Relevant bibliographies by topics / Арсенід галія

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Conference papers

Academic literature on the topic 'Арсенід галія'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Арсенід галія.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Арсенід галія"

1

Черніков, М. Г., І. Д. Чернікова, О. М. Чернікова та К. Д. Рибалко. "Фотоемісія з різних гранів монокристалів арсеніда галія". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 2 (272) (15 вересня 2022): 99–105. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2022-272-2-99-105.

Full text
Abstract:
Відомо, що іноді розділи науки переживають періоди швидкого розвитку, зумовлені появою якісно нових ідей, аналітичних приладів для отримання експериментальних результатів, а також удосконалення методів вимірів. Яскравий тому приклад – оптична спектроскопія, яка з появою лазерних джерел світла значно змінилася. Поряд з інтенсивним розвитком класичних напрямів у науці виникли нові методи та додатки. Серед нових напрямів особливе місце займає статистичний та спектральний аналіз світлових полів за допомогою фотодетекторів – спектроскопія оптичного усунення. Експериментальні методи спектроскопії оп
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Vambol, S. O., I. T. Bohdanov, V. V. Vambol, et al. "Formation of Filamentary Structures of Oxide on the Surface of Monocrystalline Gallium Arsenide." Journal of Nano- and Electronic Physics 9, no. 6 (2017): 06016–1. http://dx.doi.org/10.21272/jnep.9(6).06016.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Klyui, N. I., A. I. Liptuga, V. B. Lozinskii, et al. "Tellurium Effect on Degradation Stability of Semiinsulating Gallium Arsenide Crystals." Ukrainian Journal of Physics 59, no. 11 (2014): 1093–97. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe59.11.1093.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Pritchin, S., V. Dragobetsky, V. Palagin, V. Bakhmat, and D. Pasenko. "SYSTEM OF AUTOMATIC CONTROL OF MEASUREMENT OF INDUSTRIAL CONTROLLED PARAMETERS OF SILICON FOR POROUS SUBSTRATES." Electromechanical and energy saving systems 4, no. 56 (2021): 80–86. http://dx.doi.org/10.30929/2072-2052.2021.4.56.80-86.

Full text
Abstract:
Purpose. The article discusses the features of improving the technology of growing gallium arsenide ingots for the production of substrates that are intended for applying a porous film. Such porous gallium arsenide is used to manufacture gas sensors with improved technical parameters. Such sensors are highly sensitive and can operate at room temperature without the use of heating systems. To improve the technology of growing gallium arsenide ingots, the paper proposes the development of software for an information-control system for growing ingots. The features of the technological process of
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Круковський, Семен Іванович, Микола Михайлович Ваків, Євген Михайлович Ящишин та ін. "Властивості низькотемпературного GaAs отриманого методом РФЕ для пристроїв терагерцового діапазону". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 16 квітня 2025. https://doi.org/10.20535/s0021347024080041.

Full text
Abstract:
У статті представлені результати дослідження особливостей формування високоомного низькотемпературного арсеніду галію методом РФЕ під впливом комплексного легування галієвих розплавів рідкісноземельним елементом диспрозієм та алюмінієм. Електрофізичні властивості епітаксійних шарів досліджували методом Ван дер Пау. Вимірювання проводилися в частотному діапазоні 80-145 ГГц за допомогою квазіоптичної установки на основі векторного аналізатора мережі (VNA) з парою частотних розширювачів, що працюють у діапазоні VDI WR-3.4, що дозволяє вимірювати повні комплексні параметри розсіювання двополюсника
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

"Плазмонное усиление электрического поля в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками, интегрированных с различным типом поверхностных наноструктур / Блошкин А.А., Якимов А.И., Кириенко В.В., Армбристер В.А., Уткин Д.Е., Двуреченский А.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 401. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-401.

Full text
Abstract:
Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками интегрированные с субволновыми золотыми решетками являются перспективным кандидатом для использования в фотоприемных устройствах среднего (3-5 мкм) инфракрасного диапазона, поскольку в них реализуется усиление поля электромагнитной волны света полем поверхностной плазмонной волны. Однако нанесение золотой пленки на поверхность полупроводников с высоким показателем преломления приводит к увеличению коэффициента отражения электромагнитных волн, ослабляя эффект плазмонного усиления, несмотря на явления экстраординарного прохождения света. Ранее, в работе
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Арсенід галія"

1

Кирилаш, А. И., та В. В. Кидалов. "Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия". Thesis, Издательство СумГУ, 2012. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27614.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Дмитрієв, В. С. "Оптимізація режимів термічної обробки гетероструктури на арсеніді галію". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64640.

Full text
Abstract:
На даний час найбільш відпрацьованими є технології виготовлення гетеропереходів метал-арсенід галію на основі золота, але перехід до металізації на основі срібла, яке має більшу за золото тепло- та електропровідність та відносно невеликий коефіцієнт дифузії в арсенід галію, повинен підвищити технічні характеристики виробів та зменшити їх собівартість. Для створення омічних контактів використовують подвійні або складніші сплави на основі срібла, золота, паладію, титану з домішкою металів (кадмію, магнію, алюмінію, індію та ін.), які легко окислюються.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Дмитрієв, Вадим Сергійович. "Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію". Doctoral thesis, Київ, 2019. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29304.

Full text
Abstract:
Роботу виконано на кафедрі мікроелектронних інформаційних систем Інженерного інституту Запорізького національного університету Міністерства освіти і науки України.<br>Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інженерний інститут Запорізького національного університету, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2019. Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрни
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Арсенід галія"

1

Притчин, О. С., та С. В. Драник. "РОЗРОБКА МАТЕМАТИЧНОЇ МОДЕЛІ КОНТАКТНОГО ОПОРУ ДО ПОРИСТОГО АРСЕНІДУ ГАЛІЮ". У ХXXI Міжнародна науково-практична конференція студентів, аспірантів та молодих учених «Актуальні проблеми життєдіяльності суспільства». КрНУ імені Михайла Остроградського, 2024. http://dx.doi.org/10.32782/2222-5099.2024.4.33.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography