnológica é sem dúvidas o transistor. Com o advento de novos materiais, a busca por transistores que oferecem novas oportunidades de processamento e aplicação permitiu que uma nova área fosse criada: a eletrônica orgânica. Transistores de efeito de campo baseados em filmes finos de materiais orgânicos têm recebido grande atenção nas últimas décadas. Apresentamos um estudo experimental e teórico de transistores de efeito de c
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Motti, Silvia Genaro. "Espectroscopia não linear de interfaces aplicada ao estudo de transistores poliméricos." Universidade de São Paulo, 2014. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-20102014-130245/.

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Abstract:
O uso de materiais orgânicos em dispositivos eletrônicos, além de menor custo e facilidade de processamento, permite obter flexibilidade e transparência. Entretanto, para que a aplicação comercial desses materiais seja viável, os processos que ocorrem nos dispositivos ainda precisam ser mais bem compreendidos, visando maior eficiência e tempo de vida. É de grande importância o estudo das interfaces entre o semicondutor orgânico e os contatos metálicos, onde ocorre transferência de portadores de carga, e a interface com o dielétrico em transistores orgânicos (OFETs), onde se forma o canal de co
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Finco, Saulo. "Projeto de um circuito integrado inteligente de potencia implementado em tecnologia convencional CMOS." [s.n.], 1996. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261681.

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Abstract:
Orientador: Wilmar Bueno de Moraes<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica<br>Made available in DSpace on 2018-07-25T05:58:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Finco_Saulo_M.pdf: 9491248 bytes, checksum: 489528c73fa99a929aa8d184b8ee30c2 (MD5) Previous issue date: 1996<br>Resumo: Este trabalho de tese foi motivado por resultados experimentais que comprovaram eficiência dos transistores LDD-NMOS e LDSD-NMOS na manipulação de potência. Tais transistores são passíveis de serem construídos em tecnologias digitais convencionais, capazes de serem i
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Zoccal, Leonardo Breseghello. "Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR." [s.n.], 2007. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260858.

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Abstract:
Orientador: Jose Alexandre Diniz<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-10T02:20:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zoccal_LeonardoBreseghello_D.pdf: 6734188 bytes, checksum: 05f6c64d923bafb5e071d89514d0fa43 (MD5) Previous issue date: 2007<br>Resumo: Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em tr
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Vincence, Volney Coelho. "Amplificador operacional CMOS classe AB para baixa tensão de alimentação." Florianópolis, SC, 2004. http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/87052.

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Abstract:
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.<br>Made available in DSpace on 2012-10-21T13:56:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 201286.pdf: 1420165 bytes, checksum: 46ed96b13fa3a3cff342fb9b5cf171c6 (MD5)<br>Esta dissertação apresenta um trabalho na área de circuitos analógicos CMOS para baixa tensão. As principais contribuições deste trabalho são uma estratégia de polarização de estágios cascode para qualquer nível de inversão e uma nova estrutura de amplificador classe AB. O enfoque deste trabalho é o projeto de
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Souza, Jair Fernandes de. "Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy." [s.n.], 2009. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259743.

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Abstract:
Orientadores: Peter Jurgen Tatsch, Jose Alexandre Diniz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-13T19:29:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_JairFernandesde_M.pdf: 4396662 bytes, checksum: cf77f050e25403e0bd758bdb52214aa2 (MD5) Previous issue date: 2009<br>Resumo: Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases
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Magalhães, Filipe Bento. "Capacitor MOS aplicado em sensor de imagem química." Universidade de São Paulo, 2013. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06072014-230841/.

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Abstract:
O desenvolvimento de sensores em sistemas para controle ambiental tem-se mostrado uma área de elevado interesse científico e técnico. Os principais desafios nesta área estão relacionados ao desenvolvimento de sensores com capacidade de detecção de várias substâncias. Neste contexto, os capacitores MOS apresentam-se como dispositivos versáteis para a geração de imagens químicas com potencial de detecção e classificação de diferentes substâncias a partir de apenas um único sensor. No presente trabalho, foi proposto um sensor MOS com um perfil geométrico de porta em forma de cata-vento composta p
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Garcia, Alexandre David Rinco. "Estudo sobre o uso do relé de estado sólido em aplicações de ripple counter considerando as variações de temperatura da junção." [s.n.], 2011. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259336.

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Abstract:
Orientador: José Antonio Siqueira Dias<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-17T22:39:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Garcia_AlexandreDavidRinco_M.pdf: 2843880 bytes, checksum: ecc88d93aeb48f3dad51bc6b4d4fe6f4 (MD5) Previous issue date: 2011<br>Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo que visa otimizar os sistemas de ripple counter mediante a utilização de relés de estado sólido (FET). Com a utilização de relés de estado sólido para ripple counter é possível não apenas econo
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Lujan, Guilherme Sansigolo. "Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet." [s.n.], 2000. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259742.

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Abstract:
Orientador: Peter Jurgen Tatsch<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-07-26T20:42:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lujan_GuilhermeSansigolo_M.pdf: 5462172 bytes, checksum: 09721e74042e0485f807f7ac21a8ad3d (MD5) Previous issue date: 2000<br>Resumo: Neste trabalho são caracterizados filmes finos de WN e AlN obtidos por sputtering DC em ambiente de Nitrogênio. Diodos Schottky sobre GaAs são utilizados para caracterizar os filmes de WN. Os diodos são submetidos a tratamentos térmicos visa
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Silva, Aldeliane Maria da 1994. "Estudo das características elétricas do biossensor do tipo FET baseado em InP." [s.n.], 2016. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/305731.

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Orientadora: Mônica Alonso Cotta<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-08-31T00:06:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AldelianeMariada_M.pdf: 11574559 bytes, checksum: 5c39733d3a4441b98e7edbef8adbd795 (MD5) Previous issue date: 2016<br>Resumo: Este trabalho apresenta resultados de nossa investigação sobre as propriedades elétricas do biossensor do tipo transistor de efeito de campo (FET, do inglês Field Effect Transistor) baseado em fosfeto de índio (InP). A estrutura deste biossensor consiste e
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Kako, Maria Margaret. "Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 1989. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1871.

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Abstract:
Neste trabalho foi implementado um amplificadorpara pequenos sinais e ambiente de 50 com largaura de faixa de 500 KHz a 1,5 GHz (11,5 oitavas) , baseando se em técnicas de circuitos discretos. Utilizando 2 MESFET';s de GaAs, redes de polarizaçãoindutivas e reais de casamento sem perdas o amplificador construído apresentou um gano médio se 27,5 dB com `ripple';de 1,5 dB e uma figura de ruídomenor que 2 dB para freqüência acima de 500 MHz e menor que 3 dBpara freqüências acima de 50 MHz. Os resultados experimentais obtidos demonstram a validade de procedimento utilizado para o projeto sendo
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Chueiri, Ivan Jorge. "Uma contribuição ao projeto de CI's com MESFET em GaAs." [s.n.], 1993. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261441.

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Orientador : Jacobus Wilibrordus Swart<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica<br>Made available in DSpace on 2018-07-18T10:05:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Chueiri_IvanJorge_M.pdf: 14720870 bytes, checksum: 618b71ab7ca41e4aae5585876627dec7 (MD5) Previous issue date: 1993<br>Resumo: Este trabalho visa criar um elo entre processos e projetos de Circuitos Integrados e Dispositivos no Laboratório de Pesquisa e Dispositivos. Na área referente a processos, o Laboratório de Pesquisa e Dispositivos vem desenvolvendo a técnica de "Difusão de
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Manera, Leandro Tiago 1977. "Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores." [s.n.], 2010. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261062.

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Abstract:
Orientador: Peter Jurgen Tatsch<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-15T23:27:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Manera_LeandroTiago_D.pdf: 3739799 bytes, checksum: 12a6fc4ebbea20e529e4e7e2c7c5a761 (MD5) Previous issue date: 2010<br>Resumo: Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do
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Biazon, Filho Alcino José. "Projeto e construção de uma porta universal CMOS em logica ternaria." [s.n.], 2001. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261706.

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Orientador: Alberto Martins Jorge<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-01T07:57:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 BiazonFilho_AlcinoJose_M.pdf: 4380355 bytes, checksum: 6354c6bb7cf99462cb4afbe81c217d0e (MD5) Previous issue date: 2001<br>Resumo: Neste trabalho desenvolvemos uma porta universal em lógica temária através da álgebra de Post, utilizando-se dela pudemos desenvolver alguns circuitos conhecidos da lógica binária como Flip-Flops e Somadores. Esses circuitos foram simulados
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Souza, Jair Fernandes de. "Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) = Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)." [s.n.], 2012. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261064.

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Abstract:
Orientadores: Peter Jürgen Tatsch, José Alexandre Diniz<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-21T00:22:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_JairFernandesde_D.pdf: 13128989 bytes, checksum: 25325c1093f208d379ae77adc08c90ff (MD5) Previous issue date: 2012<br>Resumo: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram
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Barros, Angélica Denardi de 1982. "Desenvolvimento de filmes finos de TiOx e ZnO para dispositivos ISFET e SAW." [s.n.], 2013. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261292.

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Abstract:
Orientador: José Alexandre Diniz<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-22T13:21:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barros_AngelicaDenardide_D.pdf: 3021280 bytes, checksum: 8f60fdfa3cbdfc2f485daac1670de328 (MD5) Previous issue date: 2013<br>Resumo: O objetivo deste trabalho é a obtenção e caracterização de filmes finos de óxido de titânio (TiOx) e de óxido de zinco (ZnO) para aplicações em sensores baseados em transistores de efeito de campo elétrico sensíveis a íons (Ion Sensitive Field Ef
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