Relevant bibliographies by topics / Transistors à effet de champ émergents / Dissertations / Theses
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Transistors à effet de champ émergents.

Dissertations / Theses on the topic 'Transistors à effet de champ émergents'

Author: Grafiati
Published: 31 May 2025
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 dissertations / theses for your research on the topic 'Transistors à effet de champ émergents.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse dissertations / theses on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Neckel, Wesling Bruno. "Fabrication, caractérisation et modélisation des transistors à effet de champ émergents." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2025. http://www.theses.fr/2025BORD0055.

Full text
Abstract:
Au cours des dernières décennies, la mise à l'échelle a été utilisée pour atteindre les objectifs d'amélioration de la technologie des transistors à effet de champ (FET), en la rendant plus puissante et plus efficace. La mise à l'échelle tend à s'arrêter en raison de limites physiques, ce qui conduit à de nouvelles approches visant à accroître les fonctionnalités des transistors et des circuits. Les transistors à effet de champ à nanofils verticaux sans jonction (JL-VNWFET) conviennent à l'intégration 3D grâce à des canaux uniformément dopés qui éliminent le dopage complexe et peuvent être com
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Fruleux, Frédérique. "Conception, élaboration et caractérisation de dispositifs CMOS émergents : une nouvelle approche d'intégration de transistors multi-grille de type FinFet." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2007/50376-2007-287.pdf.

Full text
Abstract:
L'incroyable croissance des semi-conducteurs a été possible par l'extrême miniaturisation des composants CMOS jusqu'à des dimensions nanométriques. Aujourd'hui pour poursuivre cette évolution, il devient nécessaire d'introduire de nouvelles architectures de composants. Dans ce contexte, ce travail étudie l'une des architectures les plus prometteuses: le transistor CMOS double-grille de type FinFET. Ce travail présente notamment un procédé innovant, le procédé « spacer first », apportant une solution aux défis technologiques majeurs de ce type de composants, à savoir: les problèmes de résidus d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Al-Sadoun, Manaa. "Transistors à effet de champ dans les matériaux moléculaires." Lyon 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LYO10025.

Full text
Abstract:
Les transistors a effet de champ en films minces (tft) connaissent actuellement un developpement important: ils peuvent etre a base de materiaux covalents amorphes: les proprietes de ces materiaux sont dans les deux premiers chapitres comparees aux proprietes des materiaux moleculaires, en particulier la bisphtalocyanine de lutetium est un semiconducteur vrai. Il a ete precedemment demontre que ce compose pouvait etre utilise pour realiser des tft. Le dispositif experimental est introduit au chapitre 3: preparation des echantillons, mesure des epaisseurs des couches deposees, mesures electriqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Madru, Roger. "Transistors à effet de champ utilisant des matériaux moléculaires." Lyon 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LYO19009.

Full text
Abstract:
Le but de cette these est de montrer qu'il est possible d'elaborer des transistors a effet de champ (tec) a base de materiaux moleculaires intrinseques ou dopes (en particulier les phtalocyanines radicalaires) ayant des proprietes tout a fait comparables a celles des tec utilisant des materiaux classiques covalents sous forme de couche amorphe. Les caracteristiques, de ces tec, leur facilite d'elaboration, ainsi que leur interet en physique fondamentale des materiaux moleculaires sont mis en relief
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Madru, Roger. "Transistors à effet de champ utilisant des matériaux moléculaires." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376155512.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Pouthas, François. "Détection de molécules d'ADN sur transistors à effet de champ." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00110318.

Full text
Abstract:
Ce travail a porté sur l'étude d'une nouvelle méthode de détection électronique de biopolymères chargés<br />à l'interface solide/liquide en utilisant des réseaux de transistors à effet de champ. Les structures<br />utilisées sont des réseaux d'EOSFET. Ce type de structures semiconductrices opère avec une électrode<br />de référence et possède une surface active dont l'interface est du type électrolyte/oxyde/semi-conducteur.<br />Des micro- ou macro-gouttelettes de solutions contenant des biopolymères chargés sont déposées en des<br />endroits prédéfinis sur les réseaux de transistors. Ces dép
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Bourbonnais, Luc. "Effets photoniques dans les transistors à effet-de-champ au GaAs." Thesis, University of Ottawa (Canada), 1987. http://hdl.handle.net/10393/5269.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Mahi, Abdelhamid. "Modélisation de transistors à effet de champ pour les applications térahertz." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20156/document.

Full text
Abstract:
L'objectif de ce travail de thèse est l'exploitation des oscillations de plasma bidimensionnelles dans les transistors à haute mobilité électronique à base d'InGaAs, matériaux de grand intérêt pour les applications Terahertz grâce à sa haute mobilité électronique. Ce travail s'insère dans le contexte d'études récentes dans lesquelles l'utilisation de dis- positifs basés sur l'excitation d'ondes de plasma bidimensionnelles a été proposée pour des applications Terahertz. Cette étude est menée au travers du développement d'un outil numérique de simulation basé sur le modèle hydrodynamique couplé
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Kuai, Wenlin. "Faisabilité de transistors organiques à effet de champ fabriqués entièrement en solution." Thesis, Rennes 1, 2017. http://www.theses.fr/2017REN1S013/document.

Full text
Abstract:
Le travail entre dans le cadre de la nouvelle tendance à la recherche d’une électronique mécaniquement flexible basée sur des transistors en couche mince constitués uniquement de matériaux organiques (OTFT). OTFT de type n et de type p ont été fabriqués par la technique de dépôt par impression (inkjet) et étudiés. Les paramètres d’impression (jetabilité, mouillabilité, imprimabilité et possibilité d’obtention de différentes formes), de chaque encre permettant le dépôt de couches conductrices, isolantes et semiconductrices, ont été systématiquement étudiés. Les OTFT de type n basés sur du C60 s
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Devynck, Mélanie. "Transistors à effet de champ : étude des interfaces et amélioration des performances." Thesis, Bordeaux 1, 2012. http://www.theses.fr/2012BOR14569/document.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur l’étude des interfaces semi-conducteur/diélectrique et semiconducteur/électrode dans les transistors organiques à effet de champ (OFETs). En effet, le transport et l’injection des charges se trouvent affectés par la qualité de ces interfaces.L’objectif est donc la compréhension de l’influence des caractéristiques morphologiques(rugosité, énergie de surface) et électroniques (travail de sortie) du diélectrique ou del’électrode sur les performances des OFETs.Dans un premier temps, des OFETs sur substrats de silicium à base de pentacène ontété fabriqués et les interfaces trai
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Boubanga, Tombet Stéphane Albon. "Modes plasmoniques dans les transistors à effet de champ et détection THz." Montpellier 2, 2008. http://www.theses.fr/2008MON20118.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Cousin, Bastien. "Modélisation compacte de transistors à effet de champ nanofils pour la conception de circuits." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0064.

Full text
Abstract:
L'objectif de ce travail de thèse s'articule autour du développement d'un modèle compact du transistor GAA nanofil cylindrique. L'objectif est ici de reproduire le comportement électrique du transistor à travers un modèle afin que celui-ci soit utilisable en conception de circuits. Le transistor est considéré tout d'abord comme idéal c'est-à-dire sans effets parasites afin de constituer le cœur du modèle compact. L'étude porte ensuite sur la modélisation des effets de confinement quantique. Une correction quantique avec prise en compte à la fois des confinements structurels et électriques des
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Valin, Isabelle. "Simulation microscopique et technologie de réalisation du transistor à effet de champ à base de GaAs." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10166.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Versnaeyen, Christophe. "Étude théorique et experimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction AlGaAs/GaAs." Lille 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LIL10074.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Coupez, Thierry. "Etudes théorique et expérimentale de transistors multipuits à effet de champ et à plans de dopage : Potentialité d'application à la multiplication de fréquence." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10190.

Full text
Abstract:
L'étude que nous présentons a pour objet la recherche de structures multipuits particulièrement non linéaires, en vue d'applications en mélangeur ou en multiplicateur de fréquence, en gammes millimétriques. Des simulations quasi-statiques et dynamiques petit signal ont été réalisées à l'aide d'un programme de contrôle de charge. Celui-ci est basé sur la résolution autocohérente des équations de Poisson et de Schrodinger. Le choix de la technique du plan de dopage confère à la structure une meilleure compacité et un meilleur contrôle électronique dans les canaux. Conjointement à ces simulations
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Gest, Joël. "Modélisation du bruit de diffusion dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions." Lille 1, 1992. http://www.theses.fr/1992LIL10145.

Full text
Abstract:
Dans ce travail, nous étudions les phénomènes physiques de bruit de diffusion dans les composants à hétérojonctions III. V de type TEGFETs. Cette étude est à la fois expérimentale et théorique. Nous commençons ce mémoire par la présentation d'une méthode de mesure de la puissance de bruit créée dans le canal de transistors à effet de champ. Le banc de mesure de la puissance de bruit conçu au départ pour fonctionner à l'ambiante, a été modifié pour permettre des mesures en basse température. Ainsi, il est possible de mesurer des puissances de bruit dans une gamme de fréquence 10 MHz-16 GHz, dan
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Baghdad, Abdennaceur. "Étude expérimentale du transistor à effet de champ microondes dans des conditions très faible bruit et basses températures." Lille 1, 1992. http://www.theses.fr/1992LIL10142.

Full text
Abstract:
L'objectif de la thèse était d'étudier les propriétés et caractéristiques des transistors à effet de champ microondes dans le cadre d'applications à l'amplification très faible bruit et en très basses températures. Une grande partie de ce travail avait des implications directes dans le domaine spatial. Cette étude a nécessité la mise au point d'une technologie particulière pour la mesure de très faible facteur de bruit en microonde et en particulier dans deux cas spécifiques: − dans la bande des 800 MHz-1 GHz; − en bande X et KU et en régime basse température (77 K). Elle a abouti à des résult
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Belache, Areski. "Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs." Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10037.

Full text
Abstract:
Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Barrier, Joël. "Contribution à l'optimisation de l'interface Si3N4/Ga[subscript 0. 47]In[subscript 0. 53]As pour la réalisation de MISFETs à haute stabilité." Lille 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LIL10109.

Full text
Abstract:
Les auteurs ont étudié les propriétés électriques de l'interface Si(3)n(4)/GaInAs pour optimiser un procédé de fabrication des transistors MISFETs sur GaInAs. Afin de remédier aux problèmes de dérive du courant généralement observés. Sur ce type de dispositif, le procédé choisi se définit par trois points principaux : un système opérant sous ultravide, la désoxydation de la surface de GaInAs et le dépôt de nitrure de silicium par plasma multipolaire.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Depreeuw, Didier. "Modélisation de transistors à effet de champ à hétérojonctions : application au MISFET GaAlAs/GaAs et à l'étude du transfert électronique dans l'espace réel." Lille 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LIL10079.

Full text
Abstract:
Les auteurs développent une méthode générale de modélisation permettant de prendre en compte tous les phénomènes se produisant dans les transistors à effet de champ GaAs et GaAlAs (MESFET, …). Le modèle est appliqué à l'étude du MISFET AlGaAs/GaAs. D'autre part, les auteurs exposent une théorie analytique sans paramètres ajustables permettant de modéliser la résistance différentielle négative due au transfert électronique dans l'espace réel.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Dambrine, Gilles. "Caractérisation des transistors à effet de champ : mesure précise de la matrice de répartition et détermination directe du schéma équivalent." Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10035.

Full text
Abstract:
Ce mémoire présente une étude théorique et expérimentale des méthodes et moyens de caractérisation hyperfréquence des composants à effet de champ. La première partie présente une étude des techniques d'étalonnage adaptées au TEC ; la seconde, une méthode d'extraction directe du schéma équivalent petit signal. En dernière partie, une cellule de test 40 GHz adaptée aux mesures des TEC est conçue, réalisée et testée. On décrit aussi la mise en œuvre d'un système de mesures hyperfréquence sous pointes.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Peden, Alain. "Contribution à la détermination par la mesure d'un shéma équivalent électrique utilisable en CAO non-linéaire pour les deux modes de fonctionnement fondamentaux du MESFET." Brest, 1991. http://www.theses.fr/1991BRES2010.

Full text
Abstract:
Ce memoire presente l'elaboration d'un modele grand signal hyperfrequence du transistor mesfet, utilisable dans un logiciel de cao non lineaire. Dans une premiere partie, nous presentons les modeles analytiques developpes a partir des equations de base des semiconducteurs selon certaines hypotheses simplificatrices. Ces modeles, utiles pour etudier l'influence des parametres technologiques et du materiau de base, ne decrivent pas correctement le comportement du composant en hyperfrequence. L'approche retenue par la determination des elements du schema equivalent, exposee dans le deuxieme parti
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Balti, Moez. "Extraction des paramètres intrinsèques des transistors à effet de champ tenant compte des phénomènes de propagation." Cergy-Pontoise, 2005. http://biblioweb.u-cergy.fr/theses/05CERG0259.pdf.

Full text
Abstract:
Pour augmenter la puissance supportable par le transistor tout en négligeant les effets de propagation, nous sommes amené à le décomposer en un grand nombre de doigts de faible largeur placés en parallèle. Pour les transistors de très forte puissance le nombre de doigts peut devenir très important et les dimensions deviennent disproportionnées et nous, nous éloignons alors de la forme idéale qui doit être proche du carré. Pour réduire le nombre de doigts, tout en gardant la même puissance, on peut augmenter la largeur de la grille. Pour cela, il faut connaître de la manière la plus précise pos
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Draidia, Nasserdine. "Hétéroépitaxie des systèmes GaAs/Si et GaAs/InP par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques." Grenoble INPG, 1991. http://www.theses.fr/1991INPG0062.

Full text
Abstract:
La croissance et la maîtrise des systèmes de matériaux désaccordés représentent une perspective très prometteuse dans le domaine des matériaux semi-conducteurs et leur technologie. Nous étudierons la croissance du Gaas sur substrats SI(100) et INP(100) par la technique de l'épitaxie en phase vapeur a pression atmosphérique à partir d'organométalliques. Après un rappel des principaux avantages que procurent de tels systèmes de matériaux, ainsi que les problèmes inhérents à leur élaboration nous étudierons par diverses techniques: ddx, met et Pl, l'évolution des défauts structuraux dans les hété
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Balti, Moez Pasquet Daniel. "Extraction des paramètres intrinsèques des transistors à effet de champ tenant compte des phénomènes de propagation." [s.l.] : [s.n.], 2008. http://biblioweb.u-cergy.fr/theses/05CERG0259.pdf.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Lee, Jae Woo. "Caractérisation électrique et modélisation des transistors à effet de champ de faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00666486.

Full text
Abstract:
<br><li>Introduction</li> <br> La réduction des dimensions des composants microélectroniques a été le principal moteur pour l'amélioration des performances, en particulier l'augmentation de la vitesse de commutation et la réduction de la consommation. Actuellement les technologies dites 32 nm sont utilisées dans la production de masse. D'après la loi de Moore, des longueurs de grille de quelques nanomètres, qui représentent une limitation physique pour les transistors MOS, devraient être utilisées dans quelques années. Cependant la simple réduction des dimensions est actuellement en train d'at
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Lee, Jae woo. "Caractérisation électrique et modélisation des transistors à effet de champ de faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00767413.

Full text
Abstract:
At the beginning of this thesis, basic and advanced device fabrication process which I haveexperienced during study such as top-down and bottom-up approach for the nanoscale devicefabrication technique have been described. Especially, lithography technology has beenfocused because it is base of the modern device fabrication. For the advanced device structure,etching technique has been investigated in detail.The characterization of FET has been introduced. For the practical consideration in theadvanced FET, several parameter extraction techniques have been introduced such as Yfunction,split C-V
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

PEN, XUE-ZHOU. "Oligomeres semi-conducteurs : proprietes electriques et application aux transistors a effet de champ." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066604.

Full text
Abstract:
Le memoire rappelle ce qu'il faut savoir sur les materiaux moleculaires et leurs proprietes de transport de charge electronique. Les techniques experimentales utilisees pour realiser les diodes et les transistors a base de materiaux organiques sont egalement exposees. Ensuite, les caracteristiques courant-tension de structures or/sexithienyle/or ont ete mesurees et sont en bon accord avec les predictions du modele prealablement etabli. La mobilite des porteurs de charge a ete deduite et se revele thermiquement activee: ce fait est attribue a la presence d'un piege peu profond (0,2 ev au-dessus
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Clatin, Nicolas. "Détection d'ADN à l'aide de transistors à effet de champ sensibles aux ions." Paris 6, 2000. http://www.theses.fr/2000PA066110.

Full text
Abstract:
Le but de ce travail est d'appliquer la technologie des transistors a effet de champ sensibles aux ions (isfet) a la detection de l'adn. Nous avons synthetise et greffe, sur la silice de grille des isfet, des membranes comportant des groupes cationiques (ammonium quaternaire ou amine), susceptibles d'interagir avec les phosphates de l'adn. Trois types de membranes ont ete realisees : par greffage de polyhydroxyethylmethacrylate fonctionnalise par un derive de la choline ; par greffage de polysiloxanes trisubstitues par des groupes hexyle, methacrylate et ammonium quaternaire ou amine tertiaire
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Houin, Geoffroy. "Développement d’amplificateurs sur substrats flexibles à partir de transistors organiques à effet de champ." Thesis, Bordeaux, 2017. http://www.theses.fr/2017BORD0588/document.

Full text
Abstract:
Les transistors organiques à effet de champ (OFETs) ont aujourd’hui des performances qui permettent d’envisager la réalisation de circuits électroniques plus ou moins complexes. Cependant, ces dispositifs doivent encore être améliorés en termes de performance et de stabilité sous air avant d’être commercialisés. Le premier objectif de cette thèse est de réaliser des OFETs stables à l’air avec des performances atteignant l’état de l’art, tout en simplifiant leur procédé de fabrication. Le dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT),petite molécule référence, a été choisie comme couche
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

ROZES, PHILIPPE. "Modelisation des transistors a effet de champ sur substrat inp par methode quasi-bidimensionnelle." Paris 11, 1993. http://www.theses.fr/1993PA112227.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur l'etude des transistors a effet de champ sur substrat inp et sur la realisation d'un logiciel de conception assistee par ordinateur basee sur la methode quasi-bidimensionnelle. A partir d'une methode classique, nous avons elabore des modeles originaux pour simuler le comportement statique, dynamique et en bruit des dispositifs consideres. Un logiciel de cao a ete developpe qui permet la resolution numerique des equations discretisees issues de ces modeles. Nous montrons l'efficacite de nos modeles pour la comprehension du comportement des dispositifs existants, l'optimisat
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Bollaert, Sylvain. "Etude théorique et expérimentale de transistors à effet de champ à canaux quasi-unidimentionnels." Lille 1, 1994. http://www.theses.fr/1994LIL10032.

Full text
Abstract:
Ce travail consiste en une etude theorique et experimentale des transistors a effet de champ a canaux quasi-unidimensionnels sur couche pseudomorphique gaalas/gainas/gaas (sc-hemts). La structure de ce transistor est telle que l'espace entre la source et le drain est forme de fins canaux conducteurs, sur lesquels une electrode de grille est deposee. La repartition des charges sous la grille ainsi que les lois de commande de ces charges ont ete determinees grace a la resolution bidimensionnelle auto coherente de l'equation de poisson et de la statistique de fermi-dirac. L'interet d'une telle st
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Hafsi, Bilel. "Réalisation, caractérisation et simulation de composants organiques : transistors à effet de champ et mémoires." Thesis, Lille 1, 2016. http://www.theses.fr/2016LIL10055/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse aborde une approche originale de réalisation de composants organiques (transistors, mémoires volatiles et non volatiles) à base d’un semiconducteur de type N “PolyeraTM N2200”. Tout d’abord, des transistors à effet de champ ont été fabriqués et optimisés en améliorant notamment certains paramètres technologiques. Par la suite, ces transistors ont été simulés à l’aide du logiciel ISE TCAD®, un logiciel basé sur un modèle 2D à effet de champ et de dérive-diffusion. Les propriétés électriques de ces dispositifs organiques ont été étudiées en fonction de l’influence de la mobilité des
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Lambert, Benoît. "Etude de l'influence du mécanisme d'ionisation par impact sur les performances et la fiabilité des transistors à effet de champ sur substrat III-V." Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12388.

Full text
Abstract:
Ces travaux présentent une étude sur le mécanisme d'ionisation par impact se produisant dans les transistors à effet de champ de puissance sur substrat GaAs. Ce mécanisme est un effet parasite des FETs et consiste en la création de paires électrons/trous dans le canal induit par les électrons fortement accélérés par 1e champ électrique. Cette étude porte sur quatre technologies de FETs (MESFET DCFET, PHEMT et PHEMT de puissance). L'influence du mécanisme d'ionisation, par impact sur les performances électriques statiques des dispositifs a été évalué, notamment sur les caractéristiques de grill
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Faure, Bruce. "Développement des méthodes de microfabrication d'un transistor à effet de champ avec modulation de dopage." Sherbrooke : Université de Sherbrooke, 2001.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Ng, Ching Hing Nancy. "Réalisation de transistors à effet de champ par neutralisation de dopants par l'hydrogène atomique et par déneutralisation localisée des complexes Si-H." Lille 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LIL10135.

Full text
Abstract:
L'exposition d'un matériau semiconducteur GaAs dopé silicium de type n à un plasma radiofréquence d'hydrogène entraîne une diffusion de l'hydrogène dans le matériau provoquant ainsi une forte diminution de la concentration en porteurs libres accompagnée d'une augmentation de leur mobilité. Cette augmentation est le signe d'une neutralisation des donneurs actifs par transformation en entités neutres : hydrogène-donneur. Ce phénomène est d'autant plus intéressant qu'il est réversible. En effet, la déneutralisation des zones hydrogénées peut se faire soit par recuit thermique soit par une exposit
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Kruck, Jean-François. "Conception et réalisation d'une cellule de test de circuits planaires dans la bande V(50-75GHz)." Lille 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LIL10002.

Full text
Abstract:
L'objectif de la thèse est de réaliser une cellule de mesure permettant la caractérisation d'éléments actifs (transistors, circuits intégrés) ou passifs dans la bande de fréquences 50-75 Ghz (bande V). Nous avons dans un premier temps, conçu et réalisé une transition entre la structure guide rectangulaire des instruments de mesure utilisés dans cette gamme de fréquences et la structure microruban permettant de connecter le composants sous test. Les performances de cette transition sont 1db en insertion et -20db en facteur de réflexion. Dans un second temps, nous avons conçu et réalisé un résea
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Nguyen, Théodore. "Caractérisation, modélisation et fiabilité des diélectriques de grille à base de HfO2 pour les futures technologies CMOS." Lyon, INSA, 2009. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0067/these.pdf.

Full text
Abstract:
La miniaturisation des transistors CMOS permet d’améliorer les performances, la densité d’intégration et les coûts des composants électroniques. Cependant, cette course à la miniaturisation a atteint ses limites, et l’intégration d’un oxyde de grille à haute permittivité pour remplacer l’oxyde thermique classique est devenue incontournable. L’oxyde d’hafnium a été choisi pour successeur à l’oxyde SiO2. Son introduction vise à limiter les courants de fuite, mais une incertitude demeure du point de vue de la fiabilité car elle est directement liée à la qualité de l’interface oxyde/canal et à la
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Piotrowicz, Stéphane. "Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V." Lille 1, 1999. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1999/50376-1999-253.pdf.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur l'intégration monolithique de HEMT's sur substrat de phosphure d'indium en vue de l'amplification de puissance en bande V. Cette étude constitue un des axes majeur de la recherche au laboratoire, qui porte sur les potentialités des transistors de la filière GaInAs. La première partie de ce mémoire replace l'étude dans son contexte international, et donne un état de l'art des composants de puissance et des circuits intégrés (MMIC) à la fréquence de 60 GHz. La deuxième partie expose la réalisation, les mesures et la modélisation d'éléments passifs nécessaires à la conception
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Kabbaj, Hassan. "Étude physique du bruit de diffusion dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions." Lille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991LIL10068.

Full text
Abstract:
Dans ce travail, nous étudions les phénomènes physiques de bruit dans les composants à hétérojonctions III-V comme les TEGFETs et les MISFETs. Ici nous nous intéressons essentiellement au bruit de diffusion qui dans les dispositifs utilisés en très haute fréquence devrait être la seule source de bruit qui subsiste (au-delà d'au moins 1 GHz). Cette étude consiste à effectuer des mesures de puissance de bruit en haute fréquence dans ces composants. Concernant la partie théorique de ce travail, nous avons mis au point un modèle de bruit amélioré à partir de celui de Pucel en introduisant les modi
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Plana, Robert. "Bruit de fond dans les transistors à effet de champ et bipolaires pour micro-ondes." Toulouse 3, 1993. http://www.theses.fr/1993TOU30041.

Full text
Abstract:
Le travail presente dans ce memoire a pour objet l'etude des phenomenes de bruit de fond electrique dans les transistors pour micro-ondes de type effet de champ (mesfet, hemt et une nouvelle generation le hemt pseudomorphique phemt) et de type bipolaire a heterojonction sur gaas (tbh). Ce memoire est divise en deux parties: la premiere traite des phenomenes de bruit en exces qui, dans la gamme des basses frequences, jouent un role important pour les performances de fonctions analogiques non lineaires (oscillateurs, melangeurs) et la seconde traite du bruit aux frequences normales d'utilisation
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Mouis, Mireille. "Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112053.

Full text
Abstract:
L'étude des transistors à effet de champ, utilisant le transport au voisinage d'une hétérojonction, est fondée sur une simulation Monte-Carlo qui tient compte à la fois des effets de géométrie bidimensionnelle, du caractère non stationnaire du transport et de la possibilité de transfert spatial des électrons chauds par émission au-dessus de l'hétérojonction
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Macabies, Romain. "Proprietes et stabilite de l'interface isolant-pentacene dans les transistors organiques a effet de champ." Phd thesis, Ecole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00740173.

Full text
Abstract:
Le développement des transistors organiques, ces dernières années, a permis une nette amélioration de leurs performances et de leur stabilité. Ceci a été possible, notamment, grâce à une meilleure compréhension des mécanismes régissant le transport de charges dans ces dispositifs. Cependant, certains phénomènes restent encore à éclaircir, en particulier au niveau de l'interface entre le semi-conducteur et le diélectrique. Le piégeage des porteurs de charges qui est une des principales causes de perturbations du transport de charges dans les transistors organiques, en est un. Cette thèse se pro
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Maher, Hassan. "Transistors à effet de champ sur substrat InP à canaux composites : Structure, technologie et caractérisation." Paris 11, 1999. http://www.theses.fr/1999PA112412.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur la conception de structures de transistors HEMT à canal composite sur substrat InP, dans lesquelles nous juxtaposons un canal à forte mobilité électronique à faible champ et un deuxième canal à faible coefficient d'ionisation par impact. L'objectif de telles structures est d'améliorer les performances de tenue en tension des composants classiques, tout en gardant de bonnes performances dynamiques. Après une étape de conception de la structure en utilisant des outils classiques de modélisation, nous avons adapté les étapes technologiques de la réalisation du composant class
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

LEFEVRE, FRANCOIS. "Modelisation, analyse et simulation de transistors a effet de champ au moyen d'inequations quasi-variationnelles." Reims, 1998. http://www.theses.fr/1998REIMS006.

Full text
Abstract:
Nous construisons dans cette these un modele avec inequation quasi-variationnelle (iqv) pour le transistor modfet. Pour cela, on suppose que la densite electronique est bornee et qu'elle est constante dans certaines regions. Ces simplifications s'appliquent a l'equation de poisson qui devient alors lineaire vis a vis du potentiel electrostatique. La modelisation avec iqv maintient bien le couplage avec l'equation de continuite du courant. Par le theoreme de schauder, nous montrons l'existence de solutions dans h#1() c#0() pour l'iqv du transistor mesfet. En outre, ces solutions possedent la re
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Picard, Cyrille. "Utilisation des transistors MOS à effet de champ de type COTS en environnement radiatif ionisant." Metz, 2000. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/2000/Picard.Cyrille.SMZ0040.pdf.

Full text
Abstract:
Bien que spécifiques, les environnements radiatifs sont variés et représentent des investissements considérables. L'électronique, et en particulier la technologie MOS, est sensible aux radiations. Quoi que non dédiés aux environnements hostiles, les composants COTS, sont de plus en plus utilisés afin de réduire les coûts. Afin d'obtenir l'assurance de leur tenue à la dose, des tests sont nécessaires mais ajoutent un coût non négligeable. L'étude est consacrée à l'amélioration de la caractérisation et de l'utilisation des MOSFETs en environnement radiatif. Les méthodes de caractérisations therm
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Nouvel, Philippe. "Etude expérimentale des oscillations de plasma dans des transistors à effet de champ excitées optiquement." Thesis, Montpellier 2, 2011. http://www.theses.fr/2011MON20189/document.

Full text
Abstract:
Le domaine térahertz est une région du spectre électromagnétique comprise entre 300 GHz et 30 THz. Elle représente un fort intérêt pour la communauté scientifique pour plusieurs raisons : la radiation térahertz possède en effet un potentiel de télécommunication à très haut débit important, elle constitue un moyen d'investigation efficace et non destructif pour différents types d'éléments et composés, minéraux ou organiques et elle représente une importance cruciale pour les astronomes qui estime que 98 % des photons émis par le Big Bang se trouvent dans ce domaine de fréquences. Malheureusemen
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Macabies, Romain. "Proprietes et stabilite de l’interface isolant-pentacene dans les transistors organiques a effet de champ." Thesis, Saint-Etienne, EMSE, 2011. http://www.theses.fr/2011EMSE0628/document.

Full text
Abstract:
Le développement des transistors organiques, ces dernières années, a permis une nette amélioration de leurs performances et de leur stabilité. Ceci a été possible, notamment, grâce à une meilleure compréhension des mécanismes régissant le transport de charges dans ces dispositifs. Cependant, certains phénomènes restent encore à éclaircir, en particulier au niveau de l’interface entre le semi-conducteur et le diélectrique. Le piégeage des porteurs de charges qui est une des principales causes de perturbations du transport de charges dans les transistors organiques, en est un. Cette thèse se pro
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Peltier, Jean-David. "Isomères de position d’indacénodithiophènes : synthèse, propriétés et applications en transistors organiques à effet de champ." Thesis, Rennes 1, 2017. http://www.theses.fr/2017REN1S138/document.

Full text
Abstract:
Les transistors organiques à effet de champ (OFETs) dans lesquels le transport des charges se fait à travers un film mince de molécules organiques représentent une transformation de la technologie des transistors à effet de champ au regard de la technologie au silicium. Ils permettent notamment d’envisager le développement d’une électronique flexible à bas coût. Ce travail porte sur la synthèse, l’étude et l’utilisation en tant que couche active dans des OFETs de type n de couples d’isomères para- et méta-indacénodithiophènes (para- et méta-IDT) appauvris en électrons inédits. Une introduction
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Naït-Zerrad, Kamal. "Étude et réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0033.

Full text
Abstract:
Ce travail est consacre a l'etude et a la realisation de transistors a effet de champ a heterostructure (hfet) a canal inp dope et a barriere alinas non dope, sur substrat inp semi-isolant, pour l'integration optoelectronique. Le chapitre introductif presente les proprietes des composes iii-v et en particulier l'interet du phosphure d'indium, ainsi que les differentes structures de fet developpees avec de l'inp comme couche active. Dans le chapitre suivant, nous determinons les structures de hfets, a l'aide de simulations numeriques et suivant les applications envisagees. Les differentes techn
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the bibliographies on the topic 'Transistors à effet de champ émergents' for other source types:
Books
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography