Relevant bibliographies by topics / Varactors MOS

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  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Book chapters
  4. Conference papers

Academic literature on the topic 'Varactors MOS'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 4 February 2022

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Journal articles on the topic "Varactors MOS"

1

Li, Shuai, and Tao Zhang. "Simulation and Realization of MOS Varactors." Procedia Engineering 29 (2012): 1645–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2012.01.188.

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2

Peikert, T., J. K. Bremer, and W. Mathis. "Modellierungskonzept für MOS Varaktoren zur Minimierung der AM-FM Konversion in VCOs." Advances in Radio Science 8 (October 1, 2010): 143–49. http://dx.doi.org/10.5194/ars-8-143-2010.

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Abstract:
Abstract. In dieser Arbeit wird ein analytisches Simulationsmodell für MOS Varaktoren zur Entwurfsunterstützung von integrierten CMOS LC-Tank VCO-Schaltungen präsentiert. Das analytische Simulationsmodell wurde auf Basis des EKV-Transistormodells implementiert und beinhaltet ausschließlich Design- und Prozessparameter für die Berechnung der Varaktorkapazität. Dieses Simulationsmodell ermöglicht es, die verwendeten Varaktoren im Vorfeld des VCO-Entwurfs zu dimensionieren, die effektive Großsignalkapazität in Abhängigkeit des Ausgangssignals zu berechnen und einzelne Eigenschaften der Varaktoren
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3

Andreani, P., and S. Mattisson. "On the use of MOS varactors in RF VCOs." IEEE Journal of Solid-State Circuits 35, no. 6 (2000): 905–10. http://dx.doi.org/10.1109/4.845194.

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4

Ramiah, Harikrishnan, and Tun ZainalAzni Zulkifli. "Design and Optimization of Integrated MOS Varactors for High-tunability RF Circuits." IETE Journal of Research 57, no. 4 (2011): 346. http://dx.doi.org/10.4103/0377-2063.86308.

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5

Gildenblat, G., Z. Zhu, and W. Wu. "Analytical Expression for the Bias and Frequency-Dependent Capacitance of MOS Varactors." IEEE Transactions on Electron Devices 54, no. 11 (2007): 3107–8. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2007.907134.

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6

Bunch, R. L., and S. Raman. "Large-signal analysis of MOS varactors in CMOS -G/sub m/ LC VCOs." IEEE Journal of Solid-State Circuits 38, no. 8 (2003): 1325–32. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2003.814416.

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7

Quemerais, Thomas, Daniel Gloria, Dominique Golanski, and Simon Bouvot. "High-Q MOS Varactors for Millimeter-Wave Applications in CMOS 28-nm FDSOI." IEEE Electron Device Letters 36, no. 2 (2015): 87–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2014.2378313.

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8

Chen, Zhiyu, Wooyeol Choi, and Kenneth K. O. "300-GHz 2nd-Order Subharmonic Upconversion Mixer Using Symmetric MOS Varactors in 65-nm CMOS." IEEE Solid-State Circuits Letters 3 (2020): 538–41. http://dx.doi.org/10.1109/lssc.2020.3036804.

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9

Xu, Haifeng, and K. O. Kenneth. "High-$Q$ Thick-Gate-Oxide MOS Varactors With Subdesign-Rule Channel Lengths for Millimeter-Wave Applications." IEEE Electron Device Letters 29, no. 4 (2008): 363–65. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.917629.

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10

Chen, Chia Chung, Meshon Jiang, Li Ming Chang, Tzu Jin Yeh, Feng Ming Liu, and Sally Liu. "Optimization and modeling for MOS varactors in 65 nm low-power mixed-signal/radio-frequency technology." Microwave and Optical Technology Letters 51, no. 9 (2009): 2119–21. http://dx.doi.org/10.1002/mop.24567.

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More sources

Dissertations / Theses on the topic "Varactors MOS"

1

Maget, Judith. "Varactors and inductors for integrated RF circuits in standard MOS technologies." [S.l. : s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=967584388.

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2

Sameni, Pedram. "Modelling and applications of MOS varactors for high-speed CMOS clock and data recovery." Thesis, University of British Columbia, 2008. http://hdl.handle.net/2429/516.

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Abstract:
The high-speed clock and data recovery (CDR) circuit is a key building block of modern communication systems with applications spanning a wide range from wireline long-haul networks to chip-to-chip and backplane communications. In this dissertation, our focus is on the modelling, design and analysis of devices and circuits used in this versatile system in CMOS technology. Of these blocks, we have identified the voltage-controlled oscillator (VCO) as an important circuit that contributes to the total noise performance of the CDR. Among different solutions known for this circuit, LC-VCO is ackno
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3

Petot-Barbier, Céline. "Caractérisation et modélisation de composants passifs haute fréquence et étude du couplage substrat en technologies CMOS standard et SOI." Caen, 2006. http://www.theses.fr/2006CAEN2001.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire a pour but de modéliser des composants passifs tels que des varactors et des inductances, ainsi que d'étudier le couplage substrat en haute fréquence en technologie CMOS 120nm et 90nm. Une comparaison de ces structures sur un substrat standard et SOI est présentée. Le premier chapitre permet de poser les bases de la caractérisation hyperfréquence sur plaque et de présenter les différents équipements utilisés pour la mesure des structures de test. Grâce à la validation du nouvel analyseur de réseau, des mesures ont été effectuées pour permettre la modélisatio
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4

Freitas, Vitor. "Etude et réalisation de réseaux d'adaptation d'impédances accordables linéaires et non linéaires, sur PCB et silicium CMOS, pour des applications en radiofréquences." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT059/document.

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Abstract:
L’objectif de ce travail est d’aborder la conception de réseaux d’adaptation d’impédance accordable (RAA) dans deux contextes bien distincts en radiofréquences : le RAA en faible signal et le RAA en fort signal.Concernant les aspects faible signal, des critères de performance de RAA ont été établis et étudiés. Une nouvelle expression générale de l’efficacité d’un RAA a été développée. Elle permet de prédire le rendement d’un RAA à partir des facteurs de qualité des composants dont on dispose dans une technologie donnée et du rapport de transformation à réaliser. Des abaques de couverture d’imp
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5

Morandini, Yvan. "Évaluation de nouvelles varicaps en technologie silicium." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10059/document.

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Abstract:
Les spécifications des standards de transmission de données, par exemple la télévision numérique terrestre (VHF, UHF, L1, L2, S-band), la téléphonie mobile (GSM, GPRS, EDGE, UMTS, ... ) ou l'augmentation du débit d'information sans fils (WIFI, WiMax, Bluetooth, WHDMI, ... ), nécessitent entre autres une réduction du seuil de détection et une densification des canaux. Plusieurs solutions permettent d'augmenter le débit d'information, soit l'augmentation de la quantité d'information transportée par la porteuse radio-fréquence, soit la multiplication des porteuses à l'intérieur d'une bande de fré
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6

Andrade, freitas Vitor. "Etude et réalisation de réseaux d'adaptation d'impédances accordables linéaires et non linéaires, sur PCB et silicium CMOS, pour des applications en radiofréquences." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845681.

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Abstract:
L'objectif de ce travail est d'aborder la conception de réseaux d'adaptation d'impédance accordable (RAA) dans deux contextes bien distincts en radiofréquences : le RAA en faible signal et le RAA en fort signal.Concernant les aspects faible signal, des critères de performance de RAA ont été établis et étudiés. Une nouvelle expression générale de l'efficacité d'un RAA a été développée. Elle permet de prédire le rendement d'un RAA à partir des facteurs de qualité des composants dont on dispose dans une technologie donnée et du rapport de transformation à réaliser. Des abaques de couverture d'imp
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7

Poulain, Laurent. "Développement d’un outil de caractérisation millimétrique de bruit dans la bande de fréquence 110 – 320 GigaHertz." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10103/document.

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Abstract:
Aujourd’hui, l’amélioration des fréquences de coupure des transistors sur silicium en technologie CMOS et BiCMOS permet la conception d’applications au-delà de 110 GHz. Des recherches antérieures dans le cadre du laboratoire commun entre STMicroelectronics et l’IEMN ont permis le développement de méthodologies et d’outils de caractérisation en régime petit signal jusque 325 GHz et en bruit jusque 110 GHz. L’objectif de cette thèse est la conception d’un outil de caractérisation en bruit au-delà de 110 GHz pour permettre l’extraction des quatre paramètres de bruit des transistors. Après une pré
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8

Margalef, rovira Marc. "Design of mm-wave Reflection-Type Phase Shifters with Oscillation-Based Test capabilities." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT025.

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Abstract:
Ce travail porte sur la conception de déphaseurs de type réflectif (RTPS) sur silicium à ondes millimétriques avec des moyens de test basé sur l'oscillation (OBT). Pour plus de cohérence, une seule technologie a été utilisée, la BiCMOS STM 55 nm. Tout d'abord, la théorie et les mises en œuvre pratiques des coupleurs 3-dB sont discutées. Une attention particulière est portée à la topologie du guide d'onde coplanaire couplé à ondes lentes (CS-CPW), en raison de ses bonnes performances. En utilisant cette topologie, les mesures de deux coupleurs 3-dB sont rapportées : (i) un coupleur de 120 GHz,
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9

Maget, Judith [Verfasser]. "Varactors and inductors for integrated RF circuits in standard MOS technologies / Judith Maget." 2002. http://d-nb.info/967584388/34.

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10

Carr, John. "A 26 GHz Phase-Locked Loop Frequency Multiplier in 0.18-um CMOS." Thesis, 2009. http://hdl.handle.net/1974/1796.

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Abstract:
This thesis presents the analysis, design and characterization of an integrated high-frequency phase-locked loop (PLL) frequency multiplier. The frequency multiplier is novel in its use of a low multiplication factor of 4 and a fully differential topology for rejection of common mode interference signals. The PLL is composed of a voltage controlled oscillator (VCO), injection-locked frequency divider (ILFD) for the first divide-by-two stage, a static master-slave flip-flop (MSFF) divider for the second divide-by-two stage and a Gilbert cell mixer phase detector (PD). The circuit has bee
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Book chapters on the topic "Varactors MOS"

1

Chatterjee, Shouri, Kong Pang Pun, Nebojša Stanić, Yannis Tsividis, and Peter Kinget. "Weak Inversion MOS Varactors for Tunable Integrators." In Analog Circuit Design Techniques at 0.5 V. Springer US, 2007. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-69954-7_3.

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2

Zhu, Zeqin, Gennady Gildenblat, James Victory, and Colin C. McAndrew. "Surface-Potential-Based MOS Varactor Model." In Compact Modeling. Springer Netherlands, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-90-481-8614-3_11.

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3

"MOS Varactors." In Design and Characterization of Integrated Varactors for RF Applications. John Wiley & Sons, Ltd, 2007. http://dx.doi.org/10.1002/9780470035924.ch3.

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4

"On the Use of MOS Varactors in RF VCO's." In Phase-Locking in High-Performance Systems. IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/9780470545492.ch17.

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5

"A New GaAs MOS Varactor Fabricated Using a Low-Cost GaAs Oxidation Technology." In Compound Semiconductors 2004. CRC Press, 2005. http://dx.doi.org/10.1201/9781482269222-98.

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Conference papers on the topic "Varactors MOS"

1

Magierowski, Sebastian, Takis Zourntos, Jean-Francois Bousquet, and Zhixing Zhao. "Compact parametric downconversion using MOS varactors." In 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (MTT). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/mwsym.2009.5165962.

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2

Dehan, M., B. Parvais, V. Subramanian, et al. "Characterization, modeling, and optimization of FinFET MOS varactors." In 2007 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smic.2007.322761.

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3

Pahwa, Girish, Amit Agarwal, and Yogesh Singh Chauhan. "Evaluating Negative Capacitance Technology for RF MOS Varactors." In 2019 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/s3s46989.2019.9320695.

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4

Dunwell, Dustin, and Brian Frank. "Accumulation-Mode MOS Varactors for RF CMOS Low-Noise Amplifiers." In 2007 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smic.2007.322802.

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5

Bhattacharyya, Kalyan, J. Mukherjee, and M. Shojaei Baghini. "20GHz CMOS distributed voltage controlled oscillators with frequency tuning by MOS varactors." In 2009 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (IEDST). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/edst.2009.5166117.

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6

Li, Kang, Bin You, Jincai Wen, and Lingling Sun. "A multi-band low-noise amplifier with MOS varactors for wireless application." In 2011 International Conference on Electronics, Communications and Control (ICECC). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/icecc.2011.6066636.

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7

Kulkarni, Jaydeep, and Navakanta Bhat. "Effect of Poly-Si Gate Depletion on Tuning Range in MOS Varactors." In 2006 64th Device Research Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2006.305128.

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8

Fong, Tarr, Zamdmer, Plouchart, and Plett. "Accumulation MOS varactors for 4 to 40 GHz VCOs in SOI CMOS." In 2002 IEEE International SOI Conference. IEEE, 2002. http://dx.doi.org/10.1109/soi.2002.1044458.

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9

Amselem, E., B. Gonzalez, J. Garcia, et al. "Influence of gate geometry in integrated MOS varactors on accumulation mode for RF." In 2007 Spanish Conference on Electron Devices. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/sced.2007.383997.

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Li, Ming-Xuan, Ching-Yi Jiang, Yu-Ying Pan, Hao-Hui Chen, and Yao-Wen Hsu. "Using Inversion-mode MOS Varactors and 3-port Inductor in 0.18-µm CMOS Voltage Controlled Oscillator." In 2019 International Symposium on Intelligent Signal Processing and Communication Systems (ISPACS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/ispacs48206.2019.8986327.

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