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Academic literature on the topic 'Transistors à effet de champ émergents'

Author: Grafiati
Published: 31 May 2025
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Transistors à effet de champ émergents"

1

-JAFFREZIC-RENAULT, N. "Les biocapteurs à base de transistors à effet de champ." Revue de l'Electricité et de l'Electronique -, no. 06 (2000): 78. http://dx.doi.org/10.3845/ree.2000.061.

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2

Dambrine, Gilles, and Alain Cappy. "Détermination rapide et précise du schéma équivalent “petit signal” des transistors à effet de champ." Annals of Telecommunications 43, no. 5-6 (1988): 274–81. http://dx.doi.org/10.1007/bf02995088.

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3

Guérineau, D., L. Fache, C. Aupetit-Berthelemot, and P. Medrel. "Développement d’un traceur de caractéristiques de quadripôles et son utilisation en séance de travaux pratiques." J3eA 18 (2019): 1024. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20191024.

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Abstract:
Dans le cadre d’un projet d’études techniques, deux étudiants en 2ème du cycle ingénieur à l’ENSIL-ENSCI à Limoges ont réalisé un traceur automatique de caractéristiques de transistors (à effet de champ et bipolaire). Cet outil permet aujourd’hui aux étudiants en travaux pratiques d’électronique analogique de disposer des caractéristiques courant-tension et des paramètres dynamiques petit signal basse fréquence réalistes du composant utilisé en séance lors de la synthèse de leur circuit afin de répondre au cahier des charges spécifié. Ce papier présentera d’une part la construction de ce trace
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4

Faye, S., J. P. Praseuth, and A. Scavennec. "Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP." Journal de Physique III 1, no. 7 (1991): 1289–300. http://dx.doi.org/10.1051/jp3:1991189.

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5

de Jaeger, J. C., F. Temcamani, M. Lefebvre, et al. "Etude comparative du claquage dans les transistors à effet de champ de puissance MESFET, TEGFET et MISFET." Revue de Physique Appliquée 23, no. 7 (1988): 1205–13. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:019880023070120500.

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6

Mottet, S., J. M. Dumas, J. E. Viallet, A. Belhadj, and P. Audren. "Etude des effets parasites affectant le fonctionnement des transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel." Revue de Physique Appliquée 24, no. 6 (1989): 649–58. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01989002406064900.

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7

Horowitz, G., and P. Delannoy. "Transistors à effet de champ à base d’oligomères organiques conjugués. Réalisation, modélisation et comparaison avec les semiconducteurs inorganiques." Journal de Chimie Physique 89 (1992): 1037–44. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1992891037.

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8

Peng, XZ, G. Horowitz, and F. Garnier. "Influence de la nature de l’isolant sur les performances des transistors à effet de champ à base de sexithiényle alpha-conjugué." Journal de Chimie Physique 89 (1992): 1085–90. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1992891085.

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Dissertations / Theses on the topic "Transistors à effet de champ émergents"

1

Neckel, Wesling Bruno. "Fabrication, caractérisation et modélisation des transistors à effet de champ émergents." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2025. http://www.theses.fr/2025BORD0055.

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Abstract:
Au cours des dernières décennies, la mise à l'échelle a été utilisée pour atteindre les objectifs d'amélioration de la technologie des transistors à effet de champ (FET), en la rendant plus puissante et plus efficace. La mise à l'échelle tend à s'arrêter en raison de limites physiques, ce qui conduit à de nouvelles approches visant à accroître les fonctionnalités des transistors et des circuits. Les transistors à effet de champ à nanofils verticaux sans jonction (JL-VNWFET) conviennent à l'intégration 3D grâce à des canaux uniformément dopés qui éliminent le dopage complexe et peuvent être com
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2

Fruleux, Frédérique. "Conception, élaboration et caractérisation de dispositifs CMOS émergents : une nouvelle approche d'intégration de transistors multi-grille de type FinFet." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2007/50376-2007-287.pdf.

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Abstract:
L'incroyable croissance des semi-conducteurs a été possible par l'extrême miniaturisation des composants CMOS jusqu'à des dimensions nanométriques. Aujourd'hui pour poursuivre cette évolution, il devient nécessaire d'introduire de nouvelles architectures de composants. Dans ce contexte, ce travail étudie l'une des architectures les plus prometteuses: le transistor CMOS double-grille de type FinFET. Ce travail présente notamment un procédé innovant, le procédé « spacer first », apportant une solution aux défis technologiques majeurs de ce type de composants, à savoir: les problèmes de résidus d
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3

Al-Sadoun, Manaa. "Transistors à effet de champ dans les matériaux moléculaires." Lyon 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LYO10025.

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Abstract:
Les transistors a effet de champ en films minces (tft) connaissent actuellement un developpement important: ils peuvent etre a base de materiaux covalents amorphes: les proprietes de ces materiaux sont dans les deux premiers chapitres comparees aux proprietes des materiaux moleculaires, en particulier la bisphtalocyanine de lutetium est un semiconducteur vrai. Il a ete precedemment demontre que ce compose pouvait etre utilise pour realiser des tft. Le dispositif experimental est introduit au chapitre 3: preparation des echantillons, mesure des epaisseurs des couches deposees, mesures electriqu
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4

Madru, Roger. "Transistors à effet de champ utilisant des matériaux moléculaires." Lyon 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LYO19009.

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Abstract:
Le but de cette these est de montrer qu'il est possible d'elaborer des transistors a effet de champ (tec) a base de materiaux moleculaires intrinseques ou dopes (en particulier les phtalocyanines radicalaires) ayant des proprietes tout a fait comparables a celles des tec utilisant des materiaux classiques covalents sous forme de couche amorphe. Les caracteristiques, de ces tec, leur facilite d'elaboration, ainsi que leur interet en physique fondamentale des materiaux moleculaires sont mis en relief
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5

Madru, Roger. "Transistors à effet de champ utilisant des matériaux moléculaires." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376155512.

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6

Pouthas, François. "Détection de molécules d'ADN sur transistors à effet de champ." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00110318.

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Abstract:
Ce travail a porté sur l'étude d'une nouvelle méthode de détection électronique de biopolymères chargés<br />à l'interface solide/liquide en utilisant des réseaux de transistors à effet de champ. Les structures<br />utilisées sont des réseaux d'EOSFET. Ce type de structures semiconductrices opère avec une électrode<br />de référence et possède une surface active dont l'interface est du type électrolyte/oxyde/semi-conducteur.<br />Des micro- ou macro-gouttelettes de solutions contenant des biopolymères chargés sont déposées en des<br />endroits prédéfinis sur les réseaux de transistors. Ces dép
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7

Bourbonnais, Luc. "Effets photoniques dans les transistors à effet-de-champ au GaAs." Thesis, University of Ottawa (Canada), 1987. http://hdl.handle.net/10393/5269.

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8

Mahi, Abdelhamid. "Modélisation de transistors à effet de champ pour les applications térahertz." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20156/document.

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Abstract:
L'objectif de ce travail de thèse est l'exploitation des oscillations de plasma bidimensionnelles dans les transistors à haute mobilité électronique à base d'InGaAs, matériaux de grand intérêt pour les applications Terahertz grâce à sa haute mobilité électronique. Ce travail s'insère dans le contexte d'études récentes dans lesquelles l'utilisation de dis- positifs basés sur l'excitation d'ondes de plasma bidimensionnelles a été proposée pour des applications Terahertz. Cette étude est menée au travers du développement d'un outil numérique de simulation basé sur le modèle hydrodynamique couplé
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9

Kuai, Wenlin. "Faisabilité de transistors organiques à effet de champ fabriqués entièrement en solution." Thesis, Rennes 1, 2017. http://www.theses.fr/2017REN1S013/document.

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Abstract:
Le travail entre dans le cadre de la nouvelle tendance à la recherche d’une électronique mécaniquement flexible basée sur des transistors en couche mince constitués uniquement de matériaux organiques (OTFT). OTFT de type n et de type p ont été fabriqués par la technique de dépôt par impression (inkjet) et étudiés. Les paramètres d’impression (jetabilité, mouillabilité, imprimabilité et possibilité d’obtention de différentes formes), de chaque encre permettant le dépôt de couches conductrices, isolantes et semiconductrices, ont été systématiquement étudiés. Les OTFT de type n basés sur du C60 s
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10

Devynck, Mélanie. "Transistors à effet de champ : étude des interfaces et amélioration des performances." Thesis, Bordeaux 1, 2012. http://www.theses.fr/2012BOR14569/document.

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Abstract:
Ce travail porte sur l’étude des interfaces semi-conducteur/diélectrique et semiconducteur/électrode dans les transistors organiques à effet de champ (OFETs). En effet, le transport et l’injection des charges se trouvent affectés par la qualité de ces interfaces.L’objectif est donc la compréhension de l’influence des caractéristiques morphologiques(rugosité, énergie de surface) et électroniques (travail de sortie) du diélectrique ou del’électrode sur les performances des OFETs.Dans un premier temps, des OFETs sur substrats de silicium à base de pentacène ontété fabriqués et les interfaces trai
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Books on the topic "Transistors à effet de champ émergents"

1

Zhenan, Bao, and Locklin Jason John, eds. Organic field-effect transistors. CRC Press, 2007.

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2

Strydom, Johan, Alex Lidow, Michael de Rooij, and David Reusch. GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2014.

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3

Strydom, Johan, Alex Lidow, Michael de Rooij, and David Reusch. GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley, 2014.

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4

Strydom, Johan, John Glaser, Alex Lidow, Michael de Rooij, and David Reusch. GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2019.

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5

Strydom, Johan, Alex Lidow, Michael de Rooij, and David Reusch. GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley & Sons, Limited, John, 2014.

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6

Strydom, Johan, John Glaser, Alex Lidow, Michael de Rooij, and David Reusch. GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley & Sons, Limited, John, 2019.

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7

GaN Transistors for Efficient Power Conversion. Wiley & Sons, Limited, John, 2019.

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8

GaN transistors for efficient power conversion: The eGaN FET journey continues. Power Conversion Publications, 2012.

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9

RF and microwave modeling and measurement techniques for compound field effect transistors. SciTech Pub., 2009.

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10

FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems. Taylor & Francis Group, 2020.

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Book chapters on the topic "Transistors à effet de champ émergents"

1

CAO, Wei, and Kaustav BANERJEE. "Transistors à effet de champ à capacité négative." In Au-delà du CMOS. ISTE Group, 2024. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9127.ch3.

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Abstract:
Le FET à capacité négative est prometteur grâce à la diminution de sa tension d'alimentation. Cependant, l'authenticité de la capacité négative dans différentes conditions d'essai reste controversée. Après l'introduction de ses principes fondamentaux, ce chapitre se concentre sur les défis et opportunités du point de vue de la physique des dispositifs, et présente un aperçu des progrès expérimentaux.
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2

LUISIER, Mathieu, Cedric KLINKERT, Sara FIORE, et al. "Transistors à effet de champ basés sur des matériaux 2D : perspective de modélisation." In Au-delà du CMOS. ISTE Group, 2024. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9127.ch2.

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Abstract:
Le potentiel des matériaux 2D pour des applications dans les transistors à effet de champ présenté sur la base de simulations de transport quantique d’électrons basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité, les fonctions localisées de Wannier et la fonction de Green hors équilibre. Il en résulte un aperçu détaillé et des perspectives claires.
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