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Dissertations / Theses on the topic 'ZnGeP2'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Last updated: 31 July 2025

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1

Cheng, Siqi [Verfasser]. "Multi-picosecond Ho:YLF-pumped supercontinuum generation and ZnGeP2-based optical parametric amplifiers in the fingerprint regime / Siqi Cheng." Hamburg : Staats- und Universitätsbibliothek Hamburg Carl von Ossietzky, 2020. http://d-nb.info/1229625518/34.

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2

Rame, Jérémy. "Recherche et élaboration de nouveaux matériaux pour les applications laser non-linéaires du moyen infrarouge." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066716.

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Abstract:

Le moyen infrarouge (MIR) présente un fort intérêt technologique du fait de la présence de bandes de transparence de l’atmosphère dans ce domaine. En effet, elles permettent d’envisager de nombreuses applications à longue distance, telles que la détection de gaz ou le brouillage infrarouge de missiles pour la sécurité des aéronefs civils ou militaires. Les sources paramétriques optiques font partie des technologies de choix pour la génération d’impulsions laser dans ce domaine. Elles nécessitent l’emploi de cristaux non-linéaires pour convertir des signaux laser, du proche infrarouge vers le M

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3

Blanton, Eric Williams. "Characterization and Control of ZnGeN2 Cation Lattice Ordering and a Thermodynamic Model for ZnGeN2-ZnSnN2 Alloy Growth." Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1448295996.

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4

Bekele, Challa Megenassa. "SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF GaN AND ZnGeN2." Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2007. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1165271807.

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5

Beddelem, Nicole. "Croissance et caractérisation de nitrures ZnGeN2 pour applications optoélectroniques." Thesis, Université de Lorraine, 2019. http://www.theses.fr/2019LORR0029/document.

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Abstract:

Les nitrures d'éléments II-IV ZnSiN2, ZnGeN2 et ZnSnN2 forment une famille de semi-conducteurs liés aux nitrures d'éléments III (le GaN et ses alliages contenant de l'aluminium ou de l'indium). Ils s'obtiennent par construction en remplaçant l'élément III (Ga) périodiquement par un élément II (Zn) puis par un élément IV (Si, Ge ou Sn), ses voisins de gauche et de droite dans le tableau périodique. La structure cristalline qui en résulte est très proche de celle du GaN wurtzite. Le ZnGeN2 présente un désaccord de maille avec le GaN inférieur à 1%. Sa largeur de bande interdite est de quelques p

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6

Beddelem, Nicole. "Croissance et caractérisation de nitrures ZnGeN2 pour applications optoélectroniques." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2019. http://www.theses.fr/2019LORR0029.

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Abstract:

Les nitrures d'éléments II-IV ZnSiN2, ZnGeN2 et ZnSnN2 forment une famille de semi-conducteurs liés aux nitrures d'éléments III (le GaN et ses alliages contenant de l'aluminium ou de l'indium). Ils s'obtiennent par construction en remplaçant l'élément III (Ga) périodiquement par un élément II (Zn) puis par un élément IV (Si, Ge ou Sn), ses voisins de gauche et de droite dans le tableau périodique. La structure cristalline qui en résulte est très proche de celle du GaN wurtzite. Le ZnGeN2 présente un désaccord de maille avec le GaN inférieur à 1%. Sa largeur de bande interdite est de quelques p

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7

Rolles, Mélanie. "Étude théorique de la faisabilité des LED à base de ZnGeN2." Thesis, Université de Lorraine, 2018. http://www.theses.fr/2018LORR0206/document.

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Abstract:

Le développement de LED à base de nitrures représente un enjeu important tant sur le plan scientifique qu’industriel et sociétal. De par leur large bande interdite, les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures d’éléments III (composés III-N) tels que le GaN et ses alliages sont de très bons candidats pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques nouveaux. Néanmoins, ces systèmes présentent bon nombre de limitations, principalement dues à l’évolution des propriétés de l’InGaN lorsque la concentration d’indium augmente. Les effets de contrainte et de polarisation affectent la qualité

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8

Rolles, Mélanie. "Étude théorique de la faisabilité des LED à base de ZnGeN2." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2018. http://www.theses.fr/2018LORR0206.

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Abstract:

Le développement de LED à base de nitrures représente un enjeu important tant sur le plan scientifique qu’industriel et sociétal. De par leur large bande interdite, les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures d’éléments III (composés III-N) tels que le GaN et ses alliages sont de très bons candidats pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques nouveaux. Néanmoins, ces systèmes présentent bon nombre de limitations, principalement dues à l’évolution des propriétés de l’InGaN lorsque la concentration d’indium augmente. Les effets de contrainte et de polarisation affectent la qualité

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9

Rablău, Corneliu Ioan. "Photoluminescence and optical absorption spectroscopy of infrared materials Cr²+:ZnSe and ZnGeP₂." Morgantown, W. Va. : [West Virginia University Libraries], 1999. http://etd.wvu.edu/templates/showETD.cfm?recnum=1124.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--West Virginia University, 1999.<br>Title from document title page. Document formatted into pages; contains xv, 200 p. : ill. (some col.). Includes abstract. Includes bibliographical references (p. 194-200).

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10

Stevens, Kevin T. "Electron-nuclear double resonance studies of point defects in AgGaSe₂ and ZnGeP₂." Morgantown, W. Va. : [West Virginia University Libraries], 1999. http://etd.wvu.edu/templates/showETD.cfm?recnum=1130.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--West Virginia University, 1999.<br>Title from document title page. Document formatted into pages; contains ix, 165 p. : ill. (some col.). Includes abstract. Includes bibliographical references (p. 118-122).

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11

Shea, Lauren Elizabeth. "ZnGa2 O4 and ZnGa2 O4: Mn2+ for potential use in vacuum fluorescent displays." Thesis, Virginia Tech, 1993. http://hdl.handle.net/10919/40552.

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Abstract:

Zinc gallate and Mn2+ -activated zinc gallate were identified as potential low-voltage cathodoluminescent phosphors for use in vacuum fluorescent displays. The stability of these oxide phosphors in high-vacuum and absence of corrosive gas emission under electron bombardment, offer advantages over commonly used sulfide phosphors. A low-voltage cathodoluminescence spectrophotometer was _ developed for phosphor characterization. Sample brightness was measured as a function of anode voltage (10-300 VDC). The effects of activator concentration, phosphor layer thickness, deposition process, and i

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12

Peshek, Timothy John. "Studies in the Growth and Properties of ZnGeN₂ and the Thermochemistry of GaN." online version, 2008. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view.cgi?acc%5Fnum=case1207231457.

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13

Jayatunga, Benthara Hewage Dinushi. "Heterovalent Semiconductors: First-Principles Calculations of the Band Structure of ZnGeGa₂N₄, and Metalorganic Chemical Vapor Deposition of ZnGeN₂ - GaN Alloys and ZnSnN₂." Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2021. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1619087038602758.

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14

Bekele, Challa. "Synthesis and characterization of GaN and ZnGeN₂." online version, 2007. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=case1165271807.

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15

Paudel, Tula R. "Structure, Phonons and Realated Properties in Zn-IV-N2 (IV=Si,Ge,Sn), ScN and Rare-Earth Nitrides." Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1226530202.

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16

Levalois, Marc. "Etude par diffraction de rayons X de la densité électronique dans les semi-conducteurs GaAs, ZnSiAs, ZnGeAs et ZnSnAs." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37607338k.

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17

Levalois, Marc. "Etude par diffraction de rayons x de la densite electronique dans les semi-conducteurs gaas, znsias : :(2), zngeas::(2) et znsnas::(2)." Caen, 1987. http://www.theses.fr/1987CAEN2006.

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Abstract:

Mesure des facteurs de structure. Determination des parametres d'agitation thermique dont les valeurs presentent une bonne coherence d'un compose a l'autre. Description de la densite de valence a l'aide d'un modele de charges de liaison gaussiennes. Les calculs theoriques de structure de bandes conduisent a une densite de valence theorique assez voisine de la densite experimentale

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18

"First-Principles Study of Thermodynamic Properties in Thin-Film Photovoltaics." Master's thesis, 2011. http://hdl.handle.net/2286/R.I.14324.

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Abstract:

abstract: This thesis focuses on the theoretical work done to determine thermodynamic properties of a chalcopyrite thin-film material for use as a photovoltaic material in a tandem device. The material of main focus here is ZnGeAs2, which was chosen for the relative abundance of constituents, favorable photovoltaic properties, and good lattice matching with ZnSnP2, the other component in this tandem device. This work is divided into two main chapters, which will cover: calculations and method to determine the formation energy and abundance of native point defects, and a model to calculate the

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