Relevant bibliographies by topics / Гетероперехід

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Conference papers

Academic literature on the topic 'Гетероперехід'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 30 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Гетероперехід.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Гетероперехід"

1

Алекперов, А. С., А. О. Дашдемиров, Н. А. Исмайылова та С. Г. Джабаров. "Получение гетероперехода Ge-GeS : Nd и исследование спектральной характеристики". Физика и техника полупроводников 54, № 11 (2020): 1193. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.11.50085.9401.

Full text
Abstract:
Исследованы технология получения гетероперехода Ge-GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах γ-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4-2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается. Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, γ-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Чирчик, Сергей Васильевич. "Уменьшение поверхностной рекомбинации в монокристаллическом кремнии путем импульсного лазерного осаждения пленок с кремниевыми квантовыми точками". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 65, № 3 (2022): 167–74. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347022030037.

Full text
Abstract:
У роботі запропоновано спосіб пригнічення поверхневої рекомбінації c-Si шляхом модифікації його поверхні наночастинками. Нанокомпозити кремнію, що містять Si квантоворозмірні частинки в SiO2 матриці, характеризуються збільшеною шириною заборонених станів, при нанесенні на c-Si підкладку, вони формують гетероперехід nc-Si/c-Si, потенційний бар’єр якого сприяє збільшенню поверхневого часу життя носіїв заряду. Наведено експериментальні результати досліджень. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію. Підтверджена можливість зменшення поверхневої рекомбінації в монокри
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Юсупов, А., К. Адамбаев, З. З. Тураев, С. Р. Алиев та А. Кутлимратов. "Создание и электрические свойства гетеропереходов p-Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnSnS-=SUB=-4-=/SUB=-/n-Si". Письма в журнал технической физики 43, № 2 (2017): 98. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.02.44193.16474.

Full text
Abstract:
Впервые получены анизотипные гетеропереходы p-Cu2ZnSnS4/n-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44193.16474
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Моисеев, К. Д., та В. В. Романов. "Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs-=SUB=-1-y-=/SUB=-Sb-=SUB=-y-=/SUB=-/InAsSbP в интервале составов y<0.2". Физика твердого тела 63, № 4 (2021): 475. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2021.04.50712.260.

Full text
Abstract:
Гетероструктуры n+-InAs/n0-InAs1-ySby/p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs1-ySby/InAsSbP в диапазоне составов (y&amp;lt;0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs1-ySby/InAsSbP является гетеропереходом II типа в д
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Моисеев, К. Д., та В. В. Романов. "Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs-=SUB=-1-y-=/SUB=-Sb-=SUB=-y-=/SUB=-/InAsSbP в интервале составов y<0.2". Физика твердого тела 63, № 4 (2021): 475. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2021.04.50712.260.

Full text
Abstract:
Гетероструктуры n+-InAs/n0-InAs1-ySby/p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs1-ySby/InAsSbP в диапазоне составов (y&amp;lt;0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs1-ySby/InAsSbP является гетеропереходом II типа в д
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Соболева, О. С., С. О. Слипченко та Н. А. Пихтин. "Изотипные гетероструктуры n-AlGaAs/n-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током". Физика и техника полупроводников 55, № 5 (2021): 427. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.05.50831.9598.

Full text
Abstract:
Проведен анализ транспорта носителей заряда при накачке током изотипной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, оптимизированной для эффективной межзонной излучательной рекомбинации. Для анализа особенностей транспорта носителей заряда использовались модели: дрейф-диффузионная, дрейф-диффузионная с полевой зависимостью подвижности, а также энергетического баланса. Показано, что при низких токах уровень излучательной рекомбинации в активной области выше в модели энергетического баланса из-за более эффективного накопления носителей, генерируемых посредством ударной ионизации. Это объясняется наличием на ге
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Белоусов, С., М. А. Бобылев, В. И. Ковалев, Е. В. Каевицер та В. Е. Любченко. "ГЕТЕРОПЕРЕХОД GAAS-SNAS-SN". Nanoindustry Russia 14, № 7s (2021): 343–44. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.343.344.

Full text
Abstract:
Авторами исследовалась возможность создания эпитаксиальных структур GaAs-SnAs на подложках n+-GaAs и i-GaAs, обладающих важным достоинством, имеющим металлический тип проводимости и постоянную решетки, близкую друг к другу. Данные гетероструктуры могут использоваться в качестве базового элемента генераторов и приемников электромагнитного излучения СВЧ- и КВЧ-диапазонов волн.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Ачилов, А. С., та Р. Р. Кабулов. "Влияние γ-облучения на механизм переноса тока в прямой ветви вольтамперной характеристики Al–p-CdTe–Mo структуры". «Узбекский физический журнал» 24, № 2 (2022): 133–38. http://dx.doi.org/10.52304/.v24i2.333.

Full text
Abstract:
Рассматривается влияние облучения γ-квантами на механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm). Показано, что прямая ветвь ВАХ структуры Al-p-CdTe-Mo до и после облучения описывается степенной зависимостью J ~ Vβ с двумя участками: на участке D β = 1.2, a на участке F β = 3.45. Определенная из прямой ветви ВАХ величина удельного сопротивления ρ 2.1×107 Ωcm слоя p-CdTe хорошо соответствует величине удельного сопротивления исходной пленки p-CdTe. Экспериментально наблюдаемый на втором участке (F) прямой ветви ВАХ резкий рост тока также подтверждает, что фронталь
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Orlets’kyi, I. G., M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, H. P. Parkhomenko та P. D. Maryanchuk. "Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe". Ukrainian Journal of Physics 66, № 9 (2021): 792. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe66.9.792.

Full text
Abstract:
Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту a-Mn2O3 на кристалiчнi пiд-кладинки n-CdZnTe. За температурними залежностями I-V -характеристик проаналiзовано механiзми тунелювання електронiв крiзь енергетичний бар’єр гетеропереходу при прямому та зворотному струмах. З’ясована роль енергетичних станiв на межi n-Mn2O3/n-CdZnTe у формуваннi параметрiв бар’єра. На основi C-V –характеристик встановлено динамiку змiни i взаємозв’язок ємнiсних параметрiв тонкої плiвки n-Mn2O3 та iнверсiйного шару n-CdZnTe. Представлено
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

БИСТИ, В. Е. "КВАЗИДЫРКИ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ MGZNO/ZNO КАК ВАКАНСИОНЫ". ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ 109, № 1-2 (2019): 105–7. http://dx.doi.org/10.1134/s0370274x19020073.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Гетероперехід"

1

Єрьоменко, Юрій Сергійович, Юрий Сергеевич Еременко, Yurii Serhiiovych Yeromenko та ін. "Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS". Thesis, Львівський національний університет ім. І. Франка, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66341.

Full text
Abstract:
В наш час обмеженість та вичерпність природніх ресурсів приводить до того, що стрімко зростає інтерес до відновлювальних джерел енергії. Серед них найбільш екологічно чистим та доступним являється енергія сонця. Уже декілька десятків років, як людство навчилося перетворювати сонячну енергію за рахунок масивних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) на основі кремнію, арсеніду галію та деяких інших матеріалів.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Д`яченко, Олексій Вікторович, Алексей Викторович Дьяченко, Oleksii Viktorovych Diachenko, et al. "The performance optimization of thin-film solar converters based on n-ZnMgO / p-CuO heterojunctions." Thesis, Jadavpur University, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65510.

Full text
Abstract:
In this paper, we present the results of the calculations of optical losses in the solar cells layers based on heterojunction n-ZnMgO / p-CuO with ZnO and ITO frontal contacts. The calculations were carried out taking into account a light absorption in the auxiliary layers of the device. As a result, the spectral dependencies of transmittance Т() in the absorber layer of solar cell were defined. It is made possible to optimize the design of the solar cells based on such heterojunctions.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Кушнір, Б. В., та І. Г. Ткачук. "Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3]". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729.

Full text
Abstract:
Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Коритний, Р. М. "Тонкоплівкові сонячні елементи на основі гетеропереходу ZnO/CZTS". Master's thesis, Сумський державний університет, 2019. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/76612.

Full text
Abstract:
Мета роботи полягає у проведенні аналізу літератури стосовно фізичних явищ, що відбуваються у сонячних елементах, дослідженні впливу фізико-хімічних умов нанесення на характеристики плівок ZnO, CZTS та практичне одержання прототипів сонячних елементів на основі гетеропереходу ZnO/CZTS. Проведено огляд літератури та показано, що розвиток сонячної енергетики відбувався у три етапи: використання масивних сонячних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію, одержаного за традиційними технологіями електроніки; використання плівкових сонячних елементів на основі гетеропереходів, що містять по
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Бересток, Таїсія Олександрівна, Таисия Александровна Бересток, Taisiia Oleksandrivna Berestok та ін. "Моделювання вольт-амперних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe". Thesis, Сумський державний університет, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34075.

Full text
Abstract:
Метою роботи є моделювання з використанням програми SCAPS-3200 основних характеристик СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe та їх порівняння з характеристиками приладів на основі багатошарової системи n-CdS/p-CdTe, визначення оптимальних конструктивних параметрів фотоперетворювачів нової конструкції. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34075
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Доброжан, Олександр Анатолійович, Александр Анатольевич Доброжан, Okeksandr Anatoliyovych Dobrozhan та ін. "Оптичні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-CdTe". Thesis, Сумський державний університет, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32603.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Опанасюк, Анатолій Сергійович, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Anatolii Serhiiovych Opanasiuk та ін. "Вплив оптичних і рекомбінаційних втрат на ефективність сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(ZnS,ZnSe)/p-CZTS". Thesis, Астропринт, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46081.

Full text
Abstract:
Згідно з прогнозами з середини XXI століття сонячна енергетика стане домінуючим джерелом енергії людства. У наш час як перспективна заміна традиційним поглинаючим шарам тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) розглядається чотирикомпонентна сполука Cu2ZnSnS4 (CZTS), яка має оптимальну для перетворення сонячної енергії ширину забороненої зони (Eg = 1,5 eВ) та р-тип провідності. Віконним матеріалом у такому СЕ тардиційно виступає CdS, а фронтальним контактом ITO. Альтернативою відомим СЕ є конструкції з вікном з ZnS або ZnSe та струмознімальним шаром ZnO:Al. За оцінками ефективність тонкоплівков
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Доброжан, Олександр Анатолійович, Александр Анатольевич Доброжан, Oleksandr Anatoliiovych Dobrozhan та ін. "Порівняння оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ito(zno)/n-cds(n-zns, znse)/p-czts". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46239.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Курбатов, Денис Ігорович, Денис Игоревич Курбатов та Denis Ihorovich Kurbatov. "Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок ZnS та гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe". Thesis, Сумський державний університет, 2010. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3780.

Full text
Abstract:
Останніми роками у зв'язку з необхідністю пошуку нових матеріалів для сонячної енергетики, опто- та акустоелектроніки суттєво виріс інтерес фахівців до традиційного люмінесцентного матеріалу - сульфіду цинку. На основі цієї сполуки вже давно створені й успішно працюють світлоемісійні діоди, фотодетектори, сенсори, електрооптичні модулятори, оптичні покриття тощо. Підвищену увагу дослідників привертають і плівки сульфіду цинку. Це обумовлено широким спектром їх застосування, а саме: як антивідбивні покриття сонячних елементів на основі кремнію: базові шари тонкоплівкових електролюмінесцентних п
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Галат, А. Б., та Ю. В. Натарова. "Исследование фотоэлектрического преобразователя на основе CuInGaSe". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67886.

Full text
Abstract:
Целью данной работы является исследование наиболее эффективных фоточувствительных материалов, сравнение их характеристик; расчёт поглощательной способности и выбор оптимального материала и размеров фотопреобразователя для эффективного преобразования энергии.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Conference papers on the topic "Гетероперехід"

1

"Зонная структура гетероперехода Si\In2O3:Er". У КРЕМНИЙ 2022. М.: Издательство «Перо», 2022. http://dx.doi.org/10.34077/silicon2022-46.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Rembeza, Stanislav, Akramjon Boboev, Tat'yana Men'shikova та Tamara Svistova. "СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА N-ZNO/P-SI". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s2_5.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Байков, Ю. M., та В. А. Лукошкин. "ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЙ ПРОТОННЫЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОД: ГЕРМАНИУМ ИЛИ IV ГРУППА - ТВЕРДЫЕ ГИДРОКСИДЫ II ГРУППЫ". У XV Симпозиум с международным участием "Термодинамика и материаловедение". NIIC SB RAS, 2023. http://dx.doi.org/10.26902/therm_2023_243.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Гетероперехід' for particular source types:
Journal articles Dissertations / Theses
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography