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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Transistors à effet de champ – Circuits intégrés'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 9 February 2022

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Dissertations / Theses on the topic "Transistors à effet de champ – Circuits intégrés"

1

Godts-Poubelle, Pascale. "Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M. E. S. F. E. T. Et de T. E. G. F. E. T. AlGaAs/GaAs." Lille 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LIL10081.

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Abstract:
Une méthode de modélisation de transistor à effet de champ a été mise au point pour l'analyse de structures existantes, pour le contrôle de la technologie et la recherche de structures optimales en circuits integrés monolithiques hyperfréquence. Elle est utilisée pour définir une structure mesfet optimale ainsi que celle d'un tegfet en algaas/gaas.
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2

Fawaz, Hussein. "Technologie multifonction de transistors à effet de champ sur matériaux III-V pour logique rapide et hyperfréquences." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10038.

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3

Belhadj, Abdenabi. "Etude des effets parasites et des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique." Limoges, 1990. http://www.theses.fr/1990LIMO0092.

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Abstract:
Les avantages en termes de performances microondes du transistor a effet de champ a haute mobilite electronique sont prealablement etudies. Puis une investigation des principaux effets parasites penalisant l'integration monolithique est menee et le role du residuel accepteur de la couche tampon de gaas est identifie. Une solution technologique attenuant les effets a basse temperature du piege dx est egalement validee. Enfin une etude de fiabilite montre que les durees de vie obtenues se situent au niveau de l'etat-de-l'art actuel du mesfet gaas
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4

Journel, Olivier. "Multiplicateur de fréquence bande X en circuit intégré monolithique AsGa : modélisation, conception et réalisation." Lille 1, 1986. http://www.theses.fr/1986LIL10160.

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Abstract:
Etude théorique, expérimentale et technologique de multiplicateurs de fréquence à transistors à effet de champ en GaAs à très haut rang d'harmoniques. Prévision des performances limites. Modèle numérique utilisable en C. A. O. Utilisation des modèles pour concevoir et réaliser, en structure monolithique GaAs une source microonde de fréquence 10 GHz stabilisée en fréquence par un signal à 1 GHz et comprenant un amplificateur d'adaptation à l'entrée, le multiplicateur proprement dit, un filtre actif passe-bande centre sur 10 GHz. Conception au moyen d'un logiciel de C. A. O. (Touchstone)
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5

Desgrez, Simon. "Conception de diviseurs de fréquence analogiques réalisés en technologie monomithique à base de transistors pseudomorphiques à haute mobilité électronique." Toulouse 3, 1997. http://www.theses.fr/1997TOU30138.

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Abstract:
Ce travail est une contribution a la conception de diviseurs de frequence analogiques realises en technologie monolithique a base de transistors pseudomorphiques a haute mobilite electronique aux frequences micro-ondes. Apres avoir decrit les divers circuits existants en choisissant une classification originale selon les differents principes regissant la division de frequence, nous developpons une approche analytique basee sur des modeles simplifies afin de trouver les parametres essentiels du phenomene. Nous experimentons egalement diverses methodes d'analyse sur calculateur avec pour objectif le developpement d'une approche methodologique generale. Finalement, la methode dite de la boucle ouverte est choisie pour la conception de circuits. Lors de son utilisation, il est a noter que des processus proches de cascades de bifurcations chaotiques sont observes. Une etude complementaire presentee permet de verifier qu'ils ne sont pas directement lies a la stabilite (physique) du dispositif. Ces travaux de modelisation sont pour la suite appliques a la conception de deux diviseurs en technologie monolithique. Une large bande de synchronisation d'environ 30 % a ete obtenue avec une topologie originale utilisant un transistor non polarise sur le drain. Les resultats experimentaux sont ensuite compares aux simulations effectuees precedemment ainsi qu'un performances deja publiees sur des circuits de ce type. Enfin, une derniere partie est consacree au bruit de phase dans les diviseurs de frequences.
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6

Kamdem, Jean. "Étude et conception de processeurs de signaux rapides intégrés sur arséniure de gallium." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112145.

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Abstract:
La première partie de ce mémoire est consacrée à l'étude du comportement des circuits intégrés logiques GaAs, aux températures cryogéniques. Notre approche a consisté à concevoir des portes logiques de base, adaptées à une structure de MESFET faiblement dopée, que nous avons mise au point compte tenu des modifications des propriétés du GaAs lorsqu'il est refroidi. Un modèle en commutation du MESFET GaAs dépendant de la température (de 77°K à 300°K), a été déduit de l'étude théorique de la structure. Des portes logiques optimisées pour 77. K, ont été conçues puis simulées et réalisées. La mobilité mesurée dans la couche active, varie de 5000 cm2 /V. S à 300°K, à 12000 cm2/V. S à 77°K, tandis que le temps de propagation par porte passe de 77 ps à 3ooK, à 38ps à 77K, pour un facteur de mérite de 1pJ. Les résultats obtenus ont démontré que le facteur de mérite ne dépend pas de la température. Le bon accord théorie-expérience obtenu sur les fonctions de transfert, la consommation par porte et les temps de propagation a permis de valider le modèle du transistor. La seconde partie a porté sur l'étude et la conception à 300°K, de multiplexeurs haut débit intégrés sur GaAs en logique BFL (Buffered FET Logic). On effectue d'abord une analyse théorique du comportement des principales structures BFL, lorsque les périodes d'horloges sont voisines des temps de propagation, et on en déduit les conditions qui limitent leur montée en fréquence. La notion d'impédance d'entrée et de sortie d'une porte logique en régime de haute vitesse est définie, et leur méthode de détermination est proposée. Cette étude est ensuite appliquée à la conception et à la réalisation de multiplexeurs à rang fixe ou programmable sur 2 à 4 entrées (342 à 472 composants par puce). Les débits numériques mesurés varient de 1. 5 à 2 Gbit/s, pour une consommation de 1W par puce. Pour terminer, on compare les performances de la logique cryogénique à celles de la logique destinée à la température ambiante.
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7

Byl, Christophe. "Nouvelle utilisation des structures à effet de champ monogrilles et bigrilles distribuées : application à l'amplification large bande." Lille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991LIL10004.

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Abstract:
Ce travail porte sur une nouvelle utilisation des structures monogrilles et bigrilles distribuées par l'amplification hyperfréquence large bande. Pour mener a bien cette étude, nous avons été amenés à réaliser dans un premier temps différentes structures monogrilles. Ensuite, nous avons développé des modélisations de type distribué basées sur des caractéristiques expérimentales permettant d'étudier les composants dans différentes configurations d'utilisation. Après ces différentes étapes, nous présentons les premiers résultats expérimentaux en régime petit signal et en amplification de puissance qui permettent de mettre en évidence le rôle important que peut jouer la connexion d'impédances terminales sur la grille ou le drain sur le comportement global du transistor. Après avoir validé notre modèle à partir de confrontations théorie expérience, nous effectuons une optimisation de la structure monogrille en étudiant systématiquement l'influence de divers paramètres (développement de grille, nature des impédances terminales). Dans la dernière partie de ce travail, nous réalisons une étude similaire pour la structure bigrille. Nous décrivons successivement les différents composants etudiés, leur caractérisation et le type de modélisation retenue. Nous présentons ensuite les résultats expérimentaux qui débouchent sur des confrontations théorie expérience dans le but de définir une structure optimale. Enfin, en tout dernier lieu, nous présentons des premiers essais industriels de réalisation d'une version integrée monolithique de la structure monogrille mettant en pratique les principes développés au cours de toute cette étude
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8

Roger, Mathieu. "Etude, optimisation et réalisation de composants HIGFET complémentaires à grille submicronique : application à la conception de convertisseurs analogiques numériques ultrarapides." Lille 1, 2001. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2001/50376-2001-99.pdf.

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9

Laloue, Alban. "Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ : application à l'analyse de la stabilité des transistors et des caractéristiques en bruit dans les circuits MMIC millimétriques." Limoges, 2001. http://www.theses.fr/2001LIMO0007.

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Abstract:
Le travail presente dans ce memoire concerne la modelisation electrique distribuee des transistors a effet de champ hyperfrequences afin de disposer d'une description plus fine de ce composant pour la cao des circuits micro-ondes. Une premiere approche utilise une description electromagnetique des parties passives du transistor, tandis que chaque doigt du composant est modelise par un circuit equivalent electrique intrinseque. Ce modele a montre des qualites tres interessantes d'extrapolation de la taille et de la geometrie du transistor modelise. Il permet egalement une etude beaucoup plus realiste de la stabilite des transistors a fort developpement de grille. D'autre part, les specifications draconiennes imposees aux spectres de bruit des oscillateurs inclus dans les systemes electroniques imposent une modelisation rigoureuse du comportement en bruit basse frequence des composants actifs. En effet, la presence de bruit converti par modulation de phase et d'amplitude autour de la porteuse des oscillateurs, contribue a l'augmentation des taux d'erreurs et a la diminution de la sensibilite des radars pour ne citer que ces deux exemples. Un nouveau modele de tec de type distribue incluant ces sources de bruit est donc developpe. La deuxieme partie de nos travaux s'est orientee dans la mise au point de methodes de simulation rapides et precises du comportement en bruit des circuits non lineaires. La complexite grandissante des circuits integres mmic entraine un besoin de methodes de simulation de type systeme. Une telle methode a ete developpee et nous a permis de simuler avec precision la source millimetrique complete d'un radar anti-collision fonctionnant a 77 ghz.
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10

Kolanowski, Christophe. "Conception, réalisation et analyse de mélangeurs millimétriques en technologies hybride et intégrée utilisant des transistors à effet de champ Hemt de types monogrille et bigrille." Lille 1, 1996. http://www.theses.fr/1996LIL10048.

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Abstract:
Les systèmes de communication hyperfréquences connaissent actuellement un développement considérable vers de nouvelles applications. Parmi celles-ci on peut distinguer les systèmes anticollisions, les communications par satellites ou encore les radiocommunications sans fils. Dans tous ces systèmes, les mélangeurs ont un rôle clé, tant en émission qu'en réception. Ce travail a consisté essentiellement en l'élaboration de méthodologies spécifiques d'analyse et de conception pour la réalisation de circuits mélangeurs millimétriques. Dans un premier temps, nous avons développé un modelé électrique non linéaire de hemt mono grille, spécifique a l'application mélangeur par grille. Ensuite ce modelé a été implanté dans le simulateur hyperfréquence mds et utilise pour la conception et la réalisation de mélangeurs par grille en bande ka (26-40 gHz), en technologie hybride. Une analyse complète a permis de mettre en évidence les limites fréquentielles de cette technologie. Toutefois, grâce a une méthodologie rigoureuse, les circuits réalises ont obtenu des performances très satisfaisantes. La deuxième partie de ce travail a été consacrée a l'étude et au développement de mélangeurs en technologie mmic avec des transistors à effet de champ (tec) bigrille de type pm-hemt et fonctionnant en bande v (50-75 gHz). L'inexistence de modelés non linéaires pour ces tecs bigrilles nous a conduits à élaborer notre propre modelé électrique. Les circuits réalises par la fonderie Thomson tcs ont donné des performances égalant l'état de l'art pour la bande v. A l'issue de l'étude complète a été analyse le fonctionnement très complexe du dispositif. Ces travaux, réalises dans le cadre de contrats européens esprit iii (aims et classic) ont donné lieu à une étroite collaboration avec des partenaires industriels en vue d'un transfert vers des applications spécifiques. Les résultats obtenus ont montré que l'utilisation de tec pour la fonction mélange est une solution très prometteuse pour la bande millimétrique.
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